JPH067101B2 - Crystallinity measurement method - Google Patents
Crystallinity measurement methodInfo
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- JPH067101B2 JPH067101B2 JP11603885A JP11603885A JPH067101B2 JP H067101 B2 JPH067101 B2 JP H067101B2 JP 11603885 A JP11603885 A JP 11603885A JP 11603885 A JP11603885 A JP 11603885A JP H067101 B2 JPH067101 B2 JP H067101B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はＳｉ，Ｇｅ，Ｃ，ＳｉＣ，ＧａＡｓ等の共有結
合半導体結晶の結晶性の測定方法に関する。本発明は、
例えばＳｉ結晶を扱う産業分野、例えば半導体分野にお
いて、ＰｏｌｙＳｉ（多結晶シリコン）の結晶性や、Ｓ
ｉ基板表面の結晶性を測定するためなどに利用すること
ができる。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial application] The present invention relates to a method for measuring the crystallinity of a covalently bonded semiconductor crystal such as Si, Ge, C, SiC and GaAs. The present invention is
For example, in the industrial field dealing with Si crystals, for example in the semiconductor field, the crystallinity of PolySi (polycrystalline silicon) and S
It can be used to measure the crystallinity of the i-substrate surface.
本発明は、被測定体の表面反射スペクトル曲線における
結晶のグレインサイズに依存する２つの極小点または変
曲点を求め、当該点を結ぶ線、または当該点近傍の点を
結ぶ線と上記スペクトル曲線との囲む面積、あるいは、
当該点間の上記スペクトル曲線の最大点から当該点を結
ぶ線、または当該点近傍の点を結ぶ線へおろした垂線の
高さから、当該結晶のグレインサイズを測定することに
より、従来は長時間を要し、かつプロセス内での測定が
困難であった結晶性の測定を、簡便にしかも半導体プロ
セスなどにおけるインライン測定をも可能にした、結晶
性の測定方法に関する。The present invention obtains two local minimum points or inflection points depending on the grain size of a crystal in a surface reflection spectrum curve of a measured object, and connects the line connecting the points or a line connecting points near the point and the spectrum curve. The area surrounded by, or
From the maximum point of the spectrum curve between the points to the line connecting the points, or from the height of the perpendicular drawn to the line connecting the points in the vicinity of the point, by measuring the grain size of the crystal, the conventional long time The present invention relates to a method for measuring crystallinity, which requires simple and easy in-process measurement of crystallinity and also enables in-line measurement in a semiconductor process or the like.
従来、各種分野で用いられる結晶Ｓｉについて、その結
晶性特にその結晶グレインサイズを簡便迅速に測定する
ことは困難であった。特に、結晶Ｓｉを材料とする製造
工程において、該工程中に結晶のグレインサイズを測定
することは行われていない。Heretofore, it has been difficult to measure the crystallinity of crystalline Si used in various fields, especially its crystalline grain size, simply and quickly. In particular, in a manufacturing process using crystalline Si as a material, the grain size of crystals is not measured during the manufacturing process.
例えばＰｏｌｙＳｉは、各種電子デバイスにおいて多方
面に利用されているが、これまではＰｏｌｙＳｉの自動
製造工程中においてモニター可能であったのは、膜厚、
屈折率、ダスト程度であり、そのグレインサイズはＰｏ
ｌｙＳｉの種々の特性上重要であり、特にＰｏｌｙＳｉ
を抵抗体や薄膜トランジスタとして用いる時の重要なフ
ァクターであるにも拘らず、インプロセスモニターの対
象とされることがなかった。これは、従来ＰｏｌｙＳｉ
のグレインサイズの測定がＴＥＭを用いて行われていた
ためである。即ち、ＴＥＭによる測定においては透過電
子顕微鏡を用いて一つ一つのグレインのサイズを測定す
る必要があるため、サンプルを薄膜化する等の測定試料
作製に長時間を要し、しかもコストが高くなるからであ
る。また、Ｓｉ基板表面の結晶性も同様にその特性上重
要なファクターであり、ＲＢＳ方法による測定は可能で
あるが、ＲＢＳ方法は測定時間が長くなる上に表層の極
く薄い範囲（例えば100Å以下の範囲）内の測定が困難
であるという欠点を有している。For example, PolySi is used in various fields in various electronic devices, but up to now, it was possible to monitor the film thickness,
It has a refractive index and dust, and its grain size is Po.
