JPH0686398A - トランデューサ装置 - Google Patents

トランデューサ装置

Info

Publication number
JPH0686398A
JPH0686398A JP4353768A JP35376892A JPH0686398A JP H0686398 A JPH0686398 A JP H0686398A JP 4353768 A JP4353768 A JP 4353768A JP 35376892 A JP35376892 A JP 35376892A JP H0686398 A JPH0686398 A JP H0686398A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
back plate
electret
metal
transducer
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4353768A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2837600B2 (ja
Inventor
Gary W Elko
ウェイン エルコ ゲリー
Michael M Goodwin
マーク グッドウィン マイケル
Robert A Kubli
アルフレッド カブリ ロバート
James E West
エドワード ウェスト ジェームス
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
AT&T Corp
Original Assignee
American Telephone and Telegraph Co Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by American Telephone and Telegraph Co Inc filed Critical American Telephone and Telegraph Co Inc
Publication of JPH0686398A publication Critical patent/JPH0686398A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2837600B2 publication Critical patent/JP2837600B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R1/00—Details of transducers, loudspeakers or microphones
    • H04R1/20—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics
    • H04R1/32—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only
    • H04R1/40—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only by combining a number of identical transducers
    • H04R1/406—Arrangements for obtaining desired frequency or directional characteristics for obtaining desired directional characteristic only by combining a number of identical transducers microphones
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04R—LOUDSPEAKERS, MICROPHONES, GRAMOPHONE PICK-UPS OR LIKE ACOUSTIC ELECTROMECHANICAL TRANSDUCERS; DEAF-AID SETS; PUBLIC ADDRESS SYSTEMS
    • H04R19/00—Electrostatic transducers
    • H04R19/01—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets
    • H04R19/016—Electrostatic transducers characterised by the use of electrets for microphones

