JPH0685486A - 電磁波遮蔽体 - Google Patents
電磁波遮蔽体Info
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- JPH0685486A JPH0685486A JP25717092A JP25717092A JPH0685486A JP H0685486 A JPH0685486 A JP H0685486A JP 25717092 A JP25717092 A JP 25717092A JP 25717092 A JP25717092 A JP 25717092A JP H0685486 A JPH0685486 A JP H0685486A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 優れた電磁波遮蔽性能と熱線反射性能を備
え、美しいミラー効果を呈し、低コストで製造できるよ
うにする。 【構成】 透明基板上に、金属ニオブ膜と保護膜を有す
る２層以上からなるコーティングが形成されている構造
である。最も単純な構成としては、透明ガラス基板１０
上に、第１層として厚さ１００〜３００Åの金属ニオブ
膜１２を、第２層として厚さ１００〜３００Åの酸化チ
タン膜１４（保護膜）を形成する構造がある。このよう
な電磁波遮蔽体と、表面抵抗１５〜２５Ω／□の透明導
電膜が形成された透明基板とを複層又は合わせ構造とし
てもよい。
え、美しいミラー効果を呈し、低コストで製造できるよ
うにする。 【構成】 透明基板上に、金属ニオブ膜と保護膜を有す
る２層以上からなるコーティングが形成されている構造
である。最も単純な構成としては、透明ガラス基板１０
上に、第１層として厚さ１００〜３００Åの金属ニオブ
膜１２を、第２層として厚さ１００〜３００Åの酸化チ
タン膜１４（保護膜）を形成する構造がある。このよう
な電磁波遮蔽体と、表面抵抗１５〜２５Ω／□の透明導
電膜が形成された透明基板とを複層又は合わせ構造とし
てもよい。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属ニオブ膜を用いた
電磁波遮蔽体に関するものである。この電磁波遮蔽体
は、優れた電磁波遮蔽性能と熱線反射性能、及び美しい
ミラー効果を備えており、例えば建築用の窓ガラスなど
として有用である。
電磁波遮蔽体に関するものである。この電磁波遮蔽体
は、優れた電磁波遮蔽性能と熱線反射性能、及び美しい
ミラー効果を備えており、例えば建築用の窓ガラスなど
として有用である。
【０００２】
【従来の技術】現在市販されている電磁波遮蔽ガラスに
は、銀（Ａｇ）膜を使用した複層型や導電性メッシュを
使用した合わせ型などがある。銀膜を使用した電磁波遮
蔽ガラスは、銀膜の耐久性が悪いために複層ガラス構造
にする必要があり、サッシの厚みが厚くなるため通常の
サッシが使用できず、高価となる欠点がある。また導電
性メッシュを使用した電磁波遮蔽ガラスは、メッシュの
ために透視性の点でやや難点がある。
は、銀（Ａｇ）膜を使用した複層型や導電性メッシュを
使用した合わせ型などがある。銀膜を使用した電磁波遮
蔽ガラスは、銀膜の耐久性が悪いために複層ガラス構造
にする必要があり、サッシの厚みが厚くなるため通常の
サッシが使用できず、高価となる欠点がある。また導電
性メッシュを使用した電磁波遮蔽ガラスは、メッシュの
ために透視性の点でやや難点がある。
【０００３】そこで近年、ガラス基板上に透明導電膜
（錫を含む酸化インジウム、フッ素又はアルミニウムを
含む酸化錫、フッ素又はアルミニウムを含む酸化亜
鉛）、その上に保護膜（クロムとホウ素を含む窒化膜）
を形成した透明導電ガラスが開発されている（特開平２
−217339号公報参照）。あるいは透明基体上にチタン、
ジルコニウム、ハフニウムの窒化物、ホウ窒化物、炭化
物、ホウ炭化物の導電性膜を有する層を形成した電磁波
遮蔽体なども提案されている（特開平４−58598 号公報
参照）。これらは単板使用が可能であり、熱線反射性能
