JPH0669536A - 光位置検出装置の製造方法 - Google Patents
光位置検出装置の製造方法Info
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- JPH0669536A JPH0669536A JP22303892A JP22303892A JPH0669536A JP H0669536 A JPH0669536 A JP H0669536A JP 22303892 A JP22303892 A JP 22303892A JP 22303892 A JP22303892 A JP 22303892A JP H0669536 A JPH0669536 A JP H0669536A
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
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- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
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- H01L31/0216—Coatings
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光位置検出素子の検出面のゼロ点と光透過孔
の中心位置とを一致させる。 【構成】 長方形状のガラス基板20の裏面の全面にS
nO2 よりなるX方向抵抗体膜5を形成し、そのX方向
抵抗体膜5上にn−i−p−i−n層構造の光導電膜6
を積層し、さらにSnO2 よりなるY方向抵抗体膜7を
パターン形成して、そのY方向抵抗体膜7をエッチング
のマスクとしてエッチングする。次に、X方向抵抗体膜
5上とY方向抵抗体膜7上に、AlよりなるX方向帯状
対電極51、52、AlよりなるY方向帯状対電極71
を互いに直交するようにパターン形成すると同時に、ア
ライメントマーク4aも標示する。次に、アライメント
マーク3aがアライメントマーク4aと一致するよう
に、ガラス基板20の表面の全面にピンホール31を有
する遮光膜3をスクリーン印刷した後に、切断して多数
の全方位日射センサ1を製造する。
の中心位置とを一致させる。 【構成】 長方形状のガラス基板20の裏面の全面にS
nO2 よりなるX方向抵抗体膜5を形成し、そのX方向
抵抗体膜5上にn−i−p−i−n層構造の光導電膜6
を積層し、さらにSnO2 よりなるY方向抵抗体膜7を
パターン形成して、そのY方向抵抗体膜7をエッチング
のマスクとしてエッチングする。次に、X方向抵抗体膜
5上とY方向抵抗体膜7上に、AlよりなるX方向帯状
対電極51、52、AlよりなるY方向帯状対電極71
を互いに直交するようにパターン形成すると同時に、ア
ライメントマーク4aも標示する。次に、アライメント
マーク3aがアライメントマーク4aと一致するよう
に、ガラス基板20の表面の全面にピンホール31を有
する遮光膜3をスクリーン印刷した後に、切断して多数
の全方位日射センサ1を製造する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば日射センサや光
電スイッチ等の光位置検出装置の製造方法に関するもの
である。
電スイッチ等の光位置検出装置の製造方法に関するもの
である。
【0002】
【技術の背景】本願発明者等は、図13に示したよう
に、透明基板101上に光位置検出素子102を配し、
透明基板101より離れた場所に光透過孔103を形成
した遮光膜104を配した光位置検出装置(公知の技術
ではない)100を提案した。なお、光位置検出素子1
02は、透明基板101上に抵抗体膜105、光導電膜
106を順次積層し、光導電膜106上に抵抗体膜10
7をパターン形成した後に、抵抗体膜105、107に
互いに直交するようにX方向対電極108、Y方向対電
極109をパターン形成することによって製造されてい
る。
に、透明基板101上に光位置検出素子102を配し、
透明基板101より離れた場所に光透過孔103を形成
した遮光膜104を配した光位置検出装置(公知の技術
ではない)100を提案した。なお、光位置検出素子1
02は、透明基板101上に抵抗体膜105、光導電膜
106を順次積層し、光導電膜106上に抵抗体膜10
7をパターン形成した後に、抵抗体膜105、107に
互いに直交するようにX方向対電極108、Y方向対電
極109をパターン形成することによって製造されてい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところが、光位置検出
装置100においては、図13に示したように、光位置
検出素子102を形成した透明基板101と遮光膜10
4とが離れているので、光位置検出装置100の製造作
業中に光透過孔103の中心点Oが光位置検出素子10
2の検出面110のゼロ点P(0,0)よりずれてしま
うことが多かった。このため、自動車の真上から日射光
が照射されている場合、すなわち、日射仰角θが90°
の場合の光位置検出素子102の出力電圧が光位置検出
素子の検出面110のゼロ点P(0,0)の本来の出力
となるように光位置の検出回路または計算式をゼロ点補
正する必要があり、光位置の検出回路や演算回路等の制
御装置の構造が複雑となるという課題があった。本発明
は、光位置検出素子の検出面の所定位置と光透過孔の形
成位置とを一致させて制御回路の構造を簡略化すること
が可能な光位置検出装置の製造方法の提供を目的とす
る。
装置100においては、図13に示したように、光位置
検出素子102を形成した透明基板101と遮光膜10
4とが離れているので、光位置検出装置100の製造作
業中に光透過孔103の中心点Oが光位置検出素子10
2の検出面110のゼロ点P(0,0)よりずれてしま
うことが多かった。このため、自動車の真上から日射光
が照射されている場合、すなわち、日射仰角θが90°
の場合の光位置検出素子102の出力電圧が光位置検出
素子の検出面110のゼロ点P(0,0)の本来の出力
となるように光位置の検出回路または計算式をゼロ点補
正する必要があり、光位置の検出回路や演算回路等の制
御装置の構造が複雑となるという課題があった。本発明
は、光位置検出素子の検出面の所定位置と光透過孔の形
成位置とを一致させて制御回路の構造を簡略化すること
が可能な光位置検出装置の製造方法の提供を目的とす
る。
【0004】
【課題を解決するための手段】本発明は、平行な2面を
持つ透明基板の一端面上に、光が照射されると抵抗値が
変化する光位置検出素子を密着させると同時に、前記透
明基板の一端面上において前記光位置検出素子の検出面
より分離された位置に第1マークを標示する第1工程
と、前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向す
る他端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端
面上において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置よ
り、前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第1
マークとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第2
マークを標示する第2工程とを備え、前記第1工程また
は前記第2工程の何れかの工程においては、前記第1マ
ークと前記第2マークとが一致するように、前記光位置
検出素子または前記遮光性材料を前記透明基板の一端面
または他端面上に密着させる技術手段を採用した。
持つ透明基板の一端面上に、光が照射されると抵抗値が
変化する光位置検出素子を密着させると同時に、前記透
明基板の一端面上において前記光位置検出素子の検出面
より分離された位置に第1マークを標示する第1工程
と、前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向す
る他端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端
面上において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置よ
り、前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第1
マークとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第2
マークを標示する第2工程とを備え、前記第1工程また
は前記第2工程の何れかの工程においては、前記第1マ
ークと前記第2マークとが一致するように、前記光位置
検出素子または前記遮光性材料を前記透明基板の一端面
または他端面上に密着させる技術手段を採用した。
【0005】
【作用】第1工程を行った後に第2工程が行われる場合
には、透明基板の一端面上に光位置検出素子を密着させ
ると同時に第1マークを標示した後に、透明基板の他端
面上に標示する第2マークを第1マークに一致するよう
に透明基板の他端面上に光透過孔を形成した遮光性材料
を密着させる。第2工程を行った後に第1工程が行われ
る場合には、透明基板の他端面上に光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に第2マークを標示した
後に、透明基板の一端面上に標示する第1マークを第2
マークに一致するように透明基板の一端面上に光位置検
出素子を密着させる。したがって、透明基板の一端面上
と他端面上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時
には、光位置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料
の光透過孔の形成位置とが一致することによって、光位
置の検出回路または計算式の補正を行う必要がなくな
る。
には、透明基板の一端面上に光位置検出素子を密着させ
ると同時に第1マークを標示した後に、透明基板の他端
面上に標示する第2マークを第1マークに一致するよう
に透明基板の他端面上に光透過孔を形成した遮光性材料
を密着させる。第2工程を行った後に第1工程が行われ
る場合には、透明基板の他端面上に光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に第2マークを標示した
後に、透明基板の一端面上に標示する第1マークを第2
マークに一致するように透明基板の一端面上に光位置検
出素子を密着させる。したがって、透明基板の一端面上
と他端面上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時
には、光位置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料
の光透過孔の形成位置とが一致することによって、光位
置の検出回路または計算式の補正を行う必要がなくな
る。
【0006】
【実施例】つぎに、本発明の光位置検出装置の製造方法
を図に示す実施例に基づいて説明する。 〔第1実施例〕図1ないし図3は本発明を用いて製造さ
れた全方位日射センサの概略構成を示した図である。全
方位日射センサ1は、例えば自動車のフロントガラス近
傍のインストルメントパネルの上部に設置され、車室内
に差し込む日射量の影響を自動補正する自動車用オート
エアコンに使用される。そのオートエアコンは、全方位
日射センサ1により検出される日射仰角、日射方位角、
日射強度に基づいて左右のベント吹出口(図示せず)よ
り吹き出される風量比を風量比切替ダンパ(図示せず)
によりリニアに切り替えるように自動コントロールする
制御回路(図示せず)を備えている。この全方位日射セ
ンサ1は、厚さ1.8mmの正方形状ソーダガラスの表裏
面にSiO2 (ソーダガラス中のNa+ の拡散防止)を
コートした透明基板としてのガラス基板2と、このガラ
ス基板2の表面(他端面)上に一体的に形成された遮光
膜3、およびガラス基板2の裏面(一端面)上に一体的
にパターン形成された電圧式の光位置検出素子4から構
成されている。
を図に示す実施例に基づいて説明する。 〔第1実施例〕図1ないし図3は本発明を用いて製造さ
れた全方位日射センサの概略構成を示した図である。全
方位日射センサ1は、例えば自動車のフロントガラス近
傍のインストルメントパネルの上部に設置され、車室内
に差し込む日射量の影響を自動補正する自動車用オート
エアコンに使用される。そのオートエアコンは、全方位
日射センサ1により検出される日射仰角、日射方位角、
日射強度に基づいて左右のベント吹出口(図示せず)よ
り吹き出される風量比を風量比切替ダンパ(図示せず)
によりリニアに切り替えるように自動コントロールする
制御回路(図示せず)を備えている。この全方位日射セ
ンサ1は、厚さ1.8mmの正方形状ソーダガラスの表裏
面にSiO2 (ソーダガラス中のNa+ の拡散防止)を
コートした透明基板としてのガラス基板2と、このガラ
ス基板2の表面(他端面)上に一体的に形成された遮光
膜3、およびガラス基板2の裏面(一端面)上に一体的
にパターン形成された電圧式の光位置検出素子4から構
成されている。
【0007】遮光膜3は、本発明の遮光性材料であっ
て、図4にも示したように、光位置検出素子4の検出面
40(図1参照)の上面を遮光するものである。この遮
光膜3は、12mm×12mmの正方形状に形成されてお
り、黒色のカーボンを混合したエポキシ樹脂や黒色の有
機物等の遮光材料よりなる。また、遮光膜3は、ガラス
基板2の表面上に直接、光を遮光する性質を持つ遮光性
インキをスクリーン印刷してなり、中央部に光位置検出
素子4の検出面40にスポット状に日射光を照射するた
めのピンホール31が形成されている。ピンホール31
は、本発明の光透過孔であって、遮光膜3の中心部に円
形状に形成されている。また、遮光膜3を形成する際に
は、図5に示したように、4個のアライメントマーク3
a〜3dも同時に切断前のガラス基板20の表面上にス
クリーン印刷される。その4個のアライメントマーク3
a〜3dは、本発明の第2マークであって、隣設して設
けられる2つの遮光膜3のピンホール31の中心点Oよ
り所定の距離(L=12mm)だけそれぞれ分離した位置
に標示される。なお、遮光膜3の他の形成方法として
は、光を透過しない遮光性材料(金属合金膜、遮光性樹
脂等)をガラス基板2の表面上にスパッタまたは蒸着
し、金属マスクやフォトリングラフィー等でパターン形
成しても良い。
て、図4にも示したように、光位置検出素子4の検出面
40(図1参照)の上面を遮光するものである。この遮
光膜3は、12mm×12mmの正方形状に形成されてお
り、黒色のカーボンを混合したエポキシ樹脂や黒色の有
機物等の遮光材料よりなる。また、遮光膜3は、ガラス
基板2の表面上に直接、光を遮光する性質を持つ遮光性
インキをスクリーン印刷してなり、中央部に光位置検出
素子4の検出面40にスポット状に日射光を照射するた
めのピンホール31が形成されている。ピンホール31
は、本発明の光透過孔であって、遮光膜3の中心部に円
形状に形成されている。また、遮光膜3を形成する際に
は、図5に示したように、4個のアライメントマーク3
a〜3dも同時に切断前のガラス基板20の表面上にス
クリーン印刷される。その4個のアライメントマーク3
a〜3dは、本発明の第2マークであって、隣設して設
けられる2つの遮光膜3のピンホール31の中心点Oよ
り所定の距離(L=12mm)だけそれぞれ分離した位置
に標示される。なお、遮光膜3の他の形成方法として
は、光を透過しない遮光性材料(金属合金膜、遮光性樹
脂等)をガラス基板2の表面上にスパッタまたは蒸着
し、金属マスクやフォトリングラフィー等でパターン形
成しても良い。