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Otolaryngology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 方向性、応答特性のよい音響トランデューサ
アレイを提供することである。 【構成】 本発明のトランデューサ装置は、静電気的に
チャージされた絶縁材料層２５と、この絶縁材料層２５
に接触する金属層２１とを有するエレクトレットフォイ
ル２０を有し、前記金属層２１は、複数の領域２２を有
し、この領域２２がトランデューサの活性領域を規定す
ることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、エレクトレットトラン
デューサアレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】個別のマイクロホントランデューサから
なる音響アレイは、方向性応答特性を生成するのに用い
られる。このような特性のアレイは、特に、騒音環境下
で用いられ、検知されるべき音源と雑音とを方向的に区
別するものである。好ましい方向性応答特性を提供する
ために、アレイの中のマイクロホントランデューサの
数、形状、配置場所が応用ごとに大きく変わる。非標準
の形状と大きさのトランデューサを製造することは高価
で、さらに製造上のばらつき、不正確な配置により、そ
のようなアレイの応答特性が非常に悪化する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、標準
的な製造方法で方向性、応答特性のよい音響トランデュ
ーサアレイを提供することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する為
に、本発明のトランデューサ装置は、静電気的にチャー
ジされた絶縁材料層２５と、この絶縁材料層２５に接触
する金属層２１とを有するエレクトレットフォイル２０
を有し、前記金属層２１は、複数の領域２２を有し、こ
の領域２２がトランデューサの活性領域を規定すること
を特徴とする。
【０００５】
【実施例】図１に本発明のエレクトレットトランデュー
サアレイ１０が図示されている。このエレクトレットト
ランデューサアレイ１０は、エレクトレットフォイル２
０とバックプレート３０とを有する。このエレクトレッ
トフォイル２０はフレキシブルなものである。このエレ
クトレットフォイル２０は金属層２１（例、アルミ）と
合成ポリマ層２５（例、ＰＴＦＥ ＴＥＦＬＯＮ）とを
有する。この金属層２１は、例えば、２０００オングス
トロームの厚さで、合成ポリマ層２５は、例えば、２−
１００ミクロンの厚さである。この合成ポリマ層２５
は、例えば、−３００ボルトの所定の値に永久チャージ
（エレクトレット）されている。このチャージは図では
（」マイナスサイン」）として示され、負の静電チャー
ジとして示されている。バックプレート３０とエレクト
レットフォイル２０の金属層２１には正の静電チャージ
が掛かっており、図ではプラスとして示されている。
【０００６】バックプレート３０は多孔質で、焼結アル
ミのような焼結金属である。この焼結金属を使用するこ
とにより、バックプレート３０を貫通して、たくさんの
空気チャンネルを有する金属表面３１が形成できる。こ
のバックプレート３０は大気中、または空孔に開いてお
り、その全体音響インピーダンスは低い（空気のそれに
ほぼ等しい）。この低音響インピーダンスに広いエレク
トレットフォイル転位（ｄｉｓｐｌａｃｅｍｅｎｔ）を
提供し、それによりトランデューサの感度が向上する。
焼結金属製のバックプレート３０は、差動エレクトレッ
トトランデューサアレイの製造に適している。
【０００７】この金属表面３１は、エレクトレットフォ
イル２０のチャージされた合成ポリマ層２５と直接接触
している。エレクトレットフォイル２０はそれ自身とバ
ックプレート３０との間の静電力により、その場所に保
持される。あるいは適当な機械的手段により、端部をク
ランプする。あるいは接着剤により接着してもよい。こ
の金属表面３１とバックプレート３０のエアチャンネル
は、バックプレート３０とエレクトレットフォイル２０
との間のコンプライアンスを提供する。
【０００８】バックプレート３０の厚さによって剛性を
高めるために、金属スクリーン３５をバックプレート３
０に接合するのが好ましい。このバックプレート３０と
同様に金属スクリーン３５（多孔質金属）は低音響イン
ピーダンスを提供する。バックプレート３０は焼結金属
以外の材料でも構成される。例えば、金属化された金属
表面３１を有する多孔質非金属材料である。この金属化
された表面は、エレクトレットトランデューサアレイ１
０のトランデューサに対し、共通の電極として機能す
る。
【０００９】エレクトレットフォイル２０（特に金属層
２１）に関し、複数の円形領域２２と金属層のバランス
２３とは、互いに電気的に非接触である。これらの円形
領域２２は、エレクトレットトランデューサアレイ１０
の個別のエレクトレットトランデューサの活性領域の形
状、大きさ、その配置場所を規定する。トランデューサ
の円形領域２２は、電気−音変換領域となる。さらに、
円形領域２２は、個別のエレクトレットトランデューサ
に対し、電極としても機能する。
【００１０】円形領域２２は、エレクトレットフォイル
２０から金属層２１を選択的に除去することにより形成
され、所望の形状、大きさ、その配置場所を有するトラ
ンデューサを形成する。この実施例において、金属層２
１を選択的に除去することにより円形領域２２が形成さ
れる。円形領域２２を形成するために、エレクトレット
フォイル２０から金属層２１を選択的に除去する方法
は、金属層２１のアルミを溶解するに適切な濃度の水酸
化ナトリウムの溶液（ＮａＯＨ）のような化学反応剤を
用いて、金属をエッチング、あるいは溶解することによ
り行われる。この反応剤は、エレクトレットフォイル２
０の金属層２１の上に反応剤の塗布の量を制御できる吸
収アプリケータ（例、コットンモップ）により塗布され
る。
【００１１】円形領域２２は、バックプレート３０の上
にチャージし、搭載する前に、エレクトレットフォイル
２０の上に予め形成しておくこともできる。これは合成
ポリマ層２５を選択的に金属化してエレクトレットフォ
イル２０を形成する。この選択的金属化は、従来の金属
堆積技術（マスキング、蒸着、スパッタリング）により
行われて、所望の大きさ、形状、配置場所を有する円形
領域２２を形成する。所定の領域に選択的にチャージさ
れた（両極性、あるいは単極性）ポリマ層を有する連続
的電極フォイルも使用することができる。
【００１２】トランデューサの形状を規定する円形領域
２２と同様、エレクトレットトランデューサアレイ１０
も如何なる大きさ、形状のものも形成できる。例えば、
本発明は従来の形状、あるいは三次元形状に適合したカ
ーブしたトランデューサアレイも提供できる。金属リー
ド２２’は円形領域２２に接合される。また、金属リー
ド３２がバックプレート３０に結合され、このバックプ
レート３０は、例えば、共通接地リードのようなトラン
デューサアレイの共通リードとして機能する。金属リー
ド２２’と３２は、この図ではワイヤであるが、如何な
るエッチングされた金属領域でも良い。このリード線に
より入力した音響信号に応答して、各トランデューサで
生成された電気信号が増幅器、あるいは他の装置に流さ
れる。
【００１３】異なる種類のエレクトレットトランデュー
サアレイ５０の実施例が図２に示されている。この実施
例は図１と同様であり、焼結金属プレート４０が、空気
ギャップ４６を介して金属層２１の上に配置され、この
焼結金属プレート４０の他面には、金属スクリーン４５
が配置される。焼結金属プレート４０と金属スクリーン
４５とを使用することにより、浮遊電磁フィールドの影
響を遮断しようとするものである。焼結金属プレート４
０と金属スクリーン４５とは、エレクトレットトランデ
ューサアレイ５０の上の何れかの側に入力した音響信号
に、関連する物理的影響を対称的にしようとするもので
ある。この実施例において、バックプレート３０と焼結
金属プレート４０とは電気的に接続されて設置されてい
る。金属スクリーン３５、金属スクリーン４５、バック
プレート３０、焼結金属プレート４０、エレクトレット
フォイル２０により形成されたサンドイッチ構造は、機
械的に、例えば、コネクタ（図示せず）により結合され
る。
【００１４】さらに、別のエレクトレットトランデュー
サアレイ６０、７０が、図３、４にそれぞれ図示されて
いる。図３において、エレクトレットフォイル２０から
金属層２１を選択的に除去することにより形成される活
性トランデューサ領域は環状領域６２、６３を有する。
この領域に金属リード６２’、６３’が結合される。図
４において、エレクトレットフォイル２０から金属層２
１を選択的に除去することにより形成された活性トラン
デューサ領域は半環状領域７２、７３を有し、各領域は
円管の半分の形状をしている。金属リード７２’、７
３’が、またこれらの領域に接続されている。上述した
実施例においては、アレイはエレクトレットフォイルの
層で形成されており、このフォイルのポリマ層がバック
プレートの荒い表面に接触している。これらの実施例に
加えて、本発明は図５に示されたようなエレクトレット
トランデューサ構造でもって形成されたアレイにも適用
できる。
【００１５】図５は本発明のエレクトレットトランデュ
ーサアレイ１００の断面図である。エレクトレットフォ
イル８０は、金属層８１と薄ミラー（mylar）層８２
（２−２００ミクロン）の層を有する。金属層８１から
金属が選択的に除去され、エレクトレットトランデュー
サの活性領域の大きさ、形状、配置場所を規定する個別
の電極（図示せず）を形成する。バックプレート９０は
焼結金属製である。このバックプレート９０に薄い（２
５ミクロン）多孔質ポリマ層９１が接着され、この多孔
質ポリマ層９１がチャージされている。バックプレート
９０と多孔質ポリマ層９１と組み合わせることにより、
その結合領域にたくさんの空気チャンネルが形成され、
この空気チャンネルは多孔質ポリマ層９１の荒い表面上
に開口している。多孔質ポリマ層９１は、バックプレー
ト９０に薄いポリマ層を塗布し、バックプレート９０の
反対側に高真空をかけることにより、バックプレート９
０を貫通する空気チャンネルを形成する。薄ミラー（my
lar）層８２はバックプレート９０の荒い表面と接触し
ている。この実施例において、バックプレート９０はエ
レクトレットトランデューサアレイ１００の共通電極と
して機能し、金属層８１の個別の領域は各トランデュー
サの反対極性の電極として機能する。
【００１６】
【発明の効果】以上述べたごとく、本発明によれば、如
何なる形状のトランデューサアレイも形成することがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のトランデューサアレイの斜視図であ
る。
【図２】本発明の差動エレクトレットトランデューサア
レイの一実施例を示す図である。
【図３】環状のトランデューサアレイを示す図である。
【図４】半環状のトランデューサアレイを示す図であ
る。
【図５】本発明のエレクトレットトランデューサアレイ
の他の実施例の断面図である。
【符号の説明】
１０ エレクトレットトランデューサアレイ ２０ エレクトレットフォイル ２１ 金属層 ２２ 円形領域 ２２’金属リード ２３ バランス ２５ 合成ポリマ層 ３０ バックプレート ３１ 金属表面 ３２ 金属リード ３５ 金属スクリーン ４０ 焼結金属プレート ４５ 金属スクリーン ４６ 空気ギャップ ５０ エレクトレットトランデューサアレイ ６０ エレクトレットトランデューサアレイ ６２、６３ 環状領域 ６２’、６３’ 金属リード ７０ エレクトレットトランデューサアレイ ７２、７３ 半環状領域 ７２’、７３’ 金属リード ８０ エレクトレットフォイル ８１ 金属層 ８２ 薄ミラー（mylar）層 ９０ バックプレート ９１ 多孔質ポリマ層 １００ エレクトレットトランデューサアレイ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲリー ウェイン エルコ アメリカ合衆国 07901 ニュージャージ ー サミット、アッシュランド ロード 315 (72)発明者 マイケル マーク グッドウィン アメリカ合衆国 32780 フロリダ ティ トスヴィル、ラ メサ コート 1205 (72)発明者 ロバート アルフレッド カブリ アメリカ合衆国 08848 ニュージャージ ー ミルフォード、リック ロード 286 (72)発明者 ジェームス エドワード ウェスト アメリカ合衆国 07060 ニュージャージ ー プレインフィールド、パークサイド ロード 510

