JPH0669536A - 光位置検出装置の製造方法 - Google Patents
光位置検出装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH0669536A JPH0669536A JP22303892A JP22303892A JPH0669536A JP H0669536 A JPH0669536 A JP H0669536A JP 22303892 A JP22303892 A JP 22303892A JP 22303892 A JP22303892 A JP 22303892A JP H0669536 A JPH0669536 A JP H0669536A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- film
- optical position
- glass substrate
- resistor film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 47
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 147
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 25
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N nobelium Chemical compound [No] ORQBXQOJMQIAOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000808 amorphous metal alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003738 black carbon Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C21/00—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00
- G01C21/02—Navigation; Navigational instruments not provided for in groups G01C1/00 - G01C19/00 by astronomical means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
- H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02024—Position sensitive and lateral effect photodetectors; Quadrant photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0216—Coatings
- H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
- H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Astronomy & Astrophysics (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
- Optical Transform (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 光位置検出素子の検出面のゼロ点と光透過孔
の中心位置とを一致させる。 【構成】 長方形状のガラス基板２０の裏面の全面にＳ
ｎＯ2 よりなるＸ方向抵抗体膜５を形成し、そのＸ方向
抵抗体膜５上にｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電膜６
を積層し、さらにＳｎＯ2 よりなるＹ方向抵抗体膜７を
パターン形成して、そのＹ方向抵抗体膜７をエッチング
のマスクとしてエッチングする。次に、Ｘ方向抵抗体膜
５上とＹ方向抵抗体膜７上に、ＡｌよりなるＸ方向帯状
対電極５１、５２、ＡｌよりなるＹ方向帯状対電極７１
を互いに直交するようにパターン形成すると同時に、ア
ライメントマーク４ａも標示する。次に、アライメント
マーク３ａがアライメントマーク４ａと一致するよう
に、ガラス基板２０の表面の全面にピンホール３１を有
する遮光膜３をスクリーン印刷した後に、切断して多数
の全方位日射センサ１を製造する。
の中心位置とを一致させる。 【構成】 長方形状のガラス基板２０の裏面の全面にＳ
ｎＯ2 よりなるＸ方向抵抗体膜５を形成し、そのＸ方向
抵抗体膜５上にｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電膜６
を積層し、さらにＳｎＯ2 よりなるＹ方向抵抗体膜７を
パターン形成して、そのＹ方向抵抗体膜７をエッチング
のマスクとしてエッチングする。次に、Ｘ方向抵抗体膜
５上とＹ方向抵抗体膜７上に、ＡｌよりなるＸ方向帯状
対電極５１、５２、ＡｌよりなるＹ方向帯状対電極７１
を互いに直交するようにパターン形成すると同時に、ア
ライメントマーク４ａも標示する。次に、アライメント
マーク３ａがアライメントマーク４ａと一致するよう
に、ガラス基板２０の表面の全面にピンホール３１を有
する遮光膜３をスクリーン印刷した後に、切断して多数
の全方位日射センサ１を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば日射センサや光
電スイッチ等の光位置検出装置の製造方法に関するもの
である。
電スイッチ等の光位置検出装置の製造方法に関するもの
である。
【０００２】
【技術の背景】本願発明者等は、図１３に示したよう
に、透明基板１０１上に光位置検出素子１０２を配し、
透明基板１０１より離れた場所に光透過孔１０３を形成
した遮光膜１０４を配した光位置検出装置（公知の技術
ではない）１００を提案した。なお、光位置検出素子１
０２は、透明基板１０１上に抵抗体膜１０５、光導電膜
１０６を順次積層し、光導電膜１０６上に抵抗体膜１０
７をパターン形成した後に、抵抗体膜１０５、１０７に
互いに直交するようにＸ方向対電極１０８、Ｙ方向対電
極１０９をパターン形成することによって製造されてい
る。
に、透明基板１０１上に光位置検出素子１０２を配し、
透明基板１０１より離れた場所に光透過孔１０３を形成
した遮光膜１０４を配した光位置検出装置（公知の技術
ではない）１００を提案した。なお、光位置検出素子１
０２は、透明基板１０１上に抵抗体膜１０５、光導電膜
１０６を順次積層し、光導電膜１０６上に抵抗体膜１０
７をパターン形成した後に、抵抗体膜１０５、１０７に
互いに直交するようにＸ方向対電極１０８、Ｙ方向対電
極１０９をパターン形成することによって製造されてい
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、光位置検出
装置１００においては、図１３に示したように、光位置
検出素子１０２を形成した透明基板１０１と遮光膜１０
４とが離れているので、光位置検出装置１００の製造作
業中に光透過孔１０３の中心点Ｏが光位置検出素子１０
２の検出面１１０のゼロ点Ｐ（０，０）よりずれてしま
うことが多かった。このため、自動車の真上から日射光
が照射されている場合、すなわち、日射仰角θが９０°
の場合の光位置検出素子１０２の出力電圧が光位置検出
素子の検出面１１０のゼロ点Ｐ（０，０）の本来の出力
となるように光位置の検出回路または計算式をゼロ点補
正する必要があり、光位置の検出回路や演算回路等の制
御装置の構造が複雑となるという課題があった。本発明
は、光位置検出素子の検出面の所定位置と光透過孔の形
成位置とを一致させて制御回路の構造を簡略化すること
が可能な光位置検出装置の製造方法の提供を目的とす
る。
装置１００においては、図１３に示したように、光位置
検出素子１０２を形成した透明基板１０１と遮光膜１０
４とが離れているので、光位置検出装置１００の製造作
業中に光透過孔１０３の中心点Ｏが光位置検出素子１０
２の検出面１１０のゼロ点Ｐ（０，０）よりずれてしま
うことが多かった。このため、自動車の真上から日射光
が照射されている場合、すなわち、日射仰角θが９０°
の場合の光位置検出素子１０２の出力電圧が光位置検出
素子の検出面１１０のゼロ点Ｐ（０，０）の本来の出力
となるように光位置の検出回路または計算式をゼロ点補
正する必要があり、光位置の検出回路や演算回路等の制
御装置の構造が複雑となるという課題があった。本発明
は、光位置検出素子の検出面の所定位置と光透過孔の形
成位置とを一致させて制御回路の構造を簡略化すること
が可能な光位置検出装置の製造方法の提供を目的とす
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、平行な２面を
持つ透明基板の一端面上に、光が照射されると抵抗値が
変化する光位置検出素子を密着させると同時に、前記透
明基板の一端面上において前記光位置検出素子の検出面
より分離された位置に第１マークを標示する第１工程
と、前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向す