It is important for various characteristics of polySi, especially PolySi
Despite being an important factor when using as a resistor or thin film transistor, it was not targeted for in-process monitoring. This is the conventional PolySi
This is because the grain size was measured using TEM. That is, in the TEM measurement, it is necessary to measure the size of each grain using a transmission electron microscope. Therefore, it takes a long time to prepare a measurement sample such as thinning the sample, and the cost becomes high. Because. Further, the crystallinity of the Si substrate surface is also an important factor in terms of its characteristics, and although it is possible to measure by the RBS method, the RBS method requires a long measuring time and has an extremely thin surface layer (for example, 100 Å or less). It is difficult to measure within the range (1).
上述したように、従来の測定方法は、いずれも煩雑で長
時間を要し、従って例えば半導体製造プロセスインライ
ンにおけるグラインサイズのモニターに適用することが
できないという問題がある。As described above, all of the conventional measuring methods have a problem that they are complicated and require a long time, and therefore cannot be applied to, for example, a grin size monitor in an in-line semiconductor manufacturing process.
本発明の目的は、この問題を解決して、簡単な操作で、
短時間かつ低コストで、しかも非破壊の状態において結
晶のグレインサイズを知ることによりその結晶性を簡便
に測定でき、かつ各種工程中にインプロセスでこの測定
を行うことをも可能にした、結晶性の測定法を提供する
ことにある。The object of the present invention is to solve this problem, and with a simple operation,
In a short time and at low cost, the crystallinity can be easily measured by knowing the grain size of the crystal in a non-destructive state, and it is also possible to perform this measurement in-process during various steps. To provide a method of measuring sex.
本発明に係る例えばＳｉ結晶性の測定方法は、紫外分光
法を用いてＳｉ結晶の結晶性を測定するものであって、
被測定体の表面反射スペクトル曲線におけるＳｉ結晶の
グレインサイズに依存する２つの極小点または変曲点を
求め、当該点を結ぶ線、または当該点近傍の点を結ぶ線
と上記スペクトル曲線との囲む面積、あるいは、当該点
間の上記スペクトル曲線の最大点から当該点を結ぶ線、
または当該点近傍の点を結ぶ線へおろした垂線の高さか
ら、当該Ｓｉ結晶のグレインサイズを測定する技術的手
段をとることにより、上記従来技術の問題を解決する。For example, the method for measuring Si crystallinity according to the present invention is a method for measuring the crystallinity of Si crystal using ultraviolet spectroscopy,
The two minimum points or inflection points depending on the grain size of the Si crystal in the surface reflection spectrum curve of the object to be measured are obtained, and the line connecting the points or the line connecting the points near the point and the spectrum curve are surrounded. Area, or a line connecting the points from the maximum point of the spectral curve between the points,
Alternatively, the technical problem of the above-mentioned conventional technique is solved by taking a technical means of measuring the grain size of the Si crystal from the height of a perpendicular line drawn to a line connecting the points near the point.
紫外分光法を用いた場合の被測定体の表面反射スペクト
ル曲線において、Ｓｉ結晶のグレインサイズに対応する
のは、通常、235nmと330nmにおけるスペクトル形状であ
る。即ちＳｉ結晶、特にＰｏｌｙＳｉの結晶性を表すの
は270〜280nmのピークであり、この両側の、235nmと330
nm付近において、極小または変曲点が現れる。従って、
この２つの極小点または変曲点を結ぶ線と、スペクトル
曲線とが囲む面積、あるいは、２つの点間のスペクトル
曲線の最大点から、２つの点を結ぶ線へおろした垂線の
高さは、上記Ｓｉ結晶の結晶性を表すピークに対応する
データとなる。よってこれを用いてＳｉ結晶のグレイン
サイズを知ることができ、これによりＳｉ結晶性を測定
できる。上記極小点または変曲点を直接結ぶのでなく、
例えば当該極小点や変曲点近傍に接するように接線を引
いた場合の、該接線と上記スペクトル曲線とが囲む面
積、あるいは、２つの点間のスペクトル曲線の最大点か
ら接線へおろした垂線の高さも、グレインサイズを表す
ものとして利用できる。このように接点を利用できるほ
か、その他上記極小点や変曲点と関連をもつ点を結んで
それとスペクトル曲線との囲む面積、あるいは、その関
連をもつ点間のスペクトル曲線の最大点からそれへおろ
した垂線の高さを求めて、同様にグレインサイズと関係
するデータとするのでもよい（以下このような面積をピ
ーク面積といい、このような垂線の高さをピーク高さと
いう）。In the surface reflection spectrum curve of the object to be measured when using the ultraviolet spectroscopy, it is the spectrum shape at 235 nm and 330 nm that usually corresponds to the grain size of the Si crystal. That is, it is the peak of 270 to 280 nm that shows the crystallinity of Si crystal, especially PolySi.
A minimum or inflection point appears near nm. Therefore,
The area enclosed by the line connecting these two minimum points or inflection points and the spectrum curve, or the height of the perpendicular line drawn from the maximum point of the spectrum curve between the two points to the line connecting the two points is The data corresponds to the peak representing the crystallinity of the Si crystal. Therefore, this can be used to know the grain size of the Si crystal, and thus the Si crystallinity can be measured. Instead of directly connecting the minimum point or inflection point,
For example, when a tangent line is drawn so as to be in contact with the vicinity of the local minimum point or the inflection point, the area surrounded by the tangent line and the spectral curve, or the perpendicular line drawn from the maximum point of the spectral curve between the two points to the tangent line Height can also be used as an indicator of grain size. In addition to using the contact points in this way, other points that are related to the minimum point and the inflection point are connected, and the area surrounded by them and the spectrum curve, or from the maximum point of the spectrum curve between the related points to it The height of the dropped vertical line may be obtained and similarly used as data related to the grain size (hereinafter, such an area is referred to as a peak area, and the height of such a vertical line is referred to as a peak height).
上記のように、本発明の測定方法によれば、被測定体の
表面反射紫外分光スペクトルによりグレインサイズを表
すデータが得られる。従って例えばＴＥＭにより予め正
確にグレインサイズを測定したものについて、各グレイ
ンサイズに固有の表面反射スペクトルを得ておき、各グ
レインサイズについての上記面積あるいは上記高さのデ
ータを調べておけば、これと上記実測により得たデータ
とを比較対応させることにより、被測定体の結晶のグレ
インサイズを知ることができる。As described above, according to the measuring method of the present invention, the data showing the grain size can be obtained from the surface reflection ultraviolet spectrum of the measured object. Therefore, for example, if the grain size is accurately measured by TEM in advance, a surface reflection spectrum unique to each grain size is obtained, and if the area or height data for each grain size is examined, By comparing and correlating with the data obtained by the actual measurement, the grain size of the crystal of the measured object can be known.
この測定方法によれば必要なデータを得るのに被測定体
の表面反射スペクトルを測定するだけでよいので、簡便
にしかも短時間で測定ができ、しかも被測定体を非破壊
で測定できる。このため、本発明は、インラインでの結
晶性測定法としても用いることができ、インプロセスモ
ニターとして適用することもできる。According to this measuring method, it is only necessary to measure the surface reflection spectrum of the object to be measured in order to obtain necessary data, so that the measurement can be performed easily and in a short time, and the object can be measured nondestructively. Therefore, the present invention can be used as an in-line crystallinity measuring method and can also be applied as an in-process monitor.
以下、本発明の一実施例について述べる。但し、当然の
ことではあるが、本発明は以下述べる実施例にのみ限定
されるものではない。An embodiment of the present invention will be described below. However, as a matter of course, the present invention is not limited to the embodiments described below.
この実施例は、本発明を、紫外反射スペクトルを用いて
ＰｏｌｙＳｉのグレインサイズを測定する方法に適用し
たものである。具体的には可視光の分光光度計を用いて
表面反射スペクトルを測定した。This example is an application of the present invention to a method for measuring the grain size of PolySi using an ultraviolet reflection spectrum. Specifically, the surface reflection spectrum was measured using a spectrophotometer for visible light.
