JPH0691463A - Holding device of plate-form body - Google Patents
Holding device of plate-form bodyInfo
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- JPH0691463A JPH0691463A JP27115292A JP27115292A JPH0691463A JP H0691463 A JPH0691463 A JP H0691463A JP 27115292 A JP27115292 A JP 27115292A JP 27115292 A JP27115292 A JP 27115292A JP H0691463 A JPH0691463 A JP H0691463A
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- Japan
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- wafer
- vacuum suction
- holding
- plate
- holding surface
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- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、板状体の保持装置、特
に、板状体を真空吸着によって保持する技術に関し、例
えば、半導体製造工程において、半導体ウエハ（以下、
ウエハという。）にレジストをスピンナ塗布するに際し
て、ウエハ保持体であるスピンナヘッドにウエハを保持
させるのに利用して有効なものに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plate-shaped body holding device, and more particularly to a technique for holding a plate-shaped body by vacuum suction.
It is called a wafer. ) Is applied to a spinner head by a spinner head which is a wafer holder and is effective for holding the wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】一般に、半導体製造工程において、ウエ
ハにレジストを塗布するに際しては、スピンナ塗布装置
が使用されている。このスピンナ塗布装置はウエハを真
空吸着保持した状態にて高速度回転させるためのスピン
ナヘッドを備えており、スピンナヘッドの上面には保持
面がウエハの裏面を真空吸着保持するように形成されて
いる。2. Description of the Related Art Generally, in a semiconductor manufacturing process, a spinner coating apparatus is used for coating a resist on a wafer. This spinner coating apparatus includes a spinner head for rotating the wafer at a high speed while holding the wafer under vacuum suction, and a holding surface is formed on the upper surface of the spinner head so as to hold the back surface of the wafer under vacuum suction. .
【０００３】そして、スピンナ塗布装置によってウエハ
にレジストをその塗布膜の厚さが均一になるように塗布
させるためには、スピンナヘッドの保持面による真空吸
着保持力をウエハの裏面に全体にわたって均一に付勢さ
せる必要がある。なぜならば、真空保持力がウエハ裏面
に不均一に付勢されると、ウエハが全体的に不均一に変
形する結果、その不均一な変形に倣うことによって、ウ
エハの表面に塗布されるレジスト膜の厚さが不均一にな
っていしまうからである。In order to apply the resist to the wafer with a spinner coating device so that the coating film has a uniform thickness, the vacuum suction holding force of the holding surface of the spinner head is evenly distributed over the back surface of the wafer. Need to be urged. This is because when the vacuum holding force is applied to the back surface of the wafer non-uniformly, the wafer is deformed non-uniformly as a whole. As a result, the resist film applied to the front surface of the wafer follows the non-uniform deformation. This is because the thickness will be uneven.
【０００４】そこで、ウエハを全体的に均一に真空吸着
保持するための板状体の保持装置として、従来、例え
ば、特開平１−１３４９４５号公報に記載されているウ
エハ保持装置が提案されている。このウエハ保持装置に
おいては、チャックの上面に多孔質部材が配設されてお
り、この多孔質部材によってウエハの裏面に対して真空
吸引による保持力が全体にわたって均一に作用するよう
に工夫されている。In view of this, a wafer holding device described in, for example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 1-134945 has been proposed as a holding device for a plate-like body for holding a wafer by vacuum suction and holding it uniformly. . In this wafer holding device, a porous member is disposed on the upper surface of the chuck, and the porous member is devised so that the holding force by vacuum suction acts uniformly on the back surface of the wafer. .
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記し
たウエハ保持装置においては、ウエハの裏面に多孔質部
材が全体にわたって接触するため、ウエハの裏面に異物
が付着し易く、その結果、半導体製造工程全体としての
製造歩留りが低下してしまうという問題点があること
が、本発明者によって明らかにされた。However, in the above-mentioned wafer holding device, since the porous member is entirely in contact with the back surface of the wafer, foreign matters are easily attached to the back surface of the wafer, and as a result, the entire semiconductor manufacturing process is performed. The present inventor has clarified that there is a problem that the manufacturing yield as a result of the above decreases.
【０００６】本発明の目的は、板状体を均一な保持力に
よって保持することができるとともに、板状体裏面への
異物の付着を低減することができる板状体の保持装置を
提供することにある。An object of the present invention is to provide a plate-shaped body holding device capable of holding a plate-shaped body with a uniform holding force and reducing adhesion of foreign matter to the back surface of the plate-shaped body. It is in.
【０００７】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.
【０００９】すなわち、保持体の一主面に板状体の裏面
を真空吸着する保持面が形成されている板状体の保持装
置において、前記保持面に前記板状体の裏面に点状に接
触する凸部が複数個、全体にわたって配されて形成され
ているとともに、この保持面における隣合う凸部の間に
真空吸引口が隣合う凸部間の空所に連通するように接続
されていることを特徴とする。That is, in a plate-shaped body holding device in which a holding surface for vacuum-adsorbing the back surface of the plate-shaped body is formed on one main surface of the holding body, the holding surface is dotted on the back surface of the plate-shaped body. A plurality of contacting projections are formed over the entire surface, and a vacuum suction port is connected between adjacent projections on this holding surface so as to communicate with a space between the adjacent projections. It is characterized by being
【００１０】[0010]
【作用】前記した手段によれば、保持面に形成された凸
部群のそれぞれにおける先端部のみが板状体の裏面に点
接触する状態になるため、板状体裏面と保持面との接触
面積はきわめて小さくなる。したがって、板状体の裏面
に異物が付着する確立は非常に小さくなり、その結果、
板状体の裏面に異物が付着するのは防止されることにな
る。According to the above-mentioned means, since only the tip end of each of the convex portions formed on the holding surface is in point contact with the back surface of the plate-like body, the back surface of the plate-like body is in contact with the holding surface. The area is extremely small. Therefore, the probability of foreign matter adhering to the back surface of the plate-shaped body is extremely small, and as a result,
Foreign matter is prevented from adhering to the back surface of the plate-shaped body.
【００１１】また、真空吸引口は隣合う凸部間に接続さ
れているため、真空吸引口が開設されていることによっ
て凸部の欠落箇所が保持面に局所的に形成されてしまう
状況は発生しない。したがって、保持面は凸部群によっ
て板状体の裏面を全体にわたって均一に真空吸引力に抗
して支持することができる。Further, since the vacuum suction port is connected between the adjacent convex portions, a situation occurs in which the missing portion of the convex portion is locally formed on the holding surface due to the opening of the vacuum suction port. do not do. Therefore, the holding surface can uniformly support the back surface of the plate-shaped body against the vacuum suction force by the convex portion group.
【００１２】[0012]
【実施例】図１（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例であ
るウエハの保持装置を示す正面断面図および一部省略平
面図である。1 (a) and 1 (b) are a front sectional view and a partially omitted plan view showing a wafer holding apparatus according to an embodiment of the present invention.
【００１３】本実施例において、本発明に係る板状体の
保持装置は、ウエハ１を真空吸着保持するためのウエハ
の保持装置１０として構成されている。そして、このウ
エハの保持装置１０は、半導体製造工程にあってウエハ
にレジストをスピンナ塗布するスピンナ塗布装置に使用
されるウエハの保持装置として構成されている。In this embodiment, the plate-shaped holding device according to the present invention is configured as a wafer holding device 10 for holding the wafer 1 by vacuum suction. The wafer holding device 10 is configured as a wafer holding device used in a spinner coating device that spinner coats a resist on a wafer in a semiconductor manufacturing process.
【００１４】本実施例において、ウエハの保持装置１０
はウエハを保持する保持体としてのスピンナヘッド１１
を備えている。このスピンナヘッド１１は本体１１ａを
備えており、本体１１ａはエンジニア・プラスチックの
一例であるポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥ
Ｋ）が用いられて、円柱形状部１２と円盤形状部１６と
が一体的に連設された２段構造に形成されている。この
ポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）は、耐
薬品性を備えているとともに、変形し難く、しかも、優
れた加工性を備えている。In the present embodiment, the wafer holding device 10
Is a spinner head 11 as a holder for holding a wafer.
Is equipped with. The spinner head 11 includes a main body 11a, and the main body 11a is poly ether ether ketone (PEE), which is an example of engineering plastics.
K) is used to form a two-stage structure in which the cylindrical portion 12 and the disc-shaped portion 16 are integrally connected. This poly ether ether ketone (PEEK) has chemical resistance, is not easily deformed, and has excellent processability.
【００１５】下側に配置されている円柱形状部１２の下
端面には、スピンナシャフト取付穴１３が同心に配され
て一体的に開設されている。この取付穴１３にはスピン
ナ塗布装置におけるスピンナシャフト１４が下から挿入
されて、一体回転するように取り付けられており、この
シャフト１４はモータ（図示せず）によって回転駆動さ
れるように構成されている。スピンナシャフト１４の中
心線上には負圧供給路１５が取付穴１３の中空部内に連
通するように開設されており、この負圧供給路１５の他
端は負圧供給装置（図示せず）に流体的に連結されてい
る。A spinner shaft mounting hole 13 is concentrically arranged and integrally formed on the lower end surface of the cylindrical portion 12 disposed on the lower side. A spinner shaft 14 of a spinner coating device is inserted into the mounting hole 13 from below and is attached so as to rotate integrally. The shaft 14 is configured to be rotationally driven by a motor (not shown). There is. A negative pressure supply passage 15 is opened on the center line of the spinner shaft 14 so as to communicate with the inside of the hollow portion of the mounting hole 13, and the other end of the negative pressure supply passage 15 is connected to a negative pressure supply device (not shown). Fluidly connected.
【００１６】他方、スピンナヘッド１１の上側に配置さ
れている円盤形状部１６は、その外径が保持対象物であ
るウエハ１の外径よりも小径である円盤形状に形成され
ており、その一主面である上面によってウエハ１を真空
吸着保持するためのウエハ保持面１７が形成されてい
る。On the other hand, the disk-shaped portion 16 arranged on the upper side of the spinner head 11 is formed in a disk shape whose outer diameter is smaller than the outer diameter of the wafer 1 which is an object to be held. A wafer holding surface 17 for holding the wafer 1 by vacuum suction is formed by the upper surface which is the main surface.
【００１７】このスピンナヘッド１１の保持面１７にお
ける外周縁には真空リーク防止用環状凸部１８が、一定
幅一定高さの円形リング形状に一体的に形成されてお
り、この環状凸部１８はウエハ１の裏面における外周縁
に密接することにより、後記する真空吸引溝群による真
空吸引力が外部に漏洩するのを防止するようになってい
る。On the outer peripheral edge of the holding surface 17 of the spinner head 11, a vacuum leak preventing annular convex portion 18 is integrally formed in a circular ring shape having a constant width and a constant height. The close contact with the outer peripheral edge of the back surface of the wafer 1 prevents the vacuum suction force by the vacuum suction groove group described later from leaking to the outside.
【００１８】また、スピンナヘッド１１の保持面１７に
おける環状凸部１８の内側には、円形リング形状の環状
溝１９が環状凸部１８に隣接して同心円形状に没設され
ている。後述するように、この環状溝１９は後記する凸
部群および真空吸引溝の加工時において工具の逃げ場を
作る役目を果たすものである。A circular ring-shaped annular groove 19 is concentrically formed adjacent to the annular convex portion 18 inside the annular convex portion 18 on the holding surface 17 of the spinner head 11. As will be described later, the annular groove 19 plays a role of creating an escape area for the tool when the convex portion group and the vacuum suction groove described later are processed.
【００１９】スピンナヘッド１１の保持面１７における
環状溝１９の内側領域には、オベリスク形状に形成され
た凸部２０が多数個、縦横に網目形状に、かつ、全体に
わたって均一になるように配されて形成されている。す
なわち、個々の凸部２０は平面視が略正方形である四角
錐台形状に形成されており、その小径側の端面が垂直方
向上向きになるように配置されている。そして、凸部２
０群は平面視において碁盤目形状になるように縦横に整
列されているとともに、保持面１７の後記する外周部を
除いた略全面にわたって均一に配置されている。In the area inside the annular groove 19 on the holding surface 17 of the spinner head 11, a large number of convex portions 20 formed in an obelisk shape are arranged in a mesh shape in the vertical and horizontal directions and uniformly over the whole. Is formed. That is, each of the convex portions 20 is formed in a truncated pyramid shape having a substantially square shape in a plan view, and is arranged such that the end surface on the small diameter side is vertically upward. And the convex portion 2
The 0 group is arranged vertically and horizontally so as to have a grid shape in a plan view, and is evenly arranged over substantially the entire surface of the holding surface 17 except for an outer peripheral portion which will be described later.
【００２０】なお、凸部２０群の単位面積当たりの個数
（分布密度）は、被保持体であるウエハ１を均一に真空
吸着保持し得る範囲内で最小になるように、実験やコン
ピュータシミュレーション等の経験的手法によって最適
値を求めることが望ましい。ちなみに、凸部２０群の個
数をできるだけ低減する理由は、異物の付着の確率をで
きるだけ低減させる点にある。It should be noted that the number of the convex portions 20 per unit area (distribution density) is minimized within a range in which the wafer 1 to be held can be uniformly vacuum-sucked and held, by experiments, computer simulations, etc. It is desirable to obtain the optimum value by the empirical method of. Incidentally, the reason why the number of the convex portions 20 is reduced as much as possible is that the probability of foreign matter adhesion is reduced as much as possible.
【００２１】また、この凸部２０群はその高さ同士が可
及的に同一になるように形成されることによって、それ
らの上端面が可及的に同一平面内に位置するようにそれ
ぞれ形成されている。さらに、各凸部２０の小径側端面
はその同一高さを損なわない範囲内で可及的に小面積に
なるように形成されている。ちなみに、凸部２０群の同
一平面は前記環状凸部１８の平面と同一になるように形
成されている。Further, the convex portions 20 are formed so that their heights are as uniform as possible, so that their upper end surfaces are formed in the same plane as much as possible. Has been done. Further, the small-diameter side end surface of each convex portion 20 is formed to have an area as small as possible within the range where the same height is not impaired. Incidentally, the same plane of the group of convex portions 20 is formed to be the same as the plane of the annular convex portion 18.
【００２２】環状凸部１８および凸部２０群が形成され
た保持面１７には真空吸引溝２１が複数条、保持面１７
に突設された環状凸部１８および凸部２０群によって相
対的に没設されている。この真空吸引溝２１は断面形状
が逆台形形状に形成されており、環状凸部１８の内側領
域において正方形の網目形状に縦横に整列された状態に
なっている。A plurality of vacuum suction grooves 21 are formed on the holding surface 17 on which the annular convex portion 18 and the group of convex portions 20 are formed.
It is relatively sunk by a group of annular projections 18 and projections 20 projecting from. The vacuum suction groove 21 is formed in an inverted trapezoidal shape in cross section, and is aligned vertically and horizontally in a square mesh shape in the inner region of the annular convex portion 18.
【００２３】そして、真空吸引溝２１群は各凸部２０の
四方を取り囲んだ状態になっているため、隣合う凸部２
０、２０同士間の空所としての溝内空間が全て流体的に
連通した状態になっている。また、真空吸引溝２１群は
その外側端が前記真空リーク防止用環状凸部１８に取り
囲まれることによって、ウエハ１の真空吸着保持状態に
おいて外気と連通するのを阻止されるようになってい
る。Since the vacuum suction groove group 21 surrounds each of the protrusions 20 on all sides, the adjacent protrusions 2
The space inside the groove, which is a space between 0 and 20, is in fluid communication with each other. Further, the vacuum suction groove 21 group is prevented from communicating with the outside air when the wafer 1 is held in the vacuum suction holding state by surrounding the outer end of the vacuum suction groove 21 group by the vacuum leak preventing annular convex portion 18.
【００２４】この真空吸引溝１９における前記スピンナ
シャフト取付穴１４が投影される領域には真空吸引口２
２が４個、保持面１７の中心に位置する凸部２０ａの四
辺に隣合う位置にそれぞれ配されて、スピンナシャフト
取付穴１４の内部空間に連通するように開設されてい
る。したがって、保持面１７における環状凸部１８の内
側領域において、凸部２０群は真空吸引口２２によって
欠落箇所を形成されることなく、全体にわたって均一に
配置されている。The vacuum suction port 2 is provided in a region of the vacuum suction groove 19 where the spinner shaft mounting hole 14 is projected.
Four 2 are arranged at positions adjacent to the four sides of the convex portion 20a located at the center of the holding surface 17, respectively, and opened so as to communicate with the internal space of the spinner shaft mounting hole 14. Therefore, in the inner area of the annular convex portion 18 on the holding surface 17, the convex portions 20 are uniformly arranged throughout without forming a missing portion by the vacuum suction port 22.
【００２５】ここで、前記構成に係るスピンナヘッド１
１の製作方法の一実施例を簡単に説明する。Here, the spinner head 1 having the above structure
An example of the manufacturing method 1 will be briefly described.
【００２６】まず、スピンナヘッド１１の本体１１ａが
前記したエンジニア・プラスチックの一例であるポリ・
エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）が用いられ
て、円柱形状部１２と円盤形状部１６とが一体的に連設
された２段構造に一体成形される。この際、スピンナシ
ャフト取付穴１３を一体的に成形することが望ましい。First, the main body 11a of the spinner head 11 is made of poly.
Ether-ether-ketone (PEEK) is used and integrally molded into a two-stage structure in which the cylindrical portion 12 and the disc-shaped portion 16 are integrally connected. At this time, it is desirable to integrally form the spinner shaft mounting hole 13.
【００２７】その後、このスピンナヘッド本体１１ａの
前記した円盤形状部１６における保持面１７の外周縁
に、環状溝１９が切削加工によって同心円形状に掘削さ
れる。ちなみに、この環状溝１９はスピンナヘッド本体
１１ａの樹脂成形時に、同時成形してもよい。After that, an annular groove 19 is excavated in a concentric shape by cutting on the outer peripheral edge of the holding surface 17 of the disk-shaped portion 16 of the spinner head body 11a. Incidentally, the annular groove 19 may be formed at the same time when the spinner head body 11a is formed by resin.
【００２８】次いで、保持面１７における環状溝１９の
内側領域に凸部２０群が、フライス盤等の工作機械が使
用されて切削加工によって形成される。この際、切削工
具としては、凸部２０の四角錐における斜面に対応する
角度の刃先角を有する切削工具が使用される。そして、
凸部２０群が切削工具の相対的な平行移動のみによって
形成されるように、工作機械による加工深さおよび間隔
が設定される。Next, a group of protrusions 20 is formed in a region of the holding surface 17 inside the annular groove 19 by cutting using a machine tool such as a milling machine. At this time, as the cutting tool, a cutting tool having a cutting edge angle corresponding to the slope of the quadrangular pyramid of the convex portion 20 is used. And
The machining depth and spacing by the machine tool are set so that the group of protrusions 20 is formed only by the relative parallel movement of the cutting tool.