も優れている。
（錫を含む酸化インジウム、フッ素又はアルミニウムを
含む酸化錫、フッ素又はアルミニウムを含む酸化亜
鉛）、その上に保護膜（クロムとホウ素を含む窒化膜）
を形成した透明導電ガラスが開発されている（特開平２
−217339号公報参照）。あるいは透明基体上にチタン、
ジルコニウム、ハフニウムの窒化物、ホウ窒化物、炭化
物、ホウ炭化物の導電性膜を有する層を形成した電磁波
遮蔽体なども提案されている（特開平４−58598 号公報
参照）。これらは単板使用が可能であり、熱線反射性能
も優れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし前者の透明導電
ガラスは、最低限の電磁波遮蔽性能を発現させるために
は、どうしても厚さ数千Å以上の透明導電膜を形成する
必要がある。ところが、このような厚さ数千Å以上の透
明導電膜を形成することは成膜コストが高くなる欠点が
あり、また特殊な高速成膜設備を必要とする問題があ
る。更に後者の電磁波遮蔽体は、膜厚を薄くできるもの
の、開示されているような導電性膜では２０ｄＢ程度の
電磁波遮蔽性能しか得られない。
ガラスは、最低限の電磁波遮蔽性能を発現させるために
は、どうしても厚さ数千Å以上の透明導電膜を形成する
必要がある。ところが、このような厚さ数千Å以上の透
明導電膜を形成することは成膜コストが高くなる欠点が
あり、また特殊な高速成膜設備を必要とする問題があ
る。更に後者の電磁波遮蔽体は、膜厚を薄くできるもの
の、開示されているような導電性膜では２０ｄＢ程度の
電磁波遮蔽性能しか得られない。
【０００５】本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性能と
熱線反射性能を備え、美しいミラー効果を呈し、低コス
トで製造できる電磁波遮蔽体を提供することである。
熱線反射性能を備え、美しいミラー効果を呈し、低コス
トで製造できる電磁波遮蔽体を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、透明基板上
に、金属ニオブ膜と保護膜を有する２層以上からなるコ
ーティングが形成されている電磁波遮蔽体である。最も
単純な構成としては、透明基板上に、第１層として厚さ
１００〜３００Åの金属ニオブ膜を、第２層として厚さ
１００〜３００Åの保護膜を、それぞれ１層ずつ形成す
る構造がある。ここで保護膜としては、酸化チタン、酸
化錫、酸化ジルコニウム、酸化タンタルなどの透明誘電
体膜の他、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化タンタ
ルなどの窒化物膜、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭
化ケイ素などの炭化物膜などいずれでもよい。
に、金属ニオブ膜と保護膜を有する２層以上からなるコ
ーティングが形成されている電磁波遮蔽体である。最も
単純な構成としては、透明基板上に、第１層として厚さ
１００〜３００Åの金属ニオブ膜を、第２層として厚さ
１００〜３００Åの保護膜を、それぞれ１層ずつ形成す
る構造がある。ここで保護膜としては、酸化チタン、酸
化錫、酸化ジルコニウム、酸化タンタルなどの透明誘電
体膜の他、窒化チタン、窒化ジルコニウム、窒化タンタ
ルなどの窒化物膜、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭
化ケイ素などの炭化物膜などいずれでもよい。
【０００７】本発明は、更に上記のような電磁波遮蔽体
と、表面抵抗１５〜２５Ω／□の透明導電膜が形成され
た透明基板とを複層又は合わせ構造とした電磁波遮蔽体
であってもよい。
と、表面抵抗１５〜２５Ω／□の透明導電膜が形成され
た透明基板とを複層又は合わせ構造とした電磁波遮蔽体
であってもよい。
【０００８】
【作用】金属ニオブ膜は優れた電磁波遮蔽性能を呈し、
成膜コストも低い。しかし金属ニオブ膜単独では耐磨耗
性と耐アルカリ性の点で不十分である。金属ニオブ膜の
