JPH07115993B2 - Method for growing lanthanum boride single crystal - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、フローティング・ゾー
ン法により、六ホウ化ランタンを端成分とする組成式The present invention relates to a composition formula using lanthanum hexaboride as an end component by the floating zone method.

【化２】Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＢ_６ （ここで、Ｍ＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、又はこれらの混合
物、０＜ｘ≦０．５）の固溶体単結晶の育成法に関す
る。[Chemical formula 2] La_1-xM_xB₆  (Where M = Ce, Pr, Nd, or a mixture thereof
Stuff,0 <x ≦ 0.5) Of solid solution single crystal
It

【０００２】[0002]

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】六ホウ
化ランタン単結晶は、現在、寿命の長い高輝度電子放射
材料として、走査型電子顕微鏡や電子描画装置などに利
用されている。この電子放射材料として用いる場合、純
度の高い高品質単結晶が必要である。2. Description of the Related Art Lanthanum hexaboride single crystal is currently used as a high-brightness electron emitting material having a long life in scanning electron microscopes, electron drawing devices and the like. When used as this electron emitting material, a high quality single crystal with high purity is required.

【０００３】高純度な六ホウ化ランタン単結晶の育成法
としては、育成温度が高く、不純物が蒸発により除去さ
れるＦＺ法が適している。しかしながら、従来のＦＺ法
により育成される単結晶中には多くの欠陥(例えば、粒
界密度で４００cm／cm²)が存在する欠点があった。この
ため、高品質な部分を選び、電子放射材として使用せざ
るを得ないのが実情である。As a method for growing a high-purity lanthanum hexaboride single crystal, the FZ method, which has a high growth temperature and removes impurities by evaporation, is suitable. However, there is a defect that many defects (for example, a grain boundary density of 400 cm / cm ² ) exist in the single crystal grown by the conventional FZ method. Therefore, in reality, it is unavoidable to select a high quality portion and use it as an electron emitting material.

【０００４】本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、
欠陥の少ない良質なホウ化ランタン系単結晶を得る方法
を提供することを目的とするものである。The present invention solves the above-mentioned drawbacks of the prior art,
It is an object of the present invention to provide a method for obtaining a good quality lanthanum boride single crystal with few defects.

【０００５】[0005]

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明者らは、従来のＦＺ法において結晶中に粒界
を生じさせている要因を調べた結果、次のことが判明し
た。In order to solve the above problems, the inventors of the present invention have investigated the factors causing the grain boundaries in the crystal in the conventional FZ method, and have found the following.

【０００６】すなわち、ホウ化ランタン単結晶の育成温
度が約２７００℃と高いため、結晶は非常に高い温度勾
配(約１５０℃／mm)の下を通過することになる。この成
長直後の冷却過程において発生する熱応力により、結晶
中に粒界を発生させ、結晶性の低下を招くことが判明し
た。That is, since the growth temperature of the lanthanum boride single crystal is as high as about 2700 ° C., the crystal passes under a very high temperature gradient (about 150 ° C./mm). It has been found that the thermal stress generated in the cooling process immediately after the growth causes grain boundaries in the crystal, resulting in deterioration of crystallinity.

【０００７】そこで、熱応力による結晶性の低下を小さ
くするため、固溶体効果により結晶自身の機械的強度を
上げた。更に、結晶が受ける熱応力そのものを小さくす
るため、自己フラックス法により育成温度を下げた。こ
の２つの対策を行い、ホウ化ランタン系単結晶の育成を
ＦＺ法により試みた。Therefore, in order to reduce the decrease in crystallinity due to thermal stress, the mechanical strength of the crystal itself is increased by the solid solution effect. Further, in order to reduce the thermal stress itself which the crystal receives, the growth temperature was lowered by the self-flux method. Taking these two measures, the growth of a lanthanum boride single crystal was tried by the FZ method.

