JPH07111952B2 - ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク - Google Patents
ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスクInfo
- Publication number
- JPH07111952B2 JPH07111952B2 JP22644988A JP22644988A JPH07111952B2 JP H07111952 B2 JPH07111952 B2 JP H07111952B2 JP 22644988 A JP22644988 A JP 22644988A JP 22644988 A JP22644988 A JP 22644988A JP H07111952 B2 JPH07111952 B2 JP H07111952B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass mask
- alignment mark
- photolithography process
- wafer
- reticle
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
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Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク
の合せマークに関するものである。
の合せマークに関するものである。
近年、半導体素子等を製造するため、繰り返し行なわれ
るホトリソ工程におけるガラスマスクとウェハとの位置
決めは、予めガラスマスクの各チップパターン又はチッ
プ面積の縮小化のため、複数のチップのまとまりである
レチクルパターン上に設けられた合せマークとウェハ上
に設けられた合せマークとを一致させることにより行な
われる。
るホトリソ工程におけるガラスマスクとウェハとの位置
決めは、予めガラスマスクの各チップパターン又はチッ
プ面積の縮小化のため、複数のチップのまとまりである
レチクルパターン上に設けられた合せマークとウェハ上
に設けられた合せマークとを一致させることにより行な
われる。
従来、かかるガラスマスク及びウェハの合せマスクの合
せ方は、先ずマスクアライナーにガラスマスクをセット
した後、このガラスマスクの合せマークを探し、これを
マスクアライナーの顕微鏡の視野に入れて置く、そし
て、ガラスマスク下において、ウェハを移動させ、ウェ
ハ上に設けられた合せマークを、顕微鏡及びガラスマス
クを通して探し、これら合せマークを一致させるもので
あった。
せ方は、先ずマスクアライナーにガラスマスクをセット
した後、このガラスマスクの合せマークを探し、これを
マスクアライナーの顕微鏡の視野に入れて置く、そし
て、ガラスマスク下において、ウェハを移動させ、ウェ
ハ上に設けられた合せマークを、顕微鏡及びガラスマス
クを通して探し、これら合せマークを一致させるもので
あった。
然し乍ら、上述した従来の合せマークにおいては、顕微
鏡の視野が、例えば数百μｍと狭いため、レチクルサイ
ズが、例えば十数mm角と大きくなると、それに伴って合
せマークの間隔も大きくなり、合せマークの検出に多大
の時間を要するという問題点があった。
鏡の視野が、例えば数百μｍと狭いため、レチクルサイ
ズが、例えば十数mm角と大きくなると、それに伴って合
せマークの間隔も大きくなり、合せマークの検出に多大
の時間を要するという問題点があった。
勿論、合せマークの間隔を小さくするため、レチクル内
の合せマークを多くしても良いが、この場合、異なる合
せマークに合せてしまう等の合せ不良が生じるという問
題点があった。
の合せマークを多くしても良いが、この場合、異なる合
せマークに合せてしまう等の合せ不良が生じるという問
題点があった。
本発明の目的は、上述の問題点に鑑み、合せマークの検
出時間が短縮できるホトリソグラフィー工程におけるガ
ラスマスクの合せマークを提供するものである。
出時間が短縮できるホトリソグラフィー工程におけるガ
ラスマスクの合せマークを提供するものである。
本発明は、上述した目的を達成するため、 横方向及び縦方向に格子状に設けられたスクライブライ
ンにより囲まれ、角形を呈する複数のチップパターンを
有するホトリソグラフィー工程におけるガラスマスクに
おいて、 前記チップパターンのうち、あらかじめ選択されたチッ
プパターンの隅部に形成された合せマーク部と、 前記スクライブライン上に形成され、前記合せマークが
形成された隅部で交差する横方向及び縦方向のガイドラ
インとを有することを特徴とする。
ンにより囲まれ、角形を呈する複数のチップパターンを
有するホトリソグラフィー工程におけるガラスマスクに
おいて、 前記チップパターンのうち、あらかじめ選択されたチッ
プパターンの隅部に形成された合せマーク部と、 前記スクライブライン上に形成され、前記合せマークが
形成された隅部で交差する横方向及び縦方向のガイドラ
インとを有することを特徴とする。
本発明においては、ガラスマスクとウェハとを位置決め
するための合せマーク部近傍において交差する複数のガ
イドラインを設けたので、合せマーク部の検出が、ガイ
ドラインの交点を探すことにより容易になる。
するための合せマーク部近傍において交差する複数のガ
イドラインを設けたので、合せマーク部の検出が、ガイ