【0008】光位置検出素子4は、ガラス基板2上に形
成され、透明抵抗体からなるX方向抵抗体膜5、光電変
換膜の光導電効果を利用した光導電膜6、金属電極抵抗
体からなるY方向抵抗体膜7よりなり、さらにX方向抵
抗体膜5とY方向抵抗体膜7の各両端部より2本ずつ計
4本のリード電極X、X’、Y、Y’を有する構造を持
つ。そして、光位置検出素子4は、X方向抵抗体膜5と
Y方向抵抗体膜7との間に光導電膜6を介することによ
り直接接することのないように配されている。そして、
通常(光スポットHが当たっていない状態)では、X方
向抵抗体膜5とY方向抵抗体膜7とは光導電膜6により
実質的に絶縁状態を保っている。リード電極X、X’の
取り出し部には、X方向抵抗体膜5より抵抗値が低いX
方向帯状対電極51、52を用いている。また、リード
電極Y、Y’の取り出し部には、同様にして、Y方向抵
抗体膜7より抵抗値が低いY方向帯状対電極71、72
を用いている。X方向帯状対電極51、52とY方向帯
状対電極71、72は、それぞれX方向抵抗体膜5、Y
方向抵抗体膜7の対向する2辺上に、互いに直交するよ
うに配されている。
成され、透明抵抗体からなるX方向抵抗体膜5、光電変
換膜の光導電効果を利用した光導電膜6、金属電極抵抗
体からなるY方向抵抗体膜7よりなり、さらにX方向抵
抗体膜5とY方向抵抗体膜7の各両端部より2本ずつ計
4本のリード電極X、X’、Y、Y’を有する構造を持
つ。そして、光位置検出素子4は、X方向抵抗体膜5と
Y方向抵抗体膜7との間に光導電膜6を介することによ
り直接接することのないように配されている。そして、
通常(光スポットHが当たっていない状態)では、X方
向抵抗体膜5とY方向抵抗体膜7とは光導電膜6により
実質的に絶縁状態を保っている。リード電極X、X’の
取り出し部には、X方向抵抗体膜5より抵抗値が低いX
方向帯状対電極51、52を用いている。また、リード
電極Y、Y’の取り出し部には、同様にして、Y方向抵
抗体膜7より抵抗値が低いY方向帯状対電極71、72
を用いている。X方向帯状対電極51、52とY方向帯
状対電極71、72は、それぞれX方向抵抗体膜5、Y
方向抵抗体膜7の対向する2辺上に、互いに直交するよ
うに配されている。
【0009】以下、光位置検出素子4の各層の材質およ
び詳細な構造について図を用いて説明する。図6は光位
置検出素子4の層構造を示した図で、図7は光導電膜6
のn−i−p−i−n層構造を示した図である。X方向
抵抗体膜5は、厚さ600ÅのSnO2 からなり、シー
ト抵抗値200Ω/cm2 とした。このX方向抵抗体膜5
の必要機能は、日射光を透過すること、およびX方向帯
状対電極51、52間に所定の電圧勾配を形成するよう
に適当なシート抵抗値を有することである。したがっ
て、材質としては、SnO2 以外にZnO、ITO等の
その他の金属酸化膜でも良い。なお、X方向抵抗体膜5
のシート抵抗値は、10Ω/cm2 以上で1MΩ/cm2以
下、好ましくは100Ω/cm2 以上で50kΩ/cm2 以
下となるようにする。この理由としては、X方向抵抗体
膜5のシート抵抗値が低くなり過ぎると、X方向帯状対
電極51、52の抵抗値との差がなくなり抵抗体となら
ない。また、逆に、X方向抵抗体膜5のシート抵抗値が
高くなり過ぎると、日射光が照射されたときの光導電膜
6の抵抗値(a−Siでは約500Ω/cm2 以上で1k
Ω/cm2以下)より高くなり出力が得られなくなる。
び詳細な構造について図を用いて説明する。図6は光位
置検出素子4の層構造を示した図で、図7は光導電膜6
のn−i−p−i−n層構造を示した図である。X方向
抵抗体膜5は、厚さ600ÅのSnO2 からなり、シー
ト抵抗値200Ω/cm2 とした。このX方向抵抗体膜5
の必要機能は、日射光を透過すること、およびX方向帯
状対電極51、52間に所定の電圧勾配を形成するよう
に適当なシート抵抗値を有することである。したがっ
て、材質としては、SnO2 以外にZnO、ITO等の
その他の金属酸化膜でも良い。なお、X方向抵抗体膜5
のシート抵抗値は、10Ω/cm2 以上で1MΩ/cm2以
下、好ましくは100Ω/cm2 以上で50kΩ/cm2 以
下となるようにする。この理由としては、X方向抵抗体
膜5のシート抵抗値が低くなり過ぎると、X方向帯状対
電極51、52の抵抗値との差がなくなり抵抗体となら
ない。また、逆に、X方向抵抗体膜5のシート抵抗値が
高くなり過ぎると、日射光が照射されたときの光導電膜
6の抵抗値(a−Siでは約500Ω/cm2 以上で1k
Ω/cm2以下)より高くなり出力が得られなくなる。
【0010】光導電膜6は、X方向抵抗体膜5上に、ア
モルファスシリコン(以下a−Siと言う)系などの合
金膜をn−i−p−i−n層構造またはp−i−n−i
−p層構造に堆積させ、すなわち、2つのダイオード成
分の極性が互いに反対方向となるように直列接続した構
造に形成されている。この結果、いずれの極性の電圧が
直列接続のダイオード成分に印加されても電流は流れな
い。光導電膜6は、日射光の入射側から順に、n形半導
体膜61をa−Si、i形半導体膜62をa−SiC
(非晶質炭化シリコン)、p形半導体膜63をa−Si
C(非晶質炭化シリコン)、i形半導体膜64をa−S
i(非晶質シリコン)、n形半導体膜65をa−Siに
て形成した5層からなる。この構造は、ダイオードが2
つ逆方向に接続したのと等価である。
モルファスシリコン(以下a−Siと言う)系などの合
金膜をn−i−p−i−n層構造またはp−i−n−i
−p層構造に堆積させ、すなわち、2つのダイオード成
分の極性が互いに反対方向となるように直列接続した構
造に形成されている。この結果、いずれの極性の電圧が
直列接続のダイオード成分に印加されても電流は流れな
い。光導電膜6は、日射光の入射側から順に、n形半導
体膜61をa−Si、i形半導体膜62をa−SiC
(非晶質炭化シリコン)、p形半導体膜63をa−Si
C(非晶質炭化シリコン)、i形半導体膜64をa−S
i(非晶質シリコン)、n形半導体膜65をa−Siに
て形成した5層からなる。この構造は、ダイオードが2
つ逆方向に接続したのと等価である。
【0011】なお、光導電膜6は、光スポットHが照射
されたときその部分だけが極めて低抵抗に変化する膜で
あることが要求される。このため、光導電膜6の光の入
射側のn形半導体膜61、i形半導体膜62、p形半導
体膜63により形成されるフォトダイオードにて発生す
る光電流Iyと、p形半導体膜63、i形半導体膜6
4、n形半導体膜65により形成されるフォトダイオー
ドにて発生する光電流Ixとがほぼ等しく均衡するよう
に設定する必要がある。よって、この実施例では、光の
入射側のi形半導体膜62の膜厚をi形半導体膜64の
膜厚より薄くし、分光感度の異なるa−SiCを用いて
いる。なお、i形半導体膜62の膜厚とi形半導体膜6
4の膜厚との比は、1:2〜1:10の範囲内である。
されたときその部分だけが極めて低抵抗に変化する膜で
あることが要求される。このため、光導電膜6の光の入
射側のn形半導体膜61、i形半導体膜62、p形半導
体膜63により形成されるフォトダイオードにて発生す
る光電流Iyと、p形半導体膜63、i形半導体膜6
4、n形半導体膜65により形成されるフォトダイオー
ドにて発生する光電流Ixとがほぼ等しく均衡するよう
に設定する必要がある。よって、この実施例では、光の
入射側のi形半導体膜62の膜厚をi形半導体膜64の
膜厚より薄くし、分光感度の異なるa−SiCを用いて
いる。なお、i形半導体膜62の膜厚とi形半導体膜6
4の膜厚との比は、1:2〜1:10の範囲内である。
【0012】Y方向抵抗体膜7は、厚さ400ÅのTi
からなり、シート抵抗値200Ω/cm2 とした。このY
方向抵抗体膜7は、基本的にX方向抵抗体膜5と同様な
もので良いが、日射光を透過させる必要は全くない。よ
って、シート抵抗値さえ10Ω/cm2 以上で1MΩ/cm
2 以下であれば、X方向抵抗体膜5に使用可能な材質以
外にもTi、Cr、Ni等の金属、TiN、Agペース
ト、Niペースト、Cuペーストを使用しても良い。X
方向帯状対電極51、52は、図8にも示したように、
X方向抵抗体膜5上の対向する2辺に形成され、Al等
により導電性薄膜としてパターン形成されている。な
お、X方向帯状対電極51、52の材質は、Alの他
に、Cr、Ni、Ag等でも良い。
からなり、シート抵抗値200Ω/cm2 とした。このY
方向抵抗体膜7は、基本的にX方向抵抗体膜5と同様な
もので良いが、日射光を透過させる必要は全くない。よ
って、シート抵抗値さえ10Ω/cm2 以上で1MΩ/cm
2 以下であれば、X方向抵抗体膜5に使用可能な材質以
外にもTi、Cr、Ni等の金属、TiN、Agペース
ト、Niペースト、Cuペーストを使用しても良い。X
方向帯状対電極51、52は、図8にも示したように、
X方向抵抗体膜5上の対向する2辺に形成され、Al等
により導電性薄膜としてパターン形成されている。な
お、X方向帯状対電極51、52の材質は、Alの他
に、Cr、Ni、Ag等でも良い。
【0013】Y方向帯状対電極71、72は、図8にも
示したように、X方向帯状対電極51、52に対して電
圧の印加方向が直交するように、Y方向抵抗体膜7上の
対向する2辺に形成され、X方向帯状対電極51、52
と同様にして、Al等により導電性薄膜としてパターン
形成されている。なお、Y方向帯状対電極71、72の
材質は、Alの他に、Cr、Ni、Ag等でも良いが、
X方向帯状対電極51、52と同一の材質が望ましい。
また、X方向帯状対電極51、52とY方向帯状対電極
71、72を形成する際には、図9に示したように、4
個のアライメントマーク4a〜4dも同時に切断前のガ
ラス基板20の表面上にパターン形成される。その4個
のアライメントマーク4a〜4dは、本発明の第1マー
クであって、隣設して設けられる2つの光位置検出素子
4の検出面40のゼロ点P(0,0)より所定の距離
(L=12mm)だけそれぞれ分離した位置に標示され
る。なお、4個のアライメントマーク4a〜4dは、そ
れぞれ4個のアライメントマーク3a〜3dと重なり合
うように4個のアライメントマーク3a〜3dと同様な
形状(正方形状)および同一の位置関係となるように形
成されている。
示したように、X方向帯状対電極51、52に対して電
圧の印加方向が直交するように、Y方向抵抗体膜7上の
対向する2辺に形成され、X方向帯状対電極51、52
と同様にして、Al等により導電性薄膜としてパターン
形成されている。なお、Y方向帯状対電極71、72の
材質は、Alの他に、Cr、Ni、Ag等でも良いが、
X方向帯状対電極51、52と同一の材質が望ましい。
また、X方向帯状対電極51、52とY方向帯状対電極
71、72を形成する際には、図9に示したように、4
個のアライメントマーク4a〜4dも同時に切断前のガ
ラス基板20の表面上にパターン形成される。その4個
のアライメントマーク4a〜4dは、本発明の第1マー
クであって、隣設して設けられる2つの光位置検出素子
4の検出面40のゼロ点P(0,0)より所定の距離
(L=12mm)だけそれぞれ分離した位置に標示され
る。なお、4個のアライメントマーク4a〜4dは、そ
れぞれ4個のアライメントマーク3a〜3dと重なり合
うように4個のアライメントマーク3a〜3dと同様な
形状(正方形状)および同一の位置関係となるように形
成されている。
【0014】図10は光位置検出素子4のx座標検出、
y座標検出および光電流検出の作動原理を示した図であ
る。 「x座標の検出方法」X方向入力電極として働くX方向
帯状対電極51、52にそれぞれ0V、5V(この電圧
5Vに限定する必要はない)を印加すると、X方向抵抗
体膜5内に0Vから5Vまでの電圧勾配が生じる。この
状態で日射光が光導電膜6に照射されると、その日射光
が通過した部分の2つのダイオード成分が導通状態とな
る。すると、日射光が照射された位置のX方向抵抗体膜
5の特定の電圧がX方向出力電極として働くY方向帯状
対電極71に取り出される。これにより、日射光が照射
された位置のx座標の出力電圧、すなわち、ガラス基板
2に入射した光スポットHの光位置検出素子4の検出面
40上の点P(x,y)のx座標の出力電圧(Vx )が
検出される。
y座標検出および光電流検出の作動原理を示した図であ
る。 「x座標の検出方法」X方向入力電極として働くX方向
帯状対電極51、52にそれぞれ0V、5V(この電圧
5Vに限定する必要はない)を印加すると、X方向抵抗
体膜5内に0Vから5Vまでの電圧勾配が生じる。この
状態で日射光が光導電膜6に照射されると、その日射光
が通過した部分の2つのダイオード成分が導通状態とな
る。すると、日射光が照射された位置のX方向抵抗体膜
5の特定の電圧がX方向出力電極として働くY方向帯状
対電極71に取り出される。これにより、日射光が照射
された位置のx座標の出力電圧、すなわち、ガラス基板
2に入射した光スポットHの光位置検出素子4の検出面
40上の点P(x,y)のx座標の出力電圧(Vx )が
検出される。
【0015】「y座標の検出方法」Y方向入力電極とし
て働くY方向帯状対電極71、72にそれぞれ0V、5
V(この電圧5Vに限定する必要はない)を印加した場
合も、同様にして、Y方向抵抗体膜7内に0Vから5V
までの電圧勾配が生じる。このため、日射光が光導電膜
6に照射されると、同様にして、日射光が照射された位
置のY方向抵抗体膜7の特定の電圧がY方向出力電極と
して働くX方向帯状対電極51に取り出される。これに
より、日射光が照射された位置のy座標の出力電圧、す
なわち、ガラス基板2に入射した光スポットHの光位置
検出素子4の検出面40上の点P(x,y)のy座標の
出力電圧(Vy )が検出される。
て働くY方向帯状対電極71、72にそれぞれ0V、5
V(この電圧5Vに限定する必要はない)を印加した場
合も、同様にして、Y方向抵抗体膜7内に0Vから5V
までの電圧勾配が生じる。このため、日射光が光導電膜
6に照射されると、同様にして、日射光が照射された位
置のY方向抵抗体膜7の特定の電圧がY方向出力電極と
して働くX方向帯状対電極51に取り出される。これに
より、日射光が照射された位置のy座標の出力電圧、す
なわち、ガラス基板2に入射した光スポットHの光位置
検出素子4の検出面40上の点P(x,y)のy座標の
出力電圧(Vy )が検出される。
【0016】「光電流(日射強度)の検出方法」X方向
帯状対電極51、52にそれぞれ5Vの電圧を印加して
X方向抵抗体膜5上に全て同電位を分布させ、光スポッ
トHが照射された光位置検出素子4の検出面40上の点
P(x,y)においてX方向抵抗体膜5側からY方向抵
抗体膜7側へ流れる出力電流(光電流)を検出する。こ
の出力電流は、X方向抵抗体膜5のどの位置に光スポッ
トHが照射されても変わらず(X方向抵抗体膜5が全て
同電位のため)、日射強度に応じて変化する電気信号と
なる。なお、光導電膜6は、2つのダイオード成分の極
性が互いに反対方向で同じ電気的特性となるように構成
されているので、X方向抵抗体膜5またはY方向抵抗体
膜7の何れのn形半導体膜を用いても日射強度の検出は
可能である。このため、Y方向抵抗体膜7側のY方向帯
状対電極71、72に5Vの電圧を印加しても日射強度
の検出を行える。
帯状対電極51、52にそれぞれ5Vの電圧を印加して
X方向抵抗体膜5上に全て同電位を分布させ、光スポッ
トHが照射された光位置検出素子4の検出面40上の点
P(x,y)においてX方向抵抗体膜5側からY方向抵
抗体膜7側へ流れる出力電流(光電流)を検出する。こ
の出力電流は、X方向抵抗体膜5のどの位置に光スポッ
トHが照射されても変わらず(X方向抵抗体膜5が全て
同電位のため)、日射強度に応じて変化する電気信号と
なる。なお、光導電膜6は、2つのダイオード成分の極
性が互いに反対方向で同じ電気的特性となるように構成
されているので、X方向抵抗体膜5またはY方向抵抗体
膜7の何れのn形半導体膜を用いても日射強度の検出は
可能である。このため、Y方向抵抗体膜7側のY方向帯
状対電極71、72に5Vの電圧を印加しても日射強度
の検出を行える。
【0017】「日射仰角と日射方位角の検出方法」図1
1は全方位日射センサ1の日射位置検出の原理を示した
図である。日射光が遮光膜3のピンホール31に入射す
る角度、すなわち、日射仰角をθとすると、ガラス基板
2に入射した光スポットHの点P(x,y)の角度は
θ’となる。すなわち、光スポットHは光位置検出素子
4の検出面40上の点P(x,y)にθ’の角度で到達
する。ここで、光位置検出素子4の検出面40上のY軸
と点P(x,y)とのなす角度、すなわち、日射方位角
φは光スポットHの点P(x,y)に対応して検出され
る上述の出力電圧(Vx ,Vy )に基づいて次式にて算
出される。
1は全方位日射センサ1の日射位置検出の原理を示した
図である。日射光が遮光膜3のピンホール31に入射す
る角度、すなわち、日射仰角をθとすると、ガラス基板
2に入射した光スポットHの点P(x,y)の角度は
θ’となる。すなわち、光スポットHは光位置検出素子
4の検出面40上の点P(x,y)にθ’の角度で到達
する。ここで、光位置検出素子4の検出面40上のY軸
と点P(x,y)とのなす角度、すなわち、日射方位角
φは光スポットHの点P(x,y)に対応して検出され
る上述の出力電圧(Vx ,Vy )に基づいて次式にて算
出される。
【0018】
【数1】 x>0,y>0のとき、φ=tan -1(x/y)−π
【数2】 x<0,y>0のとき、φ=tan -1(x/y)+π
【数3】 y<0のとき、 φ=tan -1(x/y)
【0019】ここで、遮光膜3のピンホール31の中心
点Oの真下に位置する光位置検出素子4の検出面40の
ゼロ点P(0,0)の出力電圧を(V0x,VOy)とし、
光位置検出素子4の光導電膜6の抵抗体膜5、7の電圧
勾配(V/mm)をΔx,Δyとすると、光スポットHの
点P(x,y)は次式にて表される。
点Oの真下に位置する光位置検出素子4の検出面40の
ゼロ点P(0,0)の出力電圧を(V0x,VOy)とし、
光位置検出素子4の光導電膜6の抵抗体膜5、7の電圧
勾配(V/mm)をΔx,Δyとすると、光スポットHの
点P(x,y)は次式にて表される。
【数4】x=(Vx −V0x)/Δx
【数5】y=(Vy −V0y)/Δy
【0020】また、空気の屈折率を1、ガラス基板2の
屈折率をn1 とすると、次式の関係がある。
屈折率をn1 とすると、次式の関係がある。
【数6】 そして、ガラス基板2は厚さt(=1.8mm)のため、
日射仰角θは次式にて算出される。
日射仰角θは次式にて算出される。
【数7】 但し、
【数8】
【0021】また、光スポットHの点P(x,y)に発
生する光電流Aは日射強度Iに比例する。実際の日射光
は角度(日射仰角)θで入射するから光電流Aは次式の
関係になる。
生する光電流Aは日射強度Iに比例する。実際の日射光
は角度(日射仰角)θで入射するから光電流Aは次式の
関係になる。
【数9】A=I×sin θ したがって、日射強度Iは次式にて算出される。
【数10】I=A/sin θ
【0022】つぎに、全方位日射センサ1の製造方法を
図1ないし図9に基づいて簡単に説明する。SiO2 を
コートした長方形状のガラス基板(図5および図9参
照:100mm×200mm×1.8mm)20の裏面の全面
に渡って、SnO2 よりなるX方向抵抗体膜5を形成す
る。そして、X方向抵抗体膜5上に、a−Siよりなる
n形半導体膜61、a−SiC(非晶質炭化シリコン)
よりなるi形半導体膜62、a−SiCよりなるp形半
導体膜63、a−Siよりなるi形半導体膜64、a−
Siよりなるn形半導体膜65を順次積層する。
図1ないし図9に基づいて簡単に説明する。SiO2 を
コートした長方形状のガラス基板(図5および図9参
照:100mm×200mm×1.8mm)20の裏面の全面
に渡って、SnO2 よりなるX方向抵抗体膜5を形成す
る。そして、X方向抵抗体膜5上に、a−Siよりなる
n形半導体膜61、a−SiC(非晶質炭化シリコン)
よりなるi形半導体膜62、a−SiCよりなるp形半
導体膜63、a−Siよりなるi形半導体膜64、a−
Siよりなるn形半導体膜65を順次積層する。
【0023】さらに、これらの半導体膜よりなる光導電
膜(a−Si合金)6上に、SnO 2 よりなるY方向抵
抗体膜7をパターン形成して、このY方向抵抗体膜7を
エッチングのマスクとして光導電膜6を長方形状のガラ
ス基板20の裏面上にエッチングする。つぎに、X方向
抵抗体膜5およびY方向抵抗体膜7上に、図8に示した
形状のX方向帯状対電極(Al電極)51、52、Y方
向帯状対電極(Al電極)71、72を互いに直交する
ように、しかも図9に示したパターンでそれぞれ形成す
ることによって、光位置検出素子4がガラス基板20の
裏面上に多数形成される。このとき、図9に示したよう
に、光位置検出素子4の検出面40のゼロ点P(0,
0)より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の光
位置検出素子4を形成したガラス基板20の裏面の4隅
に、光位置検出素子4と同様な材質よりなる正方形状ア
ライメントマーク4a〜4dも同時に標示される。
膜(a−Si合金)6上に、SnO 2 よりなるY方向抵
抗体膜7をパターン形成して、このY方向抵抗体膜7を
エッチングのマスクとして光導電膜6を長方形状のガラ
ス基板20の裏面上にエッチングする。つぎに、X方向
抵抗体膜5およびY方向抵抗体膜7上に、図8に示した
形状のX方向帯状対電極(Al電極)51、52、Y方
向帯状対電極(Al電極)71、72を互いに直交する
ように、しかも図9に示したパターンでそれぞれ形成す
ることによって、光位置検出素子4がガラス基板20の
裏面上に多数形成される。このとき、図9に示したよう
に、光位置検出素子4の検出面40のゼロ点P(0,
0)より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の光
位置検出素子4を形成したガラス基板20の裏面の4隅
に、光位置検出素子4と同様な材質よりなる正方形状ア
ライメントマーク4a〜4dも同時に標示される。
【0024】つぎに、ガラス基板20の表面上に遮光性
インキをスクリーン印刷することによって、図4に示し
たピンホール31を有する遮光膜3を図5に示したパタ
ーンでガラス基板20の表面上に形成する。このとき、
図5に示したように、遮光膜3のピンホール31の形成
位置より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の遮
光膜3を形成したガラス基板20の裏面の4隅に、遮光
膜3と同様な材質よりなる正方形状アライメントマーク
3a〜3dも同時に標示される。なお、ガラス基板2と
X方向抵抗体膜5は透明な材料により構成されているの
で、ガラス基板20を表面側から見た場合でも、ガラス
基板2とX方向抵抗体膜5を介してガラス基板20の裏
面側の4個のアライメントマーク4a〜4dを識別する
ことが可能である。
インキをスクリーン印刷することによって、図4に示し
たピンホール31を有する遮光膜3を図5に示したパタ
ーンでガラス基板20の表面上に形成する。このとき、
図5に示したように、遮光膜3のピンホール31の形成
位置より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の遮
光膜3を形成したガラス基板20の裏面の4隅に、遮光
膜3と同様な材質よりなる正方形状アライメントマーク
3a〜3dも同時に標示される。なお、ガラス基板2と
X方向抵抗体膜5は透明な材料により構成されているの
で、ガラス基板20を表面側から見た場合でも、ガラス
基板2とX方向抵抗体膜5を介してガラス基板20の裏
面側の4個のアライメントマーク4a〜4dを識別する
ことが可能である。
【0025】このため、ガラス基板20の表面上に多数
の遮光膜3とアライメントマーク3a〜3dを、図1に
