JPH068756B2 - 赤外線検出器 - Google Patents
赤外線検出器Info
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- JPH068756B2 JPH068756B2 JP60205174A JP20517485A JPH068756B2 JP H068756 B2 JPH068756 B2 JP H068756B2 JP 60205174 A JP60205174 A JP 60205174A JP 20517485 A JP20517485 A JP 20517485A JP H068756 B2 JPH068756 B2 JP H068756B2
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N15/00—Thermoelectric devices without a junction of dissimilar materials; Thermomagnetic devices, e.g. using the Nernst-Ettingshausen effect
- H10N15/10—Thermoelectric devices using thermal change of the dielectric constant, e.g. working above and below the Curie point
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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-
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- H01L2924/1615—Shape
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- Radiation Pyrometers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、気密封じされたハウジング内に焦電(パイロ
電気)検出素子を有する赤外線検出器に関するものであ
る。
電気)検出素子を有する赤外線検出器に関するものであ
る。
焦電検出素子を有する赤外線検出器は、焦電検出器と短
く呼ばれることが多い。焦電検出器は、例えば遠隔スイ
ッチングシステム、侵入警報および移動センサのような
種々の目的に用いられる。この種のセンサは、歩き回つ
たりまたは例えば手を振ってその身体の一部だけを動か
すと人間は自然に赤外線の移動源になるということによ
っている。人間が放射する赤外線は焦電検出器によつて
電気信号に変換され、この電気信号は例えば警報を作動
したりまたは光を点滅するのに用いられる。
く呼ばれることが多い。焦電検出器は、例えば遠隔スイ
ッチングシステム、侵入警報および移動センサのような
種々の目的に用いられる。この種のセンサは、歩き回つ
たりまたは例えば手を振ってその身体の一部だけを動か
すと人間は自然に赤外線の移動源になるということによ
っている。人間が放射する赤外線は焦電検出器によつて
電気信号に変換され、この電気信号は例えば警報を作動
したりまたは光を点滅するのに用いられる。
焦電検出素子は、周囲の影響をなくするために気密封じ
されたハウジング内に取付られるのが普通である。この
ハウジングは孔をそなえたブッシュを有し、このブッシ
ュは、検出すべき赤外線を通すシリコンのような材料の
窓で閉じられている。ブッシュの内側で孔を覆って窓を
固定した焦電検出器は、例えば本願人の英国特許出願第
2,133,615号およびその同時係属出願第8332264号に示さ
れている。けれどもこれ等両者の面倒な点は、窓を孔に
正確に位置させるということである。
されたハウジング内に取付られるのが普通である。この
ハウジングは孔をそなえたブッシュを有し、このブッシ
ュは、検出すべき赤外線を通すシリコンのような材料の
窓で閉じられている。ブッシュの内側で孔を覆って窓を
固定した焦電検出器は、例えば本願人の英国特許出願第
2,133,615号およびその同時係属出願第8332264号に示さ
れている。けれどもこれ等両者の面倒な点は、窓を孔に
正確に位置させるということである。
更に、窓を孔と合致した部分とブッシュの内側で孔の周
縁と接する広い部分とを有するように形成し、窓を正し
い位置に設ける工程を簡単にするようにしたものも公知
である。けれどもこの形の窓は赤外線検出器の製造の最
初の段階で孔に取付けねばならない。
縁と接する広い部分とを有するように形成し、窓を正し
い位置に設ける工程を簡単にするようにしたものも公知
である。けれどもこの形の窓は赤外線検出器の製造の最
初の段階で孔に取付けねばならない。
本発明によれば、気密封じされたハウジング内に焦電検
出素子を有するブッシュを有する赤外線検出器におい
て、検出すべき放射線を通すシリコンの窓が前記の孔を
閉じるように設けられ、この窓は、前記の孔と合致し且
つこの孔内に位置する第1部分と更にブッシュの外側の
第2の広い部分とを有し、この第2の広い部分は、前記
のフランジと接する周縁段部を形成する。
出素子を有するブッシュを有する赤外線検出器におい
て、検出すべき放射線を通すシリコンの窓が前記の孔を
閉じるように設けられ、この窓は、前記の孔と合致し且
つこの孔内に位置する第1部分と更にブッシュの外側の
第2の広い部分とを有し、この第2の広い部分は、前記
のフランジと接する周縁段部を形成する。
本発明の赤外線検出器は、窓はその広い第2の部分が孔
の外側に位置するので、検出器の製造の最終段階で取付
けることができ、製造の最終段階において窓を取付ける
前に、焦電検出素子が装置内に正しく位置されているか
を目で検査することが可能である。窓の広い部分が孔の
内側である構造では検出器の最初の製造段階で窓を既に
孔の内側に固定せねばならないので、製造の最終段階に
おいてシリコンの窓を通して目で検査することは不可能
である。
の外側に位置するので、検出器の製造の最終段階で取付
けることができ、製造の最終段階において窓を取付ける
前に、焦電検出素子が装置内に正しく位置されているか
を目で検査することが可能である。窓の広い部分が孔の
内側である構造では検出器の最初の製造段階で窓を既に
孔の内側に固定せねばならないので、製造の最終段階に
おいてシリコンの窓を通して目で検査することは不可能
である。
更に、シリコンは大きな屈折率を有するので、ブッシュ
のフランジの外側にある第2の広い部分に当った光線は
焦電素子に向けられ、広い部分が孔の内側にある場合に
くらべて赤外線検出器の視野が広くなるという利点があ
る。
のフランジの外側にある第2の広い部分に当った光線は
焦電素子に向けられ、広い部分が孔の内側にある場合に
くらべて赤外線検出器の視野が広くなるという利点があ
る。
以下本発明を添付の図面を参照して実施例によつて説明
する。
する。
図に示した焦電検出器は、ジルコン酸チタン酸鉛でドー
プされたランタンおよびマンガンのような焦電セラミッ
ク材料の焦電体2で形成された焦電検出素子1を有する
(前記材料の詳細については英国特許明細書GB1,504,28
3号を参照され度い)。前記の焦電体2(長さ2mm,巾
1mm,厚さ150μmのものでもよい)は、検出器が検出
する波長の赤外線を通す2つのニクロムの上方および下
方電極4a,4bの間に挟まれている。
プされたランタンおよびマンガンのような焦電セラミッ
ク材料の焦電体2で形成された焦電検出素子1を有する
(前記材料の詳細については英国特許明細書GB1,504,28
3号を参照され度い)。前記の焦電体2(長さ2mm,巾
1mm,厚さ150μmのものでもよい)は、検出器が検出
する波長の赤外線を通す2つのニクロムの上方および下
方電極4a,4bの間に挟まれている。
上方電極4aは、ワイヤボンド7によつて、例えば通常の
TO-5外形を有するものでよい密閉ハウジングのベース9
の表面8と接続されている。
TO-5外形を有するものでよい密閉ハウジングのベース9
の表面8と接続されている。
前記のハウジングは更に開放端円筒状ブッシュ20の形の
カバー部材を有し、公知のようにベース9のリムに固定
される。このハウジングは、排気するかまたは該ハウジ
ング内の検出器構成要素に対して比較的不活性な乾燥窒
素のようなガスを充填してもよい。
カバー部材を有し、公知のようにベース9のリムに固定
される。このハウジングは、排気するかまたは該ハウジ
ング内の検出器構成要素に対して比較的不活性な乾燥窒
素のようなガスを充填してもよい。
ブッシュ20は、端面の中央に配設された略々5mm平方の
孔10を有する。前記の端面はこの孔10を取囲む内向きの
フランジ17を有する。この孔10は窓18で塞がれるが、こ
の窓は、略1から15μmの波長範囲の赤外線を通すシリ
コンよりつくられる。
孔10を有する。前記の端面はこの孔10を取囲む内向きの
フランジ17を有する。この孔10は窓18で塞がれるが、こ
の窓は、略1から15μmの波長範囲の赤外線を通すシリ
コンよりつくられる。
前記の窓18は、略々5mm平方で、前記の孔10に嵌められ
る下方の第1部分18aを有する。窓18はまた周縁段部18
cを形成する広い上方の第2部分18bを有する。前記の
段部18cは横方向に略々0.5mm突出し、ブッシュ20のフ
ランジ17と接する。前記の窓の全体の厚さは略々1mm
で、第2部分18bと第1部分18aに等分されている。こ
の窓は、段部18cの下面とフランジ17の上面間および窓
の第1部分18aとフランジ17の対向面間に施された接着
剤によつてフランジ17と固着される。
る下方の第1部分18aを有する。窓18はまた周縁段部18
cを形成する広い上方の第2部分18bを有する。前記の
段部18cは横方向に略々0.5mm突出し、ブッシュ20のフ
