JPH07114891A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH07114891A JPH07114891A JP28603993A JP28603993A JPH07114891A JP H07114891 A JPH07114891 A JP H07114891A JP 28603993 A JP28603993 A JP 28603993A JP 28603993 A JP28603993 A JP 28603993A JP H07114891 A JPH07114891 A JP H07114891A
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- Japan
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- layer
- ray tube
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- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性を有するとともに広い波
長域に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面側の第１層目にＳ
ｉＯ2 膜１１が形成され、第２層目にＴｉＯ2 とＳｉＯ
2 の混合薄膜１２が形成され、第３層目にＳｎＯ2 薄膜
１３が形成され、第４層目にＳｉＯ2 薄膜１４が形成さ
れている。
長域に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供する。 【構成】 パネルガラス１０の外表面側の第１層目にＳ
ｉＯ2 膜１１が形成され、第２層目にＴｉＯ2 とＳｉＯ
2 の混合薄膜１２が形成され、第３層目にＳｎＯ2 薄膜
１３が形成され、第４層目にＳｉＯ2 薄膜１４が形成さ
れている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
からでる電子ビームをフアンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有する酸化錫等の導電膜が形
成されている。
【０００４】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、従来のパネルに形成さ
れている導電膜は、その表面が鏡面状態であり、しかも
酸化錫の膜はパネルガラスに比べて高い屈折率を有して
いるので導電性を高めるために膜厚を厚くすると、その
表面反射が大きく画像が見えにくいという問題が生じて
いる。
【０００５】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上記陰極線管は、パネ
ル表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されている
ため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、その膜
厚は２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵抗
が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するには
未だ不十分である。
ル表面にＳｎＯ2 からなる透明導電膜が形成されている
ため、比較的良好な帯電防止性を有しているが、その膜
厚は２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵抗
が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するには
未だ不十分である。
【０００７】また、この陰極線管は、５５０ｎｍ付近の
狭い波長域においてはかなり低い反射率を有するが、そ
れ以外の可視域においては反射率が高く、特に４００ｎ
ｍ付近の低波長域においては、外表面に膜を形成してい
ないパネルより高い反射率を示すようになり、上記した
ような画像が見えにくくなるという問題を解決する点に
ついても未だ不十分である。加えて、このように狭い波
長域においてのみ低い反射率を有するパネルにあって
は、画像を見る人の目に濃い色彩として感じられるた
め、疲労感を与えやすいという欠点がある。
狭い波長域においてはかなり低い反射率を有するが、そ
れ以外の可視域においては反射率が高く、特に４００ｎ
ｍ付近の低波長域においては、外表面に膜を形成してい
ないパネルより高い反射率を示すようになり、上記した
ような画像が見えにくくなるという問題を解決する点に
ついても未だ不十分である。加えて、このように狭い波
長域においてのみ低い反射率を有するパネルにあって
は、画像を見る人の目に濃い色彩として感じられるた
め、疲労感を与えやすいという欠点がある。
【０００８】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性を有するとともに広い波長域（以下、広帯域とい
う）に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
蔽性を有するとともに広い波長域（以下、広帯域とい
う）に亙って低い反射率を有し、画像を見る人の目に疲
労感を与えない陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ＳｉＯ2 膜が形成され、第２層目にガラスの屈折率とＳ
ｎＯ2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる薄
膜が形成され、第３層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第
４層目に第２層目より低い屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ルである。
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
ＳｉＯ2 膜が形成され、第２層目にガラスの屈折率とＳ
ｎＯ2 の屈折率との間の屈折率を有する材料からなる薄
膜が形成され、第３層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第
４層目に第２層目より低い屈折率を有する材料からなる
薄膜が形成されてなることを特徴とする陰極線管用パネ
ルである。
【００１０】また、第２層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ
2 の混合物からなることを特徴とする。
2 の混合物からなることを特徴とする。
【００１１】また、第４層目の薄膜がＳｉＯ2 からなる
ことを特徴とする。
ことを特徴とする。
【００１２】さらに、第３層目の薄膜がＣＶＤ法によっ
て形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
て形成され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の
面抵抗を有することを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第３層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
第３層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
【００１４】さらに、本発明においては、第１層目の薄
膜としてＳｉＯ2 からなる薄膜が形成され、第２層目の
薄膜としてガラスの屈折率と第３層目のＳｎＯ2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第４層目
の薄膜として第１層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
膜としてＳｉＯ2 からなる薄膜が形成され、第２層目の
薄膜としてガラスの屈折率と第３層目のＳｎＯ2 薄膜の
屈折率の間の屈折率を有する薄膜が形成され、第４層目
の薄膜として第１層目より低い屈折率を有する薄膜が形
成されてなるため、広帯域に亙って低い反射率を得るこ
とが可能となる。
【００１５】第２層目の薄膜、すなわちガラスの屈折率
（屈折率＝１．５３６）とＳｎＯ2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 とＳｉＯ2 との混合
物等が使用可能であり、第４層目の薄膜の材質としては
ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第２層目としてＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合物（屈折率＝１．７）の薄膜、
第４層目のとしてＳｉＯ2 （屈折率＝１．４６）の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
（屈折率＝１．５３６）とＳｎＯ2の屈折率との間の屈
折率を有する薄膜の材質としては、ＴｉＯ2 、ＺｒＯ
2 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＺｎＳ、ＣｅＯ2 とＳｉＯ2 との混合
物等が使用可能であり、第４層目の薄膜の材質としては
ＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 等が使用可能であるが、パネルの反
射防止性能とコスト面を考慮すると、第２層目としてＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合物（屈折率＝１．７）の薄膜、
第４層目のとしてＳｉＯ2 （屈折率＝１．４６）の薄膜
を使用するのが最も望ましく、その形成方法としては、
スピンコート法、ディップコート法、スプレーコート法
のいずれかが適している。
【００１６】また、ＳｎＯ2 を形成するＣＶＤ法は他の
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接ＳｎＯ2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、３×１０3 Ω／□
以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければなら
ない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ2 薄膜を形成
し、第２層目にガラスの屈折率とＳｎＯ2 の屈折率との
間の屈折率を有する薄膜を形成し、その上にＳｎＯ2 薄
膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成分
が出るのを防止することが可能となり、ＳｎＯ2 の膜が
薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値を安定して
得ることが可能である。さらに、この第３層目の薄膜を
構成するＳｎＯ2 には抵抗値を下げる目的で少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
コーティング法に比べ安価で大量生産に向いている。通
常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接ＳｎＯ2 の薄膜
を形成すると、パネルの加熱処理によりガラス中のアル
カリ成分がパネルの表面に出るため、３×１０3 Ω／□
以下の抵抗値を得るには膜厚を相当厚くしなければなら
ない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ2 薄膜を形成
し、第２層目にガラスの屈折率とＳｎＯ2 の屈折率との
間の屈折率を有する薄膜を形成し、その上にＳｎＯ2 薄
膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成分
が出るのを防止することが可能となり、ＳｎＯ2 の膜が
薄い膜厚でも３×１０3 Ω／□以下の抵抗値を安定して
得ることが可能である。さらに、この第３層目の薄膜を
構成するＳｎＯ2 には抵抗値を下げる目的で少量のＳｂ
2 Ｏ3 を添加することが可能である。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１８】（実施例）図１は本発明の陰極線管用パネ
ルの縦断面図である。
ルの縦断面図である。
【００１９】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として９４２Åの膜厚を有
するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成され、
第２層目として８０９Åの膜厚を有するＴｉＯ2 とＳｉ
Ｏ2 の混合薄膜１２（屈折率１．７）が形成され、第３
層目として６８８Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１３
（屈折率２．０）が形成され、さらに第４層目として９
４２Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４
６）が形成されている。
６）の外表面には、第１層目として９４２Åの膜厚を有
するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成され、
第２層目として８０９Åの膜厚を有するＴｉＯ2 とＳｉ
Ｏ2 の混合薄膜１２（屈折率１．７）が形成され、第３
層目として６８８Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜１３
（屈折率２．０）が形成され、さらに第４層目として９
４２Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１４（屈折率１．４
６）が形成されている。
【００２０】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２１】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥させて焼成さ
せることによりＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下後、これを自然乾燥させて焼成さ
せることによりＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
【００２２】その後、ＳｉＯ2 薄膜１１を形成したパネ
ルガラス１０を予熱してた状態で回転させながら、その
上にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 含有のアルコール溶液を滴下
後、これを自然乾燥させた後に焼成させることによりＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜１２を形成した。
ルガラス１０を予熱してた状態で回転させながら、その
上にＴｉＯ2 とＳｉＯ2 含有のアルコール溶液を滴下
後、これを自然乾燥させた後に焼成させることによりＴ
ｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜１２を形成した。
【００２３】さらに、このパネルガラス１０を予熱して