【０００８】すなわち、添加剤として、ＬaＢ₆の熱電子
放射特性を損なわないように、５０at％までＣeＢ₆、Ｐ
rＢ₆、ＮdＢ₆又はこれらの混合物を添加し、結晶の機械
的強度をあげた。更に、融帯組成を金属過剰にし、すな
わち、金属(ＬaとＭ)をフラックスに用い育成温度を下
げた。融液組成(Ｂ／(Ｌa＋Ｍ)の原子比)は６〜２まで
の範囲(好ましくは４.５〜２．５)とした。その結果、
育成された単結晶は粒界を含まず残留歪みの少ない良質
単結晶が得られるようになった。融液組成が２未満では
融帯の安定な保持が難しく、安定な結晶育成が不可能と
なり、また６を超えるとホウ素の蒸発が激しくなること
及び原料棒の融液への染み込みが生じ安定な育成が不可
能となり、いずれも良質の単結晶が得られない。また、
添加量が５０at％を超えると単結晶からの電子放射特性
がＬaＢ₆に比較して悪くなり好ましくない。That is, as an additive, CeB ₆ , P is added up to 50 at% so as not to impair the thermionic emission characteristics of LaB _6.
The mechanical strength of the crystal was increased by adding rB ₆ , NdB ₆ or a mixture thereof. Further, the zone composition was made excessively metal, that is, the metals (La and M) were used as the flux to lower the growth temperature. The melt composition (atomic ratio of B / (La + M)) was set in the range of 6 to 2 (preferably 4.5 to 2.5). as a result,
The grown single crystal does not contain grain boundaries and a good quality single crystal with less residual strain can be obtained. If the melt composition is less than 2, stable holding of the melt zone is difficult and stable crystal growth becomes impossible, and if it exceeds 6, the evaporation of boron becomes violent and the raw material rod is soaked into the melt, which is stable. It becomes impossible to grow the crystals, and neither of them produces a high quality single crystal. Also,
If the amount added exceeds 50 at%, the electron emission characteristics from the single crystal are worse than that of LaB ₆ , which is not preferable.

【０００９】これらの知見に基づき、本発明をなしたも
のである。The present invention has been made based on these findings.

【００１０】すなわち、本発明は、フローティング・ゾ
ーン法により、六ホウ化ランタンを端成分とする組成式That is, according to the present invention, the composition formula using lanthanum hexaboride as an end component is determined by the floating zone method.

【化３】Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＢ_６ （ここで、Ｍ＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、又はこれらの混合
物、０＜ｘ≦０．５）の固溶体単結晶を育成するに際
し、融帯組成（Ｂ／（Ｌａ＋Ｍ）の原子比）を２〜６に
することを特徴とする良質な六ホウ化ランタン系単結晶
の育成法を要旨とするものである。[Chemical formula 3] La_1-xM_xB₆  (Where M = Ce, Pr, Nd, or a mixture thereof
Stuff,0 <x ≦ 0.5) When growing a solid solution single crystal
The melting zone composition (atomic ratio of B / (La + M)) to 2 to 6
Good quality characterized byNaLanthanum hexaboride-based single crystal
The main point is the upbringing method.

【００１１】以下に本発明を更に詳細に説明する。The present invention will be described in more detail below.

【００１２】[0012]

【作用】[Action]

【００１３】本発明において用いられる装置の一例を図
１に示す。図中、１と１′はそれぞれ上軸と下軸の駆動
部、２と２′はそれぞれ上軸と下軸、３と３′はホルダ
ー、４はワークコイル、５は種結晶又は初期融帯形成用
の焼結棒、６は単結晶、７は融帯、８は半溶融部分、９
は原料焼結棒、１０は電源ライン、１１は高周波発振
機、１２と１３はそれぞれ陽極電圧と高周波電流を測定
するためのデジボル、１４はコンピュータ(パソコン)で
ある。An example of the apparatus used in the present invention is shown in FIG. In the figure, 1 and 1'are upper and lower shaft driving parts, 2 and 2'are upper and lower shafts, respectively 3 and 3'is a holder, 4 is a work coil, 5 is a seed crystal or an initial melt zone. Forming sintered rod, 6 single crystal, 7 melt zone, 8 semi-molten part, 9
Is a raw material sintering rod, 10 is a power supply line, 11 is a high frequency oscillator, 12 and 13 are digibols for measuring anode voltage and high frequency current, respectively, and 14 is a computer (personal computer).

【００１４】試料の加熱は、ワークコイル４に高周波電
流を流すことにより、試料に誘導電流を生じさせ、その
ジュール熱により行う。このようにして、形成された融
帯７に上方より原料棒を送り込み、下方より単結晶６を
育成する。The heating of the sample is performed by applying a high-frequency current to the work coil 4 to generate an induced current in the sample and the Joule heat of the induced current. In this way, the raw material rod is fed from above into the formed melt zone 7 and the single crystal 6 is grown from below.