ドラインの交点を探すことにより容易になる。
以下本発明のホトリソグラフィー工程におけるガラスマ
スクの合せマークに係る一実施例を、第１図にガラスマ
スクの平面図、第２図にレチクルの拡大図及び第３図に
合せマークの部分拡大図を示して説明する。
スクの合せマークに係る一実施例を、第１図にガラスマ
スクの平面図、第２図にレチクルの拡大図及び第３図に
合せマークの部分拡大図を示して説明する。
即ち、第１図において、１は紫外線の所望波長光、例え
ばUV光等が透過する石英（酸化シリコン）材から成るガ
ラスマスクであり、このガラスマスク１の裏面には、上
記UV光等を反射するクロム等のレチクルパターン２が形
成されている。
ばUV光等が透過する石英（酸化シリコン）材から成るガ
ラスマスクであり、このガラスマスク１の裏面には、上
記UV光等を反射するクロム等のレチクルパターン２が形
成されている。
又、第２図に示す如く、上記レチクルパターン２は、縦
（Ｙ）方向及び縦（Ｘ）方向に所定間隔を置いて格子状
に設けられた複数のスクライブライン３に囲まれた複数
の角形を呈するチップパターン４により構成されてい
る。
（Ｙ）方向及び縦（Ｘ）方向に所定間隔を置いて格子状
に設けられた複数のスクライブライン３に囲まれた複数
の角形を呈するチップパターン４により構成されてい
る。
更に、第３図に示す如く、上記所定のICチップパターン
４の隅部には、合せマーク部5aが形成されると共に、こ
の合せマーク部5a近傍のＹ及びＸ方向のスクライブライ
ン３上には、合せマーク部5aのガイドラインであるレチ
クルライン5bが夫々形成されている。
４の隅部には、合せマーク部5aが形成されると共に、こ
の合せマーク部5a近傍のＹ及びＸ方向のスクライブライ
ン３上には、合せマーク部5aのガイドラインであるレチ
クルライン5bが夫々形成されている。
次に、かかるガラスマスクにおける合せマークの合せ方
を述べる。
を述べる。
先ず、マスクアライナーの顕微鏡の視野を、ガラスマス
ク１のＸ方向（又はＹ方向）に移動し、Ｙ方向（又はＸ
方向）のレチクルライン5bを探す。その後、Ｙ方向（又
はＸ方向）のレチクルライン5bに沿って顕微鏡の視野を
Ｙ方向（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又はＹ方向）
のレチクルライン5bを探す。斯くして、これらＹ方向及
びＸ方向のレチクルライン5bの交点付近にある合せマー
ク部5aを容易に探すことができる。
ク１のＸ方向（又はＹ方向）に移動し、Ｙ方向（又はＸ
方向）のレチクルライン5bを探す。その後、Ｙ方向（又
はＸ方向）のレチクルライン5bに沿って顕微鏡の視野を
Ｙ方向（又はＸ方向）に移動し、Ｘ方向（又はＹ方向）
のレチクルライン5bを探す。斯くして、これらＹ方向及
びＸ方向のレチクルライン5bの交点付近にある合せマー
ク部5aを容易に探すことができる。
続いて、ガラスマスク１の合せマーク部5aを、マスクア
ライナーの顕微鏡の視野に固定して置き、顕微鏡及びガ
ラスマスク１を通して、１回目のガラスマスク１による
ホトレジスト膜の露光現象により転写されたウェハ上の
合せマーク部5aを、同様に転写されたレチクルライン5b
により、ウェハをX,Y方向に移動させ、検出する。その
後、ガラスマスク１の合せマーク部5aとウェハの合せマ
ーク部5aとを一致させ、ウェハ上にガラスマスク１が位
置決めされる。但し、ウェハ上における１回目のホトリ
ソ工程においては、ウェハに対するガラスマスク１の位
置決めは必要としない。
ライナーの顕微鏡の視野に固定して置き、顕微鏡及びガ
ラスマスク１を通して、１回目のガラスマスク１による
ホトレジスト膜の露光現象により転写されたウェハ上の
合せマーク部5aを、同様に転写されたレチクルライン5b
により、ウェハをX,Y方向に移動させ、検出する。その
後、ガラスマスク１の合せマーク部5aとウェハの合せマ
ーク部5aとを一致させ、ウェハ上にガラスマスク１が位
置決めされる。但し、ウェハ上における１回目のホトリ
ソ工程においては、ウェハに対するガラスマスク１の位
置決めは必要としない。
尚、上記レチクルライン5bは、顕微鏡の視野で十分に確
認されるものであれば、実線又は点線等でも良く、レチ
クルライン5bの幅長も他のプロセスの障害とならなけれ
ば顕微鏡で確認されるものであれば良いことは言うまで
もない。
認されるものであれば、実線又は点線等でも良く、レチ
クルライン5bの幅長も他のプロセスの障害とならなけれ
ば顕微鏡で確認されるものであれば良いことは言うまで
もない。
以上説明したように本発明によれば、ガラスマスクに、
ウェハとの位置決めを行なうための合せマーク部と、こ
の合せマーク部近傍で交差する複数のガイドラインとを
配設したので、上記合せマーク部の検出が、ガイドライ
ンの交点を探すことにより容易にできると共に、ガラス
マスクにより転写されたウェハ上の合せマーク部の検出
も、同様に転写されたガイドラインの交点を探すことに
より容易にできる。よって、合せマーク検出に要する時
間の短縮ができ、ホトリソ工程における時間短縮ができ
るので、作業性が向上できる等の特有の効果により上述
の課題を解決し得る。
ウェハとの位置決めを行なうための合せマーク部と、こ
の合せマーク部近傍で交差する複数のガイドラインとを
配設したので、上記合せマーク部の検出が、ガイドライ
ンの交点を探すことにより容易にできると共に、ガラス
マスクにより転写されたウェハ上の合せマーク部の検出
も、同様に転写されたガイドラインの交点を探すことに