表面を覆う保護膜は、これら耐磨耗性と耐アルカリ性を
改善する。
成膜コストも低い。しかし金属ニオブ膜単独では耐磨耗
性と耐アルカリ性の点で不十分である。金属ニオブ膜の
表面を覆う保護膜は、これら耐磨耗性と耐アルカリ性を
改善する。
【０００９】
【実施例】〔実施例１〕本発明に係る電磁波遮蔽体の一
実施例を図１に示す。透明ガラス基板１０の表面上に、
厚さ２５０Åの金属ニオブ膜１２と、厚さ１５０Åの酸
化チタン膜１４（保護膜に相当する）とを、直流スパッ
タリング法により順次成膜した。
実施例を図１に示す。透明ガラス基板１０の表面上に、
厚さ２５０Åの金属ニオブ膜１２と、厚さ１５０Åの酸
化チタン膜１４（保護膜に相当する）とを、直流スパッ
タリング法により順次成膜した。
【００１０】実施例で用いた直流スパッタリング装置の
概略構成を図２に示す。アースされた真空槽２０の一部
にバリアブルバルブ２２を設けた排気口２４を形成し、
この排気口２４を介して真空ポンプ２６と接続し、真空
槽２０内を減圧できるようにする。また真空槽２０の上
部にはマグネトロンカソード２８ａ，２８ｂ，２８ｃを
設け、直流電源３０ａ，３０ｂ，３０ｃと接続する。ま
たカソード２８ａ，２８ｂの間にはバルブ３２を備えた
ガス供給管３４を設け、真空槽２０内にガスを供給でき
るようにする。更に各マグネトロンカソード２８ａ，
…，２８ｃの下方には往復動可能な搬送ベルト３６を配
置する。
概略構成を図２に示す。アースされた真空槽２０の一部
にバリアブルバルブ２２を設けた排気口２４を形成し、
この排気口２４を介して真空ポンプ２６と接続し、真空
槽２０内を減圧できるようにする。また真空槽２０の上
部にはマグネトロンカソード２８ａ，２８ｂ，２８ｃを
設け、直流電源３０ａ，３０ｂ，３０ｃと接続する。ま
たカソード２８ａ，２８ｂの間にはバルブ３２を備えた
ガス供給管３４を設け、真空槽２０内にガスを供給でき
るようにする。更に各マグネトロンカソード２８ａ，
…，２８ｃの下方には往復動可能な搬送ベルト３６を配
置する。
【００１１】まずカソード２８ａの下面にニオブ（Ｎ
ｂ）をターゲット３８ａとして取り付け、またカソード
２８ｂの下面にはチタン（Ｔｉ）をターゲット３８ｂと
して取り付ける。そして搬送ベルト３６上の基板ホルダ
３９に洗浄した透明ガラス基板１０を載置し、バリアブ
ルバルブ２２を開けて真空槽２０内を５×１０-6Torr以
下まで減圧する。次いでガス供給管３４よりアルゴンガ
スを供給してバリアブルバルブ２２を閉じ、真空槽２０
内の圧力を２×１０-3Torrにする。次にカソード２８ａ
に４００Ｖの負電圧を印加し、透明ガラス基板１０をカ
ソード２８ａ下を移動させることにより、該透明ガラス
基板１０の表面に第１層として厚さ２５０Åの金属ニオ
ブ膜１２を形成する。そしてカソード２８ａのパワーを
切り、バリアブルバルブ２２を開いて再び５×１０-6To
rr以下の圧力に引いた後、ガス供給管３４から酸素ガス
を導入し、バリアブルバルブ２２を閉じ、真空槽２０内
の圧力が再び２×１０-3Torrとなるようにする。次に、
カソード２８ｂに４００Ｖの負電圧を印加し、透明ガラ
ス基板１０をカソード２８ｂ下を移動させることで、前
記金属ニオブ膜１２上に第２層として厚さ１５０Åの酸
化チタン膜１４を形成する。
ｂ）をターゲット３８ａとして取り付け、またカソード
２８ｂの下面にはチタン（Ｔｉ）をターゲット３８ｂと
して取り付ける。そして搬送ベルト３６上の基板ホルダ
３９に洗浄した透明ガラス基板１０を載置し、バリアブ
ルバルブ２２を開けて真空槽２０内を５×１０-6Torr以
下まで減圧する。次いでガス供給管３４よりアルゴンガ
スを供給してバリアブルバルブ２２を閉じ、真空槽２０
内の圧力を２×１０-3Torrにする。次にカソード２８ａ
に４００Ｖの負電圧を印加し、透明ガラス基板１０をカ
ソード２８ａ下を移動させることにより、該透明ガラス
基板１０の表面に第１層として厚さ２５０Åの金属ニオ
ブ膜１２を形成する。そしてカソード２８ａのパワーを
切り、バリアブルバルブ２２を開いて再び５×１０-6To
rr以下の圧力に引いた後、ガス供給管３４から酸素ガス
を導入し、バリアブルバルブ２２を閉じ、真空槽２０内
の圧力が再び２×１０-3Torrとなるようにする。次に、
カソード２８ｂに４００Ｖの負電圧を印加し、透明ガラ
ス基板１０をカソード２８ｂ下を移動させることで、前
記金属ニオブ膜１２上に第２層として厚さ１５０Åの酸
化チタン膜１４を形成する。
【００１２】この電磁波遮蔽体についての電界遮蔽効果
の測定結果を図３に示す。測定はアンリツ株式会社製の
電磁遮蔽特性試験器ＭＡ８６０２Ｂを用いて行った。こ
の結果から、この電磁波遮蔽体は周波数１００ＭHzで−
４０ｄＢの電界遮蔽効果をもつことが分かった。更に、
この電磁波遮蔽体の可視光透過率は９．５％であり、非
膜面反射は２°視野Ｃ光（ＪＩＳ Ｚ８７０１）で、Ｌ
* ＝７０．９，ａ* ＝−３．１７，ｂ* ＝−２．６８で
シルバー反射色であった。なお厚さ２５０Åの金属ニオ
ブ膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
の測定結果を図３に示す。測定はアンリツ株式会社製の
電磁遮蔽特性試験器ＭＡ８６０２Ｂを用いて行った。こ
の結果から、この電磁波遮蔽体は周波数１００ＭHzで−
４０ｄＢの電界遮蔽効果をもつことが分かった。更に、
この電磁波遮蔽体の可視光透過率は９．５％であり、非
膜面反射は２°視野Ｃ光（ＪＩＳ Ｚ８７０１）で、Ｌ
* ＝７０．９，ａ* ＝−３．１７，ｂ* ＝−２．６８で
シルバー反射色であった。なお厚さ２５０Åの金属ニオ
ブ膜の表面抵抗は１０Ω／□であった。
【００１３】〔実施例２〕本発明に係る電磁波遮蔽体の
他の実施例を図４に示す。透明ガラス基板４０の表面上
に、厚さ２５０Åの金属ニオブ膜４２と厚さ２００Åの
酸化錫膜４４（保護膜に相当する）とを、直流スパッタ
リング法により順次成膜した。使用した直流スパッタリ
ング装置は図２に示すものと同様のものであり、カソー
ド２８ａの下面にニオブ（Ｎｂ）をターゲット３８ａと
して取り付け、またカソード２８ｂの下面に錫（Ｓｎ）
をターゲット３８ｂとして取り付ける。そして実施例１
と同様の方法によって透明ガラス基板４０の表面に第１
層として厚さ２５０Åの金属ニオブ膜４２を形成し、更
に該金属ニオブ膜４２上に第２層として厚さ２００Åの
酸化錫膜４４を形成した。
他の実施例を図４に示す。透明ガラス基板４０の表面上
に、厚さ２５０Åの金属ニオブ膜４２と厚さ２００Åの
酸化錫膜４４（保護膜に相当する）とを、直流スパッタ
リング法により順次成膜した。使用した直流スパッタリ
ング装置は図２に示すものと同様のものであり、カソー
ド２８ａの下面にニオブ（Ｎｂ）をターゲット３８ａと
して取り付け、またカソード２８ｂの下面に錫（Ｓｎ）
をターゲット３８ｂとして取り付ける。そして実施例１
と同様の方法によって透明ガラス基板４０の表面に第１
層として厚さ２５０Åの金属ニオブ膜４２を形成し、更
に該金属ニオブ膜４２上に第２層として厚さ２００Åの
酸化錫膜４４を形成した。
【００１４】この電磁波遮蔽体の電界遮蔽効果を測定し
たところ、図３に示す実施例１とほぼ同様の結果が得ら
れた。また、この電磁波遮蔽体の可視光透過率は９．２
％であり、非膜面反射は２°視野Ｃ光でＬ* ＝７０．
８，ａ* ＝−３．２８，ｂ* ＝−２．０７でシルバー反
射色であった。
たところ、図３に示す実施例１とほぼ同様の結果が得ら
れた。また、この電磁波遮蔽体の可視光透過率は９．２
％であり、非膜面反射は２°視野Ｃ光でＬ* ＝７０．
８，ａ* ＝−３．２８，ｂ* ＝−２．０７でシルバー反
射色であった。
【００１５】実施例１及び実施例２から、金属ニオブ膜
だけでも優れた電磁波遮蔽性能が得られることが分かっ
たが、この金属ニオブ膜は耐摩耗性と耐アルカリ性の点
では不十分である。ＪＩＳ Ｒ３２２１（熱線反射ガラ
ス）に基づく耐磨耗性試験において、テーバー式の摩耗
試験機で荷重５００gf，No. ＣＳ−１０Ｆの摩耗ホイー
ルを使用して３００回回転させた前後の可視光透過率の
差を測定した。また耐アルカリ性試験としては、１規定
の水酸化ナトリウム溶液中に６時間浸漬した前後の可視
光透過率の差を測定した。それらの結果を表１に示す。
だけでも優れた電磁波遮蔽性能が得られることが分かっ
たが、この金属ニオブ膜は耐摩耗性と耐アルカリ性の点
では不十分である。ＪＩＳ Ｒ３２２１（熱線反射ガラ
ス）に基づく耐磨耗性試験において、テーバー式の摩耗
試験機で荷重５００gf，No. ＣＳ−１０Ｆの摩耗ホイー
ルを使用して３００回回転させた前後の可視光透過率の
差を測定した。また耐アルカリ性試験としては、１規定
の水酸化ナトリウム溶液中に６時間浸漬した前後の可視
光透過率の差を測定した。それらの結果を表１に示す。
【００１６】
【表１】 この表１から、金属ニオブ単層膜と比較して実施例１及
び実施例２では、それぞれ酸化チタン膜と酸化錫膜によ
って金属ニオブ膜が保護され、耐摩耗性並びに耐アルカ
リ性が大幅に改善されることが分かる。
び実施例２では、それぞれ酸化チタン膜と酸化錫膜によ
って金属ニオブ膜が保護され、耐摩耗性並びに耐アルカ
リ性が大幅に改善されることが分かる。
【００１７】本発明で使用可能な保護膜としては、上記
の酸化チタンあるいは酸化錫の他、酸化ジルコニウムや
酸化タンタルなどの透明誘電体膜、窒化チタン、窒化ジ
ルコニウム、窒化タンタルなどの窒化物膜、炭化チタ
ン、炭化ジルコニウム、炭化ケイ素などの炭化物膜など
がある。また成膜方法としてはスパッタリング法の他、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、アーク蒸着法な
ども使用可能である。
の酸化チタンあるいは酸化錫の他、酸化ジルコニウムや
酸化タンタルなどの透明誘電体膜、窒化チタン、窒化ジ
ルコニウム、窒化タンタルなどの窒化物膜、炭化チタ
ン、炭化ジルコニウム、炭化ケイ素などの炭化物膜など
がある。また成膜方法としてはスパッタリング法の他、
真空蒸着法、イオンプレーティング法、アーク蒸着法な
ども使用可能である。
【００１８】上記の実施例では透明基板としてガラス基
板を用いているが、樹脂その他の透明基板を用いうるこ
とは無論である。また金属ニオブ膜と保護膜の各１層ず
つの構成であるが、それぞれ複数層、交互に形成しても
よい。
板を用いているが、樹脂その他の透明基板を用いうるこ
とは無論である。また金属ニオブ膜と保護膜の各１層ず
つの構成であるが、それぞれ複数層、交互に形成しても
よい。
【００１９】〔実施例３〕図５に本発明に係る電磁波遮
蔽体の更に他の実施例を示す。実施例１と同様の方法に
よって、透明ガラス基板５０の表面に厚さ１５０Åの金
属ニオブ膜５２を第１層として形成し、その上に第２層
として厚さ１５０Åの酸化チタン膜５４を形成する。こ
の透明ガラス基板５０と、表面抵抗２０Ω／□のフッ素
ドープ酸化錫膜５６をコーティングしたガラス５８と
を、中間膜６０を介して貼り合わせて合わせガラス６２
を形成する。
蔽体の更に他の実施例を示す。実施例１と同様の方法に
よって、透明ガラス基板５０の表面に厚さ１５０Åの金
属ニオブ膜５２を第１層として形成し、その上に第２層
として厚さ１５０Åの酸化チタン膜５４を形成する。こ
の透明ガラス基板５０と、表面抵抗２０Ω／□のフッ素
ドープ酸化錫膜５６をコーティングしたガラス５８と
を、中間膜６０を介して貼り合わせて合わせガラス６２
を形成する。
【００２０】この電磁波遮蔽体の電界遮蔽効果を図６に
示す。この測定結果から、実施例３の電磁波遮蔽体は、
周波数１００ＭHzで−４５ｄＢの電界遮蔽効果を有する
ことが分かった。更に、この電磁波遮蔽体の可視光透過
率は１５．６％であった。
示す。この測定結果から、実施例３の電磁波遮蔽体は、
周波数１００ＭHzで−４５ｄＢの電界遮蔽効果を有する
ことが分かった。更に、この電磁波遮蔽体の可視光透過
率は１５．６％であった。
【００２１】前記実施例１及び実施例２の電磁波遮蔽体
は、複層ガラスあるいは合わせガラスにしなくても単板
で使用できる。ただ実際の使用にあたっては、可視光透