【００１５】育成中の融帯７の形状は、融帯とワークコ
イル間の相互インピーダンス変化により検出することが
できる。すなわち、融帯が細くなれば、インピーダンス
が低くなり、高周波電流が増加する。逆に太くなれば、
高周波電流が減少する。この時、陽極電圧との比(高周
波電流／陽極電圧)をとれば、たとえ育成中加熱電力が
変化しても、融帯が細くなれば比の値が増加し、太くな
れば比の値が減少するので、融帯の形状が検出できる。The shape of the melt zone 7 during growth can be detected by the change in mutual impedance between the melt zone and the work coil. That is, as the melt zone becomes thinner, the impedance becomes lower and the high frequency current increases. On the contrary, if it gets thicker,
High frequency current is reduced. At this time, if the ratio with the anode voltage (high-frequency current / anode voltage) is taken, even if the heating power changes during growth, the ratio value increases if the zone becomes thin, and the ratio value increases if it becomes thick. Since it decreases, the shape of the ligament can be detected.

【００１６】したがって、高周波電流と陽極電圧を２台
のデジボル１２、１３により検出し、コンピュータ１４
において、融帯形状を判断し、その結果に基づき融帯形
状を一定になるように、育成炉上軸２(原料棒９)の移動
速度を制御する。Therefore, the high frequency current and the anode voltage are detected by the two digibols 12 and 13, and the computer 14
In step 1, the zone shape is determined, and based on the result, the moving speed of the growth furnace upper shaft 2 (raw material rod 9) is controlled so that the zone shape is constant.

【００１７】この方法に従うと、育成中融帯形状が一定
に保持されるため、育成される結晶の直径がスムースに
なり、手動育成に比較して、再現性良く粒界の含まない
単結晶を育成するのに有効である。According to this method, since the shape of the melted zone is kept constant during the growth, the diameter of the grown crystal becomes smooth, and a single crystal having no grain boundary is produced with good reproducibility as compared with the manual growth. It is effective for training.

【００１８】本発明の育成法においては、原料棒組成制
御（ＭＢ_６の添加）と融帯組成制御の両方を行う。前者
のみの制御によってもＬａＢ_６結晶と同じ育成条件で育
成上問題なく育成できるが、Ｘ線トポグラフによる観察
では反射に大きな模様の濃淡が観察され、結晶に歪みが
残留することが確認される。一方、後者のみを制御した
場合には、結晶に気泡が入り易く、育成速度を従来のＬ
ａＢ_６結晶の育成に比較して半分以下に下げる必要があ
る。得られる結晶のＸ線トポグラフによる観察では、反
射に重なりや分離は見られないが、エッチングでは観察
されない方位のずれの小さな粒界が確認される。しかし
ながら、本発明のように両方を採用すると、得られる結
晶には粒界が観察されず、結晶中の残留歪みが明らかに
少なくなる。[0018] In the growth method of the present invention, (the addition of MB ₆₎ feed rod composition control intends row both melt zone composition control. Although education <br/> Naruue be grown successfully in the same growing conditions as well LaB ₆ crystal under the control of the former only, shading of a large pattern on reflection is observed in the observation <br/> by X-ray topography, the crystal strain <br/> residual to Rukoto is confirmed. On the other hand, when only the latter is controlled, bubbles are likely to enter the crystal, and the growth rate is not
It is necessary to reduce the amount to half or less as compared with the growth of the aB ₆ crystal. Observation of the obtained crystal by X-ray topography shows no overlapping or separation of reflection, but a grain boundary with small misalignment which is not observed by etching is confirmed . However
While, when employing the both as in the present invention, the crystal obtained was observed grain boundary, residual strain in the crystal that clearly less.

【００１９】次に、本発明による単結晶育成の手順を示
す。Next, the procedure for growing a single crystal according to the present invention will be described.

【００２０】原料としては、ＬａＢ_６に５０ａｔ％を上
限としてＭＢ_６（ここで、Ｍ＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、又は
これらの混合物）を添加したものを使用する。As a raw material, LaB ₆ is added at 50 at% or more.
MB ₆ (where M = Ce, Pr, Nd, or a mixture thereof) is added as a limit .

