JPH0684859A - Multitank immersion wafer cleaning device - Google Patents

Abstract

PURPOSE:To provide a multitank system wafer cleaning device by suppressing low a quantity of taking-out chemical liquid accompanying intertank conveyance of a wafer by an conveyance robot outside a tank while simultaneously shortening an intertank conveyance time. CONSTITUTION:In a multitank immersion wafer cleaning device, in which a plurality of chemical liquid tanks 1, rinsing tanks 2 are in order arranged for performing batch treatment of cleaning processes while performing intertank conveyance of a wafer 4 to be cleaned by operation of a wafer conveyance robot and in relation to the motion of intertank conveyance (intertank conveyance locus T) of the wafer, the wafer 4 is overhead pulled up outside the tank following a linear and upward moving locus in a pulling-up process from the chemical liquid tank 1 of a previous tank so as to return chemical liquid dropping from the wafer surface into the inside of the chemical liquid tank. Then, in the following intertank conveyance process, the wafer 4 is fixed to be conveyed to a next tank, that is the rinsing tank 2 following an arched, traverse and downward moving path having a short distance so as to shorten an intertank conveyance time of wafers.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の薬液槽, リンス
槽を順に並べ、ウェーハ搬送ロボットの操作により被洗
浄ウェーハを槽間搬送して洗浄プロセスのバッチ処理を
行う多槽浸漬式ウェーハ洗浄装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-tank immersion type wafer cleaning system in which a plurality of chemical tanks and a rinse tank are arranged in order, and wafers to be cleaned are transferred between tanks by a wafer transfer robot to perform batch processing of the cleaning process. Regarding the device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】半導体ウェーハの洗浄装置として、ステ
ーション内に薬液槽, リンス槽を並べ、搬送ロボットの
操作により被洗浄ウェーハを薬液槽, リンス槽の順に浸
漬してバッチ処理する多槽浸漬式洗浄装置が公知であ
る。また、ステーション内でのウェーハ搬送方式として
は、ウェーハをキャリア（ウェーハ搬送用カセット）に
収容したままステーション内で槽間に持ち運びする方式
のほかに、最近では、ウェーハの大口径化に伴う対応策
として、キャリアの管理不要、薬液，純水消費量の節
減、廃液処理量の低減、並びにステーション据付け面積
の縮小化を狙いに、キャリアを使用せずにウェーハを搬
送ロボットのハンドで直接把持して処理槽間を搬送する
ようにしたキャリアレス方式の開発も進められている。2. Description of the Related Art As a semiconductor wafer cleaning apparatus, a chemical bath and a rinse bath are lined up in a station, and a transfer robot is operated to immerse wafers to be cleaned in the chemical bath and rinse bath in this order for batch processing. Devices are known. In addition, as the wafer transfer method within the station, in addition to the method of carrying wafers between tanks inside the station while accommodating the wafers in the carrier (wafer transfer cassette), recently, measures to deal with the increase in diameter of wafers have been introduced. In order to reduce the consumption of chemicals and pure water, to reduce the amount of waste liquid to be processed, and to reduce the station installation area, the wafer is directly grasped by the carrier robot without using the carrier. The development of a carrierless system for transporting between processing tanks is also in progress.