る他端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端
面上において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置よ
り、前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第１
マークとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第２
マークを標示する第２工程とを備え、前記第１工程また
は前記第２工程の何れかの工程においては、前記第１マ
ークと前記第２マークとが一致するように、前記光位置
検出素子または前記遮光性材料を前記透明基板の一端面
または他端面上に密着させる技術手段を採用した。
持つ透明基板の一端面上に、光が照射されると抵抗値が
変化する光位置検出素子を密着させると同時に、前記透
明基板の一端面上において前記光位置検出素子の検出面
より分離された位置に第１マークを標示する第１工程
と、前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向す
る他端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端
面上において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置よ
り、前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第１
マークとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第２
マークを標示する第２工程とを備え、前記第１工程また
は前記第２工程の何れかの工程においては、前記第１マ
ークと前記第２マークとが一致するように、前記光位置
検出素子または前記遮光性材料を前記透明基板の一端面
または他端面上に密着させる技術手段を採用した。
【０００５】
【作用】第１工程を行った後に第２工程が行われる場合
には、透明基板の一端面上に光位置検出素子を密着させ
ると同時に第１マークを標示した後に、透明基板の他端
面上に標示する第２マークを第１マークに一致するよう
に透明基板の他端面上に光透過孔を形成した遮光性材料
を密着させる。第２工程を行った後に第１工程が行われ
る場合には、透明基板の他端面上に光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に第２マークを標示した
後に、透明基板の一端面上に標示する第１マークを第２
マークに一致するように透明基板の一端面上に光位置検
出素子を密着させる。したがって、透明基板の一端面上
と他端面上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時
には、光位置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料
の光透過孔の形成位置とが一致することによって、光位
置の検出回路または計算式の補正を行う必要がなくな
る。
には、透明基板の一端面上に光位置検出素子を密着させ
ると同時に第１マークを標示した後に、透明基板の他端
面上に標示する第２マークを第１マークに一致するよう
に透明基板の他端面上に光透過孔を形成した遮光性材料
を密着させる。第２工程を行った後に第１工程が行われ
る場合には、透明基板の他端面上に光透過孔を形成した
遮光性材料を密着させると同時に第２マークを標示した
後に、透明基板の一端面上に標示する第１マークを第２
マークに一致するように透明基板の一端面上に光位置検
出素子を密着させる。したがって、透明基板の一端面上
と他端面上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時
には、光位置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料
の光透過孔の形成位置とが一致することによって、光位
置の検出回路または計算式の補正を行う必要がなくな
る。
【０００６】
【実施例】つぎに、本発明の光位置検出装置の製造方法
を図に示す実施例に基づいて説明する。 〔第１実施例〕図１ないし図３は本発明を用いて製造さ
れた全方位日射センサの概略構成を示した図である。全
方位日射センサ１は、例えば自動車のフロントガラス近
傍のインストルメントパネルの上部に設置され、車室内
に差し込む日射量の影響を自動補正する自動車用オート
エアコンに使用される。そのオートエアコンは、全方位
日射センサ１により検出される日射仰角、日射方位角、
日射強度に基づいて左右のベント吹出口（図示せず）よ
り吹き出される風量比を風量比切替ダンパ（図示せず）
によりリニアに切り替えるように自動コントロールする
制御回路（図示せず）を備えている。この全方位日射セ
ンサ１は、厚さ１．８mmの正方形状ソーダガラスの表裏
面にＳｉＯ2 （ソーダガラス中のＮａ+ の拡散防止）を
コートした透明基板としてのガラス基板２と、このガラ
ス基板２の表面（他端面）上に一体的に形成された遮光
膜３、およびガラス基板２の裏面（一端面）上に一体的
にパターン形成された電圧式の光位置検出素子４から構
成されている。
を図に示す実施例に基づいて説明する。 〔第１実施例〕図１ないし図３は本発明を用いて製造さ
れた全方位日射センサの概略構成を示した図である。全
方位日射センサ１は、例えば自動車のフロントガラス近
傍のインストルメントパネルの上部に設置され、車室内
に差し込む日射量の影響を自動補正する自動車用オート
エアコンに使用される。そのオートエアコンは、全方位
日射センサ１により検出される日射仰角、日射方位角、
日射強度に基づいて左右のベント吹出口（図示せず）よ
り吹き出される風量比を風量比切替ダンパ（図示せず）
によりリニアに切り替えるように自動コントロールする
制御回路（図示せず）を備えている。この全方位日射セ
ンサ１は、厚さ１．８mmの正方形状ソーダガラスの表裏
面にＳｉＯ2 （ソーダガラス中のＮａ+ の拡散防止）を
コートした透明基板としてのガラス基板２と、このガラ
ス基板２の表面（他端面）上に一体的に形成された遮光
膜３、およびガラス基板２の裏面（一端面）上に一体的
にパターン形成された電圧式の光位置検出素子４から構
成されている。
【０００７】遮光膜３は、本発明の遮光性材料であっ
て、図４にも示したように、光位置検出素子４の検出面
４０（図１参照）の上面を遮光するものである。この遮
光膜３は、１２mm×１２mmの正方形状に形成されてお
り、黒色のカーボンを混合したエポキシ樹脂や黒色の有
機物等の遮光材料よりなる。また、遮光膜３は、ガラス
基板２の表面上に直接、光を遮光する性質を持つ遮光性
インキをスクリーン印刷してなり、中央部に光位置検出
素子４の検出面４０にスポット状に日射光を照射するた
めのピンホール３１が形成されている。ピンホール３１
は、本発明の光透過孔であって、遮光膜３の中心部に円
形状に形成されている。また、遮光膜３を形成する際に
は、図５に示したように、４個のアライメントマーク３
ａ〜３ｄも同時に切断前のガラス基板２０の表面上にス
クリーン印刷される。その４個のアライメントマーク３
ａ〜３ｄは、本発明の第２マークであって、隣設して設
けられる２つの遮光膜３のピンホール３１の中心点Ｏよ
り所定の距離（Ｌ＝１２mm）だけそれぞれ分離した位置
に標示される。なお、遮光膜３の他の形成方法として
は、光を透過しない遮光性材料（金属合金膜、遮光性樹
脂等）をガラス基板２の表面上にスパッタまたは蒸着
し、金属マスクやフォトリングラフィー等でパターン形
成しても良い。
て、図４にも示したように、光位置検出素子４の検出面
４０（図１参照）の上面を遮光するものである。この遮
光膜３は、１２mm×１２mmの正方形状に形成されてお
り、黒色のカーボンを混合したエポキシ樹脂や黒色の有
機物等の遮光材料よりなる。また、遮光膜３は、ガラス
基板２の表面上に直接、光を遮光する性質を持つ遮光性
インキをスクリーン印刷してなり、中央部に光位置検出
素子４の検出面４０にスポット状に日射光を照射するた
めのピンホール３１が形成されている。ピンホール３１
は、本発明の光透過孔であって、遮光膜３の中心部に円
形状に形成されている。また、遮光膜３を形成する際に
は、図５に示したように、４個のアライメントマーク３
ａ〜３ｄも同時に切断前のガラス基板２０の表面上にス
クリーン印刷される。その４個のアライメントマーク３
ａ〜３ｄは、本発明の第２マークであって、隣設して設
けられる２つの遮光膜３のピンホール３１の中心点Ｏよ
り所定の距離（Ｌ＝１２mm）だけそれぞれ分離した位置
に標示される。なお、遮光膜３の他の形成方法として
は、光を透過しない遮光性材料（金属合金膜、遮光性樹
脂等）をガラス基板２の表面上にスパッタまたは蒸着
し、金属マスクやフォトリングラフィー等でパターン形
成しても良い。
【０００８】光位置検出素子４は、ガラス基板２上に形
成され、透明抵抗体からなるＸ方向抵抗体膜５、光電変
換膜の光導電効果を利用した光導電膜６、金属電極抵抗
体からなるＹ方向抵抗体膜７よりなり、さらにＸ方向抵
抗体膜５とＹ方向抵抗体膜７の各両端部より２本ずつ計
４本のリード電極Ｘ、Ｘ’、Ｙ、Ｙ’を有する構造を持
つ。そして、光位置検出素子４は、Ｘ方向抵抗体膜５と
Ｙ方向抵抗体膜７との間に光導電膜６を介することによ
り直接接することのないように配されている。そして、
通常（光スポットＨが当たっていない状態）では、Ｘ方
向抵抗体膜５とＹ方向抵抗体膜７とは光導電膜６により
実質的に絶縁状態を保っている。リード電極Ｘ、Ｘ’の
取り出し部には、Ｘ方向抵抗体膜５より抵抗値が低いＸ
方向帯状対電極５１、５２を用いている。また、リード
電極Ｙ、Ｙ’の取り出し部には、同様にして、Ｙ方向抵
抗体膜７より抵抗値が低いＹ方向帯状対電極７１、７２
を用いている。Ｘ方向帯状対電極５１、５２とＹ方向帯
状対電極７１、７２は、それぞれＸ方向抵抗体膜５、Ｙ
方向抵抗体膜７の対向する２辺上に、互いに直交するよ
うに配されている。
成され、透明抵抗体からなるＸ方向抵抗体膜５、光電変
換膜の光導電効果を利用した光導電膜６、金属電極抵抗
体からなるＹ方向抵抗体膜７よりなり、さらにＸ方向抵
抗体膜５とＹ方向抵抗体膜７の各両端部より２本ずつ計
４本のリード電極Ｘ、Ｘ’、Ｙ、Ｙ’を有する構造を持
つ。そして、光位置検出素子４は、Ｘ方向抵抗体膜５と
Ｙ方向抵抗体膜７との間に光導電膜６を介することによ
り直接接することのないように配されている。そして、
通常（光スポットＨが当たっていない状態）では、Ｘ方
向抵抗体膜５とＹ方向抵抗体膜７とは光導電膜６により
実質的に絶縁状態を保っている。リード電極Ｘ、Ｘ’の
取り出し部には、Ｘ方向抵抗体膜５より抵抗値が低いＸ
方向帯状対電極５１、５２を用いている。また、リード
電極Ｙ、Ｙ’の取り出し部には、同様にして、Ｙ方向抵
抗体膜７より抵抗値が低いＹ方向帯状対電極７１、７２
を用いている。Ｘ方向帯状対電極５１、５２とＹ方向帯
状対電極７１、７２は、それぞれＸ方向抵抗体膜５、Ｙ
方向抵抗体膜７の対向する２辺上に、互いに直交するよ
うに配されている。
【０００９】以下、光位置検出素子４の各層の材質およ
び詳細な構造について図を用いて説明する。図６は光位
置検出素子４の層構造を示した図で、図７は光導電膜６
のｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造を示した図である。Ｘ方向
抵抗体膜５は、厚さ６００ÅのＳｎＯ2 からなり、シー
ト抵抗値２００Ω／cm2 とした。このＸ方向抵抗体膜５
の必要機能は、日射光を透過すること、およびＸ方向帯
状対電極５１、５２間に所定の電圧勾配を形成するよう
に適当なシート抵抗値を有することである。したがっ
て、材質としては、ＳｎＯ2 以外にＺｎＯ、ＩＴＯ等の
その他の金属酸化膜でも良い。なお、Ｘ方向抵抗体膜５
のシート抵抗値は、１０Ω／cm2 以上で１ＭΩ／cm2以
下、好ましくは１００Ω／cm2 以上で５０ｋΩ／cm2 以
下となるようにする。この理由としては、Ｘ方向抵抗体
膜５のシート抵抗値が低くなり過ぎると、Ｘ方向帯状対
電極５１、５２の抵抗値との差がなくなり抵抗体となら
ない。また、逆に、Ｘ方向抵抗体膜５のシート抵抗値が
高くなり過ぎると、日射光が照射されたときの光導電膜
６の抵抗値（ａ−Ｓｉでは約５００Ω／cm2 以上で１ｋ
Ω／cm2以下）より高くなり出力が得られなくなる。
び詳細な構造について図を用いて説明する。図６は光位
置検出素子４の層構造を示した図で、図７は光導電膜６
のｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造を示した図である。Ｘ方向
抵抗体膜５は、厚さ６００ÅのＳｎＯ2 からなり、シー
ト抵抗値２００Ω／cm2 とした。このＸ方向抵抗体膜５
の必要機能は、日射光を透過すること、およびＸ方向帯
状対電極５１、５２間に所定の電圧勾配を形成するよう
に適当なシート抵抗値を有することである。したがっ
て、材質としては、ＳｎＯ2 以外にＺｎＯ、ＩＴＯ等の
その他の金属酸化膜でも良い。なお、Ｘ方向抵抗体膜５
のシート抵抗値は、１０Ω／cm2 以上で１ＭΩ／cm2以
下、好ましくは１００Ω／cm2 以上で５０ｋΩ／cm2 以
下となるようにする。この理由としては、Ｘ方向抵抗体
膜５のシート抵抗値が低くなり過ぎると、Ｘ方向帯状対
電極５１、５２の抵抗値との差がなくなり抵抗体となら
ない。また、逆に、Ｘ方向抵抗体膜５のシート抵抗値が
高くなり過ぎると、日射光が照射されたときの光導電膜
６の抵抗値（ａ−Ｓｉでは約５００Ω／cm2 以上で１ｋ
Ω／cm2以下）より高くなり出力が得られなくなる。
【００１０】光導電膜６は、Ｘ方向抵抗体膜５上に、ア
モルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと言う）系などの合
金膜をｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造またはｐ−ｉ−ｎ−ｉ
−ｐ層構造に堆積させ、すなわち、２つのダイオード成
分の極性が互いに反対方向となるように直列接続した構
造に形成されている。この結果、いずれの極性の電圧が
直列接続のダイオード成分に印加されても電流は流れな
い。光導電膜６は、日射光の入射側から順に、ｎ形半導
体膜６１をａ−Ｓｉ、ｉ形半導体膜６２をａ−ＳｉＣ
（非晶質炭化シリコン）、ｐ形半導体膜６３をａ−Ｓｉ
Ｃ（非晶質炭化シリコン）、ｉ形半導体膜６４をａ−Ｓ
ｉ（非晶質シリコン）、ｎ形半導体膜６５をａ−Ｓｉに
て形成した５層からなる。この構造は、ダイオードが２
つ逆方向に接続したのと等価である。
モルファスシリコン（以下ａ−Ｓｉと言う）系などの合
金膜をｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造またはｐ−ｉ−ｎ−ｉ
−ｐ層構造に堆積させ、すなわち、２つのダイオード成
分の極性が互いに反対方向となるように直列接続した構
造に形成されている。この結果、いずれの極性の電圧が
直列接続のダイオード成分に印加されても電流は流れな
い。光導電膜６は、日射光の入射側から順に、ｎ形半導
体膜６１をａ−Ｓｉ、ｉ形半導体膜６２をａ−ＳｉＣ
（非晶質炭化シリコン）、ｐ形半導体膜６３をａ−Ｓｉ
Ｃ（非晶質炭化シリコン）、ｉ形半導体膜６４をａ−Ｓ
ｉ（非晶質シリコン）、ｎ形半導体膜６５をａ−Ｓｉに
て形成した５層からなる。この構造は、ダイオードが２
つ逆方向に接続したのと等価である。
【００１１】なお、光導電膜６は、光スポットＨが照射
されたときその部分だけが極めて低抵抗に変化する膜で
あることが要求される。このため、光導電膜６の光の入
射側のｎ形半導体膜６１、ｉ形半導体膜６２、ｐ形半導
体膜６３により形成されるフォトダイオードにて発生す
る光電流Ｉｙと、ｐ形半導体膜６３、ｉ形半導体膜６
４、ｎ形半導体膜６５により形成されるフォトダイオー
ドにて発生する光電流Ｉｘとがほぼ等しく均衡するよう
に設定する必要がある。よって、この実施例では、光の
入射側のｉ形半導体膜６２の膜厚をｉ形半導体膜６４の
膜厚より薄くし、分光感度の異なるａ−ＳｉＣを用いて
いる。なお、ｉ形半導体膜６２の膜厚とｉ形半導体膜６
４の膜厚との比は、１：２〜１：１０の範囲内である。
されたときその部分だけが極めて低抵抗に変化する膜で
あることが要求される。このため、光導電膜６の光の入
射側のｎ形半導体膜６１、ｉ形半導体膜６２、ｐ形半導
体膜６３により形成されるフォトダイオードにて発生す
る光電流Ｉｙと、ｐ形半導体膜６３、ｉ形半導体膜６
４、ｎ形半導体膜６５により形成されるフォトダイオー
ドにて発生する光電流Ｉｘとがほぼ等しく均衡するよう
に設定する必要がある。よって、この実施例では、光の
入射側のｉ形半導体膜６２の膜厚をｉ形半導体膜６４の
膜厚より薄くし、分光感度の異なるａ−ＳｉＣを用いて
いる。なお、ｉ形半導体膜６２の膜厚とｉ形半導体膜６
４の膜厚との比は、１：２〜１：１０の範囲内である。
【００１２】Ｙ方向抵抗体膜７は、厚さ４００ÅのＴｉ
からなり、シート抵抗値２００Ω／cm2 とした。このＹ
方向抵抗体膜７は、基本的にＸ方向抵抗体膜５と同様な
もので良いが、日射光を透過させる必要は全くない。よ
って、シート抵抗値さえ１０Ω／cm2 以上で１ＭΩ／cm
2 以下であれば、Ｘ方向抵抗体膜５に使用可能な材質以
外にもＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属、ＴｉＮ、Ａｇペース
ト、Ｎｉペースト、Ｃｕペーストを使用しても良い。Ｘ
方向帯状対電極５１、５２は、図８にも示したように、
Ｘ方向抵抗体膜５上の対向する２辺に形成され、Ａｌ等
により導電性薄膜としてパターン形成されている。な
お、Ｘ方向帯状対電極５１、５２の材質は、Ａｌの他
に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等でも良い。
からなり、シート抵抗値２００Ω／cm2 とした。このＹ
方向抵抗体膜７は、基本的にＸ方向抵抗体膜５と同様な
もので良いが、日射光を透過させる必要は全くない。よ
って、シート抵抗値さえ１０Ω／cm2 以上で１ＭΩ／cm
2 以下であれば、Ｘ方向抵抗体膜５に使用可能な材質以
外にもＴｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等の金属、ＴｉＮ、Ａｇペース
ト、Ｎｉペースト、Ｃｕペーストを使用しても良い。Ｘ
方向帯状対電極５１、５２は、図８にも示したように、