より容易にできる。よって、合せマーク検出に要する時
間の短縮ができ、ホトリソ工程における時間短縮ができ
るので、作業性が向上できる等の特有の効果により上述
の課題を解決し得る。
第１図乃至第３図は本発明に係る一実施例を示すもの
で、第１図はガラスマスクの平面図、第２図はレチクル
の拡大図、第３図は合せマークの部分拡大図である。 １……ガラスマスク、２……レチクルパターン、３……
スクライブライン、４……チップパターン、5a……合せ
マーク部、5b……レチクルライン（ガイドライン）。
で、第１図はガラスマスクの平面図、第２図はレチクル
の拡大図、第３図は合せマークの部分拡大図である。 １……ガラスマスク、２……レチクルパターン、３……
スクライブライン、４……チップパターン、5a……合せ
マーク部、5b……レチクルライン（ガイドライン）。
Claims (1)
- 【請求項１】横方向及び縦方向に格子状に設けられたス
クライブラインにより囲まれ、角形を呈する複数のチッ
プパターンを有するホトリソグラフィー工程におけるガ
ラスマスクにおいて、 前記チップパターンのうち、あらかじめ選択されたチッ
プパターンの隅部に形成された合せマーク部と、 前記スクライブライン上に形成され、前記合せマークが
形成された隅部で交差する横方向及び縦方向のガイドラ
インと を有することを特徴とするホトリソグラフィー工程にお
けるガラスマスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22644988A JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22644988A JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0276214A JPH0276214A (ja) | 1990-03-15 |
| JPH07111952B2 true JPH07111952B2 (ja) | 1995-11-29 |
Family
ID=16845272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22644988A Expired - Lifetime JPH07111952B2 (ja) | 1988-09-12 | 1988-09-12 | ホトリソグラフィー工程におけるガラスマスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07111952B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5317338A (en) * | 1991-10-29 | 1994-05-31 | International Business Machines Corporation | Visual measurement technique and test pattern for aperture offsets in photoplotters |
| KR100442058B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-07-30 | 동부전자 주식회사 | 오버레이 측정 타겟 및 그를 이용한 해상도 측정방법 |
| CN105182702B (zh) * | 2015-10-30 | 2017-08-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 对位标记搜寻方法、显示基板和显示装置 |
| CN107367249B (zh) * | 2017-07-27 | 2019-11-26 | 四川省建筑科学研究院有限公司 | 预制构件可装配性检测方法、调整方法及拼接方法 |
| CN112731759B (zh) * | 2021-02-02 | 2023-04-07 | 长鑫存储技术有限公司 | 光掩膜版的形成方法及光掩膜版 |
| CN113219798B (zh) * | 2021-03-25 | 2023-09-08 | 北海惠科半导体科技有限公司 | 晶圆半导体产品、掩膜版与光刻机 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60116131A (ja) * | 1983-11-29 | 1985-06-22 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクアライナ−用道標マ−ク |
| JPS62193123A (ja) * | 1986-02-19 | 1987-08-25 | Sanyo Electric Co Ltd | パタ−ン位置合わせ方法 |
| JPS62167252U (ja) * | 1986-04-10 | 1987-10-23 |
-
1988
- 1988-09-12 JP JP22644988A patent/JPH07111952B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0276214A (ja) | 1990-03-15 |
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Legal Events
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