【００２１】まず、原料のホウ化ランタン粉末とＭのホ
ウ化物粉末（或いは、Ｍの酸化物とホウ素）所定の比に
よく混合後、結合剤として少量の樟脳を加え、ラバープ
レス（２０００ｋｇ／ｃｍ^２）により圧粉棒を作製す
る。この圧粉棒を真空中又は不活性ガス中で千数百℃に
加熱し、原料焼結棒を作製する。First, the raw material lanthanum boride powder and the M fluoride powder (or M oxide and boron) were mixed well at a predetermined ratio, and then a small amount of camphor was added as a binder to add rubber. A dust bar is produced by a press (2000 kg / cm ² ). This powder compact rod is heated to a few thousand and several hundred degrees Celsius in vacuum or in an inert gas to prepare a raw material sintered rod.

【００２２】得られた焼結棒９を上軸２にホルダー３を
介してセットし、ト軸２′には＜１００＞種結晶（又は
初期融帯形成用の焼結棒）５をホルダー３′を介してセ
ットする。両者９と５の間に、初期融帯の組成を制御す
るための所定量及び所定組成の金属塊（Ｌａ、又はＭを
含むＬａ）を挟む。次に金属塊とその周辺を加熱により
溶融させ、融帯７を形成させ、上軸２と下軸２′をゆっ
くりとト方に移動させて単結晶６を育成する。The obtained sintered rod 9 is set on the upper shaft 2 via the holder 3, and a <100> seed crystal (or a sintered rod for forming the initial melt zone) 5 is mounted on the shaft 2 '. ’Set via Between both 9 and 5, a metal mass (La or M) of a predetermined amount and a predetermined composition for controlling the composition of the initial zone is
La) is included . Next, the metal ingot and its periphery are melted by heating to form a melt zone 7, and the upper shaft 2 and the lower shaft 2'are slowly moved to the T direction to grow the single crystal 6.

【００２３】このとき、下軸２′の移動速度、すなわ
ち、結晶育成速度は育成中常に一定に保持する。その範
囲は０.２〜４cm／h、好ましくは、０.５cm／h以下であ
る。金属過剰の融帯を用いると結晶中に気泡が入り易い
ので、従来の育成法に比較して遅く設定する。上軸２の
移動速度、すなわち、原料棒の融帯への供給速度は、原
料棒の密度が低いので、それを補償するように下軸の移
動速度より通常３０％程度速く設定する。この設定値を
基準にして、融帯形状の変化に伴い、上軸移動速度を速
くしたり又は遅くしたり、コンピュータ制御される。At this time, the moving speed of the lower shaft 2 ', that is, the crystal growth speed is always kept constant during the growth. The range is 0.2 to 4 cm / h, preferably 0.5 cm / h or less. Since bubbles tend to enter into the crystal when the melted zone with excess metal is used, it is set later than the conventional growth method. The moving speed of the upper shaft 2, that is, the feeding speed of the raw material rod to the melt zone is set to be about 30% higher than the moving speed of the lower shaft so as to compensate for the low density of the raw material rod. Based on this set value, the upper shaft moving speed is increased or decreased according to the change of the zone shape, and is computer controlled.

【００２４】雰囲気としては、数気圧のアルゴン又はヘ
リウムなどの不活性ガスを用いる。これは高周波ワーク
コイル部分で発生する放電を防止するためである。As the atmosphere, an inert gas such as argon or helium having a pressure of several atmospheres is used. This is to prevent the discharge generated in the high frequency work coil portion.

【００２５】これらの系における結晶育成では、初期融
帯にＬａ或いはＣｅ金属を用いれば、それらの混合組成
を考慮しなくとも、２ｃｍ程度の融帯移動で定常状態に
至り、それ以降は組成均一な結晶が得られる。組成式In the crystal growth in these systems, if La or Ce metal is used for the initial melt zone, a steady state is reached by moving the melt zone of about 2 cm without considering the mixed composition thereof, and thereafter the composition becomes uniform. Crystals are obtained. Composition formula

【化４】Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＢ_６ における０＜ｘ≦０．５の組成範囲においては、分配係
数（ｋ）（すなわち、結晶と融帯におけるＭ／（Ｌａ＋
Ｍ）原子比の比）はほぼ一定で、ＣｅＢ_６の場合はｋ＝
０．７５、ＰｒＢ_６の場合はｋ＝０．６４、ＮｄＢ_６の
場合はｋ＝０．５５である。蒸発による組成変化は、Ｃ
ｅ、Ｐｒ、Ｎｄと原子番号が増加するほど大きく、育成
温度が下がるほど小さい。原料棒と結晶の組成差は、上
記組成式で表わしたｘでせいぜい３％である。[Chemical 4] La_1-xM_xB₆  In0 <x ≦ 0.5In the composition range of
Number (k) (ie M / (La + in crystal and melt zone)
M) atomic ratio) is almost constant and CeB₆Then k =
0.75, PrB₆In case of, k = 0.64, NdB₆of
If k = 0.55Ru. The composition change due to evaporation is C
e, Pr, Nd and atomic number increaseWhatBig and nurturing
Smaller as the temperature dropsI. The difference in composition between the raw material rod and the crystal is
RecordX represented by the composition formula is 3% at most.Ru.

【００２６】以上の育成法は、高周波加熱以外の加熱
法、例えば、赤外線集中加熱によるＦＺ法によっても単
結晶の育成に適用することができる。The above growth method can be applied to the growth of a single crystal by a heating method other than the high frequency heating, for example, the FZ method by the infrared concentrated heating.

【００２７】次に本発明の実施例を示す。Next, examples of the present invention will be described.

【００２８】[0028]

【実施例１】市販のＬaＢ₆粉末に３０at％のＣeＢ₆粉末
をＢ／Ｌa＝７.７になるように混合した後、結合剤とし
て樟脳を少量加え、直径１２mmのゴム袋に詰め円柱形に
した。これを２０００kg／cm²のラバープレスを行って
圧粉体を得た。この圧粉体を真空中、１８００℃で加熱
し、直径１１mm、長さ１２cm程度の焼結棒を得た。密度
は約５５％であった。Example 1 Commercially available LaB ₆ powder was mixed with 30 at% CeB ₆ powder so that B / La = 7.7, a small amount of camphor was added as a binder, and the mixture was packed in a rubber bag having a diameter of 12 mm to form a cylinder. I chose This was subjected to a rubber press of 2000 kg / cm ² to obtain a green compact. The green compact was heated at 1800 ° C. in vacuum to obtain a sintered rod having a diameter of 11 mm and a length of 12 cm. The density was about 55%.

【００２９】この焼結棒を図１に示すＦＺ育成炉の上軸
にホルダーを介して固定し、下軸には＜１００＞ＬaＢ₆
単結晶を固定した。両者の間に０.８gのランタン金属塊
を挾み、融帯組成を制御した。育成炉に７気圧のアルゴ
ンを充填した後、高周波コイル(内径１４mm、３巻２段)
によりランタン金属塊とその周辺部を溶かし初期融帯を
形成し、０.５cm／hの速度で１２時間に下方に移動さ
せ、全長６cm、直径０.９５cmの単結晶を育成した。育
成温度は２３００℃で、従来の育成法に比較して４００
℃低かった。育成した結晶棒の中央部以降は組成変化が
なく、一定な組成を持つ(Ｌa₀.₇₁Ｃe₀.₂₉)Ｂ₆結晶を育
成した。融帯組成は(Ｌa₀.₆Ｃe₀.₄)Ｂ₃.₂であった。This sintered rod was fixed to the upper shaft of the FZ growth furnace shown in FIG. 1 through a holder, and the lower shaft was made of <100> LaB _6.
The single crystal was fixed. A lanthanum metal block of 0.8 g was sandwiched between the two to control the zone composition. After filling the growth furnace with argon at 7 atm, high-frequency coil (internal diameter 14 mm, 3 rolls, 2 steps)
The lump of lanthanum metal and its peripheral portion were melted to form an initial melt zone, which was then moved downward at a rate of 0.5 cm / h for 12 hours to grow a single crystal with a total length of 6 cm and a diameter of 0.95 cm. The growing temperature is 2300 ° C, which is 400 compared to the conventional growing method.
℃ was low. Central subsequent growing crystal rod has no compositional change, with a constant composition _{(La 0. 71 Ce 0.} 29) were grown B ₆ crystals. Molten zone composition was _{(La 0. 6 Ce 0.} 4) B 3. 2.

【００３０】単結晶の粒界密度については、結晶棒終端
部から(１００)面を切り出し、鏡面研磨の後、エッチン
グ(硝酸：水＝１：２の液で３０秒程度)して測定した。
線状に観察される亜粒界が、エッチング・パターン上で
みられず、Ｘ線トポグラフの観察において、反射強度が
結晶全体でほぼ一定で、残留歪みの少ない良質結晶であ
ることを確認した。The grain boundary density of the single crystal was measured by cutting out the (100) plane from the end of the crystal rod, mirror-polishing, and then etching (for about 30 seconds with nitric acid: water = 1: 2).
No linear grain boundaries were observed on the etching pattern, and it was confirmed by X-ray topography that the reflection intensity was almost constant throughout the crystal and the crystal was a good quality with little residual strain.