Ｘ方向抵抗体膜５上の対向する２辺に形成され、Ａｌ等
により導電性薄膜としてパターン形成されている。な
お、Ｘ方向帯状対電極５１、５２の材質は、Ａｌの他
に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等でも良い。
【００１３】Ｙ方向帯状対電極７１、７２は、図８にも
示したように、Ｘ方向帯状対電極５１、５２に対して電
圧の印加方向が直交するように、Ｙ方向抵抗体膜７上の
対向する２辺に形成され、Ｘ方向帯状対電極５１、５２
と同様にして、Ａｌ等により導電性薄膜としてパターン
形成されている。なお、Ｙ方向帯状対電極７１、７２の
材質は、Ａｌの他に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等でも良いが、
Ｘ方向帯状対電極５１、５２と同一の材質が望ましい。
また、Ｘ方向帯状対電極５１、５２とＹ方向帯状対電極
７１、７２を形成する際には、図９に示したように、４
個のアライメントマーク４ａ〜４ｄも同時に切断前のガ
ラス基板２０の表面上にパターン形成される。その４個
のアライメントマーク４ａ〜４ｄは、本発明の第１マー
クであって、隣設して設けられる２つの光位置検出素子
４の検出面４０のゼロ点Ｐ（０，０）より所定の距離
（Ｌ＝１２mm）だけそれぞれ分離した位置に標示され
る。なお、４個のアライメントマーク４ａ〜４ｄは、そ
れぞれ４個のアライメントマーク３ａ〜３ｄと重なり合
うように４個のアライメントマーク３ａ〜３ｄと同様な
形状（正方形状）および同一の位置関係となるように形
成されている。
示したように、Ｘ方向帯状対電極５１、５２に対して電
圧の印加方向が直交するように、Ｙ方向抵抗体膜７上の
対向する２辺に形成され、Ｘ方向帯状対電極５１、５２
と同様にして、Ａｌ等により導電性薄膜としてパターン
形成されている。なお、Ｙ方向帯状対電極７１、７２の
材質は、Ａｌの他に、Ｃｒ、Ｎｉ、Ａｇ等でも良いが、
Ｘ方向帯状対電極５１、５２と同一の材質が望ましい。
また、Ｘ方向帯状対電極５１、５２とＹ方向帯状対電極
７１、７２を形成する際には、図９に示したように、４
個のアライメントマーク４ａ〜４ｄも同時に切断前のガ
ラス基板２０の表面上にパターン形成される。その４個
のアライメントマーク４ａ〜４ｄは、本発明の第１マー
クであって、隣設して設けられる２つの光位置検出素子
４の検出面４０のゼロ点Ｐ（０，０）より所定の距離
（Ｌ＝１２mm）だけそれぞれ分離した位置に標示され
る。なお、４個のアライメントマーク４ａ〜４ｄは、そ
れぞれ４個のアライメントマーク３ａ〜３ｄと重なり合
うように４個のアライメントマーク３ａ〜３ｄと同様な
形状（正方形状）および同一の位置関係となるように形
成されている。
【００１４】図１０は光位置検出素子４のｘ座標検出、
ｙ座標検出および光電流検出の作動原理を示した図であ
る。 「ｘ座標の検出方法」Ｘ方向入力電極として働くＸ方向
帯状対電極５１、５２にそれぞれ０Ｖ、５Ｖ（この電圧
５Ｖに限定する必要はない）を印加すると、Ｘ方向抵抗
体膜５内に０Ｖから５Ｖまでの電圧勾配が生じる。この
状態で日射光が光導電膜６に照射されると、その日射光
が通過した部分の２つのダイオード成分が導通状態とな
る。すると、日射光が照射された位置のＸ方向抵抗体膜
５の特定の電圧がＸ方向出力電極として働くＹ方向帯状
対電極７１に取り出される。これにより、日射光が照射
された位置のｘ座標の出力電圧、すなわち、ガラス基板
２に入射した光スポットＨの光位置検出素子４の検出面
４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）のｘ座標の出力電圧（Ｖx ）が
検出される。
ｙ座標検出および光電流検出の作動原理を示した図であ
る。 「ｘ座標の検出方法」Ｘ方向入力電極として働くＸ方向
帯状対電極５１、５２にそれぞれ０Ｖ、５Ｖ（この電圧
５Ｖに限定する必要はない）を印加すると、Ｘ方向抵抗
体膜５内に０Ｖから５Ｖまでの電圧勾配が生じる。この
状態で日射光が光導電膜６に照射されると、その日射光
が通過した部分の２つのダイオード成分が導通状態とな
る。すると、日射光が照射された位置のＸ方向抵抗体膜
５の特定の電圧がＸ方向出力電極として働くＹ方向帯状
対電極７１に取り出される。これにより、日射光が照射
された位置のｘ座標の出力電圧、すなわち、ガラス基板
２に入射した光スポットＨの光位置検出素子４の検出面
４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）のｘ座標の出力電圧（Ｖx ）が
検出される。
【００１５】「ｙ座標の検出方法」Ｙ方向入力電極とし
て働くＹ方向帯状対電極７１、７２にそれぞれ０Ｖ、５
Ｖ（この電圧５Ｖに限定する必要はない）を印加した場
合も、同様にして、Ｙ方向抵抗体膜７内に０Ｖから５Ｖ
までの電圧勾配が生じる。このため、日射光が光導電膜
６に照射されると、同様にして、日射光が照射された位
置のＹ方向抵抗体膜７の特定の電圧がＹ方向出力電極と
して働くＸ方向帯状対電極５１に取り出される。これに
より、日射光が照射された位置のｙ座標の出力電圧、す
なわち、ガラス基板２に入射した光スポットＨの光位置
検出素子４の検出面４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）のｙ座標の
出力電圧（Ｖy ）が検出される。
て働くＹ方向帯状対電極７１、７２にそれぞれ０Ｖ、５
Ｖ（この電圧５Ｖに限定する必要はない）を印加した場
合も、同様にして、Ｙ方向抵抗体膜７内に０Ｖから５Ｖ
までの電圧勾配が生じる。このため、日射光が光導電膜
６に照射されると、同様にして、日射光が照射された位
置のＹ方向抵抗体膜７の特定の電圧がＹ方向出力電極と
して働くＸ方向帯状対電極５１に取り出される。これに
より、日射光が照射された位置のｙ座標の出力電圧、す
なわち、ガラス基板２に入射した光スポットＨの光位置
検出素子４の検出面４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）のｙ座標の
出力電圧（Ｖy ）が検出される。
【００１６】「光電流（日射強度）の検出方法」Ｘ方向
帯状対電極５１、５２にそれぞれ５Ｖの電圧を印加して
Ｘ方向抵抗体膜５上に全て同電位を分布させ、光スポッ
トＨが照射された光位置検出素子４の検出面４０上の点
Ｐ（ｘ，ｙ）においてＸ方向抵抗体膜５側からＹ方向抵
抗体膜７側へ流れる出力電流（光電流）を検出する。こ
の出力電流は、Ｘ方向抵抗体膜５のどの位置に光スポッ
トＨが照射されても変わらず（Ｘ方向抵抗体膜５が全て
同電位のため）、日射強度に応じて変化する電気信号と
なる。なお、光導電膜６は、２つのダイオード成分の極
性が互いに反対方向で同じ電気的特性となるように構成
されているので、Ｘ方向抵抗体膜５またはＹ方向抵抗体
膜７の何れのｎ形半導体膜を用いても日射強度の検出は
可能である。このため、Ｙ方向抵抗体膜７側のＹ方向帯
状対電極７１、７２に５Ｖの電圧を印加しても日射強度
の検出を行える。
帯状対電極５１、５２にそれぞれ５Ｖの電圧を印加して
Ｘ方向抵抗体膜５上に全て同電位を分布させ、光スポッ
トＨが照射された光位置検出素子４の検出面４０上の点
Ｐ（ｘ，ｙ）においてＸ方向抵抗体膜５側からＹ方向抵
抗体膜７側へ流れる出力電流（光電流）を検出する。こ
の出力電流は、Ｘ方向抵抗体膜５のどの位置に光スポッ
トＨが照射されても変わらず（Ｘ方向抵抗体膜５が全て
同電位のため）、日射強度に応じて変化する電気信号と
なる。なお、光導電膜６は、２つのダイオード成分の極
性が互いに反対方向で同じ電気的特性となるように構成
されているので、Ｘ方向抵抗体膜５またはＹ方向抵抗体
膜７の何れのｎ形半導体膜を用いても日射強度の検出は
可能である。このため、Ｙ方向抵抗体膜７側のＹ方向帯
状対電極７１、７２に５Ｖの電圧を印加しても日射強度
の検出を行える。
【００１７】「日射仰角と日射方位角の検出方法」図１
１は全方位日射センサ１の日射位置検出の原理を示した
図である。日射光が遮光膜３のピンホール３１に入射す
る角度、すなわち、日射仰角をθとすると、ガラス基板
２に入射した光スポットＨの点Ｐ（ｘ，ｙ）の角度は
θ’となる。すなわち、光スポットＨは光位置検出素子
４の検出面４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）にθ’の角度で到達
する。ここで、光位置検出素子４の検出面４０上のＹ軸
と点Ｐ（ｘ，ｙ）とのなす角度、すなわち、日射方位角
φは光スポットＨの点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応して検出され
る上述の出力電圧（Ｖx ，Ｖy ）に基づいて次式にて算
出される。
１は全方位日射センサ１の日射位置検出の原理を示した
図である。日射光が遮光膜３のピンホール３１に入射す
る角度、すなわち、日射仰角をθとすると、ガラス基板
２に入射した光スポットＨの点Ｐ（ｘ，ｙ）の角度は
θ’となる。すなわち、光スポットＨは光位置検出素子
４の検出面４０上の点Ｐ（ｘ，ｙ）にθ’の角度で到達
する。ここで、光位置検出素子４の検出面４０上のＹ軸
と点Ｐ（ｘ，ｙ）とのなす角度、すなわち、日射方位角
φは光スポットＨの点Ｐ（ｘ，ｙ）に対応して検出され
る上述の出力電圧（Ｖx ，Ｖy ）に基づいて次式にて算
出される。
【００１８】
【数１】 ｘ＞０，ｙ＞０のとき、φ＝tan -1（ｘ／ｙ）−π
【数２】 ｘ＜０，ｙ＞０のとき、φ＝tan -1（ｘ／ｙ）＋π
【数３】 ｙ＜０のとき、 φ＝tan -1（ｘ／ｙ）
【００１９】ここで、遮光膜３のピンホール３１の中心
点Ｏの真下に位置する光位置検出素子４の検出面４０の
ゼロ点Ｐ（０，０）の出力電圧を（Ｖ0x，ＶOy）とし、
光位置検出素子４の光導電膜６の抵抗体膜５、７の電圧
勾配（Ｖ／mm）をΔｘ，Δｙとすると、光スポットＨの
点Ｐ（ｘ，ｙ）は次式にて表される。
点Ｏの真下に位置する光位置検出素子４の検出面４０の
ゼロ点Ｐ（０，０）の出力電圧を（Ｖ0x，ＶOy）とし、
光位置検出素子４の光導電膜６の抵抗体膜５、７の電圧
勾配（Ｖ／mm）をΔｘ，Δｙとすると、光スポットＨの
点Ｐ（ｘ，ｙ）は次式にて表される。
【数４】ｘ＝（Ｖx −Ｖ0x）／Δｘ
【数５】ｙ＝（Ｖy −Ｖ0y）／Δｙ
【００２０】また、空気の屈折率を１、ガラス基板２の
屈折率をｎ1 とすると、次式の関係がある。
屈折率をｎ1 とすると、次式の関係がある。
【数６】 そして、ガラス基板２は厚さｔ（＝１．８mm）のため、
日射仰角θは次式にて算出される。
日射仰角θは次式にて算出される。
【数７】 但し、
【数８】
【００２１】また、光スポットＨの点Ｐ（ｘ，ｙ）に発
生する光電流Ａは日射強度Ｉに比例する。実際の日射光
は角度（日射仰角）θで入射するから光電流Ａは次式の
関係になる。
生する光電流Ａは日射強度Ｉに比例する。実際の日射光
は角度（日射仰角）θで入射するから光電流Ａは次式の
関係になる。
【数９】Ａ＝Ｉ×sin θ したがって、日射強度Ｉは次式にて算出される。
【数１０】Ｉ＝Ａ／sin θ
【００２２】つぎに、全方位日射センサ１の製造方法を
図１ないし図９に基づいて簡単に説明する。ＳｉＯ2 を
コートした長方形状のガラス基板（図５および図９参
照：１００mm×２００mm×１．８mm）２０の裏面の全面
に渡って、ＳｎＯ2 よりなるＸ方向抵抗体膜５を形成す
る。そして、Ｘ方向抵抗体膜５上に、ａ−Ｓｉよりなる
ｎ形半導体膜６１、ａ−ＳｉＣ（非晶質炭化シリコン）
よりなるｉ形半導体膜６２、ａ−ＳｉＣよりなるｐ形半
導体膜６３、ａ−Ｓｉよりなるｉ形半導体膜６４、ａ−
Ｓｉよりなるｎ形半導体膜６５を順次積層する。
図１ないし図９に基づいて簡単に説明する。ＳｉＯ2 を
コートした長方形状のガラス基板（図５および図９参
照：１００mm×２００mm×１．８mm）２０の裏面の全面
に渡って、ＳｎＯ2 よりなるＸ方向抵抗体膜５を形成す
る。そして、Ｘ方向抵抗体膜５上に、ａ−Ｓｉよりなる
ｎ形半導体膜６１、ａ−ＳｉＣ（非晶質炭化シリコン）
よりなるｉ形半導体膜６２、ａ−ＳｉＣよりなるｐ形半
導体膜６３、ａ−Ｓｉよりなるｉ形半導体膜６４、ａ−
Ｓｉよりなるｎ形半導体膜６５を順次積層する。
【００２３】さらに、これらの半導体膜よりなる光導電
膜（ａ−Ｓｉ合金）６上に、ＳｎＯ 2 よりなるＹ方向抵
抗体膜７をパターン形成して、このＹ方向抵抗体膜７を
エッチングのマスクとして光導電膜６を長方形状のガラ
ス基板２０の裏面上にエッチングする。つぎに、Ｘ方向
抵抗体膜５およびＹ方向抵抗体膜７上に、図８に示した
形状のＸ方向帯状対電極（Ａｌ電極）５１、５２、Ｙ方
向帯状対電極（Ａｌ電極）７１、７２を互いに直交する
ように、しかも図９に示したパターンでそれぞれ形成す
ることによって、光位置検出素子４がガラス基板２０の
裏面上に多数形成される。このとき、図９に示したよう
に、光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点Ｐ（０，
０）より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の光
位置検出素子４を形成したガラス基板２０の裏面の４隅
に、光位置検出素子４と同様な材質よりなる正方形状ア
ライメントマーク４ａ〜４ｄも同時に標示される。
膜（ａ−Ｓｉ合金）６上に、ＳｎＯ 2 よりなるＹ方向抵
抗体膜７をパターン形成して、このＹ方向抵抗体膜７を
エッチングのマスクとして光導電膜６を長方形状のガラ
ス基板２０の裏面上にエッチングする。つぎに、Ｘ方向
抵抗体膜５およびＹ方向抵抗体膜７上に、図８に示した
形状のＸ方向帯状対電極（Ａｌ電極）５１、５２、Ｙ方
向帯状対電極（Ａｌ電極）７１、７２を互いに直交する
ように、しかも図９に示したパターンでそれぞれ形成す
ることによって、光位置検出素子４がガラス基板２０の
裏面上に多数形成される。このとき、図９に示したよう
に、光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点Ｐ（０，
０）より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の光
位置検出素子４を形成したガラス基板２０の裏面の４隅
に、光位置検出素子４と同様な材質よりなる正方形状ア
ライメントマーク４ａ〜４ｄも同時に標示される。
【００２４】つぎに、ガラス基板２０の表面上に遮光性
インキをスクリーン印刷することによって、図４に示し
たピンホール３１を有する遮光膜３を図５に示したパタ
ーンでガラス基板２０の表面上に形成する。このとき、
図５に示したように、遮光膜３のピンホール３１の形成
位置より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の遮
光膜３を形成したガラス基板２０の裏面の４隅に、遮光
膜３と同様な材質よりなる正方形状アライメントマーク
３ａ〜３ｄも同時に標示される。なお、ガラス基板２と
Ｘ方向抵抗体膜５は透明な材料により構成されているの
で、ガラス基板２０を表面側から見た場合でも、ガラス
基板２とＸ方向抵抗体膜５を介してガラス基板２０の裏
面側の４個のアライメントマーク４ａ〜４ｄを識別する
ことが可能である。
インキをスクリーン印刷することによって、図４に示し
たピンホール３１を有する遮光膜３を図５に示したパタ
ーンでガラス基板２０の表面上に形成する。このとき、
図５に示したように、遮光膜３のピンホール３１の形成
位置より特定の関係を持つ位置に、すなわち、多数の遮
光膜３を形成したガラス基板２０の裏面の４隅に、遮光
膜３と同様な材質よりなる正方形状アライメントマーク
３ａ〜３ｄも同時に標示される。なお、ガラス基板２と
Ｘ方向抵抗体膜５は透明な材料により構成されているの
で、ガラス基板２０を表面側から見た場合でも、ガラス
基板２とＸ方向抵抗体膜５を介してガラス基板２０の裏
面側の４個のアライメントマーク４ａ〜４ｄを識別する
ことが可能である。
【００２５】このため、ガラス基板２０の表面上に多数
の遮光膜３とアライメントマーク３ａ〜３ｄを、図１に
一部示したように、アライメントマーク３ａ〜３ｄをア
ライメントマーク４ａ〜４ｄに一致するようにスクリー
ン印刷することによって、光位置検出素子４の検出面４
０のゼロ点Ｐ（０，０）と遮光膜３のピンホール３１の
中心点Ｏとが位置ずれしない。その後に、ガラスカッタ
ー（図示せず）によりガラス基板２０を所定の形状のガ
ラス基板（１２mm×１２mm×１．８mm) ２に切断するこ
とによって、図２、図３、図６および図７に示したよう
な全方位日射センサ１が製造される。
の遮光膜３とアライメントマーク３ａ〜３ｄを、図１に
一部示したように、アライメントマーク３ａ〜３ｄをア
ライメントマーク４ａ〜４ｄに一致するようにスクリー
ン印刷することによって、光位置検出素子４の検出面４
０のゼロ点Ｐ（０，０）と遮光膜３のピンホール３１の
中心点Ｏとが位置ずれしない。その後に、ガラスカッタ
ー（図示せず）によりガラス基板２０を所定の形状のガ
ラス基板（１２mm×１２mm×１．８mm) ２に切断するこ
とによって、図２、図３、図６および図７に示したよう
な全方位日射センサ１が製造される。
【００２６】以上のように、この実施例では、上述の製
造方法によって、ガラス基板２０の表面および裏面上に
遮光膜３および光位置検出素子４を一体的に形成してい
るので、図６に示したように、光位置検出素子４の検出
面４０のゼロ点Ｐ（０，０）と遮光膜３のピンホール３
１の中心点Ｏとを一致させることができる。これによっ
て、自動車の真上から日射光が照射されている場合、す
なわち、日射仰角θが９０°の場合の光スポットＨの中
心点（Ｏ）と光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点Ｐ
（０，０）の出力電圧｛本例ではゼロ点Ｐ（Ｖ0x，
ＶOy）＝Ｐ（２．５Ｖ，２．５Ｖ）｝とを、光位置の検
出回路または計算式をゼロ点補正することなく一致させ
ることができる。このため、光位置の検出回路や演算回
路等の制御回路の構造を簡略化することができ、且つ多
数の光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点とピンホー
ル３１の中心点Ｏとを一回の製造作業で一致させること
ができるので、全方位日射センサ１の製造コストの低コ
スト化を図ることができる。
造方法によって、ガラス基板２０の表面および裏面上に
遮光膜３および光位置検出素子４を一体的に形成してい
るので、図６に示したように、光位置検出素子４の検出
面４０のゼロ点Ｐ（０，０）と遮光膜３のピンホール３
１の中心点Ｏとを一致させることができる。これによっ
て、自動車の真上から日射光が照射されている場合、す