【０００３】図３はかかるキャリアレスウェーハ洗浄装
置の構成概要を示すものであり、キャリアレス多槽浸漬
式洗浄装置のステーション内には一列に並べて洗浄薬液
（フッ酸，アンモニア，硫酸，塩酸，過酸化水素など）
を収容した薬液槽１，純水を収容したリンス槽２の各処
理槽、および前記処理槽の配列に沿って走行するウェー
ハ搬送ロボット３が組み込まれている。なお、図３では
薬液槽１，リンス槽２を１基ずつ示したが、実際のウエ
ットステーションではＲＣＡ洗浄のように洗浄プロセス
を複数の工程に分けてバッチ処理するようにしている。
ここで、薬液槽１，リンス槽２の各処理槽の内部には多
数枚のウェーハ４を直立姿勢に並べて担持するウェーハ
受け台５を備えている。一方、ウェーハ搬送ロボット３
の形態は直角座標形であり、ラック６に沿ってＸ軸方向
に移動するロボット本体７と、ボールネジ８に沿ってＹ
軸方向に昇降移動するメカニカルハンド９からなり、か
つメカニカルハンド９は回転機構を介して開閉する一対
のスイング式ハンドアーム１０と、ハンドアーム１０の
先端に取付けたフィンガ１１とから構成された２フィン
ガ形メカニカルハンドとしてなる。なお、１２は搬送ロ
ボット３のコントローラ（プログラマブルコントロー
ラ，および位置決めモジュール）である。FIG. 3 shows an outline of the structure of such a carrierless wafer cleaning apparatus. Cleaning chemicals (hydrofluoric acid, ammonia, sulfuric acid, hydrochloric acid, excess of hydrochloric acid) are lined up in a line in a station of a carrierless multi-tank immersion cleaning apparatus. Hydrogen oxide, etc.)
Each of the processing tanks, ie, the chemical tank 1 containing therein the rinsing tank 2 containing pure water, and the wafer transfer robot 3 traveling along the arrangement of the processing tanks are incorporated. In FIG. 3, one chemical solution tank and one rinse tank 2 are shown, but in an actual wet station, the cleaning process is divided into a plurality of steps such as RCA cleaning, and batch processing is performed.
Here, inside each of the processing tanks of the chemical solution tank 1 and the rinse tank 2, there is provided a wafer pedestal 5 for supporting a large number of wafers 4 arranged in an upright posture. On the other hand, the wafer transfer robot 3
Has a rectangular coordinate system, and the robot body 7 moves along the rack 6 in the X-axis direction, and the ball screw 8 moves along the Y axis.
The mechanical hand 9 is configured to move up and down in the axial direction, and the mechanical hand 9 is composed of a pair of swing-type hand arms 10 that are opened and closed via a rotating mechanism and a finger 11 attached to the tip of the hand arm 10. Shaped as a mechanical hand. Reference numeral 12 is a controller (programmable controller and positioning module) of the transfer robot 3.

【０００４】かかる構成で、ウェーハ洗浄装置のステー
ションに搬入したウェーハは、ローダ部でキャリア（ウ
ェーハ搬送用カセット）からウェーハ搬送ロボット３に
移載して図示のようにウェーハ４の外周をメカニカルハ
ンド９のフィンガ１１で直接把持し、続く洗浄プロセス
工程では搬送ロボット３の操作により搬送経路Ｔに沿っ
てステーション内に並ぶ薬液槽１，リンス槽２の順に移
し替え、アンローダ部で再びキャリアに移載してステー
ションより搬出される。With such a configuration, the wafer carried into the station of the wafer cleaning device is transferred from the carrier (wafer carrying cassette) to the wafer carrying robot 3 in the loader section, and the outer periphery of the wafer 4 is mechanically held by the mechanical hand 9 as shown in the figure. In the subsequent cleaning process step, the chemicals tank 1 and the rinse tank 2 lined up in the station along the transfer path T are transferred in this order in the cleaning process step, and again transferred to the carrier by the unloader section. Be delivered from the station.

【０００５】また、搬送ロボットの操作によるウェーハ
の槽間搬送モーションに関して、従来の洗浄装置では図
４で表すゲートモーション，および図５で表すアーチモ
ーションが実施されている。まず、図４のゲートモーシ
ョンでは、前槽の薬液槽４からウェーハ４を真上に上昇
移動（Ｙ軸方向）させて引き上げ、次に次槽のリンス槽
２の上まで真横に横行移動（Ｘ軸方向）し、ここから真
下に下降してリンス槽内に搬入する（Ｙ軸方向）ような
屈曲形の搬送軌跡Ｔを辿って槽間搬送を行う。これに対
して図５のアーチモーションでは、図示のようにＸ軸方
向とＹ軸方向の移動を組み合わせた湾曲状の搬送軌跡Ｔ
を辿ってウェーハ４を薬液槽１から引き上げて後段のリ
ンス槽２に搬入するようにしている。Regarding the inter-tank transfer motion of the wafer by the operation of the transfer robot, the conventional cleaning apparatus performs the gate motion shown in FIG. 4 and the arch motion shown in FIG. First, in the gate motion of FIG. 4, the wafer 4 is moved upward (Y-axis direction) from the chemical liquid tank 4 of the previous tank and pulled up, and then laterally moved (X) to the top of the rinse tank 2 of the next tank. The inter-tank transfer is performed by following a curved transfer path T such that the transfer path T moves in the axial direction) and descends from there to be loaded into the rinse tank (Y-axis direction). On the other hand, in the arch motion of FIG. 5, as shown in the drawing, the curved conveyance locus T that combines movements in the X-axis direction and the Y-axis direction is combined.
Following this, the wafer 4 is pulled up from the chemical solution tank 1 and carried into the rinse tank 2 in the subsequent stage.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところで、前記した多
槽浸漬式ウェーハ洗浄装置では、ウェーハの槽間搬送に
関して次記のような点についての配慮が要求される。 （１）薬液持ち出し量の低減化：処理槽からウェーハを
取り出す際には、ウェーハの表面に付着した薬液の槽外
持ち出しが避けられないが、この薬液持ち出し量が多く
なると薬液槽１における薬液の消費量が増す他、次槽の
リンス槽２に薬液が持ち込まれてウェーハのリンス機能
が低下する。そのために、薬液槽１からの薬液持ち出し
量はできる限り少ないことが望まれる。By the way, in the above-mentioned multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus, the following points need to be taken into consideration regarding the transfer of wafers between tanks. (1) Reduction of chemical solution carry-out: When taking a wafer out of the processing tank, it is inevitable to carry out the chemical solution adhering to the surface of the wafer from the tank. In addition to increasing the consumption amount, the chemical solution is brought into the rinse tank 2 which is the next tank, and the rinse function of the wafer deteriorates. Therefore, it is desired that the amount of the chemical solution taken out from the chemical solution tank 1 is as small as possible.

【０００７】（２）槽間搬送時間の短縮化：洗浄プロセ
ス処理でのスループット性を高めるほか、特に薬液にフ
ッ酸を用いてウェーハ表面の酸化被膜を除去する洗浄工
程では、フッ酸薬液槽から取り出したウェーハが外気に
触れると自然酸化により酸化被膜が形成される問題があ
ることから、ウェーハの槽間搬送時間はできる限り短い
ほうが良く、実用的には４秒以下に抑えることが要求さ
れている。(2) Shortening of inter-bath transfer time: In addition to improving throughput in cleaning process treatment, especially in the cleaning step of removing the oxide film on the wafer surface by using hydrofluoric acid as a chemical, the hydrofluoric acid chemical bath is used. Since there is a problem that an oxide film is formed due to natural oxidation when the taken-out wafer comes into contact with the outside air, it is better to keep the wafer transfer time between tanks as short as possible, and practically it is required to be kept below 4 seconds. There is.

【０００８】かかる観点から前記したゲートモーショ
ン，アーチモーションを考察すると、ゲートモーション
では、薬液槽からウェーハを真上に引き上げる過程でウ
ェーハから滴下する薬液が全て薬液槽内に戻るので、槽
外への薬液持ち出し量は少ない利点がある反面、槽間搬
送経路の道程が長く、かつ上昇から横行，横行から下降
に方向転換する過程で搬送ロボットに組み込まれたサー
ボモータを減速，停止制御する必要があるために槽間搬
送時間が長く掛り（実機での槽間搬送時間は搬送ロボッ
トのサーボモータの機能制約から４秒以上掛かる）、そ
れだけ外気との接触によるウェーハ自然酸化の影響が大
きく現れる。Considering the above-mentioned gate motion and arch motion from this point of view, in the gate motion, all the chemical liquid dropped from the wafer returns to the inside of the chemical liquid tank in the process of pulling the wafer directly above from the chemical liquid tank. The advantage is that the amount of chemicals taken out is small, but on the other hand, the travel route between tanks is long and it is necessary to decelerate and stop the servomotor built into the transfer robot in the process of changing direction from ascending to traverse and traverse to descend. Therefore, the inter-vessel transfer time is long (the inter-vessel transfer time in the actual machine is 4 seconds or more due to the function restriction of the servo motor of the transfer robot), and the influence of the natural oxidation of the wafer due to the contact with the outside air becomes significant.

【０００９】これに対して、アーチモーションでは、槽
間搬送経路の道程がゲートモーションに比べて短く、か
つ搬送途上での減速，停止を伴わない高速運転が可能で
槽間搬送時間を短縮できる（実機での槽間搬送時間を約
3.６秒に短縮可能）利点がある反面、ウェーハが薬液槽
から斜め上方へアーチ状軌跡を辿って引き上げられるた
め、ウェーハから滴下する薬液のうち、薬液槽外に溢れ
出る割合が多くなって薬液持ち出し量が増大するという
欠点がある。On the other hand, in the arch motion, the path of the inter-tank transfer path is shorter than that in the gate motion, and high-speed operation without deceleration and stop during the transfer is possible, and the inter-tank transfer time can be shortened ( Transfer time between tanks in actual machine is approx.
(It can be shortened to 3.6 seconds.) On the other hand, the wafer is pulled up from the chemical bath in an obliquely upward direction, following an arch-shaped trajectory, so the proportion of the chemical dropped from the wafer overflows outside the chemical bath. There is a drawback that the amount of chemicals taken out increases.

【００１０】本発明は上記の点にかんがみなされたもの
であり、前記したゲートモーション，アーチモーション
の考察結果を基に、搬送ロボットによるウェーハの槽間
搬送に伴う薬液持ち出し量を低く抑えつつ、同時に槽間
搬送時間の短縮，ないしは外気との接触によるウェーハ
自然酸化の抑制を可能にした多槽浸漬式ウェーハ洗浄装
置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and based on the results of the consideration of the gate motion and the arch motion described above, the amount of the chemical solution taken out by the transfer robot during the inter-tank transfer of the wafer can be kept low, and at the same time, It is an object of the present invention to provide a multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus capable of shortening the transfer time between tanks or suppressing natural oxidation of wafers due to contact with outside air.

【００１１】[0011]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、ウェーハの槽間搬送モーションを、前槽
からウェーハを真上に向け直線状の上昇移動軌跡を辿っ
て槽外に引き上げ、次にアーチ状の横行, 下降移動軌跡
を辿ってウェーハを次槽に搬入させるよう定めてウェー
ハの槽間搬送を行うことものとする。In order to achieve the above object, the present invention provides a wafer inter-tank transfer motion outside the tank by directing the wafer directly from the previous tank to a straight upward movement trajectory. The wafer shall be transferred between tanks after being pulled up, then traversing an arch-shaped traverse and descending locus to carry the wafer into the next tank.

【００１２】また、本発明の別な解決手段では、少なく
とも薬液槽に対して該槽上方域のウェーハの引き上げ通
路に向けてガス吹付け手段を配置し、ウェーハ引き上げ
行程の途上でガスを吹付けてウェーハの表面に付着した
薬液を排除させるものとする。また、この場合に吹付け
ガスとして不活性ガスを用いることができる。さらに、
前記したウェーハの槽間搬送モーションと、ガス吹付け
手段を併用した実施態様もある。In another solution of the present invention, a gas spraying means is disposed at least with respect to the chemical liquid tank toward a wafer lifting passage in the upper region of the tank, and gas is sprayed during the wafer lifting process. The chemical liquid attached to the surface of the wafer is removed. Further, in this case, an inert gas can be used as the blowing gas. further,
There is also an embodiment in which the above-described wafer inter-tank transfer motion is used in combination with the gas spraying means.

【００１３】[0013]

【作用】まず、前記したウェーハの槽間搬送モーション
によれば、前槽の処理槽からウェーハを引き上げる行程
では、先述のゲートモーションと同様にウェーハより滴
下する薬液が全て槽内に戻るので薬液の槽外持ち出し量
が低く抑えられるとともに、引き上げ地点から次槽への
搬入行程では、アーチモーションと同様にアーチ状の短
い道程を辿るので短い搬送時間で次槽へ搬入できる。First, according to the above-described wafer-to-tank transfer motion, in the process of pulling up the wafer from the processing tank of the previous tank, all the chemical liquid dropped from the wafer returns to the inside of the tank as in the gate motion described above. The carry-out amount outside the tank is kept low, and in the carry-in process from the pulling point to the next tank, a short arch-shaped path is followed as in the arch motion, so that it can be carried into the next tank in a short transfer time.

【００１４】一方、処理槽からの引き上げ途上でウェー
ハに向けてガスを吹付けることにより、ウェーハの表面
に付着している液滴は吹き飛ばされ、ウェーハから積極
的に排除されて槽内に戻るので、薬液の持ち出し量が減
量する。しかも、この場合に不活性ガスを用いることに
より、槽間搬送におけるウェーハと酸素を含む外気との
接触する割合が少なくなり、それだけウェーハの自然酸
化を低く抑えることができる。したがって、特にフッ酸
を薬液としてウェーハの酸化被膜を除去する洗浄工程で
は有効である。On the other hand, when the gas is blown toward the wafer while it is being pulled up from the processing tank, the droplets adhering to the surface of the wafer are blown away and are actively removed from the wafer and returned to the tank. , The amount of drug solution taken out is reduced. Moreover, in this case, by using the inert gas, the ratio of the contact between the wafer and the outside air containing oxygen during the inter-tank transfer is reduced, and the natural oxidation of the wafer can be suppressed to that extent. Therefore, it is particularly effective in the cleaning step of removing the oxide film on the wafer by using hydrofluoric acid as a chemical solution.

【００１５】また、ウェーハの槽間搬送工程で前記の槽
間搬送モーションと、ガス吹付け手段を併用することに
より、薬液持ち出し量の減量，およびウェーハの自然酸
化防止がより有効に機能する。Further, in the wafer-to-tank transfer step, by using the above-mentioned tank-to-tank transfer motion in combination with the gas blowing means, the amount of chemical solution carried out can be reduced and the natural oxidation of the wafer can be effectively prevented.

【００１６】[0016]

【実施例】以下本発明の実施例を図面に基づいて説明す
る。なお、実施例の図中で図４，図５に対応する同一部
材には同じ符号が付してある。図１において、ウェーハ
４を前槽の薬液槽１から次槽のリンス槽２に移し替える
槽間搬送工程では、ウェーハ４の槽間搬送モーションが
図示の槽間搬送軌跡Ｔを辿るようにウェーハ搬送ロボッ
ト（図３参照）を操作制御する。すなわち、最初のウェ
ーハ引き上げ行程では、薬液槽１内からウェーハ４を真
上に向け直線状の上昇移動軌跡を辿って槽外に引き上
げ、次に引出し位置からアーチ状の横行,下降移動軌跡
を辿ってウェーハ４をリンス槽２に搬入させるよう定め
る。つまり、直進上昇経路ではウェーハ搬送ロボットの
ハンドをＹ軸方向にのみ移動制御し、続くアーチ状の横
行，下降経路ではハンドをＸ軸とＹ軸方向に同時に移動
制御する。なお、このような搬送モーションは図３のコ
ントローラ１２に与えた動作プログラムで指定される。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In the drawings of the embodiments, the same members corresponding to FIGS. 4 and 5 are designated by the same reference numerals. In FIG. 1, in the inter-tank transfer process in which the wafer 4 is transferred from the chemical tank 1 in the previous tank to the rinse tank 2 in the next tank, the wafer transfer operation is performed so that the inter-tank transfer motion of the wafer 4 follows the illustrated inter-tank transfer trajectory T. The robot (see FIG. 3) is operated and controlled. That is, in the first wafer pulling process, the wafer 4 is directed straight up from the inside of the chemical tank 1 to follow the linear upward movement trajectory and is pulled out of the tank, and then the arch-shaped transverse and downward movement trajectory is followed from the withdrawal position. The wafer 4 is loaded into the rinse tank 2. That is, the hand of the wafer transfer robot is controlled to move only in the Y-axis direction on the straight-ahead upward path, and the hands are simultaneously controlled to move on the X-axis and the Y-axis directions on the subsequent arch-shaped traverse and descend paths. It should be noted that such a conveyance motion is designated by the operation program given to the controller 12 in FIG.