一部示したように、アライメントマーク3a〜3dをア
ライメントマーク4a〜4dに一致するようにスクリー
ン印刷することによって、光位置検出素子4の検出面4
0のゼロ点P(0,0)と遮光膜3のピンホール31の
中心点Oとが位置ずれしない。その後に、ガラスカッタ
ー(図示せず)によりガラス基板20を所定の形状のガ
ラス基板(12mm×12mm×1.8mm) 2に切断するこ
とによって、図2、図3、図6および図7に示したよう
な全方位日射センサ1が製造される。
の遮光膜3とアライメントマーク3a〜3dを、図1に
一部示したように、アライメントマーク3a〜3dをア
ライメントマーク4a〜4dに一致するようにスクリー
ン印刷することによって、光位置検出素子4の検出面4
0のゼロ点P(0,0)と遮光膜3のピンホール31の
中心点Oとが位置ずれしない。その後に、ガラスカッタ
ー(図示せず)によりガラス基板20を所定の形状のガ
ラス基板(12mm×12mm×1.8mm) 2に切断するこ
とによって、図2、図3、図6および図7に示したよう
な全方位日射センサ1が製造される。
【0026】以上のように、この実施例では、上述の製
造方法によって、ガラス基板20の表面および裏面上に
遮光膜3および光位置検出素子4を一体的に形成してい
るので、図6に示したように、光位置検出素子4の検出
面40のゼロ点P(0,0)と遮光膜3のピンホール3
1の中心点Oとを一致させることができる。これによっ
て、自動車の真上から日射光が照射されている場合、す
なわち、日射仰角θが90°の場合の光スポットHの中
心点(O)と光位置検出素子4の検出面40のゼロ点P
(0,0)の出力電圧{本例ではゼロ点P(V0x,
VOy)=P(2.5V,2.5V)}とを、光位置の検
出回路または計算式をゼロ点補正することなく一致させ
ることができる。このため、光位置の検出回路や演算回
路等の制御回路の構造を簡略化することができ、且つ多
数の光位置検出素子4の検出面40のゼロ点とピンホー
ル31の中心点Oとを一回の製造作業で一致させること
ができるので、全方位日射センサ1の製造コストの低コ
スト化を図ることができる。
造方法によって、ガラス基板20の表面および裏面上に
遮光膜3および光位置検出素子4を一体的に形成してい
るので、図6に示したように、光位置検出素子4の検出
面40のゼロ点P(0,0)と遮光膜3のピンホール3
1の中心点Oとを一致させることができる。これによっ
て、自動車の真上から日射光が照射されている場合、す
なわち、日射仰角θが90°の場合の光スポットHの中
心点(O)と光位置検出素子4の検出面40のゼロ点P
(0,0)の出力電圧{本例ではゼロ点P(V0x,
VOy)=P(2.5V,2.5V)}とを、光位置の検
出回路または計算式をゼロ点補正することなく一致させ
ることができる。このため、光位置の検出回路や演算回
路等の制御回路の構造を簡略化することができ、且つ多
数の光位置検出素子4の検出面40のゼロ点とピンホー
ル31の中心点Oとを一回の製造作業で一致させること
ができるので、全方位日射センサ1の製造コストの低コ
スト化を図ることができる。
【0027】〔第2実施例〕図12は本発明を用いて製
造された全方位日射センサ1を示した図である。この全
方位日射センサ1は、ガラス基板2の一方の面にX方向
光位置検出素子41、Y方向光位置検出素子42、光電
流検出素子43〜45よりなる光位置検出素子4をエッ
チング等によりパターン形成し、ガラス基板2の対向面
に十文字状光透過孔32を有する遮光膜3をスクリーン
印刷したものである。この全方位日射センサ1の場合に
は、図示しないアライメントマークによって、十文字状
光透過孔32の所定位置321と光電流検出素子4の所
定位置431とが一致するように位置決めされる。
造された全方位日射センサ1を示した図である。この全
方位日射センサ1は、ガラス基板2の一方の面にX方向
光位置検出素子41、Y方向光位置検出素子42、光電
流検出素子43〜45よりなる光位置検出素子4をエッ
チング等によりパターン形成し、ガラス基板2の対向面
に十文字状光透過孔32を有する遮光膜3をスクリーン
印刷したものである。この全方位日射センサ1の場合に
は、図示しないアライメントマークによって、十文字状
光透過孔32の所定位置321と光電流検出素子4の所
定位置431とが一致するように位置決めされる。
【0028】なお、X方向光位置検出素子41、Y方向
光位置検出素子42、光電流検出素子43〜45の形成
方法としては、ガラス基板2上に、SnO2 、TTO、
ZnO等の透明導電膜(図に表していない)を所定の形
状に分離した状態でパターンで成膜し、その上にn−i
−p−i−nまたはp−i−n−i−pのアモルファス
合金膜よりなる光導電膜(図に表していない)を成膜す
る。さらに、光導電膜上に、Al、Ni、Ti、Cr、
Mo等の金属電極(図に表していない)を金属マスクを
用いてパターンで成膜した後に、その金属電極をエッチ
ングのマスクとして光導電膜をガラス基板2上にエッチ
ングする。このとき、X方向光位置検出素子41とY方
向光位置検出素子42を構成する透明導電膜は平面方向
に0Vから5Vまでの電圧勾配が生じる抵抗体膜として
働き、光電流検出素子43〜45を構成する透明導電膜
は光導電膜の全面に5Vの電圧を均一に印加する電極と
なる。
光位置検出素子42、光電流検出素子43〜45の形成
方法としては、ガラス基板2上に、SnO2 、TTO、
ZnO等の透明導電膜(図に表していない)を所定の形
状に分離した状態でパターンで成膜し、その上にn−i
−p−i−nまたはp−i−n−i−pのアモルファス
合金膜よりなる光導電膜(図に表していない)を成膜す
る。さらに、光導電膜上に、Al、Ni、Ti、Cr、
Mo等の金属電極(図に表していない)を金属マスクを
用いてパターンで成膜した後に、その金属電極をエッチ
ングのマスクとして光導電膜をガラス基板2上にエッチ
ングする。このとき、X方向光位置検出素子41とY方
向光位置検出素子42を構成する透明導電膜は平面方向
に0Vから5Vまでの電圧勾配が生じる抵抗体膜として
働き、光電流検出素子43〜45を構成する透明導電膜
は光導電膜の全面に5Vの電圧を均一に印加する電極と
なる。
【0029】〔変形例〕本実施例では、本発明を全方位
日射センサの製造方法に用いたが、本発明を光電スイッ
チ等の光位置検出装置の製造方法に用いても良い。本実
施例では、光位置検出素子として電圧式のものを用いた
が、本発明に電流式のものを用いても良い。本実施例で
は、光導電膜としてn−i−p−i−n層構造の光導電
膜6を使用したが、p−i−n−i−p層構造の光導電
膜を使用しても良く、p−i−n層構造の光導電膜を使
用しても良い。また、p−n層構造の光導電膜を使用し
ても良い。そして、光位置検出装置の使用温度が65℃
以下の場合は、i単膜のみの光導電膜を使用しても良
い。
日射センサの製造方法に用いたが、本発明を光電スイッ
チ等の光位置検出装置の製造方法に用いても良い。本実
施例では、光位置検出素子として電圧式のものを用いた
が、本発明に電流式のものを用いても良い。本実施例で
は、光導電膜としてn−i−p−i−n層構造の光導電
膜6を使用したが、p−i−n−i−p層構造の光導電
膜を使用しても良く、p−i−n層構造の光導電膜を使
用しても良い。また、p−n層構造の光導電膜を使用し
ても良い。そして、光位置検出装置の使用温度が65℃
以下の場合は、i単膜のみの光導電膜を使用しても良
い。
【0030】本実施例では、1度に多数の光位置検出素
子4をガラス基板20上に形成したが、光位置検出素子
4を1つだけガラス基板20上に形成しても良い。ま
た、アライメントマーク3a〜3dの形状は、アライメ
ントマーク4a〜4dとほぼ同一の形状であれば任意の
形状に形成することが可能である。そして、アライメン
トマーク3a〜3d、4a〜4dの材質は、本例のよう
に遮光膜3、光位置検出素子4と同一の材質でも良い
し、異なる材質でも良い。さらに、アライメントマーク
3a〜3d、4a〜4dは2個以上あれば良い。
子4をガラス基板20上に形成したが、光位置検出素子
4を1つだけガラス基板20上に形成しても良い。ま
た、アライメントマーク3a〜3dの形状は、アライメ
ントマーク4a〜4dとほぼ同一の形状であれば任意の
形状に形成することが可能である。そして、アライメン
トマーク3a〜3d、4a〜4dの材質は、本例のよう
に遮光膜3、光位置検出素子4と同一の材質でも良い
し、異なる材質でも良い。さらに、アライメントマーク
3a〜3d、4a〜4dは2個以上あれば良い。
【0031】本実施例では、光透過孔として円形状ピン
ホール31、十文字状光透過孔32を用いたが、光透過
孔として多角形状、楕円形状、長円形状等の光透過孔を
用いても良い。また、光透過孔を複数個設けても良い。
本実施例では、ガラス基板2の裏面上に光位置検出素子
4を形成した後に、ガラス基板2の表面上に遮光膜3を
形成したが、ガラス基板2の表面上に遮光膜3を形成し
た後に、ガラス基板2の裏面上に光位置検出素子4を形
成しても良い。本実施例では、透明基板としてガラス基
板2を用いたが、透明基板として樹脂等の透明材料を用
いても良い。
ホール31、十文字状光透過孔32を用いたが、光透過
孔として多角形状、楕円形状、長円形状等の光透過孔を
用いても良い。また、光透過孔を複数個設けても良い。
本実施例では、ガラス基板2の裏面上に光位置検出素子
4を形成した後に、ガラス基板2の表面上に遮光膜3を
形成したが、ガラス基板2の表面上に遮光膜3を形成し
た後に、ガラス基板2の裏面上に光位置検出素子4を形
成しても良い。本実施例では、透明基板としてガラス基
板2を用いたが、透明基板として樹脂等の透明材料を用
いても良い。
【0032】
【発明の効果】本発明は、透明基板の一端面上と他端面
上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時に、光位
置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料の光透過孔
の形成位置とを一致させることができるので、光位置の
検出回路または計算式を補正する必要がなくなる。この
ため、制御回路の構造を簡略化することができるので、
光位置検出装置の製造コストの低コスト化を図ることが
できる。
上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時に、光位
置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料の光透過孔
の形成位置とを一致させることができるので、光位置の
検出回路または計算式を補正する必要がなくなる。この
ため、制御回路の構造を簡略化することができるので、
光位置検出装置の製造コストの低コスト化を図ることが
できる。
【図1】本発明の第1実施例を用いて製造された第1実
施例の主要部を示した断面図である。
施例の主要部を示した断面図である。
【図2】本発明の第1実施例を用いて製造された第1実
施例の全方位日射センサの概略構成を示した斜視図であ
る。
施例の全方位日射センサの概略構成を示した斜視図であ
る。
【図3】図2の全方位日射センサの概略構成を示した斜
視図である。
視図である。
【図4】図2の全方位日射センサの遮光膜の形状を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図5】多数の遮光膜をガラス基板の表面上に形成した
状態を示した平面図である。
状態を示した平面図である。
【図6】図2の全方位日射センサの光位置検出素子の層
構造を示した模式図である。
構造を示した模式図である。
【図7】図2の全方位日射センサの光導電膜の層構造を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図8】図2の全方位日射センサのX方向帯状対電極と
Y方向帯状対電極の形状を示した平面図である。
Y方向帯状対電極の形状を示した平面図である。
【図9】多数の光位置検出素子をガラス基板の裏面上に
形成した状態を示した平面図である。
形成した状態を示した平面図である。
【図10】図2の全方位日射センサの光位置検出素子の
x座標検出、y座標検出および光電流検出の作動原理を
示した説明図である。
x座標検出、y座標検出および光電流検出の作動原理を
示した説明図である。
【図11】図2の全方位日射センサの日射仰角、日射方
位角を算出するための説明図である。
位角を算出するための説明図である。
【図12】本発明を用いて製造された第2実施例の全方
位日射センサの概略構成を示した斜視図である。
位日射センサの概略構成を示した斜視図である。
【図13】公知ではない光位置検出装置の概略構成を示
した断面図である。
した断面図である。
1 全方位日射センサ(光位置検出装置) 2 ガラス基板(透明基板) 3 遮光膜 4 光位置検出素子 5 X方向抵抗体膜 6 光導電膜 7 Y方向抵抗体膜 31 ピンホール(光透過孔) 40 検出面 51、52 X方向帯状対電極 61、65 n形半導体膜 62、64 i形半導体膜 63 p形半導体膜 71、72 Y方向帯状対電極 3a〜3d アライメントマーク(第2マーク) 4a〜4d アライメントマーク(第1マーク)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 知司 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 白井 誠 愛知県刈谷市昭和町1丁目1番地 日本電 装株式会社内
Claims (1)
- 【請求項1】 平行な2面を持つ透明基板の一端面上
に、光が照射されると抵抗値が変化する光位置検出素子
を密着させると同時に、前記透明基板の一端面上におい
て前記光位置検出素子の検出面より分離された位置に第
1マークを標示する第1工程と、 前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向する他
端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した遮光
性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端面上
において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置より、
前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第1マー
クとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第2マー
クを標示する第2工程とを備え、 前記第1工程または前記第2工程の何れかの工程におい
ては、前記第1マークと前記第2マークとが一致するよ
うに、前記光位置検出素子または前記遮光性材料を前記
透明基板の一端面または他端面上に密着させることを特
徴とする光位置検出装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22303892A JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
US08/211,823 US5517017A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Photosensor for detecting the position of incident light in two dimensions using a pair of film resistors and a photoconductive element sandwiched therebetween |
DE69315323T DE69315323T2 (de) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optische sensor und verfahren zu seiner herstellung |