なわち、日射仰角θが９０°の場合の光スポットＨの中
心点（Ｏ）と光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点Ｐ
（０，０）の出力電圧｛本例ではゼロ点Ｐ（Ｖ0x，
ＶOy）＝Ｐ（２．５Ｖ，２．５Ｖ）｝とを、光位置の検
出回路または計算式をゼロ点補正することなく一致させ
ることができる。このため、光位置の検出回路や演算回
路等の制御回路の構造を簡略化することができ、且つ多
数の光位置検出素子４の検出面４０のゼロ点とピンホー
ル３１の中心点Ｏとを一回の製造作業で一致させること
ができるので、全方位日射センサ１の製造コストの低コ
スト化を図ることができる。
【００２７】〔第２実施例〕図１２は本発明を用いて製
造された全方位日射センサ１を示した図である。この全
方位日射センサ１は、ガラス基板２の一方の面にＸ方向
光位置検出素子４１、Ｙ方向光位置検出素子４２、光電
流検出素子４３〜４５よりなる光位置検出素子４をエッ
チング等によりパターン形成し、ガラス基板２の対向面
に十文字状光透過孔３２を有する遮光膜３をスクリーン
印刷したものである。この全方位日射センサ１の場合に
は、図示しないアライメントマークによって、十文字状
光透過孔３２の所定位置３２１と光電流検出素子４の所
定位置４３１とが一致するように位置決めされる。
造された全方位日射センサ１を示した図である。この全
方位日射センサ１は、ガラス基板２の一方の面にＸ方向
光位置検出素子４１、Ｙ方向光位置検出素子４２、光電
流検出素子４３〜４５よりなる光位置検出素子４をエッ
チング等によりパターン形成し、ガラス基板２の対向面
に十文字状光透過孔３２を有する遮光膜３をスクリーン
印刷したものである。この全方位日射センサ１の場合に
は、図示しないアライメントマークによって、十文字状
光透過孔３２の所定位置３２１と光電流検出素子４の所
定位置４３１とが一致するように位置決めされる。
【００２８】なお、Ｘ方向光位置検出素子４１、Ｙ方向
光位置検出素子４２、光電流検出素子４３〜４５の形成
方法としては、ガラス基板２上に、ＳｎＯ2 、ＴＴＯ、
ＺｎＯ等の透明導電膜（図に表していない）を所定の形
状に分離した状態でパターンで成膜し、その上にｎ−ｉ
−ｐ−ｉ−ｎまたはｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐのアモルファス
合金膜よりなる光導電膜（図に表していない）を成膜す
る。さらに、光導電膜上に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ等の金属電極（図に表していない）を金属マスクを
用いてパターンで成膜した後に、その金属電極をエッチ
ングのマスクとして光導電膜をガラス基板２上にエッチ
ングする。このとき、Ｘ方向光位置検出素子４１とＹ方
向光位置検出素子４２を構成する透明導電膜は平面方向
に０Ｖから５Ｖまでの電圧勾配が生じる抵抗体膜として
働き、光電流検出素子４３〜４５を構成する透明導電膜
は光導電膜の全面に５Ｖの電圧を均一に印加する電極と
なる。
光位置検出素子４２、光電流検出素子４３〜４５の形成
方法としては、ガラス基板２上に、ＳｎＯ2 、ＴＴＯ、
ＺｎＯ等の透明導電膜（図に表していない）を所定の形
状に分離した状態でパターンで成膜し、その上にｎ−ｉ
−ｐ−ｉ−ｎまたはｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐのアモルファス
合金膜よりなる光導電膜（図に表していない）を成膜す
る。さらに、光導電膜上に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｒ、
Ｍｏ等の金属電極（図に表していない）を金属マスクを
用いてパターンで成膜した後に、その金属電極をエッチ
ングのマスクとして光導電膜をガラス基板２上にエッチ
ングする。このとき、Ｘ方向光位置検出素子４１とＹ方
向光位置検出素子４２を構成する透明導電膜は平面方向
に０Ｖから５Ｖまでの電圧勾配が生じる抵抗体膜として
働き、光電流検出素子４３〜４５を構成する透明導電膜
は光導電膜の全面に５Ｖの電圧を均一に印加する電極と
なる。
【００２９】〔変形例〕本実施例では、本発明を全方位
日射センサの製造方法に用いたが、本発明を光電スイッ
チ等の光位置検出装置の製造方法に用いても良い。本実
施例では、光位置検出素子として電圧式のものを用いた
が、本発明に電流式のものを用いても良い。本実施例で
は、光導電膜としてｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電
膜６を使用したが、ｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐ層構造の光導電
膜を使用しても良く、ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電膜を使
用しても良い。また、ｐ−ｎ層構造の光導電膜を使用し
ても良い。そして、光位置検出装置の使用温度が６５℃
以下の場合は、ｉ単膜のみの光導電膜を使用しても良
い。
日射センサの製造方法に用いたが、本発明を光電スイッ
チ等の光位置検出装置の製造方法に用いても良い。本実
施例では、光位置検出素子として電圧式のものを用いた
が、本発明に電流式のものを用いても良い。本実施例で
は、光導電膜としてｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電
膜６を使用したが、ｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐ層構造の光導電
膜を使用しても良く、ｐ−ｉ−ｎ層構造の光導電膜を使
用しても良い。また、ｐ−ｎ層構造の光導電膜を使用し
ても良い。そして、光位置検出装置の使用温度が６５℃
以下の場合は、ｉ単膜のみの光導電膜を使用しても良
い。
【００３０】本実施例では、１度に多数の光位置検出素
子４をガラス基板２０上に形成したが、光位置検出素子
４を１つだけガラス基板２０上に形成しても良い。ま
た、アライメントマーク３ａ〜３ｄの形状は、アライメ
ントマーク４ａ〜４ｄとほぼ同一の形状であれば任意の
形状に形成することが可能である。そして、アライメン
トマーク３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの材質は、本例のよう
に遮光膜３、光位置検出素子４と同一の材質でも良い
し、異なる材質でも良い。さらに、アライメントマーク
３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄは２個以上あれば良い。
子４をガラス基板２０上に形成したが、光位置検出素子
４を１つだけガラス基板２０上に形成しても良い。ま
た、アライメントマーク３ａ〜３ｄの形状は、アライメ
ントマーク４ａ〜４ｄとほぼ同一の形状であれば任意の
形状に形成することが可能である。そして、アライメン
トマーク３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄの材質は、本例のよう
に遮光膜３、光位置検出素子４と同一の材質でも良い
し、異なる材質でも良い。さらに、アライメントマーク
３ａ〜３ｄ、４ａ〜４ｄは２個以上あれば良い。
【００３１】本実施例では、光透過孔として円形状ピン
ホール３１、十文字状光透過孔３２を用いたが、光透過
孔として多角形状、楕円形状、長円形状等の光透過孔を
用いても良い。また、光透過孔を複数個設けても良い。
本実施例では、ガラス基板２の裏面上に光位置検出素子
４を形成した後に、ガラス基板２の表面上に遮光膜３を
形成したが、ガラス基板２の表面上に遮光膜３を形成し
た後に、ガラス基板２の裏面上に光位置検出素子４を形
成しても良い。本実施例では、透明基板としてガラス基
板２を用いたが、透明基板として樹脂等の透明材料を用
いても良い。
ホール３１、十文字状光透過孔３２を用いたが、光透過
孔として多角形状、楕円形状、長円形状等の光透過孔を
用いても良い。また、光透過孔を複数個設けても良い。
本実施例では、ガラス基板２の裏面上に光位置検出素子
４を形成した後に、ガラス基板２の表面上に遮光膜３を
形成したが、ガラス基板２の表面上に遮光膜３を形成し
た後に、ガラス基板２の裏面上に光位置検出素子４を形
成しても良い。本実施例では、透明基板としてガラス基
板２を用いたが、透明基板として樹脂等の透明材料を用
いても良い。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、透明基板の一端面上と他端面
上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時に、光位
置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料の光透過孔
の形成位置とを一致させることができるので、光位置の
検出回路または計算式を補正する必要がなくなる。この
ため、制御回路の構造を簡略化することができるので、
光位置検出装置の製造コストの低コスト化を図ることが
できる。
上に光位置検出素子と光透過孔が形成された時に、光位
置検出素子の検出面の所定位置と遮光性材料の光透過孔
の形成位置とを一致させることができるので、光位置の
検出回路または計算式を補正する必要がなくなる。この
ため、制御回路の構造を簡略化することができるので、
光位置検出装置の製造コストの低コスト化を図ることが
できる。
【図１】本発明の第１実施例を用いて製造された第１実
施例の主要部を示した断面図である。
施例の主要部を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施例を用いて製造された第１実
施例の全方位日射センサの概略構成を示した斜視図であ
る。
施例の全方位日射センサの概略構成を示した斜視図であ
る。
【図３】図２の全方位日射センサの概略構成を示した斜
視図である。
視図である。
【図４】図２の全方位日射センサの遮光膜の形状を示し
た平面図である。
た平面図である。
【図５】多数の遮光膜をガラス基板の表面上に形成した
状態を示した平面図である。
状態を示した平面図である。
【図６】図２の全方位日射センサの光位置検出素子の層
構造を示した模式図である。
構造を示した模式図である。
【図７】図２の全方位日射センサの光導電膜の層構造を
示した模式図である。
示した模式図である。
【図８】図２の全方位日射センサのＸ方向帯状対電極と
Ｙ方向帯状対電極の形状を示した平面図である。
Ｙ方向帯状対電極の形状を示した平面図である。
【図９】多数の光位置検出素子をガラス基板の裏面上に
形成した状態を示した平面図である。
形成した状態を示した平面図である。
【図１０】図２の全方位日射センサの光位置検出素子の
ｘ座標検出、ｙ座標検出および光電流検出の作動原理を
示した説明図である。
ｘ座標検出、ｙ座標検出および光電流検出の作動原理を
示した説明図である。
【図１１】図２の全方位日射センサの日射仰角、日射方
位角を算出するための説明図である。
位角を算出するための説明図である。
【図１２】本発明を用いて製造された第２実施例の全方
位日射センサの概略構成を示した斜視図である。
位日射センサの概略構成を示した斜視図である。
【図１３】公知ではない光位置検出装置の概略構成を示
した断面図である。
した断面図である。
１ 全方位日射センサ（光位置検出装置） ２ ガラス基板（透明基板） ３ 遮光膜 ４ 光位置検出素子 ５ Ｘ方向抵抗体膜 ６ 光導電膜 ７ Ｙ方向抵抗体膜 ３１ ピンホール（光透過孔） ４０ 検出面 ５１、５２ Ｘ方向帯状対電極 ６１、６５ ｎ形半導体膜 ６２、６４ ｉ形半導体膜 ６３ ｐ形半導体膜 ７１、７２ Ｙ方向帯状対電極 ３ａ〜３ｄ アライメントマーク（第２マーク） ４ａ〜４ｄ アライメントマーク（第１マーク）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺田 知司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内 (72)発明者 白井 誠 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 平行な２面を持つ透明基板の一端面上
に、光が照射されると抵抗値が変化する光位置検出素子
を密着させると同時に、前記透明基板の一端面上におい
て前記光位置検出素子の検出面より分離された位置に第
１マークを標示する第１工程と、 前記透明基板の前記光位置検出素子側の面と対向する他
端面上に、一部に光を透過する光透過孔を形成した遮光
性材料を密着させると同時に、前記透明基板の他端面上
において、前記遮光性材料の光透過孔の形成位置より、
前記光位置検出素子の検出面の所定位置と前記第１マー
クとの位置関係と同じ位置関係を持った位置に第２マー
クを標示する第２工程とを備え、 前記第１工程または前記第２工程の何れかの工程におい
ては、前記第１マークと前記第２マークとが一致するよ
うに、前記光位置検出素子または前記遮光性材料を前記
透明基板の一端面または他端面上に密着させることを特
徴とする光位置検出装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22303892A JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
| US08/211,823 US5517017A (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Photosensor for detecting the position of incident light in two dimensions using a pair of film resistors and a photoconductive element sandwiched therebetween |
| DE69315323T DE69315323T2 (de) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optische sensor und verfahren zu seiner herstellung |
| EP94908110A EP0613183B1 (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optical sensor and method of its manufacture |
| PCT/JP1993/001165 WO1994005044A1 (en) | 1992-08-21 | 1993-08-19 | Optical sensor and method of its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22303892A JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0669536A true JPH0669536A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16791873
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22303892A Pending JPH0669536A (ja) | 1992-08-21 | 1992-08-21 | 光位置検出装置の製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5517017A (ja) |
| EP (1) | EP0613183B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0669536A (ja) |
| DE (1) | DE69315323T2 (ja) |
| WO (1) | WO1994005044A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5602384A (en) * | 1992-11-06 | 1997-02-11 | Nippondenso Co., Ltd. | Sunlight sensor that detects a distrubition and amount of thermal load |
| US7145121B1 (en) * | 2000-08-11 | 2006-12-05 | Cook Jr Koy B | Monolithic silicon integrated circuit for detecting azimuth and elevation of incident radiation and method for using same |
| US20040217258A1 (en) * | 2003-04-30 | 2004-11-04 | Clugston P. Edward | Solar sensor including reflective element to transform the angular response |
| US7585068B2 (en) * | 2004-12-03 | 2009-09-08 | Dynamic Eye, Inc. | Method and apparatus for calibrating glare-shielding glasses |
| US20100230581A1 (en) * | 2006-03-24 | 2010-09-16 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast- Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Light sensor |
| RU2492496C2 (ru) * | 2007-10-26 | 2013-09-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Световое детекторное устройство с выбором угла света |
| EP2806456A4 (en) * | 2012-03-29 | 2015-03-18 | Asahi Kasei Microdevices Corp | LIGHT RECEIVING DEVICE |