本実施例の方法によれば、グレインサイズ（Ｒ）と反射
ピーク面積（Ａ）との間には次式のような関係がなりた
つので、これを用いてグレインサイズを測定できる。こ
の式は、下記に述べる条件でいくつかのサンプルについ
てＴＥＭによって予め測定されたグレインサイズと、そ
の各グレインサイズについて予め測定された固有の反射
ピーク面積に関するデータに基づいて得られるものであ
る。According to the method of the present embodiment, the following relationship is established between the grain size (R) and the reflection peak area (A), and this can be used to measure the grain size. This formula is obtained based on the grain size pre-measured by TEM for some samples under the conditions described below and the data on the specific reflection peak area pre-measured for each grain size.
Ａ＝２７×log（Ｒ）−２０ （但し、Ａは単結晶シリコンを100とした場合のピーク
面積） 以下、この式を導き出すに至った実験の経過を示す。A = 27 × log (R) −20 (where A is the peak area when the single crystal silicon is 100) The following shows the progress of the experiment leading to this formula.
第１図は石英上に堆積して形成したＰｏｌｙＳｉの典型
的な反射スペクトル曲線（イ）を示す。このＰｏｌｙＳ
ｉの膜厚は800Å、堆積温度は610℃である。なお反射ス
ペクトル測定の際、走査速度は中速とし、スリットは2.
0nmとして測定した（以下同じである）。FIG. 1 shows a typical reflection spectrum curve (a) of PolySi deposited on quartz. This PolyS
The film thickness of i is 800Å, and the deposition temperature is 610 ° C. When measuring the reflection spectrum, the scanning speed is medium and the slit is 2.
It was measured as 0 nm (the same applies hereinafter).
第２図は第１図のＰｏｌｙＳｉにＳｉ＋を40keV、１×1
015cm-2の条件でイオン注入し、600℃で15時間アニール
して得たサンプルの場合の反射スペクトルを示すグラフ
（ロ）である。この中で270〜280nmの範囲に現れるピー
クがＰｏｌｙＳｉの結晶性を表すピーク波形である。な
お、400nm以上のスペクトルはＰｏｌｙＳｉと石英との
間の干渉特性を表しているものであり、これは膜厚との
関係を表す波形である。第１図と第２図との比較によっ
て明らかなように、Ｓｉ＋イオン注入、アニールを行っ
た第２図のサンプルの方がピークが高いものとなる。こ
のようにスペクトルがピークであるときの面積を算出
し、ＴＥＭによって予め測定したＰｏｌｙＳｉのグレイ
ンサイズとの間で相関関係を調べた。FIG. 2 shows that Si + is added to PolySi of FIG. 1 at 40 keV, 1 × 1.
9 is a graph (b) showing a reflection spectrum in the case of a sample obtained by performing ion implantation under the condition of 0 15 cm −2 and annealing at 600 ° C. for 15 hours. Among them, the peak appearing in the range of 270 to 280 nm is the peak waveform showing the crystallinity of PolySi. The spectrum of 400 nm or more represents the interference characteristic between PolySi and quartz, and this is a waveform showing the relationship with the film thickness. As is clear from a comparison between FIG. 1 and FIG. 2, the sample of FIG. 2 in which Si + ion implantation and annealing are performed has a higher peak. In this way, the area at the peak of the spectrum was calculated, and the correlation with the grain size of PolySi measured in advance by TEM was examined.
まず、測定用のサンプルとして次の４種類のものを用い
た。First, the following four types of samples were used as measurement samples.
ａ．単結晶 Ｓｉ。a. Single crystal Si.
ｂ．数千ÅのグレインをもつＰｏｌｙＳｉ。b. PolySi with grains of several thousand Å.
（Ｓｉ＋をイオン注入し、600℃で15時間アニールした
ＰｏｌｙＳｉ） ｃ．数100ÅのグレインをもつＰｏｌｙＳｉ。(PolySi ion-implanted with Si + and annealed at 600 ° C. for 15 hours) c. PolySi with grains of several 100Å.
（ＡｓをドーピングしたＰｏｌｙＳｉ（なおこのＰｏｌ
ｙＳｉは610℃で堆積し、600℃で15時間アニールしたも
のである）） ｄ．10Å以下のグレインをもつＰｏｌｙＳｉ（Ａｍｏｒ
ｐｈｏｐｕｓＳｉ） （ＰｏｌｙＳｉにＳｉ＋イオン注入して測定） 第３図〜第６図に各々示す曲線Ａ〜Ｄは、それぞれ前記
ａ〜ｄの各測定用のサンプルについて、200nm〜400nmの
範囲内で測定を行い、反射率50〜100％の間をプロット
したものである。(PolySi doped with As (this Pol
ySi was deposited at 610 ° C. and annealed at 600 ° C. for 15 hours)) d. PolySi (Amor with grain less than 10Å
(measured by implanting Si + ions into PolySi) Curves A to D respectively shown in FIGS. 3 to 6 are measured within the range of 200 nm to 400 nm for the respective measurement samples a to d. The reflectance is plotted between 50 and 100%.
図示の如く、第３図（単結晶Ｓｉ）、第４図（数千Åの
グレインをもつＰｏｌｙＳｉ）のスペクトル曲線Ａ，Ｂ
は、235nm，330nm付近に極小があり、この間の270〜280
nmにピークが生ずる。第５図（数百Åのグレインをもつ
ＰｏｌｙＳｉ）のスペクトル曲線ｃは、330nm付近では
極小をとらず、変曲点になっており、235nm付近の極小
も、変曲点に近いものになっている。しかしその間の27
0〜280nmには、ピークが見られる。一方、第６図のアモ
ルファスＳｉのスペクトル曲線Ｄの場合、もはや上記極
小、及びピークは見られない。As shown in the figure, the spectral curves A and B of Fig. 3 (single crystal Si) and Fig. 4 (PolySi with grains of several thousand Å)
Has a minimum near 235 nm and 330 nm, and 270 to 280 in the meantime.
There is a peak at nm. The spectrum curve c of Fig. 5 (PolySi with grains of several hundred Å) does not have a local minimum at around 330 nm and is an inflection point, and the local minimum near 235 nm is also close to the inflection point. There is. But in the meantime 27
A peak is seen at 0 to 280 nm. On the other hand, in the case of the spectrum curve D of amorphous Si shown in FIG. 6, the minimum and peak are no longer observed.
本実施例においては、これらのスペクトルについて240n
m及び340nmの極小点（または変曲点）を直線で結び、そ
こに形成されるピークの面積を算出した。但し本実施例
では、具体的には図示の如く２つの極小点（変曲点）付
近に接するようにスペクトル曲線に接線を引いて、この
接線とスペクトル曲線との囲む面積をもって、ピーク面
積とした。つまり、ピーク面積を得るための直線を引く
２点として、上記極小点（変曲点）付近の接点を用いた
ものである。In this example, 240n for these spectra
The minimum points (or inflection points) at m and 340 nm were connected by a straight line, and the area of the peak formed there was calculated. However, in the present embodiment, specifically, as shown in the figure, a tangent line is drawn on the spectrum curve so as to be in contact with two local minimum points (inflection points), and the area enclosed by the tangent line and the spectrum curve is defined as the peak area. . That is, the contact points in the vicinity of the minimum point (inflection point) are used as two points to draw a straight line for obtaining the peak area.
また本実施例においては、ピーク面積を算出の簡単なピ
ーク高さによって近似することもできる。このピーク高
さは、スペクトル曲線のピークから、２つの極小点（変
曲点）付近に接する接線におろした垂線の高さを用いる
ものである。第３図乃至第５図に、このような垂線を符
号Ｐａ〜Ｐｃで示す。Further, in the present embodiment, the peak area can be approximated by a peak height that is easy to calculate. For this peak height, the height of a perpendicular line drawn from the peak of the spectrum curve to a tangent line tangent to the two local minimum points (inflection points) is used. In FIGS. 3 to 5, such vertical lines are indicated by reference numerals Pa to Pc.
さらに、測定精度は若干下るものの、スペクトル曲線の
ピークから垂直に引いた線の、２つの極小点（変曲点）
付近に接する接線との交点までの長さによっても近似す
ることもできる。Furthermore, although the measurement accuracy is slightly lower, the two minimum points (inflection points) of the line drawn vertically from the peak of the spectrum curve
It can also be approximated by the length to the point of intersection with the tangent line that is in contact with the neighborhood.
第７図のグラフＩ〜IVは、前記の各サンプルごとのピー
ク面積とＴＥＭによって予め測定してあるグレインサイ
ズとをプロットした結果を示す。ＴＥＭの測定ではグレ
インサイズの分布に幅があるので、グラフＩ〜IVもサイ
ズ方向に幅をもつようになっている。この結果から、検
量線としてグラフＶが得られ、これから前述の式が導か
れる。従って、この式の導いたのと同じ条件で被測定体
の反射紫外スペクトルを求め、上記ピーク面積を求めれ
ば、この式によって結晶のグレインサイズを知ることが
でき、これにより被測定体のＳｉ結晶性を測定できる。
なおＴＥＭによる測定では、グレインサイズの分布に大
小が現れてくるので、この式によって得られるグレイン
サイズは、平均的な値となっていると考えられる。ま
た、２．０μｍ以上のグレインを有するＰｏｌｙＳｉの
ピーク面積と、単結晶Ｓｉのそれとの間には差異を見出
すことができないため、本実施例の方法は20μｍ以下の
グレインに関してのみ有効である。しかし、通常は数拾〜数千
ÅのPolySiがほとんどであるので、不都合はない。 なお、上述した如く、第７図のピーク面積の代わりにピ
ーク高さ、あるいは垂線の長さを用いても同様に被測定
体のＳｉ結晶性を測定できる。Graphs I to IV in FIG. 7 show the results of plotting the peak area of each sample and the grain size previously measured by TEM. In the TEM measurement, since the grain size distribution has a width, the graphs I to IV also have a width in the size direction. From this result, a graph V is obtained as a calibration curve, and the above equation is derived from this. Therefore, if the reflected ultraviolet spectrum of the object to be measured is obtained under the same conditions as those derived from this equation and the peak area is obtained, the grain size of the crystal can be known by this equation, and thus the Si crystal of the object to be measured can be obtained. Sex can be measured.
In the measurement by TEM, the grain size distribution shows large and small, so the grain size obtained by this equation is considered to be an average value. Further, since no difference can be found between the peak area of PolySi having grains of 2.0 μm or more and that of single crystal Si, the method of the present embodiment is effective only for grains of 20 μm or less. However, there is usually no inconvenience because most of the PolySi is several to several thousand Å. As described above, the Si crystallinity of the measured object can be similarly measured by using the peak height or the length of the perpendicular line instead of the peak area in FIG.
なお、この方法はＰｏｌｙＳｉの他にも、Ｓｉ＋をイオ
ン注入した単結晶Ｓｉ表面等の表面結晶の解析の一部と
しても適用可能である。In addition to PolySi, this method can be applied as a part of analysis of surface crystals such as a single crystal Si surface in which Si + is ion-implanted.
また、Ｓｉの他にも、ＧｅやＡｓの反射スペクトルを測
定しても、夫々、280nm，250nm付近にピークが見られ、
Ｓｉと同様に結晶性を測定することができる。Also, in addition to Si, when the reflection spectrum of Ge or As is measured, peaks are seen near 280 nm and 250 nm, respectively.
The crystallinity can be measured similarly to Si.
さらに、この方法は上述のものに限らず、共有結合半導
体であればこの紫外域でピークを持つので同様に測定で
きるものであり、上述したＧｅ，ＧａＡｓ，や、Ｃ，Ｓ
ｉＣ，あるいはそれらの多結晶体等の評価にも適用でき
る。Further, this method is not limited to the above-mentioned method, and any covalently-bonded semiconductor has a peak in this ultraviolet region and can be similarly measured.
It can also be applied to the evaluation of iC or polycrystals thereof.
以上のように本発明の結晶性の測定方法は、簡単な操作
で、短時間かつ低コストで、しかも非破壊の状態におい
て、結晶性を測定できる。As described above, the crystallinity measuring method of the present invention can measure crystallinity in a simple operation, in a short time, at low cost, and in a nondestructive state.