過率が９〜１０％と低いため好まれない場合もある。そ
こで実施例３のように、複層ガラスあるいは合わせガラ
スにおいて、１枚のガラスは金属ニオブ多層膜を成膜し
たもの、もう１枚のガラスは透明導電膜を成膜したもの
を使用することによって可視光透過率を高くすることが
できる。近年フロートガラスのオンライン製造設備にお
いて、熱分解法により表面抵抗１０Ω／□程度のフッ素
ドープ酸化錫膜を形成したガラスが安価に製造されるよ
うになった。表面抵抗値の小さいものほど電磁波遮蔽性
能は良くなるが、表面抵抗１０Ω／□程度のフッ素ドー
プ酸化錫をコーティングしたガラスでは、酸化錫膜の膜
厚が厚いためにヘーズ値が大きくて白く曇ったものとな
り、建築用の窓ガラスとしては不適である。一方、１５
〜２５Ω／□のガラスでは、ヘーズ値も小さくなり窓ガ
ラスとして使用できるが、電磁波遮蔽性能は不十分であ
る。しかし実施例３のような合わせ構造あるいは複層構
造とすることにより、これらの問題を解決できる。
は、複層ガラスあるいは合わせガラスにしなくても単板
で使用できる。ただ実際の使用にあたっては、可視光透
過率が９〜１０％と低いため好まれない場合もある。そ
こで実施例３のように、複層ガラスあるいは合わせガラ
スにおいて、１枚のガラスは金属ニオブ多層膜を成膜し
たもの、もう１枚のガラスは透明導電膜を成膜したもの
を使用することによって可視光透過率を高くすることが
できる。近年フロートガラスのオンライン製造設備にお
いて、熱分解法により表面抵抗１０Ω／□程度のフッ素
ドープ酸化錫膜を形成したガラスが安価に製造されるよ
うになった。表面抵抗値の小さいものほど電磁波遮蔽性
能は良くなるが、表面抵抗１０Ω／□程度のフッ素ドー
プ酸化錫をコーティングしたガラスでは、酸化錫膜の膜
厚が厚いためにヘーズ値が大きくて白く曇ったものとな
り、建築用の窓ガラスとしては不適である。一方、１５
〜２５Ω／□のガラスでは、ヘーズ値も小さくなり窓ガ
ラスとして使用できるが、電磁波遮蔽性能は不十分であ
る。しかし実施例３のような合わせ構造あるいは複層構
造とすることにより、これらの問題を解決できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明は上記のように金属ニオブ膜と保
護膜を有する構造であるため、優れた電磁波遮蔽性能と
省エネルギーに有効な熱線反射性能を呈し、同時に美し
いミラー効果が生じる。しかも、これらの性能を発現さ
せるためには、膜厚は薄くてよく、成膜速度が大きい膜
材料であるため、製造が容易で特別の成膜設備を必要と
せず、製造コストを低減できる。また表面が保護膜で覆
われているため、耐磨耗性や耐アルカリ性も向上し、充
分実用的なものが得られる。
護膜を有する構造であるため、優れた電磁波遮蔽性能と
省エネルギーに有効な熱線反射性能を呈し、同時に美し
いミラー効果が生じる。しかも、これらの性能を発現さ
せるためには、膜厚は薄くてよく、成膜速度が大きい膜
材料であるため、製造が容易で特別の成膜設備を必要と
せず、製造コストを低減できる。また表面が保護膜で覆
われているため、耐磨耗性や耐アルカリ性も向上し、充
分実用的なものが得られる。
【００２３】また可視光透過率を高める必要がある場合
は、透明導電膜を備えた透明基板と合わせることによっ
て対応できる。
は、透明導電膜を備えた透明基板と合わせることによっ
て対応できる。
【図１】本発明に係る電磁波遮蔽ガラスの一実施例を示
す拡大断面図。
す拡大断面図。
【図２】その製造に好適な直流スパッタリング装置の概
略構成図。
略構成図。
【図３】図１に示す電磁波遮蔽ガラスの電界遮蔽効果を
示すグラフ。
示すグラフ。
【図４】本発明に係る電磁波遮蔽ガラスの他の実施例を
示す拡大断面図。
示す拡大断面図。
【図５】本発明に係る電磁波遮蔽ガラスの更に他の実施
例を示す拡大断面図。
例を示す拡大断面図。
【図６】図５に示す電磁波遮蔽ガラスの電界遮蔽効果を
示すグラフ。
示すグラフ。
１０ 透明ガラス基板 １２ 金属ニオブ膜 １４ 酸化チタン膜
Claims (3)