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁材料層（２５）と、この絶縁材料層
    （２５）に接触する金属層（２１）とを有するエレクト
    レットフォイル（２０）を有するトランデューサ装置に
    おいて、 前記金属層（２１）は、複数の領域（２２）を有し、 この領域（２２）がトランデューサの活性領域を規定す
    ることを特徴とするトランデューサ装置。
  2. 【請求項２】 荒い金属表面（３１）を有する第１バッ
    クプレート（３０）と、前記第１バックプレートと所定
    の位置関係に配置されたエレクトレットフォイル（２
    ０）とを有するトランデューサ装置において、 前記エレクトレットフォイルは絶縁材料層（２５）と、 この絶縁材料層（２５）に接触する金属層（２１）と
    を有し、 前記金属層（２１）は、複数の領域（２２）を有し、 この領域（２２）がトランデューサの活性領域を規定す
    ることを特徴とするトランデューサ装置。
  3. 【請求項３】 前記絶縁材料層は、静電気的にチャージ
    されていることを特徴とする請求項１または２の装置。
  4. 【請求項４】 前記エレクトレットフォイル（２０）
    は、絶縁材料層（２５）が第１バックプレート（３０）
    の金属層に接触するよう配置されることを特徴とする請
    求項２の装置。
  5. 【請求項５】 前記絶縁材料層と前記第１バックプレー
    トの金属表面との間に空気ギャップが存在することを特
    徴とする請求項４の装置。
  6. 【請求項６】 静電気的にチャージされている絶縁材料
    が、前記第１バックプレートに形成されることを特徴と
    する請求項２の装置。
  7. 【請求項７】 前記第１バックプレートに電気的に接続
    された第２バックプレート（４０）をさらに有し、 前記エレクトレットフォイル（２０）は第１バックプレ
    ート（３０）と第２バックプレート（４０）との間に配
    置されることを特徴とする請求項２の装置。
  8. 【請求項８】 スクリーン（４５）が第２バックプレー
    ト（４０）に接合されていることを特徴とする請求項２
    の装置。
  9. 【請求項９】 荒い金属表面（３１）を有するバックプ
    レート（３０）と、前記バックプレートと所定の位置関
    係に配置されたエレクトレットフォイル（２０）とを有
    するトランデューサ装置において、 前記エレクトレットフォイルは、 複数の領域（２２）で第１極性で選択的にチャージされ
    た絶縁材料層（２５）と、 金属層（２１）と を有することを特徴とするトランデ
    ューサ装置。
  10. 【請求項１０】 前記バックプレートは、選択的にチャ
    ージされた絶縁材料層（９１）を有し、前記エレクトレ
    ットフォイル（８０）は前記絶縁材料層と接触して配置
    されることを特徴とする請求項９の装置。
  11. 【請求項１１】 荒い金属表面（３１）を有する第１バ
    ックプレート（３０）と、前記第１バックプレートと所
    定の位置関係に配置されたエレクトレットフォイル（２
    ０）とを有するトランデューサ装置において、 静電気的にチャージされた絶縁材料層（２５）と、 金属層（２１）と を有し、 前記金属層（２１）は、複数の領域（２２）を有し、 この領域（２２）がトランデューサの活性領域を規定す
    る前記エレクトレットフォイル（２０）は、絶縁材料層
    （２５）が第１バックプレート（３０）の金属表面と接
    触し、エレクトレットフォイル（２０）と第１バックプ
    レートとの間にかかる静電気力に保持されることを特徴
    とするトランデューサ装置。
JP4353768A 1991-12-23 1992-12-15 トランスデューサ装置 Expired - Lifetime JP2837600B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/812,774 US5388163A (en) 1991-12-23 1991-12-23 Electret transducer array and fabrication technique
US812774 1991-12-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0686398A true JPH0686398A (ja) 1994-03-25
JP2837600B2 JP2837600B2 (ja) 1998-12-16

Family

ID=25210589

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4353768A Expired - Lifetime JP2837600B2 (ja) 1991-12-23 1992-12-15 トランスデューサ装置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5388163A (ja)
EP (1) EP0549200B1 (ja)
JP (1) JP2837600B2 (ja)
CA (1) CA2081038C (ja)
DE (1) DE69218744T2 (ja)
ES (1) ES2099225T3 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036387A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Star Micronics Co Ltd マイクロホンアレー
KR101329373B1 (ko) * 2009-04-16 2013-11-14 노키아 코포레이션 음파를 전기 신호로 변환하는 장치 및 방법

Families Citing this family (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5872855A (en) * 1995-03-22 1999-02-16 Chain Reactions, Inc. Multiple voice coil, multiple function loudspeaker
US6413410B1 (en) 1996-06-19 2002-07-02 Lifescan, Inc. Electrochemical cell
US6863801B2 (en) * 1995-11-16 2005-03-08 Lifescan, Inc. Electrochemical cell
AUPN661995A0 (en) 1995-11-16 1995-12-07 Memtec America Corporation Electrochemical cell 2
FI116873B (fi) * 1996-02-26 2006-03-15 Panphonics Oy Akustinen elementti ja menetelmä äänen käsittelemiseksi
EP1596629A3 (en) * 1996-05-24 2011-09-21 S. George Lesinski Electronic module for implantable hearing aid
US5913826A (en) * 1996-06-12 1999-06-22 K-One Technologies Wideband external pulse cardiac monitor
US6304662B1 (en) * 1998-01-07 2001-10-16 American Technology Corporation Sonic emitter with foam stator
US20050244016A1 (en) * 1997-03-17 2005-11-03 American Technology Corporation Parametric loudspeaker with electro-acoustical diaphragm transducer
US5862239A (en) * 1997-04-03 1999-01-19 Lucent Technologies Inc. Directional capacitor microphone system
JP2002534933A (ja) * 1999-01-07 2002-10-15 サーノフ コーポレイション プリント回路基板を有する大型ダイアフラムマイクロフォン素子を備えた補聴器
US7003127B1 (en) 1999-01-07 2006-02-21 Sarnoff Corporation Hearing aid with large diaphragm microphone element including a printed circuit board
US7785699B1 (en) * 2000-09-06 2010-08-31 Ward Calvin B Electrostatically charged porous water-impermeable absorbent laminate for protecting work surfaces from contamination
US20020080684A1 (en) * 2000-11-16 2002-06-27 Dimitri Donskoy Large aperture vibration and acoustic sensor
US6847090B2 (en) * 2001-01-24 2005-01-25 Knowles Electronics, Llc Silicon capacitive microphone
US6937735B2 (en) * 2001-04-18 2005-08-30 SonionMicrotronic Néderland B.V. Microphone for a listening device having a reduced humidity coefficient
JP4697763B2 (ja) * 2001-07-31 2011-06-08 パナソニック株式会社 コンデンサマイクロホン
EP1298795A3 (en) * 2001-09-27 2004-05-06 Kabushiki Kaisha Toshiba Variable gain amplifier
US7065224B2 (en) * 2001-09-28 2006-06-20 Sonionmicrotronic Nederland B.V. Microphone for a hearing aid or listening device with improved internal damping and foreign material protection
KR100955587B1 (ko) * 2001-10-10 2010-04-30 라이프스캔, 인코포레이티드 전기화학 전지
US8147544B2 (en) * 2001-10-30 2012-04-03 Otokinetics Inc. Therapeutic appliance for cochlea
US7415121B2 (en) * 2004-10-29 2008-08-19 Sonion Nederland B.V. Microphone with internal damping
US8130979B2 (en) * 2005-08-23 2012-03-06 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US8477983B2 (en) * 2005-08-23 2013-07-02 Analog Devices, Inc. Multi-microphone system
US8351632B2 (en) * 2005-08-23 2013-01-08 Analog Devices, Inc. Noise mitigating microphone system and method
US8529751B2 (en) 2006-03-31 2013-09-10 Lifescan, Inc. Systems and methods for discriminating control solution from a physiological sample
US20090307594A1 (en) * 2006-05-12 2009-12-10 Timo Kosonen Adaptive User Interface
EP2009950A1 (de) * 2007-06-28 2008-12-31 Lyttron Technologies GmbH Elektrostatischer Folienschallwandler und Verfahren zu dessen Herstellung
US8778168B2 (en) * 2007-09-28 2014-07-15 Lifescan, Inc. Systems and methods of discriminating control solution from a physiological sample
US8097674B2 (en) * 2007-12-31 2012-01-17 Bridgestone Corporation Amino alkoxy-modified silsesquioxanes in silica-filled rubber with low volatile organic chemical evolution
US8603768B2 (en) 2008-01-17 2013-12-10 Lifescan, Inc. System and method for measuring an analyte in a sample
US8551320B2 (en) 2008-06-09 2013-10-08 Lifescan, Inc. System and method for measuring an analyte in a sample
TW201204062A (en) * 2010-07-15 2012-01-16 Taiwan Electrets Electronics Co Ltd Electrostatic speaker and manufacturing method thereof and conducting plate of the speaker
JP5872163B2 (ja) 2011-01-07 2016-03-01 オムロン株式会社 音響トランスデューサ、および該音響トランスデューサを利用したマイクロフォン
US9380380B2 (en) 2011-01-07 2016-06-28 Stmicroelectronics S.R.L. Acoustic transducer and interface circuit
WO2015075432A1 (en) * 2013-11-19 2015-05-28 Mellow Acoustics Limited Loudspeakers and loudspeaker drive circuits
CN104058364B (zh) * 2014-06-13 2016-03-23 杭州电子科技大学 一种图形化薄膜驻极体的制备方法
CN110164693B (zh) * 2018-02-12 2022-02-11 北京纳米能源与***研究所 驻极电极及其制备方法、驻极装置
US11425507B2 (en) * 2018-08-08 2022-08-23 Graphaudio Inc. High volume manufacturing of micro electrostatic transducers

