JPH0696449A - ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路 - Google Patents
ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路Info
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- JPH0696449A JPH0696449A JP26807992A JP26807992A JPH0696449A JP H0696449 A JPH0696449 A JP H0696449A JP 26807992 A JP26807992 A JP 26807992A JP 26807992 A JP26807992 A JP 26807992A JP H0696449 A JPH0696449 A JP H0696449A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＲＯＭディスク、ＷＯディスクなど反射率の
異なる光ディスクの再生装置に好適なゲイン可変型フォ
ト・ダイオード出力信号増幅回路を提供する。 【構成】 逆バイアスをかけたフォト・ダイオードＰＤ
のアノードに電流ー電圧変換増幅回路２を接続する。増
幅回路２は負帰還抵抗Ｒ１、Ｒ３、Ｒ２を備え、負帰還
抵抗Ｒ２のループ内にＲ４、Ｒ５からなる減衰回路を挿
入する。抵抗Ｒ５に接続したスイッチングトランジスタ
Ｑ１は、反射率の小さいＷＯディスクを再生するモード
を選択３した時はオフする。トランジスタがオフする
と、減衰回路は抵抗Ｒ４だけとなり、増幅器４自体の入
力インピーダンスが大きいため、信号電流の大半は帰還
抵抗Ｒ２に流れ込み電流ー電圧変換ゲインはＲ２の値で
きまる。反射率の大きいＲＯＭディスク再生モードでは
トランジスタはオンして、信号電流はＲ５へ分流した分
少なくなり変換ゲインが下がる。
異なる光ディスクの再生装置に好適なゲイン可変型フォ
ト・ダイオード出力信号増幅回路を提供する。 【構成】 逆バイアスをかけたフォト・ダイオードＰＤ
のアノードに電流ー電圧変換増幅回路２を接続する。増
幅回路２は負帰還抵抗Ｒ１、Ｒ３、Ｒ２を備え、負帰還
抵抗Ｒ２のループ内にＲ４、Ｒ５からなる減衰回路を挿
入する。抵抗Ｒ５に接続したスイッチングトランジスタ
Ｑ１は、反射率の小さいＷＯディスクを再生するモード
を選択３した時はオフする。トランジスタがオフする
と、減衰回路は抵抗Ｒ４だけとなり、増幅器４自体の入
力インピーダンスが大きいため、信号電流の大半は帰還
抵抗Ｒ２に流れ込み電流ー電圧変換ゲインはＲ２の値で
きまる。反射率の大きいＲＯＭディスク再生モードでは
トランジスタはオンして、信号電流はＲ５へ分流した分
少なくなり変換ゲインが下がる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、レーザー光を用いて再
生するＲＯＭディスクやライトワンスディスク（以下、
ＷＯディスクという。）等、反射率の異なる複数種類の
光ディスクに対応できる再生装置において、レーザ光を
電流に変換する受光素子の信号電流を増幅する高周波信
号増幅器に関する。
生するＲＯＭディスクやライトワンスディスク（以下、
ＷＯディスクという。）等、反射率の異なる複数種類の
光ディスクに対応できる再生装置において、レーザ光を
電流に変換する受光素子の信号電流を増幅する高周波信
号増幅器に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光ディスクの再生装置において、
その光ピックアップは、レーザダイオードから出力され
たレーザ光が光学装置、例えばビーム・スプリッタやレ
ンズを通り、ディスクに達する。ディスクで反射された
レーザ光（以下、反射光という。）は再びレンズを通
り、ビーム・スプリッタで入射光と分離され、フォト・
ディテクタ、例えばフォト・ダイオードで受光し、信号
