JPH07114891A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- JPH07114891A JPH07114891A JP28603993A JP28603993A JPH07114891A JP H07114891 A JPH07114891 A JP H07114891A JP 28603993 A JP28603993 A JP 28603993A JP 28603993 A JP28603993 A JP 28603993A JP H07114891 A JPH07114891 A JP H07114891A
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性を有するとともに広い波
長域に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス10の外表面側の第1層目にS
iO2 膜11が形成され、第2層目にTiO2 とSiO
2 の混合薄膜12が形成され、第3層目にSnO2 薄膜
13が形成され、第4層目にSiO2 薄膜14が形成さ
れている。
長域に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス10の外表面側の第1層目にS
iO2 膜11が形成され、第2層目にTiO2 とSiO
2 の混合薄膜12が形成され、第3層目にSnO2 薄膜
13が形成され、第4層目にSiO2 薄膜14が形成さ
れている。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【0003】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
【0004】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗(正方形当たりの抵抗値)が1×106 Ω/
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗(正方形当たりの抵抗値)が1×106 Ω/
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
【0005】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にCVD法によって200〜400Åの
膜厚のSnO2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にSiO2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にCVD法によって200〜400Åの
膜厚のSnO2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にSiO2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】上記陰極線管は、パネ
ル表面にSnO2 からなる透明導電膜が形成されている
ため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、その膜
厚は200〜400Åと薄いために透明導電膜の面抵抗
が1×106 Ω/□と高く、不要電磁波を遮蔽するには
未だ不十分である。
ル表面にSnO2 からなる透明導電膜が形成されている
ため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、その膜
厚は200〜400Åと薄いために透明導電膜の面抵抗
が1×106 Ω/□と高く、不要電磁波を遮蔽するには
未だ不十分である。
【0007】また、この陰極線管は、550nm付近の
狭い波長域においてはかなり低い反射率を有するが、そ
れ以外の可視域においては反射率が高く、特に400n
m付近の低波長域においては、外表面に膜を形成してい
ないパネルより高い反射率を示すようになり、上記した
ような画像が見えにくくなるという問題を解決する点に
ついても未だ不十分である。加えて、このように狭い波
長域においてのみ低い反射率を有するパネルにあって
は、画像を見る人の目に濃い色彩として感じられるた
め、疲労感を与えやすいという欠点がある。
狭い波長域においてはかなり低い反射率を有するが、そ
れ以外の可視域においては反射率が高く、特に400n
m付近の低波長域においては、外表面に膜を形成してい
ないパネルより高い反射率を示すようになり、上記した
ような画像が見えにくくなるという問題を解決する点に
ついても未だ不十分である。加えて、このように狭い波
長域においてのみ低い反射率を有するパネルにあって
は、画像を見る人の目に濃い色彩として感じられるた
め、疲労感を与えやすいという欠点がある。
【0008】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性を有するとともに広い波長域(以下、広帯域とい
う)に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
蔽性を有するとともに広い波長域(以下、広帯域とい
う)に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第1層目に
SiO2 膜が形成され、第2層目にガラスの屈折率とS
nO2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる薄
膜が形成され、第3層目にSnO2 薄膜が形成され、第
4層目に第2層目より低い屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ルである。
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第1層目に
SiO2 膜が形成され、第2層目にガラスの屈折率とS
nO2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる薄
膜が形成され、第3層目にSnO2 薄膜が形成され、第
4層目に第2層目より低い屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ルである。
【0010】また、第2層目の薄膜がTiO2 とSiO
2 の混合物からなることを特徴とする。
2 の混合物からなることを特徴とする。
【0011】また、第4層目の薄膜がSiO2 からなる
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【0012】さらに、第3層目の薄膜がCVD法によっ
て形成され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
て形成され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
【0013】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第3層目のSnO2 膜は2.0の屈折率(nd)を有
し、In2 O3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
第3層目のSnO2 膜は2.0の屈折率(nd)を有
し、In2 O3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
【0014】さらに、本発明においては、第1層目の薄
膜としてSiO2 からなる薄膜が形成され、第2層目の
薄膜としてガラスの屈折率と第3層目のSnO2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第4層目
の薄膜として第1層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
膜としてSiO2 からなる薄膜が形成され、第2層目の
薄膜としてガラスの屈折率と第3層目のSnO2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第4層目
の薄膜として第1層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
【0015】第2層目の薄膜、すなわちガラスの屈折率
(屈折率=1.536)とSnO2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、TiO2 、ZrO
2 、Ta2 O5 、ZnS、CeO2 とSiO2 との混合
物等が使用可能であり、第4層目の薄膜の材質としては
SiO2 、MgF2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第2層目としてT
iO2 とSiO2 の混合物(屈折率=1.7)の薄膜、
第4層目のとしてSiO2 (屈折率=1.46)の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
(屈折率=1.536)とSnO2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、TiO2 、ZrO
2 、Ta2 O5 、ZnS、CeO2 とSiO2 との混合
物等が使用可能であり、第4層目の薄膜の材質としては
SiO2 、MgF2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第2層目としてT
iO2 とSiO2 の混合物(屈折率=1.7)の薄膜、
第4層目のとしてSiO2 (屈折率=1.46)の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
【0016】また、SnO2 を形成するCVD法は他の
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、CVD法によりパネルの表面に直接SnO2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、3×103 Ω/□
以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければなら
ない。しかしながら、第1層目にSiO2 薄膜を形成
し、第2層目にガラスの屈折率とSnO2 の屈折率との
間の屈折率を有する薄膜を形成し、その上にSnO2 薄
膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成分
が出るのを防止することが可能となり、SnO2 の膜が
薄い膜厚でも3×103 Ω/□以下の抵抗値を安定して
得ることが可能である。さらに、この第3層目の薄膜を
構成するSnO2 には抵抗値を下げる目的で少量のSb
2 O3 を添加することが可能である。
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、CVD法によりパネルの表面に直接SnO2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、3×103 Ω/□
以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければなら
ない。しかしながら、第1層目にSiO2 薄膜を形成
し、第2層目にガラスの屈折率とSnO2 の屈折率との
間の屈折率を有する薄膜を形成し、その上にSnO2 薄
膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成分
が出るのを防止することが可能となり、SnO2 の膜が
薄い膜厚でも3×103 Ω/□以下の抵抗値を安定して
得ることが可能である。さらに、この第3層目の薄膜を
構成するSnO2 には抵抗値を下げる目的で少量のSb
2 O3 を添加することが可能である。
【0017】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【0018】(実施例)図1は本発明の陰極線管用パネ
ルの縦断面図である。
ルの縦断面図である。
【0019】このパネルガラス10(屈折率1.53
6)の外表面には、第1層目として942Åの膜厚を有
するSiO2 薄膜11(屈折率1.46)が形成され、
第2層目として809Åの膜厚を有するTiO2 とSi
O2 の混合薄膜12(屈折率1.7)が形成され、第3
層目として688Åの膜厚を有するSnO2 薄膜13
(屈折率2.0)が形成され、さらに第4層目として9
42Åの膜厚を有するSiO2 薄膜14(屈折率1.4
6)が形成されている。
6)の外表面には、第1層目として942Åの膜厚を有
するSiO2 薄膜11(屈折率1.46)が形成され、
第2層目として809Åの膜厚を有するTiO2 とSi
O2 の混合薄膜12(屈折率1.7)が形成され、第3
層目として688Åの膜厚を有するSnO2 薄膜13
(屈折率2.0)が形成され、さらに第4層目として9
42Åの膜厚を有するSiO2 薄膜14(屈折率1.4
6)が形成されている。
【0020】このパネルガラス10の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【0021】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にSiO2 含有の
アルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥させて焼成さ
せることによりSiO2 薄膜11を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にSiO2 含有の
アルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥させて焼成さ
せることによりSiO2 薄膜11を形成した。
【0022】その後、SiO2 薄膜11を形成したパネ
ルガラス10を予熱してた状態で回転させながら、その
上にTiO2 とSiO2 含有のアルコール溶液を滴下
後、これを自然乾燥させた後に焼成させることによりT
iO2 とSiO2 の混合薄膜12を形成した。
ルガラス10を予熱してた状態で回転させながら、その
上にTiO2 とSiO2 含有のアルコール溶液を滴下
後、これを自然乾燥させた後に焼成させることによりT
iO2 とSiO2 の混合薄膜12を形成した。
【0023】さらに、このパネルガラス10を予熱して
おき、この外表面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモ
ンの混合蒸気(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD
法によってSbがドープされたSnO2 薄膜13を形成
した。
おき、この外表面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモ
ンの混合蒸気(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD
法によってSbがドープされたSnO2 薄膜13を形成
した。
【0024】次いで、このパネルガラス10を予熱した
状態で回転させながら、その上に第1層目と同じSiO
2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然乾燥さ
せ、焼成することによって、SiO2 薄膜14を形成し
た。
状態で回転させながら、その上に第1層目と同じSiO
2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然乾燥さ
せ、焼成することによって、SiO2 薄膜14を形成し
た。
【0025】(比較例)図1に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモンの混合蒸気
(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD法によって、
300Åの膜厚を有し、SbがドープされたSnO2 薄
膜を形成した。
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル2塩化錫と3塩化アンチモンの混合蒸気
(Sb/Sn)を吹きつけ、常圧のCVD法によって、
300Åの膜厚を有し、SbがドープされたSnO2 薄
膜を形成した。
【0026】次いでこのパネルガラスを予熱した状態
で、回転させながら、その上にSiO2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、1150Åの膜厚を有するSiO2 薄膜を形
成した。
で、回転させながら、その上にSiO2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、1150Åの膜厚を有するSiO2 薄膜を形
成した。
【0027】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の400〜700nmの波長における反射率を測定し、
その結果を図2に示した。
の400〜700nmの波長における反射率を測定し、
その結果を図2に示した。
【0028】図2のグラフから明らかなように、実施例
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
【0029】また、各陰極線管用パネルの面抵抗を測定
したところ、実施例のパネルは1×103 Ω/□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が1×106 Ω/□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
したところ、実施例のパネルは1×103 Ω/□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が1×106 Ω/□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
【0030】尚、上記の膜厚(Å)は、可視域の光の波
長を表すλを525nmに設定し、各層の膜の屈折率を
nとして、λ/4nの条件式によって求めたものであ
る。
長を表すλを525nmに設定し、各層の膜の屈折率を
nとして、λ/4nの条件式によって求めたものであ
る。
【0031】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、広帯域に亙って低い反
射率を有していることから、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能である。
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、広帯域に亙って低い反
射率を有していることから、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能である。
【図1】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。
【図2】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
10 パネルガラス 11 SiO2 薄膜 12 TiO2 とSiO2 の混合薄膜 13 SnO2 薄膜 14 SiO2 薄膜
Claims (4)
- 【請求項1】 外表面側の第1層目にSiO2 膜が形成
され、第2層目にガラスの屈折率とSnO2 の屈折率と
の間の屈折率を有する材料からなる薄膜が形成され、第
3層目にSnO2 薄膜が形成され、第4層目に第2層目
より低い屈折率を有する材料からなる薄膜が形成されて
なることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項2】 第2層目の薄膜がTiO2 とSiO2 の
混合物からなることを特徴とする請求項1記載の陰極線
管用パネル。 - 【請求項3】 第4層目の薄膜がSiO2 からなること
を特徴とする請求項1記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項4】 第3層目の薄膜がCVD法によって形成
され、500Å以上の膜厚と3×103 Ω以下の面抵抗
を有することを特徴とする請求項1記載の陰極線管用パ
ネル。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28603993A JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28603993A JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH07114891A true JPH07114891A (ja) | 1995-05-02 |
JP3292338B2 JP3292338B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17699184
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28603993A Expired - Fee Related JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3292338B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP28603993A patent/JP3292338B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3292338B2 (ja) | 2002-06-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |