JPH07113663B2 - 超電導磁気センサの特性制御回路 - Google Patents
超電導磁気センサの特性制御回路Info
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- JPH07113663B2 JPH07113663B2 JP62319523A JP31952387A JPH07113663B2 JP H07113663 B2 JPH07113663 B2 JP H07113663B2 JP 62319523 A JP62319523 A JP 62319523A JP 31952387 A JP31952387 A JP 31952387A JP H07113663 B2 JPH07113663 B2 JP H07113663B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は結晶粒界を有する超電導材料を用いた超電導磁
気センサに関し、特にその抵抗変化特性を制御する特性
制御回路に関するものである。
気センサに関し、特にその抵抗変化特性を制御する特性
制御回路に関するものである。
＜従来の技術＞ 従来より、微弱な磁界に対して高性能の抵抗変化を示
し、しかも構造の簡単な磁気抵抗素子システムの開発が
望まれていたが、本出願人は上記の要望に対応した超電
導磁気抵抗素子システムを特願昭62−233369号として提
案している。
し、しかも構造の簡単な磁気抵抗素子システムの開発が
望まれていたが、本出願人は上記の要望に対応した超電
導磁気抵抗素子システムを特願昭62−233369号として提
案している。
本出願人が先に提案した超電導磁気抵抗素子システム
は、結晶粒界を有する超電導材料よりなる素子と、この
素子に磁界を印加する手段と、上記の素子に磁界を印加
した場合に生ずる電気抵抗の変化を利用する手段とを備
えてなるように構成している。
は、結晶粒界を有する超電導材料よりなる素子と、この
素子に磁界を印加する手段と、上記の素子に磁界を印加
した場合に生ずる電気抵抗の変化を利用する手段とを備
えてなるように構成している。
そして、この磁気抵抗素子としては、例えばセラミック
系の粒子よりなる結晶粒界を有する超電導材料よりなる
素子を用いることにより、第３図に示すように磁界が印
加されない場合に、素子の示す電気抵抗ROは完全に零の
値を示すが、ある臨界磁界Hcを加えると突然素子は電気
抵抗を示し、印加磁界の増大とともに、電気抵抗が急激
に増大する新しい現象を利用したものであり、初期抵抗
ROに対する抵抗の変化ΔＲの比、ΔR/ROは無限大となっ
て、従来の磁気抵抗素子とは比較にならない高性能を示
す素子を用いてイステムを構成するように成しており、
上記の超電導材料よりなる素子は、結晶粒界を含んだ弱
結合の起電導対体子から構成するように成している。
系の粒子よりなる結晶粒界を有する超電導材料よりなる
素子を用いることにより、第３図に示すように磁界が印
加されない場合に、素子の示す電気抵抗ROは完全に零の
値を示すが、ある臨界磁界Hcを加えると突然素子は電気
抵抗を示し、印加磁界の増大とともに、電気抵抗が急激
に増大する新しい現象を利用したものであり、初期抵抗
ROに対する抵抗の変化ΔＲの比、ΔR/ROは無限大となっ
て、従来の磁気抵抗素子とは比較にならない高性能を示
す素子を用いてイステムを構成するように成しており、
上記の超電導材料よりなる素子は、結晶粒界を含んだ弱
結合の起電導対体子から構成するように成している。
即ち、最近多くの研究機関で進められているセラミック
超電導体の研究の方向は、臨界温度（Tc）、臨界磁界
（Hc）、臨界電流（ic）の向上を図ることにあるが、本
出願人も上記セラミック超電導体について種々研究した
ところ、この超電導材料のある種のもの（超電導材料の
粒子間に弱結合状態を持つもの）が上記第３図に示すよ
うに極めて弱い磁界（数ガウス）で弱結合の超電導状態
が破れて電気抵抗を示し、印加磁界の強さとともに急激
に増加することを見出し、この低い臨界磁界現象を用い
て新規な超電導磁気抵抗素子システムを創案し、先に提
案したものである。
超電導体の研究の方向は、臨界温度（Tc）、臨界磁界