【００３１】[0031]

【実施例２】市販のＬaＢ₆粉末に２１at％のＰrＢ₆及び
１８at％のＮdＢ₆を含有するように、それぞれ酸化物と
ホウ素を所定量混合し、出発物質とした。次いで、実施
例１と同じ方法により、単結晶を育成した。但し、初期
融帯形成のための金属量については、ＰrＢ₆とＮdＢ₆添
加の場合、それぞれ０.９８gと１.２gのＬa金属を用い
た。Example 2 A commercially available LaB ₆ powder was mixed with a predetermined amount of oxide and boron so as to contain 21 at% of PrB ₆ and 18 at% of NdB ₆ , respectively, to obtain a starting material. Then, a single crystal was grown by the same method as in Example 1. However, regarding the amount of metal for forming the initial zone, 0.98 g and 1.2 g of La metal were used when PrB ₆ and NdB _{6 were} added, respectively.

【００３２】得られた結晶の組成はそれぞれ(Ｌa₀.₈₂Ｐ
r₀.₁₈)Ｂ₆、(Ｌa₀.₈₅Ｎd₀.₁₅)Ｂ₆であった。その際、融
帯組成はそれぞれ(Ｌa₀.₇₂Ｐr₀.₂₈)Ｂ₂.₈、(Ｌa₀.₇₃Ｎd
₀.₂₇)Ｂ₂.₅であった。[0032] The composition of the resulting crystal are (La _{0. 82} P
r _{0. 18)} B _6, was _{(La 0. 85 Nd 0.} 15) B 6. At that time, each melt zone composition _{(La 0. 72 Pr 0.} 28) B 2. 8, (La 0. 73 Nd
_0.27) it was B _{2. 5.}

【００３３】これら単結晶の(１００)面におけるエッチ
ング・パターンを観察した結果、共に粒界の存在が確認
できず、Ｘ線トポグラフの観察においても残留歪みの少
ない良質結晶であることを確認した。As a result of observing the etching pattern on the (100) plane of these single crystals, the existence of grain boundaries could not be confirmed, and it was confirmed by X-ray topography observation that the crystals were of good quality with little residual strain.

【００３４】[0034]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
欠陥及び残留歪みの少ないホウ化ランタン系単結晶が得
られる。As described above, according to the present invention,
A lanthanum boride-based single crystal with few defects and residual strain can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明に用いられた単結晶育成装置の一例を示
す説明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing an example of a single crystal growth apparatus used in the present invention.

【符合の説明】[Explanation of sign]

１ 上軸駆動部 １′ 下軸駆動部 ２ 上軸 ２′ 下軸 ３ ホルダー ３′ ホルダー ４ ワークコイル ５ 種結晶又は初期融帯形成用の焼結棒 ６ 単結晶 ７ 融帯 ８ 半溶融部分 ９ 原料焼結棒 １０ 電源ライン １１ 高周波発振機 １２ デジボル １３ デジボル １４ コンピュータ 1 Upper shaft drive unit 1'Lower shaft drive unit 2 Upper shaft 2'Lower shaft 3 Holder 3'Holder 4 Work coil 5 Sintering rod for seed crystal or initial melt zone formation 6 Single crystal 7 Melt zone 8 Semi-molten portion 9 Raw material sintering rod 10 Power line 11 High frequency oscillator 12 Digibol 13 Digibol 14 Computer

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 フローティング・ゾーン法により、六ホ
ウ化ランタンを端成分とする組成式 【化１】Ｌａ_１−ｘＭ_ｘＢ_６ （ここで、Ｍ＝Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、又はこれらの混合
物、０＜ｘ≦０．５）の固溶体単結晶を育成するに際
し、融帯組成（Ｂ／（Ｌａ＋Ｍ）の原子比）を２〜６に
することを特徴とする良質な六ホウ化ランタン系単結晶
の育成法。1. A floating zone method
Compositional formula with lanthanum iodide as an end component:_1-xM_xB₆  (Where M = Ce, Pr, Nd, or a mixture thereof
Stuff,0 <x ≦ 0.5) When growing a solid solution single crystal
The melting zone composition (atomic ratio of B / (La + M)) to 2 to 6
Good quality characterized byNaLanthanum hexaboride-based single crystal
Upbringing method.