電流に変換して高周波電気信号として取り出される。
その光ピックアップは、レーザダイオードから出力され
たレーザ光が光学装置、例えばビーム・スプリッタやレ
ンズを通り、ディスクに達する。ディスクで反射された
レーザ光（以下、反射光という。）は再びレンズを通
り、ビーム・スプリッタで入射光と分離され、フォト・
ディテクタ、例えばフォト・ダイオードで受光し、信号
電流に変換して高周波電気信号として取り出される。
【０００３】ところで、光ディスクにはＲＯＭディスク
のように反射面がアルミニュームなどの反射膜でできて
いる場合は、ピット部の存在しない平坦部からの反射光
量は約８０％に達し、一方ピット部では反射膜が少な
く、ピット部からの反射光とその周辺からの反射光が干
渉して弱わるためその反射光量は少なくなり、ピット部
の存在しない記録面とピット部の存在する記録面での反
射光の強弱の差は極めて大きい。
のように反射面がアルミニュームなどの反射膜でできて
いる場合は、ピット部の存在しない平坦部からの反射光
量は約８０％に達し、一方ピット部では反射膜が少な
く、ピット部からの反射光とその周辺からの反射光が干
渉して弱わるためその反射光量は少なくなり、ピット部
の存在しない記録面とピット部の存在する記録面での反
射光の強弱の差は極めて大きい。
【０００４】一方、ＷＯディスクは、記録情報の読み取
りはＲＯＭディスクと同じく反射光の強弱を信号として
いる点では変わりはない。このＷＯディスクの情報記録
には、一例として２種類の金属薄膜を積層して記録膜を
作り、レーザ光で加熱すると、これが互いに拡散して単
層の合金膜に変わり、反射率が大きく変わることを利用
した記録方式が提案されている。ＷＯディスクでは、初
期の反射率の値を１０〜１４％の低反射条件になるよう
に、記録後にはこの値の４倍程度の高反射条件になるよ
うにしてはいるが、それでもＲＯＭディスクに比較して
反射率は小さく、反射光の強弱の差は小さい。
りはＲＯＭディスクと同じく反射光の強弱を信号として
いる点では変わりはない。このＷＯディスクの情報記録
には、一例として２種類の金属薄膜を積層して記録膜を
作り、レーザ光で加熱すると、これが互いに拡散して単
層の合金膜に変わり、反射率が大きく変わることを利用
した記録方式が提案されている。ＷＯディスクでは、初
期の反射率の値を１０〜１４％の低反射条件になるよう
に、記録後にはこの値の４倍程度の高反射条件になるよ
うにしてはいるが、それでもＲＯＭディスクに比較して
反射率は小さく、反射光の強弱の差は小さい。
【０００５】図３の（Ａ）は、前記光ディスクからの反
射光を電流に変換するためのフォト・ダイオードの等価
回路の概略を示している。この等価回路において、レー
ザ光が光ディスクに照射されて検出された反射光ＬＤが
フォト・ダイオードＰＤ（以下、ＰＤという。）に照射
されて光電流Ｉｐに変換される。この光電流Ｉｐが所定
の負荷抵抗ＲL に流れて出力電圧Ｖｏとして取り出され
る。ＣｊはフォトダイオードＰＤに逆バイアス電圧をか
けた時の接合容量で、逆バイアスをかけることにより接
合容量が小さくなり高速動作を行うことができる。
射光を電流に変換するためのフォト・ダイオードの等価
回路の概略を示している。この等価回路において、レー
ザ光が光ディスクに照射されて検出された反射光ＬＤが
フォト・ダイオードＰＤ（以下、ＰＤという。）に照射
されて光電流Ｉｐに変換される。この光電流Ｉｐが所定
の負荷抵抗ＲL に流れて出力電圧Ｖｏとして取り出され
る。ＣｊはフォトダイオードＰＤに逆バイアス電圧をか
けた時の接合容量で、逆バイアスをかけることにより接
合容量が小さくなり高速動作を行うことができる。
【０００６】また、図３の（Ｂ）は、逆バイアス電圧Ｖ
ｃｃをかけられたＰＤからの光電流を電流−電圧変換増
幅回路（以下、ＰＤ増幅器という。）１で電流−電圧変
換されて出力電圧Ｖｏとして取り出され、光ディスク再
生回路の場合は、信号処理回路やサーボ処理回路に必要
な信号を送り出すものである。そして、前記ＰＤ増幅回
