JPH0695577B2 - 光起電力デバイスの製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、太陽電池として使用するのに特に適した光起
電力デバイスの製造方法に関する。

本発明は、比較的小さな表面積の光起電力デバイスの製
造のために、比較的大きな表面積の光起電力デバイスの
複数の部分を切断する方法を扱う。一般に、本発明は、
比較的大きな表面積の光起電力デバイスの半導体本体
を、まず、複数の分離された部分に分割するために、透
明導体層上に設けられた導電グリット・パターンを使用
するものである。個々の分離部分は電気出力に関してテ
ストされ、十分な電気出力を与えない分離部分は、十分
な電気出力を与える分離部分から電気的に分離される。
この分離方法は、比較的大きな表面積の半導体デバイス
から小さな表面積の半導体デバイスを切り取るために使
用する。

パターンは、ホトレジスト膜の使用により、光起電力セ
ル及び半導体の表面において、普通の遣方でエッチング
される。典型的には、ホトレジスト溶液が半導体本体の
表面に塗布され、溶剤が除去され、残余のものとして薄
膜が残る。膜部をマスクするある種のグリット又は回路
パターンは膜上に置かれ、このパターンによって覆われ
ない膜部は、紫外線電磁輻射に、又は適当なエネルギー
の電子ビームに露出される。通常の手順を使用して膜を
現像する間に、この膜の露光された部分或は露光されな
い部分のいずれかが除去され、このパターンは半導体の
透明な導電性酸化物層を経てエッチングされる。ホトレ
ジストの残りのものは除去され、グリッド・パターンが
透明層の分離部分の表面に与えられる。処理中に、乾燥
工程及び硬化工程が所定の時間−温度の管理に従って空
気中で普通の遣方で実行される。

近年、比較的大きな表面積を有し、そして、ｐ形及びｎ
形材料を作るために容易にドープできるアモルファス半
導体アロイ層を形成するプロセスを開発する努力が払わ
れてきている。これらのアモルファス半導体は、結晶質
の等価な物によって製造したものと等価なｐ−ｎ構造を
得るために使用する。アモルファス・シリコン又はゲル
マニウム（第IV族）膜は、そのエネルギー・ギャップに
高密度の局在状態を生成するマイクロボイド、未結合手
及び他の欠陥を有することが見出された。アモルファス
・シリコン半導体膜のエネルギー・ギャップに存在する
高密度の局在状態は、光導電性を低下させ、キヤリヤの
寿命を縮め、このような膜を光応答の応用に不適当なも
のにする。更に、このような膜は、有効にドープ処理で
きず、伝導帯又は価電子帯にフェルミ準位を近接させる
ことができず、これらの膜を太陽電池応用のためのｐ−
ｎ接合としては不適当のものにする。

今や、アモルファス・シリコン・アロイは、エネルギー
・ギャップにおける十分に減少した密度の局在状態とき
わめて優れた電気特性とを有するように調製されるよう
になった。しかし、光応答デバイスの効率を低下させる
幾つかの欠陥はまだ半導体膜に存在している。同様に、
結晶質半導体材料は、結晶格子内の欠陥に苦慮してい
る。このような格子のある領域は、任意の光応答デバイ
ス、特に太陽電池の効率を低下させる高密度の局在状態
を有する場合がある。

更に大きな表面積の光起電力デバイスを比較的小さな表
面積のデバイスにカット乃至切断しようとすると、デバ
イスを作動させなくする短絡回路を形成することが判明
している。

共通の導電性基板を有する半導体デバイスの半導体本体
の複数の部分を電気的に分離する方法を開示するが、半
導体本体の複数の部分を電気的に分離する大きな有用性
は、比較的大きな表面積の光起電力デバイスから小さな
表面積の光起電力デバイスを効率よく製造することであ
る。

小さな表面積の光起電力デバイスを比較的大きな表面積
の光起電力デバイスから製造する際に、半導体本体の複
数の部分を分離する方法に関して、大面積の光起電力デ
バイスは、共通の導電性基板層上と、該基板層上に形成
した半導体本体と、半導体本体上面に形成した透明の導
電層とを備えるタイプのものである。この方法は、大面
積の半導体本体が分割される複多数の分離部に対応する
複数の離散形セグメントに透明層を分割することによっ
て、大面積半導体本体を複数の電気的に分離した部分に
分割する工程と；共通基板のセグメントと、大面積の半
導体本体の対応するセグメントと、透明層の対応する離
散形セグメントとを含む、少なくとも１つの小面積の光
起電力デバイスを形成するために、分離部分間で大面積
の光起電力デバイスを切断する工程と；を含む。

従って、本発明の目的は、比較的大きな表面積を有する
光起電力デバイスから比較的小さな表面積の光起電力デ
バイスを製造する方法を提供することであり、この大面
積の半導体デバイスは、共通の導電性の基板層と、該基
板層上に形成した半導体本体と、該半導体本体上に形成
した透明の導電層とを備えている。この方法は、大面積
の半導体本体が分割される複数の電気的に分離した部分
に対応する複数の離散形セグメントに透明層を分割する
ことによって、大面積の半導体本体を複数の電気的に分
離した部分に分割する工程と；少なくとも１つの離散形
小面積の光起電力デバイスを形成するために、分離部分
間で大面積光起電力デバイスを切断する工程と；によっ
て特徴付けられる。この離散形の小面積光起電力デバイ
スは、共通基板のセグメントと、大面積半導体本体の対
応するセグメントと、透明層の対応する離散形セグメン
トを備えている。

以下に、本発明を図面を参酌して説明する。

I.タンダム光起電力セル 第１図には、各々がアモルファス半導体アロイを含む連
続的なｐ−ｉ−ｎ層より形成したスタック・タンデム又
はカスケード形の光起電力セル10が概略的に図示されて
いる。

特に第１図には、複数のｐ−ｉ−ｎ太陽電池12a,12b,12
cを示す。最下位のセル12aの下は基板11であり、この基
板は、透明でもよく、或は金属表面の箔から形成でき
る。ある種の応用ではアモルファス材料の堆積に先立っ
て薄い酸化物層及び／又は一連のベース接点を必要とす
るが、この点を考慮して、基板という語は、可撓性の薄
膜板だけでなく、予備的な処理によってそこに付加され
る任意の要素も含む。一般に、基板11はステンレス鋼、
アルミニウム、タンタル、モリブデン、或はクロムから
形成できる。

セル12a,12b,12cの各々は、少なくともシリコン・アロ
イを含むアモルファス・アロイ本体を含む。アロイ本体
の各々はｎ形導電領域即ち層20a,20b,20c;真性領域即ち
層18a,18b,18c;p形導電領域即ち層16a,16b,16cを含む。
図示のように、セル12bは中間セルであり、第１図に示
すように、付加的な中間セルを本発明の精神又は範囲か
ら逸脱せずに図示のセルの頂部に積み重ねることができ
る。又、スタック・タイプのｐ−ｉ−ｎセルを図示した
が、本発明は単一の又はスタック・タイプのｎ−ｉ−ｐ
セルに等しく適用できる。

セル12a、12b、12cの各々に関して、ｐ形層は、低い光
吸収、高導電性アロイ層であることを特徴とする。真性
アロイ層は、特定セルについての応用に対してバンド・
ギャップを最適とするために十分な量のバンド・ギャッ
プ調整元素又は元素群を含み、太陽光応答に対して調整
された波長閾値、高い光吸収性、低い暗導電性、高い光
導電性を有することを特徴とする。真性層は、最低のバ
ンド・ギャップを有するセル12a、最高のバンド・ギャ
ップを有するセル12c、それらの中間のバンド・ギャッ
プを有するセル12bを与えるようにバンド・ギャップを
調整されることが好ましい。ｎ形層は、低い光吸収性、
高い導電性のアロイ層であることを特徴とする。ｎ形層
の厚さは、約25乃至500オングストロームの範囲にある
のが好ましい。バンド・ギャップ調整されたアモルファ
ス真性アロイ層の厚さは、約2,000オングストロームと3
0,000オングストロームの間にあることが好ましい。