【００１７】かかる搬送モーションによれば、薬液槽１
からのウェーハ引き上げ行程の途上でウェーハ４の表面
から滴下した薬液は、槽外に溢れ出ることなく全て薬液
槽１に戻る。また、ウェーハ４が薬液槽１から上方に引
き出され後は、道程の短いアーチ状の搬送軌跡を辿って
ウェーハ４が後段のリンス槽２に高速，短時間で搬入さ
れ、これにより薬液持ち出し量の低減，および槽間搬送
時間の短縮化が達成される。According to such a transport motion, the chemical liquid tank 1
The chemical liquid dropped from the surface of the wafer 4 during the process of pulling up the wafer from 1 returns to the chemical liquid tank 1 without overflowing to the outside of the tank. Further, after the wafer 4 is pulled out upward from the chemical solution tank 1, the wafer 4 is carried into the rinsing tank 2 in the subsequent stage at a high speed and in a short time following an arch-shaped transfer path with a short path, and thus the amount of chemical solution taken out can be increased. Reduction and shortening of inter-tank transfer time are achieved.

【００１８】図２は、発明者等が行ったウェーハ洗浄装
置の槽間搬送テスト結果を基に描いたウェーハの槽間搬
送時間と薬液持ち出し量との関係を表した図である。す
なわち、実線で表したゲートモーションでは、薬液持ち
出し量を低く抑えられる反面、搬送途中での搬送ロボッ
トの減速，停止に伴う時間ロスから目標時間である４秒
以下をクリアすることが困難であった。また、破線で表
したアーチモーションでは、搬送ロボットの高速運転で
ウェーハの槽間搬送時間を４秒以下に短縮することが可
能である反面、搬送時間を４秒以下に設定すると、薬液
持ち出し量が急激に増加する。これに対して一点鎖線で
表した本発明の搬送モーションによれば、ウェーハの槽
間搬送時間を目標の４秒以下に短縮することが可能であ
ることに加え、搬送時間を４秒以下に設定した場合で
も、薬液の持ち出し量はアーチモーションに比べて遥か
に減量できることが確認されている。FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the inter-tank transfer time of the wafer and the chemical solution carry-out amount drawn based on the inter-tank transfer test result of the wafer cleaning apparatus conducted by the inventors. That is, in the gate motion represented by the solid line, while the amount of chemical solution taken out can be suppressed to a low level, it was difficult to clear the target time of 4 seconds or less due to time loss due to deceleration and stop of the transfer robot during transfer. . In addition, with the arch motion represented by the broken line, it is possible to shorten the wafer transfer time between tanks to 4 seconds or less by the high-speed operation of the transfer robot, but if the transfer time is set to 4 seconds or less, the amount of chemical solution taken out Increase sharply. On the other hand, according to the transfer motion of the present invention represented by the one-dot chain line, it is possible to shorten the wafer transfer time between tanks to the target of 4 seconds or less, and set the transfer time to 4 seconds or less. Even in such a case, it has been confirmed that the carry-out amount of the drug solution can be far reduced compared to the arch motion.

【００１９】また、図示実施例においては、薬液槽１に
対して槽の上方周域を隔壁１３で囲み、ここにウェーハ
４の引き上げ通路に向けて不活性ガス（窒素ガス，アル
ゴンガス，炭酸ガスなど）を吹付ける手段としてガス吹
付ノズル１４が配備されている。かかる構成で、薬液槽
１からウェーハ４を引き上げる際には、図示されてない
ウェーハの通過検知センサの信号を基に、ノズル１４か
らウェーハ４に向けて不活性ガスを吹付ける。これによ
りウェーハ４の表面に付着している薬液の液滴は周囲に
吹き飛ばされて積極的に排除されるので、薬液持ち出し
量はより一層少なくなる。なお、ウェーハ４から飛び散
った液滴は隔壁１３により遮られて周囲に飛散すること
がなく、かつガス吹出し速度，吹出し角度などをを最適
化することでウェーハ４から飛び散った液滴が隔壁から
跳ね返ってウェーハに再付着するのを容易に防止でき
る。Further, in the illustrated embodiment, an upper peripheral region of the chemical liquid tank 1 is surrounded by a partition wall 13, and an inert gas (nitrogen gas, argon gas, carbon dioxide gas) is directed toward the lifting passage of the wafer 4 there. A gas spray nozzle 14 is provided as a means for spraying (for example). With this configuration, when the wafer 4 is pulled up from the chemical liquid tank 1, an inert gas is blown from the nozzle 14 toward the wafer 4 based on a signal from a wafer passage detection sensor (not shown). As a result, the liquid drops of the chemical liquid adhering to the surface of the wafer 4 are blown out to the surroundings and are actively removed, so that the amount of the chemical liquid taken out is further reduced. The droplets scattered from the wafer 4 are not blocked by the partition wall 13 and are not scattered to the surroundings, and the droplets scattered from the wafer 4 are repelled from the partition wall by optimizing the gas blowing speed and the blowing angle. Can be easily prevented from reattaching to the wafer.

【００２０】しかも、ノズル１４からウェーハの引き上
げ通路内に不活性ガスを吹き出すことにより、ウェーハ
４と酸素を含む外気との接触による自然酸化が基で生じ
る酸化被膜の生成を抑えることができ、特にフッ酸を薬
液としてウェーハの酸化被膜を除去する洗浄工程では有
効である。Moreover, by blowing out the inert gas from the nozzle 14 into the passage for pulling up the wafer, it is possible to suppress the formation of an oxide film caused by the natural oxidation due to the contact between the wafer 4 and the outside air containing oxygen. This is effective in the cleaning step of removing the oxide film on the wafer by using hydrofluoric acid as a chemical solution.

【００２１】[0021]

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次記
の効果を奏する。 （１）槽間搬送工程でのウェーハ搬送モーションを請求
項１に記載したモーションに定めることにより、薬液の
持ち出し量を減量しつつ、同時にウェーハの槽間搬送時
間の短縮化が図れる。As described above, the present invention has the following effects. (1) By setting the wafer transfer motion in the inter-tank transfer process to the motion described in claim 1, the carry-out amount of the chemical solution can be reduced and at the same time the inter-tank transfer time of the wafer can be shortened.

【００２２】（２）請求項２に記載の構成を採用するこ
とにより、ウェーハ表面に付着した薬液の液滴をガス吹
付けにより引き上げ行程でウェーハより排除して薬液持
ち出し量を低減できる。加えて、請求項３のように吹付
けガスに不活性ガスを採用するこにより、槽間搬送経路
での外気接触により生じるウェーハの自然酸化を低める
ことが可能で、特にフッ酸を薬液としたウェーハの酸化
被膜を除去する洗浄工程での採用には有効である。(2) By adopting the configuration described in claim 2, it is possible to reduce the amount of the chemical solution taken out by removing the droplets of the chemical solution adhering to the surface of the wafer from the wafer in the lifting process by blowing gas. In addition, by adopting an inert gas as the blowing gas as in claim 3, it is possible to reduce the natural oxidation of the wafer caused by the contact with the outside air in the inter-tank transfer path. In particular, hydrofluoric acid is used as the chemical solution. It is effective for use in the cleaning process to remove the oxide film on the wafer.

【００２３】（３）さらに、請求項４によれば、請求項
１記載のウェーハ搬送モーションと、請求項２記載のガ
ス吹付け手段を併用したので、これにより薬液持ち出し
量の減量化がより一層向上する。(3) Further, according to claim 4, since the wafer transfer motion according to claim 1 and the gas spraying means according to claim 2 are used in combination, the amount of chemical solution taken out can be further reduced. improves.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の実施例による構成，並びにウェーハの
槽間搬送モーションを表す図FIG. 1 is a diagram showing a configuration according to an embodiment of the present invention and a wafer-to-tank transfer motion.

【図２】本発明による搬送モーションと従来方式のゲー
トモーション，アーチモーションとを対比して表したウ
ェーハの槽間搬送時間と薬液持ち出し量との関係を表す
図FIG. 2 is a diagram showing the relationship between the transfer time between wafers and the chemical solution carry-out amount, which is a comparison between the transfer motion according to the present invention and the conventional gate motion and arch motion.

【図３】本発明の実施対象となる多槽浸漬式ウェーハ洗
浄装置の概要図FIG. 3 is a schematic diagram of a multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus to which the present invention is applied.

【図４】従来におけるウェーハ槽間搬送のゲートモーシ
ョンを表す図FIG. 4 is a diagram showing a gate motion in the conventional wafer-to-tank transfer.

【図５】従来におけるウェーハ槽間搬送のアーチモーシ
ョンを表す図FIG. 5 is a diagram showing arch motion of conventional wafer-to-tank transfer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１ 薬液槽 ２ リンス槽 ３ ウェーハ搬送ロボット ４ ウェーハ １４ ガス吹付ノズル Ｔ ウェーハのモーションを表す槽間搬送軌跡 1 Chemical Solution Tank 2 Rinse Tank 3 Wafer Transfer Robot 4 Wafer 14 Gas Spray Nozzle T Wafer Transfer Trajectory Representing Motion of Wafer

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】複数の薬液槽, リンス槽を順に並べ、ウェ
ーハ搬送ロボットの操作により被洗浄ウェーハを槽間搬
送して洗浄プロセスのバッチ処理を行う多槽浸漬式ウェ
ーハ洗浄装置において、ウェーハの槽間搬送モーション
を、前槽からウェーハを真上に向け直線状の上昇移動軌
跡を辿って槽外に引き上げ、次にアーチ状の横行, 下降
移動軌跡を辿ってウェーハを次槽に搬入させるよう定め
てウェーハの槽間搬送を行うことを特徴とする多槽浸漬
式ウェーハ洗浄装置。1. A multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus for arranging a plurality of chemical liquid tanks and a rinse tank in order and transferring wafers to be cleaned between tanks by a wafer transfer robot to perform batch processing of the cleaning process. A transfer motion is defined to direct the wafer directly from the previous tank to the outside of the tank by following a linear upward movement trajectory and then by following an arch-shaped traverse and descending movement trajectory to carry the wafer into the next tank. A multi-tank immersion type wafer cleaning device characterized by performing wafer transfer between tanks. 【請求項２】複数の薬液槽, リンス槽を並べ、ウェーハ
搬送ロボットの操作により被洗浄ウェーハを槽間搬送し
て洗浄プロセスのバッチ処理を行う多槽浸漬式ウェーハ
洗浄装置において、少なくとも薬液槽に対して該槽上方
域のウェーハの引き上げ通路に向けてガス吹付け手段を
配置し、ウェーハ引き上げ行程の途上でガスを吹付けて
ウェーハの表面に付着した薬液を排除させることを特徴
とする多槽浸漬式ウェーハ洗浄装置。2. A multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus in which a plurality of chemical baths and a rinse bath are arranged and wafers to be cleaned are transferred between the baths by a wafer transfer robot to perform batch processing of the cleaning process. On the other hand, a multi-tank characterized by arranging gas spraying means toward the wafer lifting passage in the upper region of the tank, and spraying gas in the course of the wafer lifting process to eliminate the chemical liquid adhering to the surface of the wafer Immersion type wafer cleaning equipment. 【請求項３】請求項２記載のウェーハ洗浄装置におい
て、ガスが不活性ガスであることを特徴とする多槽浸漬
式ウェーハ洗浄装置。3. The wafer cleaning apparatus according to claim 2, wherein the gas is an inert gas. 【請求項４】請求項１に記載のウェーハの槽間搬送モー
ションと、請求項２に記載のガス吹付け手段を併用した
ことを特徴とする多槽浸漬式ウェーハ洗浄装置。4. A multi-tank immersion type wafer cleaning apparatus using the inter-tank transfer motion of the wafer according to claim 1 and the gas spraying means according to claim 2.