路１において、Ｖｏ＝ＩｐＲｆとして光電流Ｉｐは電圧
に変換されて出力電圧Ｖｏとして取り出される。
ｃｃをかけられたＰＤからの光電流を電流−電圧変換増
幅回路（以下、ＰＤ増幅器という。）１で電流−電圧変
換されて出力電圧Ｖｏとして取り出され、光ディスク再
生回路の場合は、信号処理回路やサーボ処理回路に必要
な信号を送り出すものである。そして、前記ＰＤ増幅回
路１において、Ｖｏ＝ＩｐＲｆとして光電流Ｉｐは電圧
に変換されて出力電圧Ｖｏとして取り出される。
【０００７】ところで、ＲＯＭディスクとＷＯディスク
では反射率に大きな差異があるため、再生時の前記信号
レベルの差は２０ｄＢ〜２６ｄＢにも及んでいる。この
ため、ＷＯディスク及びＲＯＭディスクの両者を再生で
きるディスク再生装置のプリアンプを構成する同じＰＤ
増幅回路でＲＯＭディスクの信号電流を増幅しようとす
ると、前記ＰＤ増幅回路１への入力信号レベルが大きく
なるので、アンプが飽和することがあり、この飽和を防
ぐために、ＰＤ増幅回路の帰還ゲイン（ループゲイン）
を変えて再生していた。
では反射率に大きな差異があるため、再生時の前記信号
レベルの差は２０ｄＢ〜２６ｄＢにも及んでいる。この
ため、ＷＯディスク及びＲＯＭディスクの両者を再生で
きるディスク再生装置のプリアンプを構成する同じＰＤ
増幅回路でＲＯＭディスクの信号電流を増幅しようとす
ると、前記ＰＤ増幅回路１への入力信号レベルが大きく
なるので、アンプが飽和することがあり、この飽和を防
ぐために、ＰＤ増幅回路の帰還ゲイン（ループゲイン）
を変えて再生していた。
【０００８】しかし、信号レベルの差が２０〜２６ｄＢ
と大きいため、帰還ゲインの可変幅を大きくせざるをえ
ず、帰還ゲインが大きいと増幅回路のループの位相回り
により高域で不安定、発振等を生じ周波数特性が劣化す
る。これらは位相、振幅補償である程度改善できるが、
回路が複雑になり、またその影響で周波数特性にうねり
が発生しやすくなる。
と大きいため、帰還ゲインの可変幅を大きくせざるをえ
ず、帰還ゲインが大きいと増幅回路のループの位相回り
により高域で不安定、発振等を生じ周波数特性が劣化す
る。これらは位相、振幅補償である程度改善できるが、
回路が複雑になり、またその影響で周波数特性にうねり
が発生しやすくなる。
【０００９】前記ＰＤ増幅回路１では、逆バイアスした
ＰＤのアノードもしくはカソードの片方から光電流を取
り出していたが、ＲＯＭディスクの再生の際のように、
反射光量が大きくＰＤへの入射光量が大きく、ＰＤ増幅
器１の内部雑音（アンプ雑音）が充分小さい時は問題が
なかったが、前記ＷＯディスク等高密度記録再生機器で
は、その再生の際、光ディスクからの反射光量が少ない
ため、ＰＤへの入射光量が少なくなるので変換される信
号電流も小さく、ＰＤ増幅器１の内部雑音レベルが問題
となり、一般にこの内部雑音レベルは固定されていると
考えてよいからＳ／Ｎが悪化する。
ＰＤのアノードもしくはカソードの片方から光電流を取
り出していたが、ＲＯＭディスクの再生の際のように、
反射光量が大きくＰＤへの入射光量が大きく、ＰＤ増幅
器１の内部雑音（アンプ雑音）が充分小さい時は問題が
なかったが、前記ＷＯディスク等高密度記録再生機器で
は、その再生の際、光ディスクからの反射光量が少ない
ため、ＰＤへの入射光量が少なくなるので変換される信
号電流も小さく、ＰＤ増幅器１の内部雑音レベルが問題
となり、一般にこの内部雑音レベルは固定されていると
考えてよいからＳ／Ｎが悪化する。
【００１０】このため、信号入力部に可変減衰器を挿入
して、ＲＯＭディスクとＷＯディスク再生モードに応じ
て減衰量を切り換えて実質的にゲインを制御するものも
提案されているが、この場合は、周波数特性は安定する
が、ＷＯディスク再生モードでは信号電流が小さいため
Ｓ／Ｎが劣化することになる。
して、ＲＯＭディスクとＷＯディスク再生モードに応じ
て減衰量を切り換えて実質的にゲインを制御するものも
提案されているが、この場合は、周波数特性は安定する