- 【請求項１】 透明基板上に、金属ニオブ膜と保護膜を
有する２層以上からなるコーティングが形成されている
電磁波遮蔽体。 - 【請求項２】 透明基板上に、第１層として厚さ１００
〜３００Åの金属ニオブ膜、更にその上に第２層として
厚さ１００〜３００Åの保護膜を有する２層構造の電磁
波遮蔽体。 - 【請求項３】 請求項１又は２記載の電磁波遮蔽体と、
表面抵抗１５〜２５Ω／□の透明導電膜が形成された透
明基板との複層又は合わせ構造の電磁波遮蔽体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25717092A JPH0685486A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 電磁波遮蔽体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25717092A JPH0685486A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 電磁波遮蔽体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685486A true JPH0685486A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=17302663
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25717092A Pending JPH0685486A (ja) | 1992-09-01 | 1992-09-01 | 電磁波遮蔽体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685486A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067362A1 (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Nippon Denkai, Ltd. | 電磁波シールドフィルタ用銅箔及び電磁波シールドフィルタ |
| CN108848660A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-20 | 苏州维业达触控科技有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 |
| JP2018535905A (ja) * | 2015-09-09 | 2018-12-06 | ピルキントン グループ リミテッド | 堆積法 |
-
1992
- 1992-09-01 JP JP25717092A patent/JPH0685486A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005067362A1 (ja) * | 2004-01-06 | 2005-07-21 | Nippon Denkai, Ltd. | 電磁波シールドフィルタ用銅箔及び電磁波シールドフィルタ |
| JP2018535905A (ja) * | 2015-09-09 | 2018-12-06 | ピルキントン グループ リミテッド | 堆積法 |
| CN108848660A (zh) * | 2018-07-16 | 2018-11-20 | 苏州维业达触控科技有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 |
| CN108848660B (zh) * | 2018-07-16 | 2024-04-30 | 苏州维业达科技有限公司 | 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 |
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