ｐ形層の厚さは、50乃至500オングストロームの間が好
ましい。ホールの拡散長が比較的短いために、ｐ形層は
一般に出来る限り薄くする。更に、最外層、ここではｐ
形層20cは、光の吸収を避けるために出来る限り薄いも
のとし、バンド・ギャップ調整元素又は元素群を含む必
要はない。

半導体アロイ層の堆積に続いて、別のデポジション工程
が行われる。この工程において、連続的又は不連続的な
透明導電性酸化物の層22が、ｎ形層20cの上に付着さ
れ、この透明導電性酸化物の層は、例えば、インジウム
・スズ酸化物、カドミウム第一スズ酸塩、又はドープ処
理された酸化スズの薄い、500オングストローム厚の膜
でよい。更に、以下に詳述する導電性グリッド・パター
ン24は、例えば導電性ペーストを用いて、透明導電性酸
化物の層22の上面に付加できる。本発明の原理によれ
ば、不連続的な透明導電性酸化物の層22（第２図参照）
が半導体本体上に堆積された又はスクライビングされ
る。

II.半導体本体の部分を電気的に分離する方法第2a図
は、１個の太陽電池10について透明な導電性酸化物の層
22の上面の一部を示している。図から容易に理解できる
ように、１個の太陽電池10の半導体本体は、以下に記述
する方法で多数の電気的に分離した部分26に分割され
る。半導体本体の分離部分26の正確な数及び配列は本発
明の精神及び範囲を逸脱することなく変えることができ
るが、好適な実施例において、15個の分離部分26からな
る12個の平行な列（総数で180のサブセル）を各太陽電
池10に形成する。“分離部分”という用語は、太陽電池
のような光起電力デバイスの一部であって、この部分は
その光起電力デバイスの他の部分から電気的に分離され
るが、これら他の部分とはある共通の基板又は電極を共
有するものをいう。

好適な実施例において、分離部分26は、光起電力セル10
の半導体本体上に形成した透明導電性酸化物層22の離散
形セグメントによって形成される。各分離部分26は、任
意の周知のホトリソグラフィ及び化学的エッチングの方
法によって、連続的な透明導電性酸化物層22から形成で
きる。例えば、透明導電性酸化物層22の表面にホトレジ
スト溶液を塗布し、溶剤を乾燥させるために加熱し、そ
れにより薄膜が残留物として残る。グリッド・パターン
24、特に以下に記述する形態のパターンが膜上に置か
れ、このパターンによってカバーされない部分の膜は、
それを現像するために、典型的には紫外線領域のスペク
トルでの電磁輻射、或は適当なエネルギーの電子ビーム
に露光される。膜の現像中の、通常の化学的又はプラズ
マ処理を用いて、膜の露光部分（ポジレジスト）又は非
露光部分（ネガレジスト）と、その下層の透明な導電性
酸化物の層22とを除去する。残ったホトレジスト膜は、
溶剤で洗浄して、透明な導電性酸化物の層22から除去す
る。これによりグリッド・パターン24が、透明の導電性
酸化物の層22の分離部分の面に形成できる。

前述の処理中に乾燥処理又は硬化処理は、いわゆる“プ
レ・ベーク（pre−bake）”及び“ポスト・ベーク（pos
t−bake）”工程を含み、これらの工程はホトレジスト
溶液を約20−25分間、約95−120℃に加熱することによ
って実行できる。他方、マイクロ波硬化又は他の任意の
周知の硬化法も使用できる。このような代替的な方法
は、（１）乾燥時間を短縮するために、或は（２）太陽
電池でのアモルファス層から成るトライアッド（tria
d）の下方層を周囲温度付近に維持するために、使用す
る。

第2b図に示す実施例において、半導体本体の分離部分26
は、グリッド・パターン24を使用せずに、透明な導電性
酸化物層22を多数の離散形セグメント22a−22uに分割す
ることによって形成できる。参照数字26はグリッド・パ
ターンを備えた透明な導電性酸化物の層22の分離部分を
示し、参照数字22a−22uは、グリッド・パターンを有し
ていない透明な導電性酸化物の層22の分離部分を示す。
透明な導電性酸化物の層22の離散形セグメント22a−22u
は、不連続的な方法で透明な導電性酸化物層22を初めか
ら堆積して、複数の間隔を置いた離散形セグメント22a
−22uを形成するか、或は連続的な透明導電性酸化物の
層を形成し、次いで前述のホトリソグラフィ及びエッチ
ングの方法により中間部分を除去することによって、形
成できる。

前述のように、各分離部分26は、連続的又は不連続的な
透明導電性酸化物層によって形成するかどうかに拘ら
ず、そこに形成したグリッド・パターン24を有すること
ができる。各グリッド・パターン24の幅寸法はテーパを
有する比較的幅のある導電性のバスバー接続線32の両側
から垂直に延びるところの、多数のほぼ等しい間隔を有
する比較的ほっそりとした平行な導電線30によって決定
され、一方、バスバー接続線は、グリッド・パターン24
の長さ寸法を決定する。各分離部分26（サブセル）の全
幅は、約3/4インチ（1.9cm）であり、各サブセル26の全
長は約１インチ（2.5cm）である。グリッド・パターン2
4は、半導体本体から収集する電流を最大とし、半導体
本体に入射するのを妨げられる光の量を最小とするよう
に形成する。好適な実施例において、１フィート（30c
m）平方の大きな表面積の太陽電池10は、15個の分離部
分26から成る12本の平行な列、即ち、総数で180個の分
離部分26に分割される。各グリッド・パターンは８本の
平行線30を含み、バスバー接続線32は、グリッド・パタ
ーン24から離れた一端で約1/16インチ（約0.16cm）の最
大幅寸法にまで太くなるのが好ましい。分離部分26の配
列、グリッド・パターン24及び分離部分26の長さ及び幅
の寸法、平行線30の数、分離部分26の平行列の数、任意
に与えられた太陽電池10上に形成された分離部分26の総
数、それ故太陽電池10又は他の光起電力デバイスの寸法
及び構造は本発明の精神及び範囲を逸脱せずに変えるこ
とができる。配列がどのように選択されても、グリッド
・パターン24は、スクリーン印刷のような任意の周知技
術によって、銀ペーストのような導電材料を用いて透明
な導電性酸化物セグメント上に印刷することができる。

光起電力セルの半導体本体の分離部分を形成する２つの
方法を記述したが、これら分離部分をスクライビングと
いう他の周知の方法で形成することも本発明の範囲であ
る。更に、ここでは“スクライビング”という用語は、
（ａ）化学的エッチング、（ｂ）プラズマエッチング、
（ｃ）種々のレーザ技術、（ｄ）ウァータージェット技
術、（ｅ）前記の特異な不連続的セグメントを初めから
形成するために、マスクを介して初めから透明導電性酸
化物層を作ることを含み（但し、これらに限定されな
い）、透明の導電性酸化物パターン22を除去する全ての
周知の方法を含む。

III.半導体本体の電気的に分離した部分の使用 太陽電池10の各分離部分26は、個々のテストされ、そこ
からの電気出力がそれを“電気的に作動”乃至“電気的
に作動可能”にするのに十分かどうかを決定する。本明
細書で使用する“電気的に作動する分離部分”乃至“電
気的に作動可能な分離部分”という用語は、満足な電圧
出力を与えるような太陽電池10の半導体本体の分離部分
26を指称する。本発明の範囲外のことではあるが、参考
のために説明すると、十分な電気出力を与えない半導体
本体の分離部分26を電気的に接続すると、太陽電池10の
全体効率が減少するということが判明した。更に各太陽
電池10の分離部分26が並列に接続されるので、極めて低
い電圧出力を与える太陽電池10上の分離部分26をどれで
も電気接続することは、太陽電池10全体の電気出力を減
少させる。

本発明の範囲外のことではあるが、大面積光起電力デバ
イスのまま使用する場合も参考のために説明すると、太
陽電池10の個々の分離部分26を電気的にテストした後
に、細長い銅の導電性ストリップ又はバスバー34が、電
気的に絶縁性のシリコーン接着剤により、透明な導電性
酸化物の層22又は半導体本体の面に付着される。バスバ
ー34は半導体本体の分離部分26の隣合った列の間に配置
されるべきものであるため、シリコーン接着剤は非常に
ほっそりとした層として付着する。換言すると、バスバ
ー34が半導体デバイスに付着した後でも、透明な導電性
酸化物の分離部分の隣接する離散形セグメント22a−22u
とそれに関連するバスバー34との間には、ギャップが残
る。12列の分離部分26が設けられた実施例においては、
約1/8インチ（0.32cm）幅、0.003インチ（0.0076cm）厚
の６本の導電性ストリップ又はバスバー34を使用する。
半導体本体の電気的に作動する各分離部分26からのバス
バー接続線32は、銀ペースのような導電性材料のドット
35を用いて、隣接のバスバー34に電気的に接続する。電
気出力がその選択した最小許容レベル以下である分離部
分26は、絶縁性のシリコーン接着剤によって、導電性の
銅のバスバー34から電気的に絶縁されたままである。第
2a図において、不十分な電気出力を有するがために、グ
リッド・パターン24aを備えた分離部分26aは、銀ペース
トのドット35によってバスバー34へは電気的に接続され
ていないのである。第３図から分かるように、６本の銅
のバスバー34の端部は、各太陽電池10の周辺を越えて延
長する。図示していないが、各太陽電池10の底面又は背
面は又、スポット溶接等により、電極又は電気接点を具
えている。６本のバスバー34と基板接点とを接続するこ
とによって、太陽電池10全体の電気出力を電気的にテス
トできる。これら十分な電気出力値を与える太陽電池10
は、電気的に絶縁性の保護シート層の間に封止されるこ
とになる。

IV.デュアル・チャンバ真空組立体 絶縁性の保護シートの間に太陽電池10を封入するには、
特別に設計した装置が必要である。このカプセル化機能
を達成するための装置の例を参考までに第４図に示す
が、このような機能は他の装置でも達成できる。

特に、第４図にはデュアル・チャンバ真空組立体36を示
す。真空組立体36は、上方チャンバ38、下方チャンバ4
0、非常に柔らかいシリコーン・ゴム・ダイヤフラム42
を備えており、このダイヤフラムは、（１）真空組立体
36の上方及び下方チャンバ間に真空シールを形成し、
（２）光起電力デバイスへ力を伝達するために、該デバ
イスの輪郭に順応するようにされている。上方の透明層
52と下方の電気的に絶縁された層53との間に太陽電池10
又は他の光起電力デバイスを接合するためには、図示し
てはいないが、カプセル化されない太陽電池10又は他の
光起電力デバイスを導き入れて、且つ封止するという目
的の下に、下方チャンバ40へアクセスすることが必要で
ある。逆止め弁45aを備えたエア・ポート44は上方チャ
ンバ38の内部への通路を形成し、逆止め弁45bを備えた
エア・ポート46は下方チャンバ40の内部への通路を形成
して、双方のチャンバから空気を同時的に排気し、そし
て引き続いて上方チャンバ38に空気を再び導入する。下
方チャンバ40のベースに設けた多数の加熱素子50は、接
着剤が適当に流動し且つ硬化する温度に真空組立体36を
加熱する。

作業工程において、エチル・ビニル・アセテートのよう
な接着剤の層を、太陽電池10の透明な導電性酸化物層22
と基板層11との双方の少なくともかなりの部分に塗布乃
至スプレーする。太陽電池10又は他の光起電力デバイス
の長さ及び幅寸法よりわずかに大きい長さ及び幅寸法を
有する（１）ガラス、又は（２）TEDLAR（デュポンの登
録商標）のようなプラスチック合成樹脂のようなカプセ
ル層52を、エチル・ビニル・アセテート上に置く。エチ
ル・ビニル・アセテートの機能は、カプセル層52を太陽
電池10又は他の光起電力デバイスに接着することであ
る。上方の即ち露出したカプセル層52の機能は、太陽電
池10又は太陽電池パネルを例えば屋根の上に設置したと
きに、光を透過させること、電気絶縁を与えること、太
陽電池10又は他の光起電力デバイスを周囲状態から保護
することである。下方のカプセル層53の機能は、太陽電
池10の基板層11を、設置したときにそれが接触するかも
しれない導電性素子から電気的に絶縁することである。

結合剤が流動し且つ硬化するようにするために、カプセ
ル層−エチル・ビニル・アセテート−太陽電池−エチル
・ビニル・アセテート−カプセル層のサンドイッチ構造
は、シリコーン・ゴム・ダイヤフラム42の直ぐ下の真空
組立体36の下方チャンバ40内に置かれる。先ず初めに、
上方チャンバ38及び下方チャンバ40の双方から空気を同
時的に排気し、次いで空気は上方チャンバ38に供給又は
戻され、シリコーン・ゴム・ダイヤフラム42が変形す
る。ダイヤフラム42がカプセル層−エチル・ビニル・ア
セテート−太陽電池−エチル・ビニル・アセテート−カ
プセル層のサンドイッチ構造に１気圧の圧力を及ぼすま
で、空気の供給を継続する。空気が上方チャンバ38に供
給されると、可撓性のダイヤフラム42は、第４図に実線
42aで示すその通常の平衡位置から、第４図に仮想線42b
で示す輪郭適合位置へと下方に押され、そこでダイヤフ
ラムは、太陽電池10又は他の光起電力デバイスに接触
し、それと下方チャンバ40内面とを１気圧の圧力で押圧
する。真空組立体36の下方チャンバ40は、加熱素子50に
よって130℃に加熱する。130℃の温度及び１気圧の下
で、エチル・ビニル・アセテートは、流動して硬化し、
それによって上方及び下方のカプセル層を光起電力デバ
イスに接着する。エチル・ビニル・アセテートは、真空
中で拡がるので、流動及び硬化プロセスが進行するとき
に、その中に気泡が形成されることはない。これで光起
電力デバイスの製作は完了し、このデバイスは必要に応
じて個々の或は組合せて使用できる。

V.太陽電池パネル 本発明の範囲外ではあるが参考のために説明すると、太
陽電池パネル９は第３図に示されており、この形態にお
いて、８個の太陽電池10a−10hは、４×２のマトリック
スに配置され、約４フィート（120cm）×２フィート（6
0cm）の太陽電池パネル９を提供する。図示実施例にお
いて、個々の太陽電池10a−10hのバスバー34は、単一の
透明層接点を与えるために導電性リボン19a−19h等によ
って相互接続される。太陽電池10aからのリボン19aは太
陽電池10bの基板接点に接続され、太陽電池10bからのリ
ボン19bは太陽電池10cの基板接点に接続され、太陽電10
cからのリボン19cは太陽電池10dの基板接点に接続さ
れ、太陽電池10dからのリボン19dは太陽電池10hの基板
接点に接続され、太陽電池10hからのリボン19hは太陽電
池10gの基板接点に接続され、太陽電池10gからのリボン
19gは太陽電池10fの基板接点に接続され、太陽電池10f
からのリボン19fは太陽電池10eの基板接点に接続され、
太陽電池10eからのリボン19e及び太陽電池10aからの基
板接点はそれぞれ接点21a及び21bを与え、それにより隣
接する太陽電池パネル９を接続することができる。この
方法で、例えば屋根の上の全表面を複数の太陽電池パネ
ル９の相互接続によって覆うことができる。

VI.小面積光起電力デバイスの使用 大きな表面積の半導体本体を多数の比較的小さな表面積
の電気的に絶縁した部分に分割することには、有利な利
用がある。例えば、光起電力デバイスの連続ウェブの大
量生産をまさに開始しようとしているが、それは長さ10
00フィート（300m）、幅16インチ（約41cm）程度の表面
積を有するデバイスを製造する。このデバイスを、大面
積太陽電池として使用するためには、連続ウェブを１フ
ィート（30cm）平方のセルに切断することが必要であ
る。又、光起電力デバイスを離散形プレートとして製造
する場合であっても、そのようなプレートは、計算機、
時計等の電源として使用するために比較的小さなプレー
トに切断しなければならない。

大きな表面積の光起電力デバイスを比較的小さな表面積
のデバイスにカット乃至切断しようとすると、デバイス
を作動させなくする短絡回路を形成することが判明し
た。しかし、大きな表面積の半導体デバイスが、前述の
ように、初めに、その半導体本体を多数の電気的に分離
した部分に分割することによって、多数の比較的小さい
表面積のデバイスに分割してあると、その大きな表面積
の半導体デバイスは、個々の分離部分の間のスペース又
はギャップに沿って切断して、電気的短絡のない適当な
寸法の小さい表面積の半導体デバイスを形成できる。

十分な電気出力を与えることができない半導体本体の分
離部分26は、レーザ・スキャン等によって回復すること
があることも判明した。回復法の成功を決定するため
に、回復法に引続いて、半導体本体の当該部分の電気出
力を再テストすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、多数のｐ−ｉ−ｎタイプのセルより成り、多
数のセルの各層がアモルファス半導体合金を含むカスケ
ード光起電力セルの一部断面図である。 第2a図は、半導体本体を多数の分離部分に分割するため
に、透明な導電性酸化物層上に形成した電気的グリッド
・パターンを説明する一部平面図である。 第2b図は、透明な導電性酸化物層の分離セグメントが半
導体本体を多数の分離部分に分割する他の例を説明する
一部平面図である。 第３図は、太陽電池パネルを形成するために多数の太陽
電池間の電気接続の配列を説明する平面図である。 第４図は、太陽電池の対向面にカプセル層を接合するた
めの、内部で結合剤が流動し且つ硬化するデュアル真空
組立体の断面図である。 10:光起電力デバイス、11:基板、 12a−12c:太陽電池（セル）、 16a−16c:p形導電領域、 18a−18c:真性領域、 20a−20c:n形導電領域、 22:透明な導電性酸化物層、 22a−22u:分離セグメント、 24:グリッド・パターン、26:分離部分、 30:導電性線、32:バスバー接続線、 34:バスバー、35:ドット。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭55−125681（ＪＰ，Ａ) 実開 昭55−141961（ＪＰ，Ｕ)

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】導電性基板と、該基板上に設けられた半導
   体層と、該半導体層上に設けられた電極層と、を有する
   光起電力デバイスの製造方法において、 前記基板より大きな面積の導電性共通基板上に、前記半
   導体層より大面積の連続した共通半導体層を形成する工
   程と、 前記共通半導体層上に、前記電極層を複数互いに分離し
   て設ける工程と、を含み、 前記複数の電極層間の前記共通半導体層と前記共通基板
   とからなる積層部を切断することにより、複数の前記光
   起電力デバイスに分割することを特徴とする光起電力デ
   バイスの製造方法。
2. 【請求項２】前記複数の電極層を、連続した透明導電層
   を形成した後、不要な部分を除去することにより、分離
   して設けることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記
   載の光起電力デバイスの製造方法。