| JP6051399B2 (ja) * | 2014-07-17 | 2016-12-27 | 関根 弘一 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| CN106791086B (zh) * | 2016-12-19 | 2020-01-14 | 维沃移动通信有限公司 | 一种移动终端的控制方法及移动终端 |
| JP6842169B2 (ja) * | 2017-07-11 | 2021-03-17 | 国立研究開発法人宇宙航空研究開発機構 | シート状構造体、形状推定方法、及び宇宙機 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4018532A (en) * | 1975-09-24 | 1977-04-19 | Nasa | Sun direction detection system |
| JPS5664611A (en) * | 1979-10-31 | 1981-06-01 | Nec Corp | Device for measuring solar angle |
| JPS5688364A (en) * | 1979-12-20 | 1981-07-17 | Seiko Epson Corp | Semiconductor device |
| JPS57173256A (en) * | 1981-04-20 | 1982-10-25 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Image sensor |
| JPS59104084U (ja) * | 1982-12-28 | 1984-07-13 | 横河電機株式会社 | 多点電流計測装置の検査回路 |
| JPS6057780A (ja) * | 1983-09-07 | 1985-04-03 | Toshiba Corp | 固体撮像装置およびその製造方法 |
| US4727407A (en) * | 1984-07-13 | 1988-02-23 | Fuji Xerox Co., Ltd. | Image sensor |
| JPS61250601A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-07 | Toray Ind Inc | 反射防止性を有する光学材料およびその製造方法 |
| JP2566910B2 (ja) * | 1985-08-19 | 1996-12-25 | 鐘淵化学工業株式会社 | 平面センサ− |
| JPS6271713A (ja) * | 1985-09-26 | 1987-04-02 | Diesel Kiki Co Ltd | 自動車用空調装置の日射方向検出装置 |
| JPS62140407A (ja) * | 1985-12-16 | 1987-06-24 | Canon Electronics Inc | ロ−タリ−トランス |
| JPS62211506A (ja) * | 1986-03-12 | 1987-09-17 | Toshiba Corp | デジタル太陽センサ |
| JPH0640023B2 (ja) * | 1986-09-25 | 1994-05-25 | 株式会社神戸製鋼所 | 光入力の位置・分散検出方法および装置 |
| US4879470A (en) * | 1987-01-16 | 1989-11-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Photoelectric converting apparatus having carrier eliminating means |
| JPS63278284A (ja) * | 1987-05-09 | 1988-11-15 | Fujitsu Ltd | 二次元光位置検出装置 |
| JP2554119B2 (ja) * | 1988-02-26 | 1996-11-13 | 株式会社日立製作所 | 自動車空調用日射センサー |
| JPS6419107A (en) * | 1988-04-02 | 1989-01-23 | Sanshin Kogyo Kk | Separated lubricating device for outboard motor |
| SE462665B (sv) * | 1988-12-22 | 1990-08-06 | Saab Scania Ab | Givare till en klimatanlaeggning foer fordon |
| GB2253516B (en) * | 1991-02-26 | 1995-07-12 | Nippon Denso Co | Device for detecting position and intensity of light and position detecting element to be employed therein |
| JP3123172B2 (ja) * | 1991-02-26 | 2001-01-09 | 株式会社デンソー | 光の位置と強さを検出する装置 |
| JPH04343276A (ja) * | 1991-05-20 | 1992-11-30 | Nippondenso Co Ltd | 光位置検出装置 |
-
1992
- 1992-08-21 JP JP22303892A patent/JPH0669536A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-19 DE DE69315323T patent/DE69315323T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-08-19 US US08/211,823 patent/US5517017A/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-19 EP EP94908110A patent/EP0613183B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-19 WO PCT/JP1993/001165 patent/WO1994005044A1/ja active IP Right Grant
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO1994005044A1 (en) | 1994-03-03 |
| EP0613183A1 (en) | 1994-08-31 |
| US5517017A (en) | 1996-05-14 |
| EP0613183B1 (en) | 1997-11-19 |
| DE69315323D1 (de) | 1998-01-02 |
| EP0613183A4 (en) | 1994-11-17 |
| DE69315323T2 (de) | 1998-04-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN107368822B (zh) | 一种显示装置及其制造方法、以及电子设备 | |
| JPH0669536A (ja) | 光位置検出装置の製造方法 | |
| US11023061B2 (en) | Panel with multiple conductive patterns | |
| JPS59117277A (ja) | 受光素子 | |
| CN210836906U (zh) | 一种集成薄膜太阳能电池的显示模组 | |
| CN111081152A (zh) | 一种集成薄膜太阳能电池的显示模组及其制备方法 | |
| CN109426388B (zh) | 显示基板、显示装置及其控制方法 | |
| JPH0669535A (ja) | 光位置検出装置 | |
| JPH0737323Y2 (ja) | カラーセンサー | |
| JPH04343276A (ja) | 光位置検出装置 | |
| JPH0669534A (ja) | 全方位光検出装置 | |
| JP3123172B2 (ja) | 光の位置と強さを検出する装置 | |
| CN110223986B (zh) | 阵列基板及其制备方法 | |
| JPS6246278Y2 (ja) | ||
| JPS6332305A (ja) | 光位置検出素子 | |
| JP3111544B2 (ja) | 日射センサ | |
| JPH0677524A (ja) | 日射光光電変換装置 | |
| CN111221429A (zh) | 触控模组、触控屏及其制备方法 | |
| JPH0262921A (ja) | 光センサー | |
| JPH03227076A (ja) | 位置検出素子 | |
| JPS63164281A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH05180693A (ja) | 光の位置と強さを検出する装置 | |
| JPH07103820A (ja) | 自動車用日射センサ | |
| JPS63137319A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPS63164280A (ja) | 位置検出装置 |