ランジ17と接する。前記の窓の全体の厚さは略々1mm
で、第2部分18bと第1部分18aに等分されている。こ
の窓は、段部18cの下面とフランジ17の上面間および窓
の第1部分18aとフランジ17の対向面間に施された接着
剤によつてフランジ17と固着される。
3つのリード11a,11b,11cが外部接続のためハウジン
グのベース9より延在している。2つのリード11a,11b
は、ベース9を貫通して表面8より突出した端子(図示
せず)に形成し、一方第3のリード11cは、表面8した
がって検出素子の上方電極4aとも導電的に接続されてい
る。
グのベース9より延在している。2つのリード11a,11b
は、ベース9を貫通して表面8より突出した端子(図示
せず)に形成し、一方第3のリード11cは、表面8した
がって検出素子の上方電極4aとも導電的に接続されてい
る。
検出素子1は、2つの同じ高さの支柱12,13によつてベ
ース9より離されて該ベース上方に支持されている。絶
縁性である支柱12は、高密度セラミックのようなセラミ
ック製のものでよく、その上端と下端に夫々絶縁性接着
剤14a,14bを用いて検出素子1とベース9の表面の間に
固着される。導電性である支柱13は、導電材料または代
りにアルミナのような絶縁材料に例えば金を被覆したも
のより成るものでもよい。支柱13の上端は、導電性接着
剤15aによつて検出素子1の下方電極4bに固着され、下
端は絶縁性接着剤15bによつてベース9の表面8に固着
される。ここで使用される導電性接着剤は、米国のアブ
レステイック ラボラトリーズ(ablestick labratorie
s)より出されているablebond 36/2(商標)でよく、非
導電性接着剤は普通のエポキシ接着剤でよい。
ース9より離されて該ベース上方に支持されている。絶
縁性である支柱12は、高密度セラミックのようなセラミ
ック製のものでよく、その上端と下端に夫々絶縁性接着
剤14a,14bを用いて検出素子1とベース9の表面の間に
固着される。導電性である支柱13は、導電材料または代
りにアルミナのような絶縁材料に例えば金を被覆したも
のより成るものでもよい。支柱13の上端は、導電性接着
剤15aによつて検出素子1の下方電極4bに固着され、下
端は絶縁性接着剤15bによつてベース9の表面8に固着
される。ここで使用される導電性接着剤は、米国のアブ
レステイック ラボラトリーズ(ablestick labratorie
s)より出されているablebond 36/2(商標)でよく、非
導電性接着剤は普通のエポキシ接着剤でよい。
第1図に線図的に示したように、検出素子1の下方電極
4bは支柱13を経て電界効果トランジスタTのゲートに接
続される。逆並列の2つのダイオードD1とD2が前記のト
ランジスタTのゲートとリード11c(表面8と経て)の
間に接続され、該トランジスタTに対するゲート漏洩路
を形成する。前記のトランジスタTのソースとドレイン
は、前述したように表面8上方に突出する端子(図示せ
ず)を経てリード11aと11bに接続される。トランジス
タTとダイオードD1,D2とを有する回路は、例えば、プ
ラスチックに封止されたマイクロミニチュアパッケージ
のようなカプセル封じパッケージ16内に含まれた単一の
半導体チップに形成してもよい。
4bは支柱13を経て電界効果トランジスタTのゲートに接
続される。逆並列の2つのダイオードD1とD2が前記のト
ランジスタTのゲートとリード11c(表面8と経て)の
間に接続され、該トランジスタTに対するゲート漏洩路
を形成する。前記のトランジスタTのソースとドレイン
は、前述したように表面8上方に突出する端子(図示せ
ず)を経てリード11aと11bに接続される。トランジス
タTとダイオードD1,D2とを有する回路は、例えば、プ
ラスチックに封止されたマイクロミニチュアパッケージ
のようなカプセル封じパッケージ16内に含まれた単一の
半導体チップに形成してもよい。
図は本発明の赤外線検出器の一部断面図である。 1…焦電検出素子、 9…ベース 10…孔 17…フランジ 18…窓 18a…第1部分 18b…第2部分 18c…段部
Claims (1)
- 【請求項1】気密封じされたハウジング内に焦電検出素
子を有し、このハウジングは孔(10)と該孔を取囲む内向
きのフランジ(17)を有するブッシュ(20)を有する赤外線
検出器において、検出すべき放射線を通すシリコンの窓
(18)が前記の孔を閉じるように設けられ、この窓は、前
記の孔と合致し且つこの孔内に位置する第1部分(18a)
と更にブッシュの外側の第2の広い部分(18b)とを有
し、この第2の広い部分は、前記のフランジと接する周
縁段部(18c)を形成することを特長とする赤外線検出
器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB08423689A GB2164789B (en) | 1984-09-19 | 1984-09-19 | Pyroelectric infra-red detector |
GB8423689 | 1984-09-19 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6179125A JPS6179125A (ja) | 1986-04-22 |
JPH068756B2 true JPH068756B2 (ja) | 1994-02-02 |
Family
ID=10566948
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60205174A Expired - Lifetime JPH068756B2 (ja) | 1984-09-19 | 1985-09-17 | 赤外線検出器 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4803360A (ja) |
EP (1) | EP0175418B1 (ja) |
JP (1) | JPH068756B2 (ja) |
CA (1) | CA1255374A (ja) |
DE (1) | DE3574497D1 (ja) |
GB (1) | GB2164789B (ja) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5450053A (en) * | 1985-09-30 | 1995-09-12 | Honeywell Inc. | Use of vanadium oxide in microbolometer sensors |
US5300915A (en) * | 1986-07-16 | 1994-04-05 | Honeywell Inc. | Thermal sensor |
GB2215513B (en) * | 1988-03-02 | 1991-02-06 | Philips Electronic Associated | Pyroelectric infra-red detectors and their method of manufacture |
JPH0631387Y2 (ja) * | 1988-04-13 | 1994-08-22 | 呉羽化学工業株式会社 | 焦電型赤外線センサ |
US4914296A (en) * | 1988-04-21 | 1990-04-03 | The Boeing Company | Infrared converter |
US5286976A (en) * | 1988-11-07 | 1994-02-15 | Honeywell Inc. | Microstructure design for high IR sensitivity |
EP0384409B1 (en) * | 1989-02-20 | 1994-10-19 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Infrared sensor comprising a liquid crystal chopper |
US5323025A (en) * | 1989-05-18 | 1994-06-21 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Pyroelectric IR-sensor having a low thermal conductive ceramic substrate |
JPH0799368A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-11 | Mitsubishi Electric Corp | 光半導体装置 |
US5408525A (en) | 1994-05-24 | 1995-04-18 | General Instrument Corporation Of Delaware | Diverter interface between two telecommunication lines and a station set |
JP3209034B2 (ja) * | 1995-04-06 | 2001-09-17 | 株式会社村田製作所 | 赤外線検出器の製造方法 |
US5914488A (en) * | 1996-03-05 | 1999-06-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Infrared detector |
DE19835335C1 (de) * | 1998-08-05 | 1999-11-25 | Draeger Sicherheitstech Gmbh | Infrarotoptischer Gassensor |
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