（Hc）、臨界電流（ic）の向上を図ることにあるが、本
出願人も上記セラミック超電導体について種々研究した
ところ、この超電導材料のある種のもの（超電導材料の
粒子間に弱結合状態を持つもの）が上記第３図に示すよ
うに極めて弱い磁界（数ガウス）で弱結合の超電導状態
が破れて電気抵抗を示し、印加磁界の強さとともに急激
に増加することを見出し、この低い臨界磁界現象を用い
て新規な超電導磁気抵抗素子システムを創案し、先に提
案したものである。
上記第３図に示したような磁界の印加に対する電気抵抗
の変化特性は、超電導磁気抵抗素子を構成する例えばセ
ラミックス系の超電導材料が第４図に示すように多くの
超電導体微粒子１より構成される結晶体で、その粒子境
界２に極めて薄い絶縁物あるいは抵抗体が存在し、また
は、粒子1,1間の接触部分がポイント状態になる、即
ち、粒界と粒界が点状の接触をなしている等、いわゆる
超電導の弱結合状態にあり、超電導状態では、トンネル
効果等により、電子が自由に移動して電気抵抗零を示
す。つまりセラミック系等の多結晶の弱結合状態にある
超電導材料は第５図に示すように等価的には無数のジョ
セフソン結合3,3,…の集合体とみなすことが出来る。
の変化特性は、超電導磁気抵抗素子を構成する例えばセ
ラミックス系の超電導材料が第４図に示すように多くの
超電導体微粒子１より構成される結晶体で、その粒子境
界２に極めて薄い絶縁物あるいは抵抗体が存在し、また
は、粒子1,1間の接触部分がポイント状態になる、即
ち、粒界と粒界が点状の接触をなしている等、いわゆる
超電導の弱結合状態にあり、超電導状態では、トンネル
効果等により、電子が自由に移動して電気抵抗零を示
す。つまりセラミック系等の多結晶の弱結合状態にある
超電導材料は第５図に示すように等価的には無数のジョ
セフソン結合3,3,…の集合体とみなすことが出来る。
このような材料に磁界を印加すると、磁界の影響によ
り、ジョセフソン結合3,3,…の超電導性が破れ、即ち、
弱磁界の印加によって超電導の弱結合状態が破れて、素
子は電気抵抗を示すようになり、磁界の強さの増大と共
に電気抵抗は増大する。
り、ジョセフソン結合3,3,…の超電導性が破れ、即ち、
弱磁界の印加によって超電導の弱結合状態が破れて、素
子は電気抵抗を示すようになり、磁界の強さの増大と共
に電気抵抗は増大する。
この性質は上記原理からも明らかなように、結晶粒界２
はランダムに配置されているため、印加する磁界の方向
には依存せずに、磁界の強さの絶縁値によって定まるも
のである。
はランダムに配置されているため、印加する磁界の方向
には依存せずに、磁界の強さの絶縁値によって定まるも
のである。
以上の構成を更に詳細に説明する。
まず、先に提案した超電導磁気抵抗システム及び本発明
の実施例において用いる結晶粒界を有する超電導材料よ
りなる素子の作製例について説明するが、後述する本発
明の実施例において用いる超電導材料の作製方法は以下
の説明する作製方法に限定されるものではない。
の実施例において用いる結晶粒界を有する超電導材料よ
りなる素子の作製例について説明するが、後述する本発
明の実施例において用いる超電導材料の作製方法は以下
の説明する作製方法に限定されるものではない。
最近セラミック系高温超電導材料として発表されたY1Ba
2Cu3O7-xの超電導体を得るように、酸化イットリウムY2
O3、炭酸バリウムBaCO3、酸化銅CuOを所定量秤量し、充
分に分散混合した微粒子を900℃、５時間空気中で仮焼
成を行ない、次に再び粉砕、分散させ、均一な微粒子
（１μｍφ以下）からなる粉体を作り、加圧力1ton/cm2
にて円状のペレットを作製し、次に1000℃、３時間空気
中で本焼成し、200℃まで５時間で降温させて厚み1mmの
円状のペレットを作製した。
2Cu3O7-xの超電導体を得るように、酸化イットリウムY2
O3、炭酸バリウムBaCO3、酸化銅CuOを所定量秤量し、充
分に分散混合した微粒子を900℃、５時間空気中で仮焼
成を行ない、次に再び粉砕、分散させ、均一な微粒子
（１μｍφ以下）からなる粉体を作り、加圧力1ton/cm2
にて円状のペレットを作製し、次に1000℃、３時間空気
中で本焼成し、200℃まで５時間で降温させて厚み1mmの