おき、この外表面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモ
ンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ
法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１３を形成
した。
おき、この外表面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモ
ンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ
法によってＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１３を形成
した。
【００２４】次いで、このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させながら、その上に第１層目と同じＳｉＯ
2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然乾燥さ
せ、焼成することによって、ＳｉＯ2 薄膜１４を形成し
た。
状態で回転させながら、その上に第１層目と同じＳｉＯ
2 含有アルコール溶液を滴下した後、これを自然乾燥さ
せ、焼成することによって、ＳｉＯ2 薄膜１４を形成し
た。
【００２５】（比較例）図１に示すようなパネルガラス
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によって、
３００Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜を形成した。
を用意し、このパネルガラスを予熱しておき、この外表
面にジメチル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気
（Ｓｂ／Ｓｎ）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によって、
３００Åの膜厚を有し、ＳｂがドープされたＳｎＯ2 薄
膜を形成した。
【００２６】次いでこのパネルガラスを予熱した状態
で、回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形
成した。
で、回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有アルコール
溶液を滴下した後、これを自然乾燥させ、焼成すること
によって、１１５０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜を形
成した。
【００２７】こうして作製した各々の陰極線管用パネル
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図２に示した。
の４００〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、
その結果を図２に示した。
【００２８】図２のグラフから明らかなように、実施例
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
のパネルは比較例のパネルに比べて、広帯域に亙って全
般的に低い反射率を有していた。
【００２９】また、各陰極線管用パネルの面抵抗を測定
したところ、実施例のパネルは１×１０3 Ω／□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が１×１０6 Ω／□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
したところ、実施例のパネルは１×１０3 Ω／□の低い
面抵抗を有しており、優れた電磁波遮蔽性を有してい
た。一方、比較例のパネルは面抵抗が１×１０6 Ω／□
と高く電磁波遮蔽性に劣っていた。
【００３０】尚、上記の膜厚（Å）は、可視域の光の波
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
長を表すλを５２５ｎｍに設定し、各層の膜の屈折率を
ｎとして、λ／４ｎの条件式によって求めたものであ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、広帯域に亙って低い反
射率を有していることから、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能である。
磁波遮蔽性と反射防止性を有し、広帯域に亙って低い反
射率を有していることから、画像を見る人の目に疲労感
を与えない陰極線管用パネルを得ることが可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルの縦断面図である。
【図２】実施例と比較例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ ＳｉＯ2 薄膜 １２ ＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の混合薄膜 １３ ＳｎＯ2 薄膜 １４ ＳｉＯ2 薄膜
Claims (4)
- 【請求項１】 外表面側の第１層目にＳｉＯ2 膜が形成
され、第２層目にガラスの屈折率とＳｎＯ2 の屈折率と
の間の屈折率を有する材料からなる薄膜が形成され、第
３層目にＳｎＯ2 薄膜が形成され、第４層目に第２層目
より低い屈折率を有する材料からなる薄膜が形成されて
なることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項２】 第２層目の薄膜がＴｉＯ2 とＳｉＯ2 の
混合物からなることを特徴とする請求項１記載の陰極線
管用パネル。 - 【請求項３】 第４層目の薄膜がＳｉＯ2 からなること
を特徴とする請求項１記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 第３層目の薄膜がＣＶＤ法によって形成
され、５００Å以上の膜厚と３×１０3 Ω以下の面抵抗
を有することを特徴とする請求項１記載の陰極線管用パ
ネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28603993A JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28603993A JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07114891A true JPH07114891A (ja) | 1995-05-02 |
| JP3292338B2 JP3292338B2 (ja) | 2002-06-17 |
Family
ID=17699184
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28603993A Expired - Fee Related JP3292338B2 (ja) | 1993-10-19 | 1993-10-19 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3292338B2 (ja) |
-
1993
- 1993-10-19 JP JP28603993A patent/JP3292338B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3292338B2 (ja) | 2002-06-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |