JPH0690045B2 - インデツクス信号センサ - Google Patents
インデツクス信号センサInfo
- Publication number
- JPH0690045B2 JPH0690045B2 JP61247622A JP24762286A JPH0690045B2 JP H0690045 B2 JPH0690045 B2 JP H0690045B2 JP 61247622 A JP61247622 A JP 61247622A JP 24762286 A JP24762286 A JP 24762286A JP H0690045 B2 JPH0690045 B2 JP H0690045B2
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- JP
- Japan
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- elements
- index signal
- magnetoresistive effect
- magnetized
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- Control Of Velocity Or Acceleration (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、磁気式の位置検出器、特に、強磁性磁気抵抗
効果素子（以下、MR素子という）を用いたインデツクス
信号センサに関する。
効果素子（以下、MR素子という）を用いたインデツクス
信号センサに関する。
従来、モータの速度制御，位相制御を行うために、モー
タの回転軸に周波数発生器（FG）が設けられ、モータの
回転速度に比例した周波数のFG信号と、モータの回転位
相を表すインデツクス信号とが得られるようにしてい
る。周波数発生器には光学式と磁気式とがあるが、寸法
精度や構造の点から専ら磁気式のものが使用され、しか
も、MP素子を用いることにより、光学式と同程度の性能
が得られる。
タの回転軸に周波数発生器（FG）が設けられ、モータの
回転速度に比例した周波数のFG信号と、モータの回転位
相を表すインデツクス信号とが得られるようにしてい
る。周波数発生器には光学式と磁気式とがあるが、寸法
精度や構造の点から専ら磁気式のものが使用され、しか
も、MP素子を用いることにより、光学式と同程度の性能
が得られる。
かかる磁気式の周波数発生器の一例が、たとえば、“Na
tional Technical Report"1984年12月、pp.33-34に開示
されている。これによると、モータの回転軸に取りつけ
られた磁気ドラムの外周に一周にわたつてフエライト粉
末などが充填されてなる帯状のプラスチツク磁石が２本
平行に設けられ、その一方は等長に分割されて着磁領域
とし、これら着磁領域は順次１つ毎に磁化方向が異なる
ように着磁され、このプラスチツク磁石をMR素子で走査
することにより、FG信号が検出される。また、他方のプ
ラスチツク磁石において、その一部に所定の長さの着磁
領域が設けられ、これを別のMR素子で走査することによ
り、この着磁領域を検出してモータの１回転毎に１回イ
ンデツクス信号が得られる。
tional Technical Report"1984年12月、pp.33-34に開示
されている。これによると、モータの回転軸に取りつけ
られた磁気ドラムの外周に一周にわたつてフエライト粉
末などが充填されてなる帯状のプラスチツク磁石が２本
平行に設けられ、その一方は等長に分割されて着磁領域
とし、これら着磁領域は順次１つ毎に磁化方向が異なる
ように着磁され、このプラスチツク磁石をMR素子で走査
することにより、FG信号が検出される。また、他方のプ
ラスチツク磁石において、その一部に所定の長さの着磁
領域が設けられ、これを別のMR素子で走査することによ
り、この着磁領域を検出してモータの１回転毎に１回イ
ンデツクス信号が得られる。
上記のような従来技術において、インデツクス信号を用
いてモータの位相制御を行う場合、この位相制御の基準
タイミングはインデツクス信号の立上りエツジから検出
される。
いてモータの位相制御を行う場合、この位相制御の基準
タイミングはインデツクス信号の立上りエツジから検出
される。
ところで、上記のプラスチツク磁石からその一部に設け
られた着磁領域を検出してインデツクス信号を再生する
場合、MR素子は有限の幅を有しているために、得られる
インデツクス信号の立上りエツジは傾斜したものとな
る。これを改善するために、MR素子を薄膜状としてその
幅を極めて狭くすることが考えられるが、これでもやは
りその幅は有限であるし、しかも、幅が狭くなつたこと
によつてMR素子の検出出力が低下してS/Nが劣化すると
いう問題が生ずる。
られた着磁領域を検出してインデツクス信号を再生する
場合、MR素子は有限の幅を有しているために、得られる
インデツクス信号の立上りエツジは傾斜したものとな
る。これを改善するために、MR素子を薄膜状としてその
幅を極めて狭くすることが考えられるが、これでもやは
りその幅は有限であるし、しかも、幅が狭くなつたこと
によつてMR素子の検出出力が低下してS/Nが劣化すると
いう問題が生ずる。
さらに、上記のように一部だけに着磁領域が設けられた
プラスチツク磁石の場合には、この着磁領域からの磁界
はプラスチツク磁石の長手方向着磁領域外にも広がつた
ものとなり（すなわち、もれ磁界が生じ）、このため
に、MR素子は着磁領域に対向する以前からこの着磁領域
からの磁界を検出することになり、この結果、得られる
インデツクス信号は、第６図に示すように、非常に裾広
がりの立上り傾斜が緩やかな波形となる。したがつて、
このような波形のインデツクス信号からMR素子が着磁領
域の境界を通過した時点を検出することは難しく、特
に、MR素子の検出出力が低いときには、境界通過時点の
検出のための調整に非常に手間がかかることになる。
プラスチツク磁石の場合には、この着磁領域からの磁界
はプラスチツク磁石の長手方向着磁領域外にも広がつた
ものとなり（すなわち、もれ磁界が生じ）、このため
に、MR素子は着磁領域に対向する以前からこの着磁領域
からの磁界を検出することになり、この結果、得られる
インデツクス信号は、第６図に示すように、非常に裾広
がりの立上り傾斜が緩やかな波形となる。したがつて、
このような波形のインデツクス信号からMR素子が着磁領
域の境界を通過した時点を検出することは難しく、特
に、MR素子の検出出力が低いときには、境界通過時点の
検出のための調整に非常に手間がかかることになる。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、高いS/Nで立
上りが急峻となり、着磁領域の境界を正確に検出できる
インデツクス信号を得ることができるようにしたインデ
ツクス信号センサを提供するにある。
上りが急峻となり、着磁領域の境界を正確に検出できる
インデツクス信号を得ることができるようにしたインデ
ツクス信号センサを提供するにある。
上記目的を達成するために、本発明は、プラスチツク磁
石の長手方向に互いに平行に配置した４個のMR素子でも
つて検出部とし、第1,第２のMR素子は互いに近接し、第
３のMR素子は第１のMR素子から、また、第４のMR素子は
第２のMR素子から夫々プラスチツク磁石の着磁領域の長
さ分だけ隔たつているようにする。
石の長手方向に互いに平行に配置した４個のMR素子でも
つて検出部とし、第1,第２のMR素子は互いに近接し、第
３のMR素子は第１のMR素子から、また、第４のMR素子は
第２のMR素子から夫々プラスチツク磁石の着磁領域の長
さ分だけ隔たつているようにする。
第1,第２のMR素子の検出出力はほとんど同相であり、第
3,第４のMR素子の検出出力は互いに着磁領域の長さの２
倍に相当する位相だけずれるとともに、第1,第２のMR素
子の検出出力よりも着磁領域の長さに相当する位相だけ
ずれている。
3,第４のMR素子の検出出力は互いに着磁領域の長さの２
倍に相当する位相だけずれるとともに、第1,第２のMR素
子の検出出力よりも着磁領域の長さに相当する位相だけ
ずれている。
インデツクス信号は、これら第１〜第４のMR素子の検出
出力を合成処理することにより、すなわち、第1,第２の
MR素子の検出出力を加算し、さらに、これに第3,第４の
MR素子の検出出力を減算することにより、得ることがで
きるが、各MR素子が上記のように配置されていることか
ら、このインデツクス信号は、１個のMR素子を用いたと
きに得られるインデツクス信号のほぼ２倍の振幅となつ
てS/Nが高くなり、また、第3,第４のMR素子の検出出力
による減算によつて波形の裾部が抑圧されて急峻なエツ
ジの信号となる。
出力を合成処理することにより、すなわち、第1,第２の
MR素子の検出出力を加算し、さらに、これに第3,第４の
MR素子の検出出力を減算することにより、得ることがで
きるが、各MR素子が上記のように配置されていることか
ら、このインデツクス信号は、１個のMR素子を用いたと
きに得られるインデツクス信号のほぼ２倍の振幅となつ
てS/Nが高くなり、また、第3,第４のMR素子の検出出力
による減算によつて波形の裾部が抑圧されて急峻なエツ
ジの信号となる。
以下、本発明の実施例を図面によつて説明する。
第１図は本発明によるインデツクス信号センサの一実施
例を示す要部構成図であつて、１〜４はMR素子、５はプ
ラスチツク磁石、６は無着磁領域、７は着磁領域、7A,7
Bは境界である。
例を示す要部構成図であつて、１〜４はMR素子、５はプ
ラスチツク磁石、６は無着磁領域、７は着磁領域、7A,7
Bは境界である。
同図において、たとえば回転体の周面一周にわたつて設
けられた帯状のプラスチツク磁石５の一部に所定の長さ
Ｐの着磁領域７が設けられており、かかるプラスチツク
磁石５に対向してこの実施例の検出部を構成するMP素子
１〜４が配置される。これらMR素子１〜４はプラスチツ
ク磁石５に沿つて互いに平行に配置されており、回転体
が回転してプラスチツク磁石５を走査するとき、着磁領
域７による磁界（具体的にはその水平成分）を同程度に
検出するようにしている。
けられた帯状のプラスチツク磁石５の一部に所定の長さ
Ｐの着磁領域７が設けられており、かかるプラスチツク
磁石５に対向してこの実施例の検出部を構成するMP素子
１〜４が配置される。これらMR素子１〜４はプラスチツ
ク磁石５に沿つて互いに平行に配置されており、回転体
が回転してプラスチツク磁石５を走査するとき、着磁領
域７による磁界（具体的にはその水平成分）を同程度に
検出するようにしている。
ここで、MR素子1,2は互いに近接して配置されており、M
R素子３はMR素子２からMR素子１とは反対側に着磁領域
７の長さＰだけ隔てて配置され、MR素子４はMR素子１か
らMR素子２とは反対側に同じ長さＰだけ隔てて配置され
ている。
R素子３はMR素子２からMR素子１とは反対側に着磁領域
７の長さＰだけ隔てて配置され、MR素子４はMR素子１か
らMR素子２とは反対側に同じ長さＰだけ隔てて配置され
ている。
以上のように配置されたMR素子１〜４に対してプラスチ
ツク磁石５が矢印方向に移動しているものとすると、MR
素子4,1,2,3の順で着磁領域７からの磁界を抵抗値の変
化として検出するが、MR素子1,2は互いに近接している
から、これらの検出出力はほとんど同相である。これに
対して、MR素子1,2の検出出力の位相を基準とすると、M
R素子３の検出出力は着磁領域７の長さＰを通過するに
要する時間tpだけ遅れ、MR素子４の検出出力は逆に時間
tpだけ進むことになる。
ツク磁石５が矢印方向に移動しているものとすると、MR
素子4,1,2,3の順で着磁領域７からの磁界を抵抗値の変
化として検出するが、MR素子1,2は互いに近接している
から、これらの検出出力はほとんど同相である。これに
対して、MR素子1,2の検出出力の位相を基準とすると、M
R素子３の検出出力は着磁領域７の長さＰを通過するに
要する時間tpだけ遅れ、MR素子４の検出出力は逆に時間
tpだけ進むことになる。
また、先にも説明したように、着磁領域７による磁界は
無着磁領域６にも裾状に広がつており、MR素子１〜４は
着磁領域７の境界7Aの直前の無着磁領域６を走査してい
るときから磁界を検出し始め、また、着磁領域７の境界
7Bの直後の無着磁領域６を走査し始めても磁界を検出し
ている。しかし、これらMR素子１〜４は着磁領域の中央
部に対向しているときに最大の検出結果を出力する。し
たがつて、MR素子1,2の検出出力は、第１図に示すよう
に、着磁領域７の中央部に対向しているときに最大とな
り、MR素子4,3の検出出力も、夫々第２図，第３図に示
すように、着磁領域７の中央部に対向しているときに最
大となる。
無着磁領域６にも裾状に広がつており、MR素子１〜４は
着磁領域７の境界7Aの直前の無着磁領域６を走査してい
るときから磁界を検出し始め、また、着磁領域７の境界
7Bの直後の無着磁領域６を走査し始めても磁界を検出し
ている。しかし、これらMR素子１〜４は着磁領域の中央
部に対向しているときに最大の検出結果を出力する。し
たがつて、MR素子1,2の検出出力は、第１図に示すよう
に、着磁領域７の中央部に対向しているときに最大とな
り、MR素子4,3の検出出力も、夫々第２図，第３図に示
すように、着磁領域７の中央部に対向しているときに最
大となる。
それら、これらMR素子の検出出力は、第４図（ａ）〜
（ｄ）に示すように、裾が広がつて立上り、立下りエツ
ジが非常に緩やかな波形となる。なお、第４図（ａ）は
MR素子４の，同図（ｂ）はMR素子１の，同図（ｃ）はMR
素子２の，同図（ｄ）はMR素子３の夫々検出出力波形を
示しており、tpは、上記のように、MR素子１〜４が着磁
領域７の長さｐだけ通過するに要する時間を表す。
（ｄ）に示すように、裾が広がつて立上り、立下りエツ
ジが非常に緩やかな波形となる。なお、第４図（ａ）は
MR素子４の，同図（ｂ）はMR素子１の，同図（ｃ）はMR
素子２の，同図（ｄ）はMR素子３の夫々検出出力波形を
示しており、tpは、上記のように、MR素子１〜４が着磁
領域７の長さｐだけ通過するに要する時間を表す。
インデツクス信号はこれらMR素子１〜４の検出出力を次
のように合成することによつて得られる。すなわち、MR
素子1,2の検出出力（第４図（ｂ），（ｃ））は互いに
加算され、これにMR素子3,4の検出出力（第４図
（ｄ），（ａ））が加算される。この結果、得られるイ
ンデツクス信号の波形は、第４図（ｅ）に示すように、
振幅がMR素子１〜４各々から得られる検出出力のほぼ２
倍となり、裾部分が逆極性となつて立上り、立下りエツ
ジが急峻になる。
のように合成することによつて得られる。すなわち、MR
素子1,2の検出出力（第４図（ｂ），（ｃ））は互いに
加算され、これにMR素子3,4の検出出力（第４図
（ｄ），（ａ））が加算される。この結果、得られるイ
ンデツクス信号の波形は、第４図（ｅ）に示すように、
振幅がMR素子１〜４各々から得られる検出出力のほぼ２
倍となり、裾部分が逆極性となつて立上り、立下りエツ
ジが急峻になる。
第５図は合成回路の一具体例を示す回路図であつて、8,
9は出力端子であり、第１図に対応する部分には同一符
号をつけている。
9は出力端子であり、第１図に対応する部分には同一符
号をつけている。
この具体例は、MR素子１〜４の結線方法を特定すること
により、これらの検出出力を上記のように合成するもの
である。
により、これらの検出出力を上記のように合成するもの
である。
第５図において、電源電圧Vccが印加される電源端子と
接地端子との間に、MR素子2,4が直列に接続され、同様
にして、MR素子3,1も直列に接続されている。そして、M
R素子2,4の接続点に出力端子８を設け、また、MR素子3,
1の接続点に出力端子９を設け、これら出力端子8,9間の
電圧をインデツクス信号として取り出す。
接地端子との間に、MR素子2,4が直列に接続され、同様
にして、MR素子3,1も直列に接続されている。そして、M
R素子2,4の接続点に出力端子８を設け、また、MR素子3,
1の接続点に出力端子９を設け、これら出力端子8,9間の
電圧をインデツクス信号として取り出す。
ここで、MR素子１〜４は磁界に応じて抵抗値が小さくな
る。
る。
そこで、いま、各MR素子１〜４が着磁領域７に対して第
１図に示す位置にあるとすると、MR素子2,1の抵抗値は
最小となり、出力端子８の電位がMR素子２が磁界中にな
いときの抵抗値における電位よりもδだけ上昇したとす
ると、出力端子９の電位は同じくδだけ下降する。した
がつて、出力端子8,9間の電圧は（＋δ）−（−δ）＝
２δだけMR素子1,2が磁界中にないときよりも上昇す
る。したがつて、MR素子1,2に得られる電圧変化分δの
２倍の電圧変化が得られることになる。なお、このと
き、MR素子3,4も着磁領域のもれ磁界を検出しているた
めに、それらの抵抗値も若干小さくなつているために、
出力端子８の電位はMR素子４の抵抗値変化分低くなり、
出力端子９の電位はMR素子３の抵抗値変化分高くなるか
ら、出力端子8,9間の電圧変化分は２δよりも若干小さ
くなるが、これでも、２δにほぼ等しくてMR素子2,1に
おける電圧降下の変化分δよりも充分大きい。
１図に示す位置にあるとすると、MR素子2,1の抵抗値は
最小となり、出力端子８の電位がMR素子２が磁界中にな
いときの抵抗値における電位よりもδだけ上昇したとす
ると、出力端子９の電位は同じくδだけ下降する。した
がつて、出力端子8,9間の電圧は（＋δ）−（−δ）＝
２δだけMR素子1,2が磁界中にないときよりも上昇す
る。したがつて、MR素子1,2に得られる電圧変化分δの
２倍の電圧変化が得られることになる。なお、このと
き、MR素子3,4も着磁領域のもれ磁界を検出しているた
めに、それらの抵抗値も若干小さくなつているために、
出力端子８の電位はMR素子４の抵抗値変化分低くなり、
出力端子９の電位はMR素子３の抵抗値変化分高くなるか
ら、出力端子8,9間の電圧変化分は２δよりも若干小さ
くなるが、これでも、２δにほぼ等しくてMR素子2,1に
おける電圧降下の変化分δよりも充分大きい。
また、MR素子１〜４は着磁領域７に対して第２図に示す
位置にあるとすると、MR素子1,2が着磁領域７からのも
れ磁界を検出することにより、これらの抵抗値は減少
し、これによるMR素子1,2での電圧降下の変化量をδ′
（但し、δ′≪δ）とすると、出力端子8,9間の電圧は
磁界がないときよりも２δ′だけ上昇する。しかし、こ
のとき、MR素子４の抵抗値が最小となるために、出力端
子８の電位はこのMR素子４の抵抗値変化によつて磁界が
ないときよりもδだけ下降されることになり、結局、出
力端子8,9間の電圧は磁界がないときよりも（δ−２
δ′）だけ下降したことになる。
位置にあるとすると、MR素子1,2が着磁領域７からのも
れ磁界を検出することにより、これらの抵抗値は減少
し、これによるMR素子1,2での電圧降下の変化量をδ′
（但し、δ′≪δ）とすると、出力端子8,9間の電圧は
磁界がないときよりも２δ′だけ上昇する。しかし、こ
のとき、MR素子４の抵抗値が最小となるために、出力端
子８の電位はこのMR素子４の抵抗値変化によつて磁界が
ないときよりもδだけ下降されることになり、結局、出
力端子8,9間の電圧は磁界がないときよりも（δ−２
δ′）だけ下降したことになる。
MR素子１〜４が第３図に示す位置にあるときも、同様に
して、出力端子8,9間の電圧は磁界がないときよりも
（δ−２δ′）だけ下降したことになる。
して、出力端子8,9間の電圧は磁界がないときよりも
（δ−２δ′）だけ下降したことになる。
ここで、電圧の変化量２δ′は着磁領域７からのもれ磁
界によるものであり、これがMR素子3,4の磁界検出によ
つて除かれるのである。
界によるものであり、これがMR素子3,4の磁界検出によ
つて除かれるのである。
プラスチツク磁石５が連続的に移動することによつて出
力端子8,9間に得られる電圧は、第４図（ｄ）に示した
ように、MR素子４が着磁領域７に近づくにつれて下降し
始め、第２図に示した状態になつたとき最小となる。し
かる後、この電圧は急激に立上り、第１図に示した状態
になつたとき、MR素子1,2の電圧降下の最大変化量δの
ほぼ２倍となり、その後は急激に立下がる。そして、第
３図の状態になつたときに、出力端子8,9間の電圧は最
小値となり、その後は上昇して磁界がないときの値とな
る。
力端子8,9間に得られる電圧は、第４図（ｄ）に示した
ように、MR素子４が着磁領域７に近づくにつれて下降し
始め、第２図に示した状態になつたとき最小となる。し
かる後、この電圧は急激に立上り、第１図に示した状態
になつたとき、MR素子1,2の電圧降下の最大変化量δの
ほぼ２倍となり、その後は急激に立下がる。そして、第
３図の状態になつたときに、出力端子8,9間の電圧は最
小値となり、その後は上昇して磁界がないときの値とな
る。
なお、MR素子１〜４の磁気抵抗効果特性が等しいときに
は、これらが磁界中にないときの出力端子8,9間の電圧
は0Vであることはいうまでもない。
は、これらが磁界中にないときの出力端子8,9間の電圧
は0Vであることはいうまでもない。
なお、MR素子１〜４の検出出力の合成手段としては、第
５図に示した具体例のみに限るものではない。また、イ
ンデツクス信号の記録媒体としても、プラスチツク磁石
のみに限るものではない。
５図に示した具体例のみに限るものではない。また、イ
ンデツクス信号の記録媒体としても、プラスチツク磁石
のみに限るものではない。
さらに、本発明はモータ制御のためのインデツクス信号
検出のみに限らず、インデツクス信号検出を必要とする
任意の装置に適用することができることはいうまでもな
い。
検出のみに限らず、インデツクス信号検出を必要とする
任意の装置に適用することができることはいうまでもな
い。
以上説明したように、本発明によれば、着磁領域７から
もれ磁界が生じても、立上り，立下りが急峻でかつMR素
子の抵抗値変化が２倍となつたのに相当する大振幅で高
いS/Nのインデツクス信号が得られることになり、該着
磁領域の境界を正確かつ簡単に検出することができるよ
うになるという優れた効果が得られる。
もれ磁界が生じても、立上り，立下りが急峻でかつMR素
子の抵抗値変化が２倍となつたのに相当する大振幅で高
いS/Nのインデツクス信号が得られることになり、該着
磁領域の境界を正確かつ簡単に検出することができるよ
うになるという優れた効果が得られる。
第１図は本発明によるインデツクス信号センサの一実施
例を示す要部構成図、第２図および第３図は夫々プラス
チツク磁石上の着磁領域に対する各磁気抵抗効果素子の
第１図と異なる位置関係を示す図、第４図は第１図にお
ける磁気抵抗効果素子の検出出力とこれらの合成出力で
あるインデツクス信号とを示す波形図、第５図は第１図
における磁気抵抗効果素子の検出出力の合成方法の一具
体例を示す回路図、第６図は従来技術によつて得られる
インデツクス信号を示す波形図である。 １〜４……磁気抵抗効果素子、５……プラスチツク磁
石、６……無着磁領域、７……着磁領域。
例を示す要部構成図、第２図および第３図は夫々プラス
チツク磁石上の着磁領域に対する各磁気抵抗効果素子の
第１図と異なる位置関係を示す図、第４図は第１図にお
ける磁気抵抗効果素子の検出出力とこれらの合成出力で
あるインデツクス信号とを示す波形図、第５図は第１図
における磁気抵抗効果素子の検出出力の合成方法の一具
体例を示す回路図、第６図は従来技術によつて得られる
インデツクス信号を示す波形図である。 １〜４……磁気抵抗効果素子、５……プラスチツク磁
石、６……無着磁領域、７……着磁領域。
Claims (1)
- 【請求項１】所定の長さの着磁領域を有する走査路を走
査し、該着磁領域を検出してインデックス信号を発生す
るインデックス信号センサにおいて、 該走行路に沿って互いに近接しかつ平行に配置された第
1,第２の磁気抵抗効果素子と、 該第１の磁気抵抗効果素子から該走査路に沿って第１の
方向に該着磁領域の長さ分だけ隔てて該第1,第２の磁気
抵抗効果素子と平行に配置された第３の磁気抵抗効果素
子と、 該第２の磁気抵抗効果素子から該走査路に沿って第１の
方向とは反対の第２の方向に該着磁領域の長さ分だけ隔
てて該第1,第２の磁気抵抗効果素子と平行に配置された
第４の磁気抵抗効果素子と を有し、該第１〜第４の磁気抵抗効果素子が該着磁領域
の検出部をなし、該第1,第２の磁気抵抗効果素子の検出
出力の和から該第3,第４の磁気抵抗効果素子の検出出力
を差し引くことにより、該第１〜第４の磁気抵抗効果素
子の検出出力のほぼ２倍でかつ急峻な波形の検出出力を
得ることを特徴とするインデツクス信号センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247622A JPH0690045B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | インデツクス信号センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61247622A JPH0690045B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | インデツクス信号センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63101786A JPS63101786A (ja) | 1988-05-06 |
| JPH0690045B2 true JPH0690045B2 (ja) | 1994-11-14 |
Family
ID=17166245
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61247622A Expired - Lifetime JPH0690045B2 (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | インデツクス信号センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0690045B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3259316B2 (ja) * | 1992-02-07 | 2002-02-25 | ソニー株式会社 | 位置検出装置、レンズ装置、ビデオカメラ |
| US5861747A (en) * | 1997-05-27 | 1999-01-19 | Ford Global Technologies, Inc. | Magnetoresistive rotary position sensor providing a linear output independent of modest fluctuations |
| SE529125C2 (sv) * | 2005-03-02 | 2007-05-08 | Tetra Laval Holdings & Finance | Sätt och anordning för att bestämma läget hos ett förpackningsmaterial med magnetiska markeringar |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59166812A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | Fanuc Ltd | 電動機の一回転検出方式 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP61247622A patent/JPH0690045B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63101786A (ja) | 1988-05-06 |
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