円状のペレットを作製した。
上記のようにして作製した超電導材料は、Ｘ線回折によ
る巨視的な材料評価では斜方晶の単一相であり、また電
子顕微鏡による観察では第４図に示したように多くの超
電導体粒子1,1,…より構成され、粒子境界（粒界）２に
極めて薄い絶縁物あるいは抵抗体が存在した超電導体の
弱結合の集合体とみなすことが出来た。
る巨視的な材料評価では斜方晶の単一相であり、また電
子顕微鏡による観察では第４図に示したように多くの超
電導体粒子1,1,…より構成され、粒子境界（粒界）２に
極めて薄い絶縁物あるいは抵抗体が存在した超電導体の
弱結合の集合体とみなすことが出来た。
上記のようにして作製した超電導材料は、臨界を加えな
いときは、第６図に示すように絶対温度97度で電気抵抗
が低下し始め、絶対温度83度で電気抵抗が完全に零とな
った。
いときは、第６図に示すように絶対温度97度で電気抵抗
が低下し始め、絶対温度83度で電気抵抗が完全に零とな
った。
上記のような材料から切り出した薄い長方形素子（１×
７×0.7mm）51に第７図に示すように、この超電導材料
と密着性の良いチタン（Ti）電極52,53をそれぞれ電子
ビーム蒸着等によって付設し、更にそれらの電極52,53
にそれぞれ銀ペーストによりリード線54,55を固定し
た。このような電極構造は超電導材料と非常に密着性が
良く、しかも極めて良好なオーミック特性を示した。
７×0.7mm）51に第７図に示すように、この超電導材料
と密着性の良いチタン（Ti）電極52,53をそれぞれ電子
ビーム蒸着等によって付設し、更にそれらの電極52,53
にそれぞれ銀ペーストによりリード線54,55を固定し
た。このような電極構造は超電導材料と非常に密着性が
良く、しかも極めて良好なオーミック特性を示した。
次に、液体窒素（77K）中に上記素子51を入れ、電極52,
53を介して定電流源（図示せず）より所定の電流を供給
すると共に、電極52,53間の電圧を検出して電気抵抗の
測定を行なった。磁界56を印加しない場合には素子51の
抵抗は零であるが、磁界56を印加して電流を流すと、第
８図に示すように電流が50mAの場合に、約10ガウスの磁
界の印加で突然電気抵抗が現われ、磁界の増加と共に素
子51の抵抗は急激に増加した。また電流が10mAの場合に
は、約100ガウスの磁界の印加で突然電気抵抗が現わ
れ、電流が100mAの場合には、約５ガウスの磁界の印加
で突然電気抵抗が現われ、磁界の増加と共に、それぞれ
同様に電気抵抗が急激に増加した。
53を介して定電流源（図示せず）より所定の電流を供給
すると共に、電極52,53間の電圧を検出して電気抵抗の
測定を行なった。磁界56を印加しない場合には素子51の
抵抗は零であるが、磁界56を印加して電流を流すと、第
８図に示すように電流が50mAの場合に、約10ガウスの磁
界の印加で突然電気抵抗が現われ、磁界の増加と共に素
子51の抵抗は急激に増加した。また電流が10mAの場合に
は、約100ガウスの磁界の印加で突然電気抵抗が現わ
れ、電流が100mAの場合には、約５ガウスの磁界の印加
で突然電気抵抗が現われ、磁界の増加と共に、それぞれ
同様に電気抵抗が急激に増加した。
しかもこの特性は、再現性を有し、また極めて安定なも
のであった。更にこれらの特性は印加する磁界の方向に
依存しないものであった。
のであった。更にこれらの特性は印加する磁界の方向に
依存しないものであった。
上記のような素子を本出願人は超電導磁気抵抗素子と称
している。
している。
上記のような素子に定電流を供給し、電気抵抗の変化を
電圧変化として検出することによって、印加磁界の有無
及び大きさを知ることが出来るため、磁気センサとして
利用することが出来る。この場合、素子の電気抵抗は磁
界の方向に依存しないという大きな特徴を有しており、
従来の半導体や磁性体を用いた磁気抵抗素子や、更には
超電導体を用いたSQUIDでは実現出来ない本素子の優れ
た点である。
電圧変化として検出することによって、印加磁界の有無
及び大きさを知ることが出来るため、磁気センサとして
利用することが出来る。この場合、素子の電気抵抗は磁
界の方向に依存しないという大きな特徴を有しており、
従来の半導体や磁性体を用いた磁気抵抗素子や、更には
超電導体を用いたSQUIDでは実現出来ない本素子の優れ
た点である。
更に、印加磁界が零からある値までは、素子の電気抵抗
が完全に零であり、印加磁界の大きさがある値以上では
電気抵抗が急激に増加し、デジタル的及びアナログ的な
特性を示すことも従来の素子には見られない特徴であ
り、デジタルあるいはアナログの磁気信号のピックアッ
プにも適しており、本出願人が先に提案した超電導磁気
抵抗素子システムにより磁気ヘッドを構成することも可
能である。
が完全に零であり、印加磁界の大きさがある値以上では
電気抵抗が急激に増加し、デジタル的及びアナログ的な
特性を示すことも従来の素子には見られない特徴であ
り、デジタルあるいはアナログの磁気信号のピックアッ
プにも適しており、本出願人が先に提案した超電導磁気
抵抗素子システムにより磁気ヘッドを構成することも可
能である。
上記第７図に示した構成では、電流電極と電圧電極とを
共通にした実用的な２端子素子としたが、精密な測定を
行なう場合には第９図に示すように超電導体71に電流電
極72,72と電圧電極73,73とを別個に設けるように成すこ
とが好ましい。
共通にした実用的な２端子素子としたが、精密な測定を
行なう場合には第９図に示すように超電導体71に電流電
極72,72と電圧電極73,73とを別個に設けるように成すこ
とが好ましい。
超電導磁気抵抗素子に磁界に印加する手段としては、永
久磁石を用いても良く、また電磁石を用いても良く、更
にまた、電磁波の磁界成分を用いるように成しても良
い。
久磁石を用いても良く、また電磁石を用いても良く、更
にまた、電磁波の磁界成分を用いるように成しても良
い。
また上記したセラミック超電導材料の作製時において
は、原料材料の分散、粉砕を充分に行ない、微粉（１μ
ｍφ以下）からペレットを作製したが、他の一作製例と
して同一組成、同一熱処理条件にて、分散、粉砕時の粉
体粒子径を２〜５μｍφ程度に制御してセラミック超電
導材料及び超電導磁気抵抗素子を作製した。
は、原料材料の分散、粉砕を充分に行ない、微粉（１μ
ｍφ以下）からペレットを作製したが、他の一作製例と
して同一組成、同一熱処理条件にて、分散、粉砕時の粉
体粒子径を２〜５μｍφ程度に制御してセラミック超電
導材料及び超電導磁気抵抗素子を作製した。
この場合、臨界温度は前述の方法で作製した超電導材料
とほぼ同様の特性を示すが、臨界電流は先の例の15A/cm
2に比べて２桁（0.05A/cm2）小さくなり、この素子に磁
界を印加して磁界に対する抵抗変化を測定したところ、
第10図に示すように非常に感度の優れた特性を示し、ま
た印加電流を制御することにより、その感度を敏感に制
御することが出来た。即ち、電気抵抗が突然現われる磁
界のしきい値は、第11図にも示すように、1mAの印加電
流では３ガウス、5mAでは5.5ガウス、10mAでは0.2ガウ
スであった。
とほぼ同様の特性を示すが、臨界電流は先の例の15A/cm
2に比べて２桁（0.05A/cm2）小さくなり、この素子に磁
界を印加して磁界に対する抵抗変化を測定したところ、
第10図に示すように非常に感度の優れた特性を示し、ま
た印加電流を制御することにより、その感度を敏感に制
御することが出来た。即ち、電気抵抗が突然現われる磁
界のしきい値は、第11図にも示すように、1mAの印加電
流では３ガウス、5mAでは5.5ガウス、10mAでは0.2ガウ
スであった。
この現象は、上記二例の方法で作製した超電導材料は同
一組成で同一熱処理過程を経ているが、粒子の大きさが
異なる出発原料を用いているため、セラミック粒子間の
結合状態、すなわち弱結合の状態が異なり、臨界電流が
異なると同時に、後者の場合の弱結合状態においては、
臨界に対してより敏感に超電導のトンネル効果が無くな
る結果、生じるものと推定される。
一組成で同一熱処理過程を経ているが、粒子の大きさが
異なる出発原料を用いているため、セラミック粒子間の
結合状態、すなわち弱結合の状態が異なり、臨界電流が
異なると同時に、後者の場合の弱結合状態においては、
臨界に対してより敏感に超電導のトンネル効果が無くな
る結果、生じるものと推定される。
＜発明が解決しようとする問題点＞ 本出願人が先に提案した超電導磁気抵抗システムの構成
及び作用は以上の通りであるが、その後種々検討したと
ころ、以下のような問題点が見出された。
及び作用は以上の通りであるが、その後種々検討したと
ころ、以下のような問題点が見出された。
即ち、超電導材料よりなる素子における磁界の印加に対
する抵抗の変化は、例えば第８図及び第10図に示す通り
であり、この第８図及び第10図に示す特性曲線におい
て、超電導状態を破壊する磁束密度の値BOは、セラミッ
クの組成，製作条件等の材料特性と、素子に流す電流値
とによって定まる。また、同一の素子については第８図
及び第10図に示すように素子に流す電流が大きいほどBO
の値は小さくなる。
する抵抗の変化は、例えば第８図及び第10図に示す通り
であり、この第８図及び第10図に示す特性曲線におい
て、超電導状態を破壊する磁束密度の値BOは、セラミッ
クの組成，製作条件等の材料特性と、素子に流す電流値
とによって定まる。また、同一の素子については第８図
及び第10図に示すように素子に流す電流が大きいほどBO
の値は小さくなる。
この素子の特性、例えば第８図及び第10図に示す特性曲
線は上記のように材料特性や素子形状によって定まり、
素子作製後にあっては任意に制御することが困難であ
り、しかも特性の揃った素子を作製することが比較的困
難であった。
線は上記のように材料特性や素子形状によって定まり、
素子作製後にあっては任意に制御することが困難であ
り、しかも特性の揃った素子を作製することが比較的困
難であった。
本発明は、上記の点に鑑みて創案されたものであり、素
子の特性を任意に変化し得る超電導磁気センサの特性制
御回路を提供することを目的としている。
子の特性を任意に変化し得る超電導磁気センサの特性制
御回路を提供することを目的としている。
＜問題点を解決するための手段＞ 上記の目的を達成するため、本発明の超電導磁気センサ
の特性制御回路は、弱結合を示す結晶粒界を有する超電
導材料よりなり、少なくとも一対の電極を備え、磁界を
印加した場合に生じる電気抵抗の変化を出力するように
なした超電導磁気センサの特性制御回路であって、上記
一対の電極間の並列に抵抗体を接続して、上記磁気セン
サの検出磁界の強さと電気抵抗変化量とにおける特性曲
線の傾斜角度を変化させるように構成している。
の特性制御回路は、弱結合を示す結晶粒界を有する超電
導材料よりなり、少なくとも一対の電極を備え、磁界を
印加した場合に生じる電気抵抗の変化を出力するように
なした超電導磁気センサの特性制御回路であって、上記
一対の電極間の並列に抵抗体を接続して、上記磁気セン
サの検出磁界の強さと電気抵抗変化量とにおける特性曲
線の傾斜角度を変化させるように構成している。
＜作 用＞ 本発明においては、超電導磁気抵抗素子に並列に抵抗値
（RP）の低抗体を接続するようになしているため、超電
導磁気抵抗素子と並列接続抵抗体の並列合成抵抗は第２
図に示すように、素子の超電導状態が破れる磁界のしき
い値BOを変化させることなく、特性曲線の傾斜角度を広
範囲に変化させることが出来る。
（RP）の低抗体を接続するようになしているため、超電
導磁気抵抗素子と並列接続抵抗体の並列合成抵抗は第２
図に示すように、素子の超電導状態が破れる磁界のしき
い値BOを変化させることなく、特性曲線の傾斜角度を広
範囲に変化させることが出来る。
＜実施例＞ 以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
第１図は本発明に係る特性制御回路を備えた超電導磁気
センサーの一実施例を示す図である。
センサーの一実施例を示す図である。
第１図において、11は結晶粒界を有する超電導材料より
なる素子であり、この素子11はより具体的には例えばセ
ラミック超電導体よりなり、前述の本出願人が先に提案
したシステスにおいて用いた素子と同様の方法にて製作
することが出来る。12及び13は上記の素子11の両端に形
成した電極であり、この一対の電極12及び13は例えばチ
タン（Ti）の蒸着膜及び銀ペーストを用いて形成し、図
示しない定電流源及び電圧検出器に電気的にリード線等
を介して接続さている。また上記の一対の電極12,13間
