CN108848660A - 一种电磁屏蔽膜及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种电磁屏蔽膜，包括基底以及呈网格结构的第一导电层和第二导电层，第一导电层设置在基底上，第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层的表面电阻小于第一导电层的表面电阻，第一导电层的厚度为1μm～7μm；第二导电层的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，第一导电层的网格线宽为1μm～4μm，第二导电层的网格线宽小于或等于第一导电层的网格线宽。本发明的电磁屏蔽膜能大大提高导电性和屏蔽效果。本发明还涉及一种电磁屏蔽膜的制作方法。
Description
技术领域
本发明涉及电磁屏蔽技术领域，特别涉及一种电磁屏蔽膜及其制作方法。
背景技术
近年来，伴随着信息化社会的快速发展，与信息相关联的设备急速发展并逐渐得到普及，各种电子设备、通信装置例如CRT、液晶、EL、PDP、FED 等显示装置被广泛用于电视机、个人电脑、车站和机场的导向显示，用于提供各种信息。这些电子设备产生的电磁波干扰(EMI)问题也愈来愈严重。
电磁波干扰不仅会影响周围电子设备的操作精确度，引起误操作，而且还会对人体健康产生不良影响。因此，对电磁波屏蔽材料的要求越来越高，为了适应这样的要求，人们开发出了各种电磁屏蔽膜用以屏蔽电磁波，但效果不理想。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种电磁屏蔽膜，能大大提高导电性和屏蔽效果。
一种电磁屏蔽膜，包括基底以及呈网格结构的第一导电层和第二导电层，第一导电层设置在基底上，第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层的表面电阻小于第一导电层的表面电阻，第一导电层的厚度为1μm～ 7μm；第二导电层的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，第一导电层的网格线宽为1μm～4μm，第二导电层的网格线宽小于或等于第一导电层的网格线宽。
在本发明的实施例中，上述基底包括透明基层和绝缘层，所述绝缘层设置在所述透明基层上，所述绝缘层上设有凹槽，所述第一导电层设置在所述凹槽内。
在本发明的实施例中，上述第一导电层采用纳米导电浆料通过刮涂的方式设置在所述凹槽中。
在本发明的实施例中，上述透明基层为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
在本发明的实施例中，上述第二导电层通过电沉积设置于所述第一导电层的表面。
在本发明的实施例中，上述第一导电层为银或铜；所述第二导电层为镍或铜。
本发明还提供一种电磁屏蔽膜的制作方法，所述电磁屏蔽膜的制作方法用于制作上述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜的制作方法的步骤包括：
提供基底，并在所述基底上制作图案化的凹槽；
将纳米导电浆料通过刮涂方式填充到所述基底的凹槽中，并烧结后形成第一导电层，所述第一导电层呈网格结构，所述第一导电层的厚度为1μm～ 7μm，所述第一导电层的网格线宽为1μm～4μm；以及
通过电沉积方式在所述第一导电层上形成第二导电层，其中所述第二导电层的表面电阻小于所述第一导电层的表面电阻，所述第二导电层呈网格结构，所述第二导电层的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，所述第二导电层的网格线宽小于或等于所述第一导电层的网格线宽。
在本发明的实施例中，上述制作所述图案化的凹槽的步骤包括：
将模具压印在绝缘层上，剥离所述模具，形成所述凹槽。
本发明的电磁屏蔽膜包括基底以及呈网格结构的第一导电层和第二导电层，第一导电层设置在基底上，第二导电层设置在第一导电层上，第二导电层的表面电阻小于第一导电层的表面电阻，第一导电层的厚度为1μm～7μm；第二导电层的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，第一导电层的网格线宽为 1μm～4μm，第二导电层的网格线宽小于或等于第一导电层的网格线宽。由于第二导电层的表面电阻小于第一导电层的表面电阻，即第二导电层的导电性能大于第一导电层的导电性能，可大大提高电磁屏蔽膜的导电性和屏蔽效果。
附图说明
图1是本发明的电磁屏蔽膜的剖视结构示意图。
图2是本发明的电磁屏蔽膜的正视结构示意图。
图3a至图3e是本发明制作电磁屏蔽膜的制作流程示意图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地描述。
第一实施例
图1是本发明的电磁屏蔽膜的剖视结构示意图。图2是本发明的电磁屏蔽膜的正视结构示意图。如图1和图2所示，电磁屏蔽膜10包括基底11、第一导电层14和第二导电层15。
基底11包括透明基层12和绝缘层13，绝缘层13设置在透明基层12上，绝缘层13上设有凹槽101。透明基层12例如为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯，但并不以此为限。绝缘层13例如为胶层，例如为UV胶层，绝缘层13上设有图案化的凹槽101，例如采用压印工艺在绝缘层13的表面压印形成凹槽101，或者采用光刻工艺在绝缘层13的表面形成凹槽101，根据实际需要可自行选择，但并不以此为限。
第一导电层14设置在绝缘层13的凹槽101内。第一导电层14例如采用纳米导电浆料通过刮涂方式填充到凹槽101中，并烧结后形成第一导电层14，所述纳米导电浆料例如为银或铜，但并不以此为限。在本实施例中，第一导电层14为网格结构，所述网格结构例如为正六边形、正方形、不规则形等，但并不以此为限。第一导电层14的厚度为1μm～7μm，优选为2μm、3μm、 4μm、5μm、6μm、7μm。第一导电层14的网格线宽L1为1μm～4μm，优选为2μm、3μm。
第二导电层15设置在第一导电层14上，第二导电层15的表面电阻小于第一导电层14的表面电阻，优选地，第二导电层15的表面电阻小于1Ω/sq，因此第二导电层15的导电性能大于第一导电层14的导电性能。第二导电层 15采用电沉积方式设置在第一导电层14的表面，沉积的金属例如为镍或铜，根据实际需要可自由选择，但并不以此为限。第二导电层15的厚度为小于2μm。第二导电层15的网格线宽L2小于第一导电层14的网格线宽L1，不会降低电磁屏蔽膜10的光透过率。在本实施例中，第二导电层15为网格结构，所述网格结构例如为正六边形、正方形、不规则形等，但并不以此为限。
本发明的电磁屏蔽膜10的第二导电层15为连续的金属层，第一导电层 14由纳米粒子接触形成，使得第二导电层15的表面电阻小于第一导电层14 的表面电阻，即第二导电层15的导电性能大于第一导电层14的导电性能，可大大提高电磁屏蔽膜10的导电性和屏蔽效果。而且，本发明采用刮涂方式形成第一导电层14以及采用电沉积方式形成第二导电层15的制作方法能有效提高电磁屏蔽膜10的制作效率，能适应大规模的批量化生产需求。
值得一提的是，第一导电层14的厚度为1μm～7μm及第二导电层15的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，可以得到肉眼难以分辨的线路，并且线电阻低；若厚度太大，则肉眼易分辨、工艺难度大。而且，第一导电层14的网格线宽为1μm～4μm，第二导电层15的网格线宽小于或等于第一导电层14 的网格线宽，可以得到肉眼难以分辨的线路，并且透光效果好；若线宽太粗，则肉眼易分辨、透光效果差、工艺难度大。
第二实施例
图3a至图3e是本发明制作电磁屏蔽膜的制作流程示意图。请参照图3a 至图3e，本发明还涉及一种电磁屏蔽膜的制作方法，电磁屏蔽膜的制作方法用于制作上述的电磁屏蔽膜10，所述电磁屏蔽膜的制作方法的步骤包括：
步骤一，提供基底11，并在基底11上制作图案化的凹槽101。在本实施例中，基底11包括透明基层12和绝缘层13，将绝缘层13设置在透明基层 12上，采用压印工艺或光刻工艺在绝缘层13的表面压印形成图案化的凹槽 101，如图3a、图3b和图3c所示。
步骤二，将纳米导电浆料通过刮涂方式填充到所述基底11的凹槽101中，并烧结后形成第一导电层14，如图3d所示。在本实施例中，第一导电层14 为网格结构，所述网格结构例如为正六边形、正方形、不规则形等，但并不以此为限；第一导电层14的厚度为1μm～7μm，优选为2μm、3μm、4μm、5μm、 6μm、7μm；第一导电层14的网格线宽L1为1μm～4μm，优选为2μm、3μm。
步骤三，通过电沉积方式在第一导电层14上形成第二导电层15，其中第二导电层15的表面电阻小于第一导电层14的表面电阻，如图3e所示。在本实施例中，第二导电层15的表面电阻小于1Ω/sq；第二导电层15的厚度大于 0μm，且小于或等于2μm；第二导电层15的网格线宽L2小于或等于第一导电层14的网格线宽L1；第二导电层15为网格结构，所述网格结构例如为正六边形、正方形、不规则形等，但并不以此为限。
本发明的电磁屏蔽膜的制作方法首先采用刮涂方式形成第一导电层14，之后采用电沉积方式形成第二导电层15，所述方法能有效提高电磁屏蔽膜10 的制作效率，能适应大规模的批量化生产需求。
本发明的电磁屏蔽膜10包括基底11以及呈网格结构的第一导电层14和第二导电层15，第一导电层14设置在基底11上，第二导电层15设置在第一导电层14上，第二导电层15的表面电阻小于第一导电层14的表面电阻，第一导电层14的厚度为1μm～7μm；第二导电层15的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，第一导电层14的网格线宽为1μm～4μm，第二导电层15的网格线宽小于或等于第一导电层14的网格线宽。由于第二导电层15的表面电阻小于第一导电层14的表面电阻，即第二导电层15的导电性能大于第一导电层14的导电性能，可大大提高电磁屏蔽膜10的导电性和屏蔽效果。
而且，第二导电层15采用电沉积的方式制作在第一导电层14上，第二导电层15的网格线宽L2可根据电沉积的时间来控制，不会降低电磁屏蔽膜 10的透光率。
本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本发明的保护范围。在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合。为了避免不必要的重复，本发明对各种可能的组合方式不再另行说明。
Claims (8)
1.一种电磁屏蔽膜，其特征在于，包括基底(11)以及呈网格结构的第一导电层(14)和第二导电层(15)，所述第一导电层(14)设置在所述基底(11)上，所述第二导电层(15)设置在所述第一导电层(14)上，所述第二导电层(15)的表面电阻小于所述第一导电层(14)的表面电阻，所述第一导电层(14)的厚度为1μm～7μm；所述第二导电层(15)的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，所述第一导电层(14)的网格线宽为1μm～4μm，所述第二导电层(15)的网格线宽小于或等于所述第一导电层(14)的网格线宽。
2.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述基底(11)包括透明基层(12)和绝缘层(13)，所述绝缘层(13)设置在所述透明基层(12)上，所述绝缘层(13)上设有凹槽(101)，所述第一导电层(14)设置在所述凹槽(101)内。
3.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层(14)采用纳米导电浆料通过刮涂的方式设置在所述凹槽(101)中。
4.如权利要求2所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述透明基层(12)为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
5.如权利要求1所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第二导电层(15)通过电沉积设置于所述第一导电层(14)的表面。
6.如权利要求1至5任意一项所述的电磁屏蔽膜，其特征在于，所述第一导电层(14)为银或铜；所述第二导电层(15)为镍或铜。
7.一种电磁屏蔽膜的制作方法，其特征在于，所述电磁屏蔽膜的制作方法用于制作权利要求1至6任意一项所述的电磁屏蔽膜，所述电磁屏蔽膜的制作方法的步骤包括：
提供基底(11)，并在所述基底(11)上制作图案化的凹槽(101)；
将纳米导电浆料通过刮涂方式填充到所述基底(11)的凹槽(101)中，并烧结后形成第一导电层(14)，所述第一导电层(14)呈网格结构，所述第一导电层(14)的厚度为1μm～7μm，所述第一导电层(14)的网格线宽为1μm～4μm；以及
通过电沉积方式在所述第一导电层(14)上形成第二导电层(15)，其中所述第二导电层(15)的表面电阻小于所述第一导电层(14)的表面电阻，所述第二导电层(15)呈网格结构，所述第二导电层(15)的厚度大于0μm，且小于或等于2μm，所述第二导电层(15)的网格线宽小于或等于所述第一导电层(14)的网格线宽。
8.如权利要求7所述的电磁屏蔽膜的制作方法，其特征在于，制作所述图案化的凹槽(101)的步骤包括：
将模具压印在绝缘层(13)上，剥离所述模具，形成所述凹槽(101)。
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