【００２９】例えば、図１に示されている凸部２０群が
形成される場合には、まず、Ｘ軸方向における環状溝１
９内の所定位置に切削工具が位置されるとともに、切削
工具が環状溝１９の反対側からはみ出さない位置までＸ
軸方向に相対的に直線移動される。この切削工具の直線
移動による掘削によって、当該切削開始位置を起点と
し、当該切削終了位置を終点としてＸ軸方向に延在する
真空吸引溝２１が保持面１７に形成されることになる。For example, when the group of protrusions 20 shown in FIG. 1 is formed, first, the annular groove 1 in the X-axis direction is formed.
The cutting tool is positioned at a predetermined position in 9 and is cut to a position where the cutting tool does not protrude from the opposite side of the annular groove 19.
It is moved linearly relative to the axial direction. By the excavation by the linear movement of the cutting tool, the vacuum suction groove 21 extending in the X-axis direction from the cutting start position as the starting point and the cutting end position as the ending point is formed in the holding surface 17.
【００３０】ここで、保持面１７には環状溝１９が予め
形成されているため、切削工具が真空リーク防止用の環
状凸部１８の近傍に移動されて来ても、真空リーク防止
用の環状凸部１８が切削工具によって誤って損傷される
ことはない。したがって、環状凸部１８が切削工具によ
り損傷されることによって、真空吸引溝２１内における
真空の漏洩が起こることを未然に防止することができ
る。Here, since the holding surface 17 is formed with the annular groove 19 in advance, even if the cutting tool is moved to the vicinity of the annular convex portion 18 for preventing vacuum leak, the annular groove for preventing vacuum leak is formed. The protrusion 18 is not accidentally damaged by the cutting tool. Therefore, it is possible to prevent the vacuum leakage in the vacuum suction groove 21 from occurring due to the annular convex portion 18 being damaged by the cutting tool.
【００３１】続いて、切削工具がＹ軸方向に一定間隔
（例えば、２ｍｍ程度）だけ送られるとともに、Ｘ軸方
向における環状溝１９内の所定位置に切削工具が位置さ
れる。そして、切削工具が環状溝１９の反対側からはみ
出さない位置までＸ軸方向に相対的に直線移動される。
この切削工具直線移動による掘削によって、当該切削開
始位置を起点とし、当該切削終了位置を終点としてＸ軸
方向に延在する２本目の真空吸引溝２１が、保持面１７
における１番目の真空吸引溝２１の隣に形成されること
になる。Subsequently, the cutting tool is fed in the Y-axis direction at a constant interval (for example, about 2 mm), and the cutting tool is positioned at a predetermined position in the annular groove 19 in the X-axis direction. Then, the cutting tool is relatively linearly moved in the X-axis direction to a position where it does not protrude from the opposite side of the annular groove 19.
Due to the excavation by the linear movement of the cutting tool, the second vacuum suction groove 21 extending in the X-axis direction from the cutting start position as the starting point and the cutting end position as the ending point is provided with the holding surface 17
Will be formed next to the first vacuum suction groove 21.
【００３２】以降、前記作動が繰り返されることによっ
て、Ｘ軸方向に延在する真空吸引溝２１群が所定本数
分、Ｙ軸方向に一定のピッチをもって整列するように保
持面１７に順次切削加工されて行く。After that, by repeating the above operation, the holding surface 17 is sequentially cut so that a predetermined number of vacuum suction grooves 21 extending in the X-axis direction are aligned at a constant pitch in the Y-axis direction. Go.
【００３３】次に、切削工具が被切削物としてのスピン
ナヘッド本体１１ａに対して相対的に９０度移動され
る。そして、前記した切削加工が繰り返されることによ
って、Ｙ軸方向に延在する真空吸引溝２１群が所定本数
分、Ｘ軸方向に一定のピッチをもって整列するように保
持面１７に順次切削加工されて行く。Next, the cutting tool is moved by 90 degrees relative to the spinner head body 11a as the object to be cut. Then, by repeating the above-described cutting process, the holding surface 17 is sequentially cut so that a predetermined number of vacuum suction groove groups 21 extending in the Y-axis direction are aligned at a constant pitch in the X-axis direction. go.
【００３４】以上の切削加工によって、平面視が正方形
である四角錐台形状の凸部２０群および真空吸引溝２１
が一括して形成されることになる。そして、この凸部２
０群および真空吸引溝２１群についての形成方法によれ
ば、凸部２０群および真空吸引溝２１群を全体にわたっ
て均一に分布させることができるとともに、個々の凸部
２０のウエハ１に対する接触面積を、例えば、０．２ｍ
ｍ四方の小面積をもって形成させることができる。By the above cutting work, a group of convex portions 20 having a square truncated pyramid shape and a vacuum suction groove 21 having a square shape in a plan view.
Will be formed collectively. And this convex portion 2
According to the forming method for the 0 group and the vacuum suction groove 21 group, the convex section 20 group and the vacuum suction groove 21 group can be evenly distributed over the whole, and the contact area of each convex section 20 with respect to the wafer 1 can be increased. , For example, 0.2m
It can be formed with a small area of m square.
【００３５】ところで、凸部２０の頂部を尖鋭に形成し
た場合には、ウエハ１の裏面に対する接触面積を最小に
形成することができるため、異物の付着量を最小に抑制
することができる。しかし、尖鋭に形成した場合には全
ての凸部２の高さを同一に形成することは困難である。
したがって、凸部２０群全体としての平坦度を出すため
に、凸部２０群の高さを均一にする研磨処理等が必要に
なる。そして、この研磨処理等を凸部の尖端についての
破損を生じさせずに加工することは困難である。By the way, when the tops of the protrusions 20 are sharply formed, the contact area with the back surface of the wafer 1 can be minimized, so that the amount of foreign matter adhered can be suppressed to a minimum. However, when formed sharply, it is difficult to form all the protrusions 2 in the same height.
Therefore, in order to obtain the flatness of the entire group of the protrusions 20, it is necessary to perform a polishing process or the like to make the heights of the protrusions 20 uniform. Then, it is difficult to process this polishing process or the like without causing damage to the tips of the convex portions.
【００３６】これに対して、前述した凸部群および真空
吸引溝群の製造方法によれば、この研磨処理等の後加工
を省略し得るという効果を得ることができる。但し、後
加工の実施を妨げるものではない。On the other hand, according to the method of manufacturing the convex portion group and the vacuum suction groove group described above, it is possible to obtain the effect that the post-processing such as the polishing process can be omitted. However, it does not hinder the execution of post-processing.
【００３７】次に、前記構成に係るウエハの保持装置１
０の作用および効果を説明する。Next, the wafer holding device 1 having the above structure
The action and effect of 0 will be described.
【００３８】保持対象物であるウエハ１はハンドラによ
ってスピンナヘッド１１の真上位置まで搬送されて来
て、スピンナヘッド１１における保持面１７上に移載さ
れる。保持面１７にウエハ１が移載されると、負圧供給
装置（図示せず）から負圧が負圧供給路１５に供給され
る。供給された負圧は取付穴１３を通じて各真空吸引口
２２に導かれるため、これら真空吸引口２２が流体的に
連結されている真空吸引溝２１の内空間は真空吸引され
る状態になる。The wafer 1, which is an object to be held, is carried by the handler to a position directly above the spinner head 11 and transferred onto the holding surface 17 of the spinner head 11. When the wafer 1 is transferred onto the holding surface 17, negative pressure is supplied to the negative pressure supply path 15 from a negative pressure supply device (not shown). Since the supplied negative pressure is guided to each vacuum suction port 22 through the mounting hole 13, the inner space of the vacuum suction groove 21 to which these vacuum suction ports 22 are fluidly connected is vacuum-sucked.
【００３９】この真空吸引溝２１群の内空間における真
空吸引状態によって、保持面１７に載せられたウエハ１
の裏面には真空吸引力が均一に付勢されることになる。
そして、ウエハ１の裏面はこの真空吸引力によって保持
面１７に形成された環状凸部１８および凸部２０群に吸
着された状態になる。したがって、ウエハ１は保持面１
７に強力に真空吸着保持された状態になる。The wafer 1 placed on the holding surface 17 is vacuum-sucked in the inner space of the vacuum suction groove 21 group.
The vacuum suction force is uniformly applied to the back surface of the.
Then, the back surface of the wafer 1 is in a state of being sucked by the group of annular projections 18 and projections 20 formed on the holding surface 17 by this vacuum suction force. Therefore, the wafer 1 has the holding surface 1
7 is strongly vacuum-held.
【００４０】この状態において、保持面１７の外周縁に
環状に形成された環状凸部１８はウエハ１の裏面に環状
に押接することにより、真空吸引溝２１の外側開口端を
密封した状態になるため、真空吸引溝２１群の内空間に
おける真空状態は漏洩を発生することなく、適正に維持
される。In this state, the annular convex portion 18 formed in an annular shape on the outer peripheral edge of the holding surface 17 is pressed against the back surface of the wafer 1 in an annular shape to seal the outer open end of the vacuum suction groove 21. Therefore, the vacuum state in the inner space of the vacuum suction groove 21 group is appropriately maintained without causing leakage.
【００４１】また、凸部２０群は全体的に均一に、か
つ、同一高さに形成されているため、ウエハ１の裏面に
全体にわたって均一に接触した状態になる。そして、個
々の凸部２０は上端面の面積が小さく形成されているた
め、ウエハ１の裏面全体に対する凸部２０群全体として
の総接触面積もきわめて小さく抑制された状態になって
いる。Further, since the convex portions 20 are formed uniformly and at the same height as a whole, they are in contact with the back surface of the wafer 1 uniformly. Moreover, since the area of the upper end surface of each of the convex portions 20 is formed to be small, the total contact area of the entire convex portion 20 group with respect to the entire back surface of the wafer 1 is suppressed to be extremely small.
【００４２】このようにして、スピンナヘッド１１のウ
エハ１の裏面に対する接触総面積を低減することができ
るため、スピンナヘッド１１からのウエハ１の裏面に対
する異物の付着量を低減させることができる。例えば、
前記構成に係るスピンナヘッド１１の場合には、ウエハ
１に対する全体の接触面積を従来のそれに比較して、約
１／８に低減することができ、その結果、異物の付着量
を１／８に低減することができる。Since the total contact area of the spinner head 11 with respect to the back surface of the wafer 1 can be reduced in this manner, the amount of foreign matter adhering from the spinner head 11 to the back surface of the wafer 1 can be reduced. For example,
In the case of the spinner head 11 having the above configuration, the entire contact area with the wafer 1 can be reduced to about 1/8 of that of the conventional one, and as a result, the amount of foreign matter attached can be reduced to 1/8. It can be reduced.
【００４３】また、本実施例においては、真空吸引口２
２は保持面１７の中心に位置した凸部２０ａ周りにおけ
る真空吸引溝２２の溝底に開設されているため、真空吸
引口２２が開設されていることによって凸部２０ａの欠
落箇所が保持面１７に局所的に形成されてしまう状況は
発生しない。つまり、凸部２０群はウエハ１の裏面に全
体にわたって均一に接触した状態になるため、凸部２０
群はウエハ１を全体にわたって下から均等に支持した状
態になる。Further, in this embodiment, the vacuum suction port 2
2 is opened at the groove bottom of the vacuum suction groove 22 around the convex portion 20a located at the center of the holding surface 17, so that the vacuum suction port 22 is opened so that the missing portion of the convex portion 20a is located on the holding surface 17. There is no situation where it is locally formed in the. That is, since the convex portions 20 are in a state of uniformly contacting the entire back surface of the wafer 1, the convex portions 20
The group is in a state in which the wafer 1 is evenly supported from below over the entire surface.
【００４４】このようにして、ウエハ１は凸部２０群に
よって下から均等に支持された状態になっているため、
真空吸引力によって強力に吸引されても、ウエハ１は局
所的に変形されることはない。ウエハ１の局所的な変形
が防止されることによって、ウエハ１の表面にスピンナ
塗布されるレジスト膜は、その厚さが全体にわたって均
一になるように形成されることになる。In this way, the wafer 1 is in a state of being evenly supported from below by the group of protrusions 20,
Even if the wafer 1 is strongly sucked by the vacuum suction force, the wafer 1 is not locally deformed. By preventing local deformation of the wafer 1, the resist film spinner-coated on the surface of the wafer 1 is formed so that its thickness is uniform over the entire surface.