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419172A (en) * 1977-07-14 1979-02-13 Shindo Denshi Kougiyou Kk Method of making flexible throughhhole print wire substrate
JPS5440823U (ja) * 1977-08-26 1979-03-17
JPS5650408A (en) * 1979-10-01 1981-05-07 Iwatani & Co Fluid microquantifying and supplying method
US4429190A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Continuous strip electret transducer array

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL281549A (ja) * 1961-09-25
US3644605A (en) * 1969-02-11 1972-02-22 Bell Telephone Labor Inc Method for producing permanent electret charges in dielectric materials
US3652932A (en) * 1970-07-30 1972-03-28 Bell Telephone Labor Inc Method and apparatus for measurement of surface charge of an electret
US3705312A (en) * 1970-11-02 1972-12-05 Bell Telephone Labor Inc Preparation of electret transducer elements by application of controlled breakdown electric field
US3663768A (en) * 1971-01-15 1972-05-16 Northern Electric Co Electret transducer
US3859477A (en) * 1971-06-24 1975-01-07 Tesla Np Electrostatic transducer
CH571038A5 (ja) * 1972-07-24 1975-12-31 Bbc Brown Boveri & Cie
US3892927A (en) * 1973-09-04 1975-07-01 Theodore Lindenberg Full range electrostatic loudspeaker for audio frequencies
US4056742A (en) * 1976-04-30 1977-11-01 Tibbetts Industries, Inc. Transducer having piezoelectric film arranged with alternating curvatures
US4339683A (en) * 1980-02-04 1982-07-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electrical connection
US4413161A (en) * 1980-02-09 1983-11-01 Nippon Gakki Seizo Kabushiki Kaisha Electro-acoustic transducer
US4429189A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electret transducer with a selectively metalized backplate
US4429193A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electret transducer with variable effective air gap
US4429192A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electret transducer with variable electret foil thickness
US4434327A (en) * 1981-11-20 1984-02-28 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electret transducer with variable actual air gap
US4429191A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Electret transducer with variably charged electret foil
US4468530A (en) * 1982-01-25 1984-08-28 Torgeson W Lee Loudspeaker system
DE3232772C1 (de) * 1982-09-03 1983-12-22 Rolf Dr.-Ing. 6056 Heusenstamm Zahn Elektrostatischer Wandler nach dem Elektretprinzip
US4509527A (en) * 1983-04-08 1985-04-09 Timex Medical Products Corporation Cardio-respiration transducer
SE440581B (sv) * 1983-12-22 1985-08-05 Ericsson Telefon Ab L M Forfarande for framstellning av elektroakustiska omvandlare med slutet resonansrum, foretredesvis mikrofoner, samt elektroakustisk omvandlare framstelld enligt forfarandet
US4653606A (en) * 1985-03-22 1987-03-31 American Telephone And Telegraph Company Electroacoustic device with broad frequency range directional response
JPS62155700A (ja) * 1985-12-27 1987-07-10 Sony Corp 音響振動板
US4852177A (en) * 1986-08-28 1989-07-25 Sensesonics, Inc. High fidelity earphone and hearing aid
US4802227A (en) * 1987-04-03 1989-01-31 American Telephone And Telegraph Company Noise reduction processing arrangement for microphone arrays
JP2710779B2 (ja) * 1987-06-03 1998-02-10 株式会社クラレ 高分子液晶化合物への電場印加方法
JP2651383B2 (ja) * 1989-03-14 1997-09-10 パイオニア株式会社 指向性を有するスピーカ装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5419172A (en) * 1977-07-14 1979-02-13 Shindo Denshi Kougiyou Kk Method of making flexible throughhhole print wire substrate
JPS5440823U (ja) * 1977-08-26 1979-03-17
JPS5650408A (en) * 1979-10-01 1981-05-07 Iwatani & Co Fluid microquantifying and supplying method
US4429190A (en) * 1981-11-20 1984-01-31 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Continuous strip electret transducer array