が、ＷＯディスク再生モードでは信号電流が小さいため
Ｓ／Ｎが劣化することになる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記問題点に
鑑み、ＷＯディスクのようにＰＤへの再生入射光量が小
さくてもアンプノイズによるＳ／Ｎが劣化せず、さらに
反射率の異なる複数の光ディスクの再生において飽和す
ることなく、不安定や発振を生じない複数の光ディスク
の再生に対応することができる広帯域ＰＤ増幅回路を提
供する点にある。
鑑み、ＷＯディスクのようにＰＤへの再生入射光量が小
さくてもアンプノイズによるＳ／Ｎが劣化せず、さらに
反射率の異なる複数の光ディスクの再生において飽和す
ることなく、不安定や発振を生じない複数の光ディスク
の再生に対応することができる広帯域ＰＤ増幅回路を提
供する点にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、反射率の異な
る複数種類の光記録媒体であるＲＯＭディスクやＷＯデ
ィスクに対して再生を行う光記録再生装置のフォト・デ
ィテクタ出力信号増幅回路において、前記フォト・ディ
テクタ出力信号を電流−電圧変換する帰還型増幅回路
と、該帰還型増幅回路の帰還ループ内に前記反射率の異
なる光記録媒体の種類に応じて電流−電圧変換ゲインを
制御する変換ゲイン制御手段を挿入して構成される。こ
の変換ゲイン制御手段は、抵抗からなる減衰回路で構成
され、その減衰量を再生記録媒体の種類に応じてスイッ
チングトランジスタで切り換え、反射率の異なる光ディ
スクの再生の際、再生する光ディスクの選択モードに応
じて電流−電圧変換ゲインを可変にすることを特徴とす
る。
る複数種類の光記録媒体であるＲＯＭディスクやＷＯデ
ィスクに対して再生を行う光記録再生装置のフォト・デ
ィテクタ出力信号増幅回路において、前記フォト・ディ
テクタ出力信号を電流−電圧変換する帰還型増幅回路
と、該帰還型増幅回路の帰還ループ内に前記反射率の異
なる光記録媒体の種類に応じて電流−電圧変換ゲインを
制御する変換ゲイン制御手段を挿入して構成される。こ
の変換ゲイン制御手段は、抵抗からなる減衰回路で構成
され、その減衰量を再生記録媒体の種類に応じてスイッ
チングトランジスタで切り換え、反射率の異なる光ディ
スクの再生の際、再生する光ディスクの選択モードに応
じて電流−電圧変換ゲインを可変にすることを特徴とす
る。
【００１３】
【実施例】図１は、本発明ゲイン可変型ＰＤ増幅回路を
示しており、ＲＯＭディスクまたはＷＯディスク再生選
択モードに応じて、電流−電圧変換増幅回路の帰還ルー
プ内に挿入した減衰回路の減衰量をスイッチで切り換え
て可変にすることにより増幅回路のＳ／Ｎ、周波数特性
の劣化の小さいゲイン可変型電流−電圧変換増幅回路２
（以下、ＰＤ増幅回路２という。）を構成する。
示しており、ＲＯＭディスクまたはＷＯディスク再生選
択モードに応じて、電流−電圧変換増幅回路の帰還ルー
プ内に挿入した減衰回路の減衰量をスイッチで切り換え
て可変にすることにより増幅回路のＳ／Ｎ、周波数特性
の劣化の小さいゲイン可変型電流−電圧変換増幅回路２
（以下、ＰＤ増幅回路２という。）を構成する。
【００１４】図１において、電源Ｖｃｃで逆バイアスさ
れたフォト・ダイードＰＤ（以下、ＰＤという）に、Ｒ
ＯＭディスク又はＷＯディスクで反射された反射光が所
定の光学系を介して照射され高周波信号電流に変換され
る。この信号電流は、後述する帯域分割容量Ｃ１を通っ
てプリアンプを構成するＰＤ増幅回路２に入力する。
れたフォト・ダイードＰＤ（以下、ＰＤという）に、Ｒ
ＯＭディスク又はＷＯディスクで反射された反射光が所
定の光学系を介して照射され高周波信号電流に変換され
る。この信号電流は、後述する帯域分割容量Ｃ１を通っ
てプリアンプを構成するＰＤ増幅回路２に入力する。
【００１５】前記ＰＤ増幅回路２は、負帰還抵抗Ｒ１お
よびＲ３からなる帰還ループと負帰還抵抗Ｒ２からなる
帰還ループから構成されている。これのみの構成では、
図３の（Ｂ）に示す従来のＰＤ増幅回路１と基本的に変
わるところはないが、本発明ＰＤ増幅回路２は、増幅回
路のゲインを可変にする減衰回路を構成する抵抗Ｒ４お
よびＲ５を負帰還抵抗Ｒ２の帰還ループ内に含んでい
る。このゲインを可変にする減衰回路の抵抗Ｒ５の一端
は、スイッチングトランジスタＱ１のコレクタに接続さ
れており、抵抗Ｒ４とＲ５の接続点は増幅器の入力端子
の一方に接続される。
よびＲ３からなる帰還ループと負帰還抵抗Ｒ２からなる
帰還ループから構成されている。これのみの構成では、
図３の（Ｂ）に示す従来のＰＤ増幅回路１と基本的に変
わるところはないが、本発明ＰＤ増幅回路２は、増幅回
路のゲインを可変にする減衰回路を構成する抵抗Ｒ４お
よびＲ５を負帰還抵抗Ｒ２の帰還ループ内に含んでい
る。このゲインを可変にする減衰回路の抵抗Ｒ５の一端
は、スイッチングトランジスタＱ１のコレクタに接続さ
れており、抵抗Ｒ４とＲ５の接続点は増幅器の入力端子
の一方に接続される。
【００１６】前記スイッチングトランジスタＱ１は、デ
ィスク再生モード選択信号３により光ディスク再生装置
が反射率の大きいＲＯＭディスクを再生するモードを選
択したときはオンし、反射率の小さいＷＯディスクを再
生するモードを選択したときはオフするように動作す
る。
ィスク再生モード選択信号３により光ディスク再生装置
が反射率の大きいＲＯＭディスクを再生するモードを選
択したときはオンし、反射率の小さいＷＯディスクを再
生するモードを選択したときはオフするように動作す
る。
【００１７】図２は、前記再生モードを選択したときの
減衰回路の結線を等価的に示している回路である。図２
の（Ａ）は、反射率の小さいＷＯディスクの再生モード
を選択してスイッチングトランジスタＱ１をオフしたと
きの減衰回路を、図２の（Ｂ）は、反射率の大きいＲＯ
Ｍディスクの再生モードを選択してスイッチングトラン
ジスタＱ１をオンしたときの減衰回路をそれぞれ示して
いる。
減衰回路の結線を等価的に示している回路である。図２
の（Ａ）は、反射率の小さいＷＯディスクの再生モード
を選択してスイッチングトランジスタＱ１をオフしたと
きの減衰回路を、図２の（Ｂ）は、反射率の大きいＲＯ
Ｍディスクの再生モードを選択してスイッチングトラン
ジスタＱ１をオンしたときの減衰回路をそれぞれ示して
いる。
【００１８】まず、再生モード選択信号３によりＷＯデ
ィスク再生モードを選択してスイッチングトランジスタ
Ｑ１をオフしたときの図２の（Ａ）についてみると、減
衰回路は抵抗Ｒ４のみとなる。ＷＯディスクからの反射
光によるＰＤ信号電流は、帰還抵抗Ｒ２と減衰回路の抵
抗Ｒ４に分流されるが、増幅器４自体の入力インピーダ
ンスが大きいため、信号電流の大半は帰還抵抗Ｒ２に流
れ込み、電流−電圧変換ゲインは帰還抵抗Ｒ２の値で決
まる。
ィスク再生モードを選択してスイッチングトランジスタ
Ｑ１をオフしたときの図２の（Ａ）についてみると、減
衰回路は抵抗Ｒ４のみとなる。ＷＯディスクからの反射
光によるＰＤ信号電流は、帰還抵抗Ｒ２と減衰回路の抵
抗Ｒ４に分流されるが、増幅器４自体の入力インピーダ
ンスが大きいため、信号電流の大半は帰還抵抗Ｒ２に流
れ込み、電流−電圧変換ゲインは帰還抵抗Ｒ２の値で決
まる。
【００１９】一方、ＲＯＭディスク再生モードを選択し
てスイッチングトランジスタＱ１をオンしたときの図２
の（Ｂ）についてみると、減衰回路は抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ
５からなり、しかもスイッチングトランジスタＱ１の飽
和抵抗を無視すると、抵抗Ｒ５の一端は交流的に接地さ
れたことになる。このような状態で、反射率の大きいＲ
ＯＭディスクからの反射光によるＰＤ信号電流は、抵抗
Ｒ４、Ｒ５と帰還抵抗Ｒ２に分流して流れるが、信号電
流が抵抗Ｒ５で分流される分、帰還抵抗Ｒ２に流れ込む
信号電流は少なくなり、出力電圧の変換ゲインは下が