には本発明に従って抵抗体14を並列に接続している。
なる素子であり、この素子11はより具体的には例えばセ
ラミック超電導体よりなり、前述の本出願人が先に提案
したシステスにおいて用いた素子と同様の方法にて製作
することが出来る。12及び13は上記の素子11の両端に形
成した電極であり、この一対の電極12及び13は例えばチ
タン（Ti）の蒸着膜及び銀ペーストを用いて形成し、図
示しない定電流源及び電圧検出器に電気的にリード線等
を介して接続さている。また上記の一対の電極12,13間
には本発明に従って抵抗体14を並列に接続している。
上記のように構成において、例えば第２図の特性Ａを有
する素子11に例えば50mΩの抵抗値を有する抵抗体14を
並列に接続した場合、特性Ｂに変化し、抵抗体14の抵抗
値（RP）をそれより大きい値にした場合には矢印方向
にシフトし、抵抗値14の抵抗値（RP）を小さい値にした
場合には、矢印方向にシフトし、抵抗値14の値に任意
に選定することにより特性曲線の傾斜角度を任意に変化
させることができる。
する素子11に例えば50mΩの抵抗値を有する抵抗体14を
並列に接続した場合、特性Ｂに変化し、抵抗体14の抵抗
値（RP）をそれより大きい値にした場合には矢印方向
にシフトし、抵抗値14の抵抗値（RP）を小さい値にした
場合には、矢印方向にシフトし、抵抗値14の値に任意
に選定することにより特性曲線の傾斜角度を任意に変化
させることができる。
このように、抵抗体14の並列接続の結果、出力電極端子
12,13間の合成抵抗は、第２図に示すように素子11の超
電導状態の破れる磁界のしきい値BOを変化させることな
く、抵抗体14の抵抗値（RP）により、特性曲線を広範囲
に変化させることが出来る。
12,13間の合成抵抗は、第２図に示すように素子11の超
電導状態の破れる磁界のしきい値BOを変化させることな
く、抵抗体14の抵抗値（RP）により、特性曲線を広範囲
に変化させることが出来る。
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、
例えば本出願人が先に提案したシステムにおける実施例
で用いた素子の全てに適用することが可能であり、ま
た、上記実施例においては、電流電極及び電圧電極兼用
の一対の電極を素子11に設けるようになしたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、それぞれ一対の電流
電極及び電圧電極を個別に設け、少なくともいずれか一
方の電極対の間に並列接続の抵抗体を接続するように構
成しても良い。
例えば本出願人が先に提案したシステムにおける実施例
で用いた素子の全てに適用することが可能であり、ま
た、上記実施例においては、電流電極及び電圧電極兼用
の一対の電極を素子11に設けるようになしたが、本発明
はこれに限定されるものではなく、それぞれ一対の電流
電極及び電圧電極を個別に設け、少なくともいずれか一
方の電極対の間に並列接続の抵抗体を接続するように構
成しても良い。
＜発明の効果＞ 以上のように本発明によれば、簡単な回路構成により超
電導磁気センサの抵抗変化曲線を広範囲に制御すること
が出来るため、適用分野に応じた特性を容易に得ること
が出来る。
電導磁気センサの抵抗変化曲線を広範囲に制御すること
が出来るため、適用分野に応じた特性を容易に得ること
が出来る。
第１図は本発明の超電導磁気センサの特性制御回路の一
実施例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例回路に
より得られる特性制御を示す特性図、第３図は本出願人
が先に提案したシステム及び発明の一実施例において用
いて好適なセラミック超電導磁気抵抗素子の特性を示す
図、第４図はセラミック超電導体材料の構造を模式的に
示す図、第５図はセラミック超電導体の等価回路を示す
図、第６図は超電導材料の温度に対する電気抵抗特性を
示す図、第７図は本出願人が先に提案したシステム及び
本発明の適用可能な素子システムの一構成例を示す図、
第８図は本出願人が先に提案したシステム及び本発明の
実施例において用いる素子の磁界に対する抵抗変化を素
子に流す電流をパラメータとして示した特性の一例を示
す図、第９図は本出願人が先に提案したシステム及び本
発明の実施例において用いられる超電導磁気抵抗素子の
基本構成を示す図、第10図は本出願人が先に提案したシ
ステム及び本発明の実施例において用いる素子の磁界に
対する抵抗変化を素子に流す電流をパラメータとして示
した特性の他の例を示す図、第11図は本出願人が先に提
案したシステム及び本発明の実施例において用いられる
素子の抵抗値の現われる磁界のしきい値を示す図であ
る。 11……超電導磁気抵抗素子、12,13……電極、14……並
列接続された抵抗体。
実施例を示す回路図、第２図は本発明の一実施例回路に
より得られる特性制御を示す特性図、第３図は本出願人
が先に提案したシステム及び発明の一実施例において用
いて好適なセラミック超電導磁気抵抗素子の特性を示す
図、第４図はセラミック超電導体材料の構造を模式的に
示す図、第５図はセラミック超電導体の等価回路を示す
図、第６図は超電導材料の温度に対する電気抵抗特性を
示す図、第７図は本出願人が先に提案したシステム及び
本発明の適用可能な素子システムの一構成例を示す図、
第８図は本出願人が先に提案したシステム及び本発明の
実施例において用いる素子の磁界に対する抵抗変化を素
子に流す電流をパラメータとして示した特性の一例を示
す図、第９図は本出願人が先に提案したシステム及び本
発明の実施例において用いられる超電導磁気抵抗素子の
基本構成を示す図、第10図は本出願人が先に提案したシ
ステム及び本発明の実施例において用いる素子の磁界に
対する抵抗変化を素子に流す電流をパラメータとして示
した特性の他の例を示す図、第11図は本出願人が先に提
案したシステム及び本発明の実施例において用いられる
素子の抵抗値の現われる磁界のしきい値を示す図であ
る。 11……超電導磁気抵抗素子、12,13……電極、14……並
列接続された抵抗体。
Claims (1)
- 【請求項１】弱結合を示す結晶粒界を有する超電導材料
よりなり、少なくとも一対の電極を備え、磁界を印加し
た場合に生じる電気抵抗の変化を出力するようになした
超電導磁気センサの特性制御回路であって、 上記一対の電極間の並列に抵抗体を接続して、上記磁気
センサの検出磁界の強さと電気抵抗変化量とにおける特
性曲線の傾斜角度を変化させるようにしたことを特徴と
する超電導磁気センサの特性制御回路。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319523A JPH07113663B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 超電導磁気センサの特性制御回路 |
| EP88307044A EP0301902B1 (en) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Method and device for sensing a magnetic field with use of a magneto-resistive property of a superconductive material |
| DE88307044T DE3884514T2 (de) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Verfahren und Anordnung zum Nachweisen eines Magnetfeldes mittels der Magneto-widerstandseigenschaften eines supraleitenden Materials. |
| AT88307044T ATE95316T1 (de) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Verfahren und anordnung zum nachweisen eines magnetfeldes mittels der magnetowiderstandseigenschaften eines supraleitenden materials. |
| US07/226,067 US5011818A (en) | 1987-07-29 | 1988-07-29 | Sensing a magnetic field with a super conductive material that exhibits magneto resistive properties |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62319523A JPH07113663B2 (ja) | 1987-12-16 | 1987-12-16 | 超電導磁気センサの特性制御回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01161177A JPH01161177A (ja) | 1989-06-23 |
| JPH07113663B2 true JPH07113663B2 (ja) | 1995-12-06 |
Family
ID=18111181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62319523A Expired - Lifetime JPH07113663B2 (ja) | 1987-07-29 | 1987-12-16 | 超電導磁気センサの特性制御回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07113663B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8871699B2 (en) | 2012-09-13 | 2014-10-28 | Ecolab Usa Inc. | Detergent composition comprising phosphinosuccinic acid adducts and methods of use |
| US20140308162A1 (en) | 2013-04-15 | 2014-10-16 | Ecolab Usa Inc. | Peroxycarboxylic acid based sanitizing rinse additives for use in ware washing |
| US9994799B2 (en) | 2012-09-13 | 2018-06-12 | Ecolab Usa Inc. | Hard surface cleaning compositions comprising phosphinosuccinic acid adducts and methods of use |
| CN118033520B (zh) * | 2024-04-15 | 2024-07-23 | 北京中联太信科技有限公司 | 超导传感器精度检测装置、方法及*** |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5289974A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-28 | Automobile Antipollution | Temperatureevoltage converting circuit |
| JPS5917175A (ja) * | 1982-07-20 | 1984-01-28 | Aisin Seiki Co Ltd | 極低温用磁場検出素子 |
-
1987
- 1987-12-16 JP JP62319523A patent/JPH07113663B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｃ．Ｗ．Ｃｈｕ，ｅｔ．ａｌ．：Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．５８Ｎｏ．４，２６Ｊａｎｕａｒｙ１９８７ＰＰ．４０５−４０７ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01161177A (ja) | 1989-06-23 |
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