【００４５】これに対して、例えば、真空吸引口２２が
保持面１７の中心に開口されることにより、中心に位置
する凸部２０ａが欠落されている場合には、ウエハ１の
当該欠落箇所は凸部２０によって支持されない状態にな
るため、ウエハ１の当該支持されていない箇所が真空吸
引力によって強力に吸引されることによって、窪むよう
に変形されてしまう。このようにして、ウエハ１が変形
されると、ウエハ１の表面にスピンナ塗布されるレジス
ト膜は、その窪んだ箇所において厚さが厚く形成された
状態になる。On the other hand, for example, when the vacuum suction port 22 is opened at the center of the holding surface 17 and the convex portion 20a located at the center is missing, the missing portion of the wafer 1 is Since it is not supported by the convex portion 20, the unsupported portion of the wafer 1 is strongly sucked by the vacuum suction force, so that it is deformed like a dent. In this way, when the wafer 1 is deformed, the resist film applied to the surface of the wafer 1 by the spinner is in a state in which the thickness of the resist film is increased in the recessed portion.
【００４６】ところで、半導体製造工程に使用されるウ
エハは金属汚染を極度に嫌うため、ウエハに接触する部
材は金属以外の材料によって形成するか、あるいは、金
属の材料によって形成されている部材についてはその接
触する部分の表面を金属以外の材料によって被覆する必
要がある。By the way, since the wafer used in the semiconductor manufacturing process is extremely reluctant to contaminate the metal, the member contacting the wafer is made of a material other than metal, or a member made of a metal material is used. It is necessary to coat the surface of the contacting portion with a material other than metal.
【００４７】本実施例においては、スピンナヘッド１１
の本体１１ａがポリ・エーテル・エーテル・ケトン（Ｐ
ＥＥＫ）が用いられて一体成形されているため、スピン
ナヘッド１１の環状凸部１８および凸部２０群がウエハ
１の裏面に直接接触しても、ウエハ１において金属汚染
が発生することはない。In the present embodiment, the spinner head 11
The main body 11a is made of poly ether ether ketone (P
Since EEK) is used and integrally formed, metal contamination does not occur on the wafer 1 even when the annular convex portions 18 and the convex portions 20 of the spinner head 11 directly contact the back surface of the wafer 1.
【００４８】なお、以上のようにウエハ１が均一に真空
吸着保持された状態で、スピンナヘッド１１が高速度で
回転されるとともに、ウエハ１の上面における中心にレ
ジスト液（図示せず）が滴下されることによって、ウエ
ハ１の表面にレジスト膜（図示せず）がスピンナ塗布さ
れる。この際、ウエハ１がスピンナヘッド１１に均一に
真空吸着保持されているため、ウエハ１の表面に塗布さ
れたレジスト膜はその厚さが全体にわたって均一に形成
されることになる。As described above, the spinner head 11 is rotated at a high speed while the wafer 1 is uniformly vacuum-sucked and held, and the resist solution (not shown) is dropped on the center of the upper surface of the wafer 1. As a result, a resist film (not shown) is spinner-coated on the surface of the wafer 1. At this time, since the wafer 1 is uniformly vacuum-sucked and held by the spinner head 11, the thickness of the resist film applied to the surface of the wafer 1 is uniform over the entire surface.
【００４９】図２は本発明の実施例２であるウエハの保
持装置を示す正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing a wafer holding device which is Embodiment 2 of the present invention.
【００５０】本実施例２が前記実施例１と異なる点は、
スピンナヘッド１１の本体１１ａがアルミニウム系材料
（アルミニウムまたはその合金）が用いられて形成され
ているとともに、この本体１１ａの表面全体にタフラム
処理層２３が形成され、さらに、保持面１７におけるタ
フラム処理層２３の上に弗素樹脂被膜２４に被着されて
いる点にある。The second embodiment is different from the first embodiment in that
The main body 11a of the spinner head 11 is formed by using an aluminum-based material (aluminum or its alloy), the tough ram treatment layer 23 is formed on the entire surface of the main body 11a, and the tough ram treatment layer on the holding surface 17 is further formed. 23 on the fluororesin film 24.
【００５１】タフラム処理層２３はアルミニウムまたは
その合金の表面が所定の深さだけ多孔性の硬質酸化アル
ミニウムに転換され、その多孔質の組織に四弗化樹脂が
含浸されることによって形成される。このタフラム処理
層２３によって、スピンナヘッド１１はアルミニウムあ
るいはこの合金の表面は鋼よりも硬く、四弗化樹脂の優
れた諸性質を備えることができる。The tough lam processing layer 23 is formed by converting the surface of aluminum or its alloy into porous hard aluminum oxide to a predetermined depth and impregnating the porous structure with a tetrafluoride resin. The tough ram treatment layer 23 allows the spinner head 11 to have the surface of aluminum or its alloy harder than steel and to have the various properties of the tetrafluoride resin.
【００５２】弗素樹脂被膜２４は、例えば、３００μｍ
〜７００μｍの厚さに形成されている。The fluorine resin coating 24 is, for example, 300 μm
It is formed to have a thickness of ˜700 μm.
【００５３】本実施例２によれば、前記実施例１によっ
て奏される作用および効果に加えて、次の作用および効
果が奏される。According to the second embodiment, the following actions and effects are obtained in addition to the actions and effects obtained by the first embodiment.
【００５４】半導体ウエハは金属汚染が問題になるた
め、ウエハ１に接触するスピンナヘッド１１は導電性を
有する金属材料によって形成することができない。この
ため、ウエハ１に帯電が発生しても、スピンナヘッド１
１を通じてグランドに放電することができない。そし
て、ウエハ１が帯電すると、周囲の浮遊物を吸着し易く
なるため、その浮遊物の付着によって、製造歩留りが低
下してしまうという問題点が発生する。Since the semiconductor wafer has a problem of metal contamination, the spinner head 11 contacting the wafer 1 cannot be formed of a conductive metal material. Therefore, even if the wafer 1 is charged, the spinner head 1
1 cannot be discharged to ground. Then, when the wafer 1 is charged, the floating substances around the wafer 1 are easily adsorbed, so that the adhesion of the floating substances causes a problem that the manufacturing yield is reduced.
【００５５】本実施例２においては、スピンナヘッド本
体１１ａが導電性を有する金属材料であるアルミニウム
系材料によって形成されているため、ウエハ１はスピン
ナヘッド１１による真空吸着保持状態においてその帯電
電荷をスピンナヘッド本体１１ａに放電されることにな
る。その結果、ウエハ表面への浮遊異物の付着を低減す
ることができる。In the second embodiment, since the spinner head main body 11a is formed of an aluminum-based material which is a conductive metal material, the wafer 1 spinner-charges its charged electric charge when the spinner head 11 is held by vacuum suction. It will be discharged to the head body 11a. As a result, it is possible to reduce the adhesion of floating foreign matter to the wafer surface.
【００５６】他方、スピンナヘッド１１の保持面１７の
表面には弗素樹脂被膜２４が被着されているため、アル
ミニウム系材料から成る本体１１ａが直接接触すること
はない。したがって、金属汚染は防止することができ
る。On the other hand, since the surface of the holding surface 17 of the spinner head 11 is coated with the fluorine resin coating 24, the main body 11a made of an aluminum-based material does not come into direct contact with it. Therefore, metal contamination can be prevented.
【００５７】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【００５８】例えば、凸部２０は平面視が正方形の四角
錐台形状に形成するに限らず、平面視が多角形の多角錐
形状または多角錐台形状や、円錐形状または円錐台形状
に形成してもよい。For example, the convex portion 20 is not limited to be formed in a square pyramidal trapezoidal shape in a plan view, but may be formed in a polygonal pyramid shape or a polygonal truncated pyramid shape in a plan view, or a conical shape or a truncated cone shape. May be.
【００５９】また、凸部群は前記製造方法によって形成
するに限らず、射出成形方法、その他の一体成形方法に
よって形成してもよい。Further, the convex portion group is not limited to be formed by the above manufacturing method, but may be formed by an injection molding method or another integral molding method.
【００６０】真空吸引口は、保持面の中心に位置する凸
部２０ａの周りに配設するに限らず、保持面の全体にわ
たって均一に分布するように配置して、真空吸引溝の底
部に相当する隣合う凸部間の空所に連通するようにそれ
ぞれ開設してもよい。The vacuum suction ports are not limited to being arranged around the convex portion 20a located at the center of the holding surface, but are arranged so as to be evenly distributed over the entire holding surface, and correspond to the bottom of the vacuum suction groove. You may open each so that it may connect to the vacant space between the adjacent convex parts.
【００６１】スピンナヘッドを成形する樹脂としては、
ポリ・エーテル・エーテル・ケトン（ＰＥＥＫ）を使用
するに限らず、加工性および耐薬品性に優れたポリ・ア
セタール等のエンジニアリング・プラスチックや、その
他の樹脂を使用することができる。As the resin for molding the spinner head,
Not only polyether ether ether ketone (PEEK) is used, but engineering plastics such as polyacetal excellent in processability and chemical resistance, and other resins can be used.
【００６２】保持対象物は半導体ウエハに限らず、液晶
パネルや、コンパクト・ディスクおよび磁気ディスク等
であってもよい。The object to be held is not limited to a semiconductor wafer, but may be a liquid crystal panel, a compact disk, a magnetic disk, or the like.
【００６３】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるスピン
ナ塗布装置におけるウエハの保持技術に適用した場合に
ついて説明したが、それに限定されるものではなく、そ
の他の分野における板状体の保持装置全般に適用するこ
とができる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the wafer holding technique in the spinner coating apparatus which is the field of application which is the background has been described, but the present invention is not limited thereto. It can be applied to all plate-shaped body holding devices in other fields.
【００６４】[0064]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.
【００６５】保持体の板状体保持面に板状体の裏面に点
状に接触する凸部を複数個、全体にわたって形成すると
ともに、この保持面における隣合う凸部の間に真空吸引
口を隣合う凸部間の空所に連通するように接続すること
により、保持面に形成された凸部群のそれぞれにおける
先端部のみが板状体の裏面に点接触する状態になるた
め、板状体裏面に異物が付着する確率を低減することが
できる。On the plate-shaped body holding surface of the holding body, a plurality of convex portions that come into point contact with the back surface of the plate-shaped body are formed over the entire surface, and a vacuum suction port is provided between adjacent convex portions on the holding surface. By connecting so as to communicate with the void between adjacent convex parts, only the tip of each convex part group formed on the holding surface comes into point contact with the back surface of the plate-like body, so It is possible to reduce the probability that foreign matter adheres to the back surface of the body.
【００６６】また、真空吸引口は隣合う凸部間に接続さ
れているため、真空吸引口が開設されていることによっ
て凸部の欠落箇所が保持面に局所的に形成されてしまう
状況は発生しない。したがって、保持面は凸部群によっ
て板状体の裏面を全体にわたって均一に支持することが
できるため、板状体の変形を防止することができる。Further, since the vacuum suction port is connected between the adjacent convex portions, a situation occurs in which the missing portion of the convex portion is locally formed on the holding surface due to the opening of the vacuum suction port. do not do. Therefore, since the holding surface can uniformly support the back surface of the plate-shaped body by the convex group, the deformation of the plate-shaped body can be prevented.
【図１】（ａ）、（ｂ）は本発明の一実施例であるウエ
ハの保持装置を示す正面断面図および一部省略平面図で
ある。1A and 1B are a front sectional view and a partially omitted plan view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施例であるウエハの保持装置を示
す正面断面図である。FIG. 2 is a front sectional view showing a wafer holding device according to an embodiment of the present invention.
１…ウエハ（板状体）、１０…ウエハの保持装置、１１
…スピンナヘッド（保持体）、１１…スピンナヘッド本
体、１２…円柱形状部、１３…スピンナシャフト取付
穴、１４…スピンナシャフト、１５…負圧供給路、１６
…円盤形状部、１７…ウエハ保持面、１８…真空リーク
防止用環状凸部、１９…環状溝、２０…凸部、２１…真
空吸引溝（隣合う凸部間の空所）、２２…真空吸引口、
２３…タフラム処理層、２４…弗素樹脂被膜。DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Wafer (plate-shaped body), 10 ... Wafer holding device, 11
... Spinner head (holding body), 11 ... Spinner head main body, 12 ... Cylindrical shaped portion, 13 ... Spinner shaft mounting hole, 14 ... Spinner shaft, 15 ... Negative pressure supply passage, 16
... disk-shaped portion, 17 ... wafer holding surface, 18 ... vacuum leak preventing annular convex portion, 19 ... annular groove, 20 ... convex portion, 21 ... vacuum suction groove (space between adjacent convex portions), 22 ... vacuum Suction port,
23 ... Tuffram treated layer, 24 ... Fluorine resin coating.
Claims (3)
着する保持面が形成されている板状体の保持装置におい
て、 前記保持面に前記板状体の裏面に点状に接触する凸部が
複数個、全体にわたって配されて形成されているととも
に、この保持面における隣合う凸部の間に真空吸引口が
隣合う凸部間の空所に連通するように接続されているこ
とを特徴とする板状体の保持装置。1. A holding device for a plate-shaped body, wherein a holding surface for vacuum-adsorbing the back surface of the plate-shaped body is formed on one main surface of the holding body, wherein the holding surface is dot-shaped on the back surface of the plate-shaped body. A plurality of contacting projections are formed over the entire surface, and a vacuum suction port is connected between adjacent projections on this holding surface so as to communicate with a space between the adjacent projections. A holding device for a plate-shaped body, which is characterized in that
部に配置されている凸部の周りに均等に配設されている
ことを特徴とする請求項１に記載の板状体の保持装置。2. The plate-like body according to claim 1, wherein a plurality of the vacuum suction ports are evenly arranged around a convex portion arranged at the center of the holding surface. Holding device.
一に配設されているとともに、前記真空吸引口が複数
個、保持面に全体にわたって均一に配設されていること
を特徴とする請求項１に記載の板状体の保持装置。3. The group of protrusions is evenly arranged over the holding surface, and a plurality of the vacuum suction ports are evenly arranged over the holding surface. Item 2. The plate-shaped body holding device according to Item 1.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27115292A JPH0691463A (en) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Holding device of plate-form body |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27115292A JPH0691463A (en) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Holding device of plate-form body |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0691463A true JPH0691463A (en) | 1994-04-05 |
Family
ID=17496062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27115292A Pending JPH0691463A (en) | 1992-09-14 | 1992-09-14 | Holding device of plate-form body |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0691463A (en) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09309037A (en) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Hitachi Denshi Ltd | Adsorbing fixing device for thin plate work |
| JPH1022184A (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Sony Corp | Substrate bonding device |
| JP2006019572A (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | Apparatus and method for manufacturing semiconductor |
| WO2006103854A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Nikon Corporation | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| KR100791975B1 (en) * | 2001-10-22 | 2008-01-04 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for holding substrate |
| JP2009010275A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Dainichi Shoji Kk | Wafer sucking plate, and its manufacturing method |
| KR100920385B1 (en) * | 2004-11-18 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for rotating substrate |
| JP2009274169A (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Suction device, manufacturing method for suction device, and polishing device |
| JP2010010719A (en) * | 2009-10-13 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
| JP2010515258A (en) * | 2006-12-27 | 2010-05-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Lithographic apparatus, substrate table, and method for improving substrate release characteristics |
| JP2014229910A (en) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | システック カンパニー，リミテッドＳＹＳＴＥＣＨ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | Stepper chuck for wafer or flat glass exposure system |
| WO2019081174A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Asml Holding N.V. | Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications |
-
1992
- 1992-09-14 JP JP27115292A patent/JPH0691463A/en active Pending
Cited By (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09309037A (en) * | 1996-05-24 | 1997-12-02 | Hitachi Denshi Ltd | Adsorbing fixing device for thin plate work |
| JPH1022184A (en) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Sony Corp | Substrate bonding device |
| KR100791975B1 (en) * | 2001-10-22 | 2008-01-04 | 주식회사 케이씨텍 | Apparatus for holding substrate |
| JP2006019572A (en) * | 2004-07-02 | 2006-01-19 | Ricoh Co Ltd | Apparatus and method for manufacturing semiconductor |
| KR100920385B1 (en) * | 2004-11-18 | 2009-10-07 | 주식회사 에이디피엔지니어링 | Apparatus for rotating substrate |
| WO2006103854A1 (en) * | 2005-03-28 | 2006-10-05 | Nikon Corporation | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| KR101290845B1 (en) * | 2005-03-28 | 2013-08-07 | 가부시키가이샤 니콘 | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| US8662485B2 (en) | 2005-03-28 | 2014-03-04 | Nikon Corporation | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
| KR101367010B1 (en) * | 2005-03-28 | 2014-02-24 | 가부시키가이샤 니콘 | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device and semiconductor device manufacturing method |
| US8371564B2 (en) | 2005-03-28 | 2013-02-12 | Nikon Corporation | Suction apparatus, polishing apparatus, semiconductor device, and method of manufacturing a semiconductor device |
| US8792085B2 (en) | 2006-12-27 | 2014-07-29 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, substrate table, and method for enhancing substrate release properties |
| JP2010515258A (en) * | 2006-12-27 | 2010-05-06 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Lithographic apparatus, substrate table, and method for improving substrate release characteristics |
| JP4857381B2 (en) * | 2006-12-27 | 2012-01-18 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． | Lithographic apparatus, substrate table, and method for improving substrate release characteristics |
| JP2012033964A (en) * | 2006-12-27 | 2012-02-16 | Asml Netherlands Bv | Substrate table, and method of enhancing substrate release characteristics |
| JP2009010275A (en) * | 2007-06-29 | 2009-01-15 | Dainichi Shoji Kk | Wafer sucking plate, and its manufacturing method |
| JP2009274169A (en) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Nikon Corp | Suction device, manufacturing method for suction device, and polishing device |
| JP4570054B2 (en) * | 2009-10-13 | 2010-10-27 | 東京エレクトロン株式会社 | Substrate processing equipment |
| JP2010010719A (en) * | 2009-10-13 | 2010-01-14 | Tokyo Electron Ltd | Substrate treatment device |
| JP2014229910A (en) * | 2013-05-24 | 2014-12-08 | システック カンパニー，リミテッドＳＹＳＴＥＣＨ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． | Stepper chuck for wafer or flat glass exposure system |
| WO2019081174A1 (en) * | 2017-10-27 | 2019-05-02 | Asml Holding N.V. | Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications |
| JP2021500596A (en) * | 2017-10-27 | 2021-01-07 | エーエスエムエル ホールディング エヌ．ブイ． | Crowbar with modified surface topography for holding objects within a lithography application |
| US11270906B2 (en) | 2017-10-27 | 2022-03-08 | Asml Holding N.V. | Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications |
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