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007036387A (ja) * 2005-07-22 2007-02-08 Star Micronics Co Ltd マイクロホンアレー
KR101329373B1 (ko) * 2009-04-16 2013-11-14 노키아 코포레이션 음파를 전기 신호로 변환하는 장치 및 방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP0549200B1 (en) 1997-04-02
US5388163A (en) 1995-02-07
EP0549200A1 (en) 1993-06-30
JP2837600B2 (ja) 1998-12-16
DE69218744T2 (de) 1997-07-10
CA2081038A1 (en) 1993-06-24
CA2081038C (en) 1997-12-09
ES2099225T3 (es) 1997-05-16
DE69218744D1 (de) 1997-05-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2837600B2 (ja) トランスデューサ装置
US7400737B2 (en) Miniature condenser microphone and fabrication method therefor
EP0107843B1 (en) Acceleration vibration detector
US8045735B2 (en) Ultrasonic transducer and ultrasonic speaker using the same
JP2003509984A (ja) エラーキャンセレーションを有するｍｅｍｓデジタル−音響トランスデューサ
JP2003032797A (ja) エレクトレットアッセンブリが端カバーに設けられた円筒形マイクロホン
EP3672277B1 (en) Miniature speaker with multiple sound cavities
JPH02149199A (ja) エレクトレットコンデンサマイクロホン
KR19990064236A (ko) 압전 변환기
JP2004201291A (ja) マイクロホン
GB2044583A (en) Capacitor microphones
WO2018197836A1 (en) Mems device and process
US20090316937A1 (en) Monolithic micro magnetic device
JPS62149299A (ja) アレイ型超音波トランスデユ−サ
JPS6411000B2 (ja)
KR20010069463A (ko) 양면전극을 갖는 폴리비닐리덴플루오라이드(ｐｖｄｆ)압전 박막형 마이크로폰 및 평판 스피커
JPS5928799A (ja) 静電形変換器
JP2003153395A (ja) 電気音響変換器
JP2021158544A (ja) コンデンサ及びマイクロフォン
JP2001095091A (ja) 複合型イヤホン
JPS626400B2 (ja)
JP3938272B2 (ja) エレクトレットコンデンサマイクロホン
JPH0323757Y2 (ja)
JP2007104371A (ja) 静電型超音波トランスデューサ
JPH0329498A (ja) 超音波トランスジューサ実装筐体および実装方法

Legal Events

Date Code Title Description
R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081009

Year of fee payment: 10

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091009

Year of fee payment: 11

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101009

Year of fee payment: 12

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111009

Year of fee payment: 13

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121009

Year of fee payment: 14

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 15

EXPY Cancellation because of completion of term
FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131009

Year of fee payment: 15