EP94908110A EP0613183B1 (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optical sensor and method of its manufacture |
PCT/JP1993/001165 WO1994005044A1 (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optical sensor and method of its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22303892A JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0669536A true JPH0669536A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16791873
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22303892A Pending JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5517017A (ja) |
EP (1) | EP0613183B1 (ja) |
JP (1) | JPH0669536A (ja) |
DE (1) | DE69315323T2 (ja) |
WO (1) | WO1994005044A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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US20040217258A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-04 | Clugston P. Edward | Solar sensor including reflective element to transform the angular response |
US7585068B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-09-08 | Dynamic Eye, Inc. | Method and apparatus for calibrating glare-shielding glasses |
US20100230581A1 (en) * | 2006-03-24 | 2010-09-16 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Light sensor |
RU2492496C2 (ru) * | 2007-10-26 | 2013-09-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Световое детекторное устройство с выбором угла света |
EP2806456A4 (en) * | 2012-03-29 | 2015-03-18 | Asahi Kasei Microdevices Corp | LIGHT RECEIVING DEVICE |
JP6051399B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-12-27 | 関根 弘一 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
CN106791086B (zh) * | 2016-12-19 | 2020-01-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种移动终端的控制方法及移动终端 |
JP6842169B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2021-03-17 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 | シート状構造体、形状推定方法、及び宇宙機 |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JPS5664611A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-01 | Nec Corp | Device for measuring solar angle |
JPS5688364A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
JPS59104084U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | 横河電機株式会社 | 多点電流計測装置の検査回路 |
JPS6057780A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
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GB2253516B (en) * | 1991-02-26 | 1995-07-12 | Nippon Denso Co | Device for detecting position and intensity of light and position detecting element to be employed therein |
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JPH04343276A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Nippondenso Co Ltd | 光位置検出装置 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22303892A patent/JPH0669536A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-19 DE DE69315323T patent/DE69315323T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-19 US US08/211,823 patent/US5517017A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-19 EP EP94908110A patent/EP0613183B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-19 WO PCT/JP1993/001165 patent/WO1994005044A1/ja active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO1994005044A1 (en) | 1994-03-03 |
EP0613183A1 (en) | 1994-08-31 |
US5517017A (en) | 1996-05-14 |
EP0613183B1 (en) | 1997-11-19 |
DE69315323D1 (de) | 1998-01-02 |
EP0613183A4 (en) | 1994-11-17 |
DE69315323T2 (de) | 1998-04-02 |
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