り、ＰＤ増幅回路２の変換ゲインを変更することが可能
となる。前記説明からも明らかなように、本発明は、帰
還抵抗を何ら変化させない、すなわち帰還ゲインを何ら
可変とすることなく、減衰回路の電流減衰量を変えるこ
とにより電流−電圧変換ゲインを可変にすることが可能
となる。
てスイッチングトランジスタＱ１をオンしたときの図２
の（Ｂ）についてみると、減衰回路は抵抗Ｒ４と抵抗Ｒ
５からなり、しかもスイッチングトランジスタＱ１の飽
和抵抗を無視すると、抵抗Ｒ５の一端は交流的に接地さ
れたことになる。このような状態で、反射率の大きいＲ
ＯＭディスクからの反射光によるＰＤ信号電流は、抵抗
Ｒ４、Ｒ５と帰還抵抗Ｒ２に分流して流れるが、信号電
流が抵抗Ｒ５で分流される分、帰還抵抗Ｒ２に流れ込む
信号電流は少なくなり、出力電圧の変換ゲインは下が
り、ＰＤ増幅回路２の変換ゲインを変更することが可能
となる。前記説明からも明らかなように、本発明は、帰
還抵抗を何ら変化させない、すなわち帰還ゲインを何ら
可変とすることなく、減衰回路の電流減衰量を変えるこ
とにより電流−電圧変換ゲインを可変にすることが可能
となる。
【００２０】図４に示すデータは、前記減衰回路を挿入
してスイッチングトランジスタＱ１をオンオフさせたと
きの周波数特性およびノイズスペクトルの相対レベルを
示している。このデータは、帰還抵抗Ｒ２の抵抗値を１
０ｋΩ、抵抗Ｒ４の抵抗値を２２０Ω、抵抗Ｒ５の抵抗
値を１５Ωに設定したデータを示している。図４におい
て、ａはスイッチングトランジスタＱ１をオフしたと
き、すなわちＷＯ再生モードを選択したときの出力信号
レベルの周波数特性を、ｂはスイッチングトランジスタ
Ｑ１をオンしたとき、すなわちＲＯＭディスク再生モー
ドを選択したときの出力信号レベルの周波数特性を示し
ている。
してスイッチングトランジスタＱ１をオンオフさせたと
きの周波数特性およびノイズスペクトルの相対レベルを
示している。このデータは、帰還抵抗Ｒ２の抵抗値を１
０ｋΩ、抵抗Ｒ４の抵抗値を２２０Ω、抵抗Ｒ５の抵抗
値を１５Ωに設定したデータを示している。図４におい
て、ａはスイッチングトランジスタＱ１をオフしたと
き、すなわちＷＯ再生モードを選択したときの出力信号
レベルの周波数特性を、ｂはスイッチングトランジスタ
Ｑ１をオンしたとき、すなわちＲＯＭディスク再生モー
ドを選択したときの出力信号レベルの周波数特性を示し
ている。
【００２１】このデータから明らかなように、出力信号
レベルの周波数特性は広い帯域に渡って平坦であり、ま
た、その出力レベルの差は全域に渡りほぼ２０ｄＢの差
を有しており、ほぼＲＯＭディスクとＷＯディスクの反
射率の差に基づくＰＤ信号電流レベルの差２０ｄＢに一
致している。
レベルの周波数特性は広い帯域に渡って平坦であり、ま
た、その出力レベルの差は全域に渡りほぼ２０ｄＢの差
を有しており、ほぼＲＯＭディスクとＷＯディスクの反
射率の差に基づくＰＤ信号電流レベルの差２０ｄＢに一
致している。
【００２２】したがって、反射率の異なる複数の光ディ
スクを再生するディスク再生装置において、前記帰還ル
ープに挿入した減衰回路でＰＤ出力信号に応じて出力電
圧の変換ゲインを可変にすることにより、周波数特性の
劣化の小さい電流−電圧変換された出力電圧を取り出す
ことができることを示している。
スクを再生するディスク再生装置において、前記帰還ル
ープに挿入した減衰回路でＰＤ出力信号に応じて出力電
圧の変換ゲインを可変にすることにより、周波数特性の
劣化の小さい電流−電圧変換された出力電圧を取り出す
ことができることを示している。
【００２３】次に、図４において、ｃはスイッチングト
ランジスタＱ１をオフしたときのノイズスペクトルレベ
ルを、また、ｄはスイッチングトランジスタＱ１をオン
したときのノイズスペクトルレベルをそれぞれ示してい
る。このノイズレベルをみた場合、出力電圧レベルの２
０ｄＢの差に対してほぼ３ｄＢの差しかなく、負帰還を
かけて単に帰還量を変化させたときのように２０ｄＢ程
度の改善はされていないが、ＰＤ信号電流が大きくなっ
たものを本発明では減衰させるものであるから、等価的
にはＳ／Ｎが向上したものとみることができる。
ランジスタＱ１をオフしたときのノイズスペクトルレベ
ルを、また、ｄはスイッチングトランジスタＱ１をオン
したときのノイズスペクトルレベルをそれぞれ示してい
る。このノイズレベルをみた場合、出力電圧レベルの２
０ｄＢの差に対してほぼ３ｄＢの差しかなく、負帰還を
かけて単に帰還量を変化させたときのように２０ｄＢ程
度の改善はされていないが、ＰＤ信号電流が大きくなっ
たものを本発明では減衰させるものであるから、等価的
にはＳ／Ｎが向上したものとみることができる。
【００２４】次に、図１において、５はサーボ用の増幅
回路でＰＤ信号電流が容量Ｃ１と抵抗Ｒ６で帯域分割さ
れ、その低域信号が前記増幅回路５で増幅され電圧変換
されて必要とするサーボ回路に供給される。
回路でＰＤ信号電流が容量Ｃ１と抵抗Ｒ６で帯域分割さ
れ、その低域信号が前記増幅回路５で増幅され電圧変換
されて必要とするサーボ回路に供給される。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ＰＤ増
幅回路の帰還ループ内に反射率の異なる光ディスクの種
類に応じて減衰量を可変にした可変減衰回路を挿入した
から、反射率の異なる複数種類の光ディスクに対応した
光記録再生装置で再生する際、ゲイン可変幅を大きくし
てもその周波数特性は広い帯域にわたり平坦で劣化せ
ず、かつＳ／Ｎの劣化も小さくてすむゲイン可変型のＰ
Ｄ増幅回路を実現することが可能となる。
幅回路の帰還ループ内に反射率の異なる光ディスクの種
類に応じて減衰量を可変にした可変減衰回路を挿入した
から、反射率の異なる複数種類の光ディスクに対応した
光記録再生装置で再生する際、ゲイン可変幅を大きくし
てもその周波数特性は広い帯域にわたり平坦で劣化せ
ず、かつＳ／Ｎの劣化も小さくてすむゲイン可変型のＰ
Ｄ増幅回路を実現することが可能となる。
【図１】本発明ゲイン可変型ＰＤ増幅回路の回路図であ
る。
る。
【図２】ＲＯＭディスク及びＷＯディスク再生モードの
減衰回路の回路図である。
減衰回路の回路図である。
【図３】従来例の説明用回路図である。
【図４】本発明の周波数特性を示す図である。
２ ＰＤ増幅回路 ３ ＲＯＭディスク／ＷＯディスク再生選択信号 ＰＤ フォト・ダイオード Ｒ４、Ｒ５ 帰還ループ内に挿入した減衰抵抗 Ｑ１ スイッチングトランジスタ
Claims (6)
- 【請求項１】 反射率の異なる複数種類の光記録媒体に
対して再生を行う光記録再生装置のフォト・ディテクタ
出力信号増幅回路において、前記フォトディテクタ出力
信号を電流−電圧変換する帰還型増幅回路と、該帰還型
増幅回路の帰還ループ内に前記反射率の異なる光記録媒
体の種類に応じて電流−電圧変換ゲインを制御する変換
ゲイン制御手段を挿入したことを特徴とするゲイン可変
型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路。 - 【請求項２】 前記変換ゲイン制御手段は、抵抗からな
る減衰回路で構成したことを特徴とする請求項１記載の
ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路。 - 【請求項３】 前記変換ゲイン制御手段の減衰量を再生
記録媒体の種類に応じて切り換えるスイッチ手段を備え
ることを特徴とする請求項１または２記載のゲイン可変
型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路。 - 【請求項４】 前記再生光記録媒体をＲＯＭディスク及
びＷＯディスクとしたことを特徴とする請求項３記載の
ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路。 - 【請求項５】 前記スイッチ手段をスイッチングトラン
ジスタとしたことを特徴とする請求項３記載のゲイン可
変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路。 - 【請求項６】 前記フォト・ディテクタの信号電流出力
側に信号周波数帯域分割用の容量及び抵抗を接続したこ
とを特徴とする請求項１記載のゲイン可変型フォト・デ
ィテクタ出力信号増幅回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26807992A JPH0696449A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26807992A JPH0696449A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0696449A true JPH0696449A (ja) | 1994-04-08 |
Family
ID=17453598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26807992A Pending JPH0696449A (ja) | 1992-09-10 | 1992-09-10 | ゲイン可変型フォト・ディテクタ出力信号増幅回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0696449A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1109898C (zh) * | 1997-12-29 | 2003-05-28 | 德国汤姆逊-布朗特公司 | 自动自适应光电二极管偏压检测以及光强监控电路和方法 |
| US7133346B2 (en) | 2001-12-14 | 2006-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device |
| WO2008001298A3 (en) * | 2006-06-26 | 2008-03-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Disc drive and photo-detector circuits |
-
1992
- 1992-09-10 JP JP26807992A patent/JPH0696449A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1109898C (zh) * | 1997-12-29 | 2003-05-28 | 德国汤姆逊-布朗特公司 | 自动自适应光电二极管偏压检测以及光强监控电路和方法 |
| US7133346B2 (en) | 2001-12-14 | 2006-11-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device |
| US7263046B2 (en) | 2001-12-14 | 2007-08-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Photo-detector amplifier circuit for optical disk device |
| WO2008001298A3 (en) * | 2006-06-26 | 2008-03-13 | Koninkl Philips Electronics Nv | Disc drive and photo-detector circuits |
| US8023373B2 (en) | 2006-06-26 | 2011-09-20 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Disc drive and photo-detector circuits |
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