従って本発明は、例えば半導体の製造工程などにおける
インプロセスでのインライン測定方法として具体化する
ことも可能であるという効果がある。Therefore, the present invention has an effect that it can be embodied as an in-line in-line measuring method in, for example, a semiconductor manufacturing process.
第１図は石英上ＰｏｌｙＳｉの反射スペクトルを示すグ
ラフ、第２図は第１図のＰｏｌｙＳｉにＳｉ＋イオン注
入、アニールを行ったサンプルの反射スペクトルを示す
グラフ、第３図は単結晶Ｓｉの反射スペクトルを示すグ
ラフ、第４図は数千ÅのグレインをもつＰｏｌｙＳｉの
反射スペクトルを示すグラフ、第５図は数百Åのグレイ
ンをもつＰｏｌｙＳｉの反射スペクトルを示すグラフ、
第６図は10Å以下のグレインをもつＰｏｌｙＳｉの反射
スペクトルを示すグラフ、第７図はグレインサイズとピ
ーク面積との関係を示すグラフである。 （イ），（ロ），Ａ〜Ｄ…スペクトル曲線。FIG. 1 is a graph showing a reflection spectrum of PolySi on quartz, FIG. 2 is a graph showing a reflection spectrum of a sample obtained by performing Si + ion implantation and annealing on PolySi of FIG. 1, and FIG. 3 is a reflection of single crystal Si. Fig. 4 is a graph showing a spectrum, Fig. 4 is a graph showing a reflection spectrum of PolySi having a grain of several thousand Å, and Fig. 5 is a graph showing a reflection spectrum of PolySi having a grain of several hundred Å.
FIG. 6 is a graph showing the reflection spectrum of PolySi having grains of 10 Å or less, and FIG. 7 is a graph showing the relationship between the grain size and the peak area. (A), (b), A to D ... Spectral curves.
Claims (2)
る方法であって、 被測定体の表面反射スペクトル曲線における結晶のグレ
インサイズに依存する２つの極小点または変曲点を求
め、 当該点を結ぶ線、または当該点近傍の点を結ぶ線と上記
スペクトル曲線との囲む面積から、当該結晶のグレイン
サイズを測定する 結晶性の測定方法。1. A method for measuring the crystallinity of a crystal by using ultraviolet spectroscopy, which comprises determining two local minimum points or inflection points depending on the grain size of the crystal in a surface reflection spectrum curve of an object to be measured, A method for measuring crystallinity, which comprises measuring a grain size of the crystal from an area surrounded by a line connecting the points or a line connecting points near the point and the spectrum curve.
る方法であって、 被測定体の表面反射スペクトル曲線における結晶のグレ
インサイズに依存する２つの極小点または変曲点を求
め、 当該点間の上記スペクトル曲線の最大点から上記当該点
を結ぶ線、または当該点近傍の点を結ぶ線へおろした垂
線の高さから、当該結晶のグレインサイズを測定する 結晶性の測定方法。2. A method for measuring the crystallinity of a crystal by using ultraviolet spectroscopy, which comprises determining two minimum points or inflection points depending on the grain size of the crystal in a surface reflection spectrum curve of an object to be measured, A crystallinity measuring method, wherein the grain size of the crystal is measured from the height of a perpendicular line drawn from the maximum point of the spectrum curve between the points to the line connecting the points or a line connecting points near the point.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11603885A JPH067101B2 (en) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | Crystallinity measurement method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11603885A JPH067101B2 (en) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | Crystallinity measurement method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61272636A JPS61272636A (en) | 1986-12-02 |
| JPH067101B2 true JPH067101B2 (en) | 1994-01-26 |
Family
ID=14677190
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11603885A Expired - Lifetime JPH067101B2 (en) | 1985-05-29 | 1985-05-29 | Crystallinity measurement method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH067101B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8101018B2 (en) | 2004-03-04 | 2012-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007073761A (en) | 2005-09-07 | 2007-03-22 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Nitride semiconductor substrate and processing method thereof |
-
1985
- 1985-05-29 JP JP11603885A patent/JPH067101B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8101018B2 (en) | 2004-03-04 | 2012-01-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for fabricating a semiconductor device and apparatus for inspecting a semiconductor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61272636A (en) | 1986-12-02 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |