JPH0668532A - 光磁気記録媒体 - Google Patents
光磁気記録媒体Info
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- JPH0668532A JPH0668532A JP21937992A JP21937992A JPH0668532A JP H0668532 A JPH0668532 A JP H0668532A JP 21937992 A JP21937992 A JP 21937992A JP 21937992 A JP21937992 A JP 21937992A JP H0668532 A JPH0668532 A JP H0668532A
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- optical recording
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
- G11B11/10—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field
- G11B11/105—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor using recording by magnetic means or other means for magnetisation or demagnetisation of a record carrier, e.g. light induced spin magnetisation; Demagnetisation by thermal or stress means in the presence or not of an orienting magnetic field using a beam of light or a magnetic field for recording by change of magnetisation and a beam of light for reproducing, i.e. magneto-optical, e.g. light-induced thermomagnetic recording, spin magnetisation recording, Kerr or Faraday effect reproducing
- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
- G11B11/10589—Details
- G11B11/10591—Details for improving write-in properties, e.g. Curie-point temperature
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B11/00—Recording on or reproducing from the same record carrier wherein for these two operations the methods are covered by different main groups of groups G11B3/00 - G11B7/00 or by different subgroups of group G11B9/00; Record carriers therefor
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- G11B11/10582—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form
- G11B11/10586—Record carriers characterised by the selection of the material or by the structure or form characterised by the selection of the material
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性層が多層膜構造とされた光磁気記録媒体
を用いて再生時の高解像度化をはかると共に、記録に必
要な磁界を抑制して、高周波の磁界変調による記録再生
を可能とする。 【構成】 少なくとも再生層１１と記録層１３とこれら
の層間に介在する切断層１２とを有し、再生層１１の磁
化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録
媒体１０において、再生層１１をGdFeCoを主体とし、室
温で遷移金属優勢膜のときはMs1 ＜150emu/cc 、室温で
希土類金属優勢膜の場合はMs1 ＜160emu/cc とし、切断
層１３をTbFeCoを主体とし、そのキュリー温度を 600〜
200 ℃として且つ再生層１１及び記録層１３のキュリー
温度に比し低い温度とし、記録層１３をTbFeCoを主体と
して、室温で遷移金属優勢膜で有る場合はMs3 ＜100emu
/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はMs3 ＜160em
u/cc とし、再生層が遷移金属優勢膜である場合は記録
層は希土類金属優勢膜とし、その飽和磁化の差Ｍｓ1−
Ｍｓ3 を４０emu/cc以下として構成する。
を用いて再生時の高解像度化をはかると共に、記録に必
要な磁界を抑制して、高周波の磁界変調による記録再生
を可能とする。 【構成】 少なくとも再生層１１と記録層１３とこれら
の層間に介在する切断層１２とを有し、再生層１１の磁
化状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録
媒体１０において、再生層１１をGdFeCoを主体とし、室
温で遷移金属優勢膜のときはMs1 ＜150emu/cc 、室温で
希土類金属優勢膜の場合はMs1 ＜160emu/cc とし、切断
層１３をTbFeCoを主体とし、そのキュリー温度を 600〜
200 ℃として且つ再生層１１及び記録層１３のキュリー
温度に比し低い温度とし、記録層１３をTbFeCoを主体と
して、室温で遷移金属優勢膜で有る場合はMs3 ＜100emu
/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はMs3 ＜160em
u/cc とし、再生層が遷移金属優勢膜である場合は記録
層は希土類金属優勢膜とし、その飽和磁化の差Ｍｓ1−
Ｍｓ3 を４０emu/cc以下として構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気光学効果によって
情報ビット（磁区）の読み出しを行う光磁気記録媒体に
係わる。
情報ビット（磁区）の読み出しを行う光磁気記録媒体に
係わる。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録方式は、磁性層を部分的にキ
ュリー温度又は補償点温度を超えて昇温させ、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転させて記録を行うものである。そ
して読み出しに当たっては、レーザ光照射による局部加
熱により形成した磁化反転領域即ち情報ピットを光磁気
相互作用、即ちカー効果或いはファラデー効果によって
読み出しを行っている。
ュリー温度又は補償点温度を超えて昇温させ、この部分
の保磁力を消滅させて外部から印加される記録磁界の方
向に磁化の向きを反転させて記録を行うものである。そ
して読み出しに当たっては、レーザ光照射による局部加
熱により形成した磁化反転領域即ち情報ピットを光磁気
相互作用、即ちカー効果或いはファラデー効果によって
読み出しを行っている。
【０００３】この場合、再生時の解像度は、読み出し光
の波長λと、対物レンズの開口数N.A.とによって、検出
限界となるピット周期ｆ（＝λ／２N.A.）が決定されて
しまう。従って、光磁気記録媒体で高記録密度化をはか
るためには、再生光学系のレーザ波長λを短くし、対物
レンズの開口数N.A.を大とすることが考えられるが、現
状の技術では波長λや開口数N.A.の改善にも限度があ
る。
の波長λと、対物レンズの開口数N.A.とによって、検出
限界となるピット周期ｆ（＝λ／２N.A.）が決定されて
しまう。従って、光磁気記録媒体で高記録密度化をはか
るためには、再生光学系のレーザ波長λを短くし、対物
レンズの開口数N.A.を大とすることが考えられるが、現
状の技術では波長λや開口数N.A.の改善にも限度があ
る。
【０００４】このような制約を超えて解像度の向上をは
かる方法、即ちいわゆる超解像を得る方法が本出願人の
出願に係る特開平１−１４３０４２号公開公報において
提案されている。この方法においては、室温で互いに順
次磁気的に結合する再生層、切断層及び記録層から成る
多層膜構造の光磁気記録媒体を用いて、再生時には、そ
の再生光のレーザビームスポット内に生じる高温部で一
時的に磁区の消滅ないしは縮小を行って、低温部分にの
み情報となる磁区を生じさせてこれを読み出し、再生時
の解像度の向上をはかって記録密度の向上をはかるもの
である。
かる方法、即ちいわゆる超解像を得る方法が本出願人の
出願に係る特開平１−１４３０４２号公開公報において
提案されている。この方法においては、室温で互いに順
次磁気的に結合する再生層、切断層及び記録層から成る
多層膜構造の光磁気記録媒体を用いて、再生時には、そ
の再生光のレーザビームスポット内に生じる高温部で一
時的に磁区の消滅ないしは縮小を行って、低温部分にの
み情報となる磁区を生じさせてこれを読み出し、再生時
の解像度の向上をはかって記録密度の向上をはかるもの
である。
【０００５】しかしながらこのような再生方法を適用す
る光磁気記録媒体に対する記録方法としては、特別な考
慮がな録の書換えにあたっては一旦先の記録の消去を行
い、その後に次の新しい情報に基づいて記録を行うとい
う方法（以下光変調記録方式という）が一般的であり、
消去のための時間がかかるという不都合がある。
る光磁気記録媒体に対する記録方法としては、特別な考
慮がな録の書換えにあたっては一旦先の記録の消去を行
い、その後に次の新しい情報に基づいて記録を行うとい
う方法（以下光変調記録方式という）が一般的であり、
消去のための時間がかかるという不都合がある。
【０００６】この問題を解決する方法としては、記録時
に、記録する情報に合わせて磁界を変調する方法（磁界
変調記録方式オーバーライト）が一般的に知られてい
る。
に、記録する情報に合わせて磁界を変調する方法（磁界
変調記録方式オーバーライト）が一般的に知られてい
る。
【０００７】磁界変調方式オーバーライトとは、記録信
号とは無関係にレーザ光を直流的に或いはクロック周波
数に同期させて発光させ、媒体のレーザ照射部分を常に
記録可能状態としておき、その部分の磁化の向きはその
とい印加されている記録磁界の向きに揃えるようにして
情報の書き込みを行う方法で、記録以前の情報に関係な
く新しい情報の記録を行うことが可能である。
号とは無関係にレーザ光を直流的に或いはクロック周波
数に同期させて発光させ、媒体のレーザ照射部分を常に
記録可能状態としておき、その部分の磁化の向きはその
とい印加されている記録磁界の向きに揃えるようにして
情報の書き込みを行う方法で、記録以前の情報に関係な
く新しい情報の記録を行うことが可能である。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述したような高密度
記録を行い得る光磁気記録媒体としては、例えば本出願
人の出願に係る特願平２─４１５０２５号出願に提案さ
れており、図１にその一例の略線的拡大断面図を示すよ
うに、ガラスやポリカーボネイト樹脂等の光透過性の基
板上に、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る誘電体
膜２１、光磁気記録層２２、例えば厚さ８００ÅのＳｉ
Ｎ等より成る保護膜２３を順次スパッタリング等によっ
て被着して構成し、光磁気記録層２２は再生層１１、切
断層１２及び記録層１３の３層構成として同様にスパッ
タリング等により形成し得る。
記録を行い得る光磁気記録媒体としては、例えば本出願
人の出願に係る特願平２─４１５０２５号出願に提案さ
れており、図１にその一例の略線的拡大断面図を示すよ
うに、ガラスやポリカーボネイト樹脂等の光透過性の基
板上に、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る誘電体
膜２１、光磁気記録層２２、例えば厚さ８００ÅのＳｉ
Ｎ等より成る保護膜２３を順次スパッタリング等によっ
て被着して構成し、光磁気記録層２２は再生層１１、切
断層１２及び記録層１３の３層構成として同様にスパッ
タリング等により形成し得る。
【０００９】このような光磁気記録層２２に記録を行う
場合に、媒体に影響を及ぼす力は外部から与えられる記
録磁界の他に、磁性層自身の磁化によって生じる反磁
界、磁壁エネルギーによる力等がある。これら全ての力
のトータルが保磁力Ｈｃ以上となった領域で磁化反転が
生じ、記録を行うことができることとなる。
場合に、媒体に影響を及ぼす力は外部から与えられる記
録磁界の他に、磁性層自身の磁化によって生じる反磁
界、磁壁エネルギーによる力等がある。これら全ての力
のトータルが保磁力Ｈｃ以上となった領域で磁化反転が
生じ、記録を行うことができることとなる。
【００１０】簡単のために単層の磁性層に記録を行う場
合について説明すると、反磁界とは、図２に示すよう
に、記録される磁性層３１内の矢印ｄで示す磁化により
生じる磁界で、ほぼ飽和磁化Ｍｓに比例した大きさとな
り、破線ｄA で示すように、隣接する磁化の向きを反転
させる方向に働く。例えば磁化の向きが一様に揃ってい
る場合、記録温度近傍の温度では、遷移金属優勢膜（Ｔ
Ｍリッチ）である場合は矢印ＨEXで示す記録磁界を助け
る方向に反磁界が発生し、希土類金属優勢膜（ＲＥリッ
チ）である場合はその逆向きに反磁界が発生することに
なる。
合について説明すると、反磁界とは、図２に示すよう
に、記録される磁性層３１内の矢印ｄで示す磁化により
生じる磁界で、ほぼ飽和磁化Ｍｓに比例した大きさとな
り、破線ｄA で示すように、隣接する磁化の向きを反転
させる方向に働く。例えば磁化の向きが一様に揃ってい
る場合、記録温度近傍の温度では、遷移金属優勢膜（Ｔ
Ｍリッチ）である場合は矢印ＨEXで示す記録磁界を助け
る方向に反磁界が発生し、希土類金属優勢膜（ＲＥリッ
チ）である場合はその逆向きに反磁界が発生することに
なる。
【００１１】また磁壁エネルギーは情報ピットの面積に
比例して大きくなり、常にピットを小さくする方向即ち
記録を妨げる方向に働く力となるが、この磁壁エネルギ
ーは材料によってほぼ決定される。
比例して大きくなり、常にピットを小さくする方向即ち
記録を妨げる方向に働く力となるが、この磁壁エネルギ
ーは材料によってほぼ決定される。
【００１２】そしてこれらの力と記録磁界とのトータル
の磁界が、記録ピット内全域で記録方向を向く場合に
は、キャリア及びノイズの充分安定した記録を行うこと
ができるが、逆に記録可能な温度領域全域においてトー
タルの磁界が記録を妨げる方向に働く場合は、記録用レ
ーザビームを照射して温度上昇が生じても磁性層には何
も記録されない。
の磁界が、記録ピット内全域で記録方向を向く場合に
は、キャリア及びノイズの充分安定した記録を行うこと
ができるが、逆に記録可能な温度領域全域においてトー
タルの磁界が記録を妨げる方向に働く場合は、記録用レ
ーザビームを照射して温度上昇が生じても磁性層には何
も記録されない。
【００１３】しかしながら反磁界は磁化の大きさにほぼ
比例することから、レーザビームスポット内の温度勾配
により磁化が局所的に変化すると、反磁界も局所的に変
化することとなり、記録されるピット内に、記録方向の
力が強い領域と消去方向の力が強い領域とが生じて記録
むらが生じてしまい、再生出力のノイズの原因となった
り、キャリアを減少させたりする。このため、記録磁界
としてはこのような反磁界を打ち消すような比較的大き
い磁界が必要となる。
比例することから、レーザビームスポット内の温度勾配
により磁化が局所的に変化すると、反磁界も局所的に変
化することとなり、記録されるピット内に、記録方向の
力が強い領域と消去方向の力が強い領域とが生じて記録
むらが生じてしまい、再生出力のノイズの原因となった
り、キャリアを減少させたりする。このため、記録磁界
としてはこのような反磁界を打ち消すような比較的大き
い磁界が必要となる。
【００１４】一方この磁界変調記録方式で記録を行う場
合、記録周波数が数ＭＨｚ程度の高周波であること、ま
た変調された磁界が他の回路に及ぼす影響等を考慮する
と、その記録磁界を１００〜２００Oe以下、特に例えば
１０ＭＨｚ程度の記録周波数の場合は１５０Oe程度以下
に抑えなければならないが、上述の理由によって記録磁
界を抑制すると、十分な再生出力が得られない場合があ
る。
合、記録周波数が数ＭＨｚ程度の高周波であること、ま
た変調された磁界が他の回路に及ぼす影響等を考慮する
と、その記録磁界を１００〜２００Oe以下、特に例えば
１０ＭＨｚ程度の記録周波数の場合は１５０Oe程度以下
に抑えなければならないが、上述の理由によって記録磁
界を抑制すると、十分な再生出力が得られない場合があ
る。
【００１５】本発明は、上述したような磁性層が多層膜
構造とされた光磁気記録媒体を用いて再生時の高解像度
化をはかると共に、記録に必要な磁界を抑制して、高周
波の磁界変調による記録再生を可能とする。
構造とされた光磁気記録媒体を用いて再生時の高解像度
化をはかると共に、記録に必要な磁界を抑制して、高周
波の磁界変調による記録再生を可能とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明光磁気記録媒体
は、図１にその一例の略線的拡大断面図を示すように、
少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これらの層間
に介在する切断層１２とを有し、この再生層１１の磁化
状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒
体１０において、再生層１１をＧｄＦｅＣｏを主体とし
て構成して、室温で遷移金属優勢膜である場合はその飽
和磁化Ｍｓ1 をＭｓ1 ＜１５０emu/cc、室温で希土類金
属優勢膜である場合はＭｓ1 ＜１６０emu/ccとし、切断
層１３をＴｂＦｅＣｏを主体として構成して、そのキュ
リー温度を６０〜２００℃として且つ再生層１１及び記
録層１３のキュリー温度に比し低い温度とし、記録層１
３をＴｂＦｅＣｏを主体として構成して、室温で遷移金
属優勢膜で有る場合はその飽和磁化Ｍｓ3 をＭｓ3 ＜１
００emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はＭｓ
3 ＜１６０emu/ccとし、再生層１１が遷移金属優勢膜と
される場合は記録層１３が希土類金属優勢膜とされ、且
つ再生層１１の飽和磁化Ｍｓ1 と記録層１３の飽和磁化
Ｍｓ3 との差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 を４０emu/cc以下として構
成する。
は、図１にその一例の略線的拡大断面図を示すように、
少なくとも再生層１１と、記録層１３と、これらの層間
に介在する切断層１２とを有し、この再生層１１の磁化
状態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒
体１０において、再生層１１をＧｄＦｅＣｏを主体とし
て構成して、室温で遷移金属優勢膜である場合はその飽
和磁化Ｍｓ1 をＭｓ1 ＜１５０emu/cc、室温で希土類金
属優勢膜である場合はＭｓ1 ＜１６０emu/ccとし、切断
層１３をＴｂＦｅＣｏを主体として構成して、そのキュ
リー温度を６０〜２００℃として且つ再生層１１及び記
録層１３のキュリー温度に比し低い温度とし、記録層１
３をＴｂＦｅＣｏを主体として構成して、室温で遷移金
属優勢膜で有る場合はその飽和磁化Ｍｓ3 をＭｓ3 ＜１
００emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場合はＭｓ
3 ＜１６０emu/ccとし、再生層１１が遷移金属優勢膜と
される場合は記録層１３が希土類金属優勢膜とされ、且
つ再生層１１の飽和磁化Ｍｓ1 と記録層１３の飽和磁化
Ｍｓ3 との差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 を４０emu/cc以下として構
成する。
【００１７】また本発明は、上述の光磁気記録媒体１０
において、切断層１２が室温で遷移金属優勢膜である場
合はその飽和磁化Ｍｓ2 がＭｓ2 ＜３００emu/cc、室温
で希土類金属優勢膜である場合はＭｓ2 ＜１６０emu/cc
として構成する。
において、切断層１２が室温で遷移金属優勢膜である場
合はその飽和磁化Ｍｓ2 がＭｓ2 ＜３００emu/cc、室温
で希土類金属優勢膜である場合はＭｓ2 ＜１６０emu/cc
として構成する。
【００１８】更にまた本発明は、上述の光磁気記録媒体
１０において、再生層１１の厚さを１５０〜１０００Å
として構成する。
１０において、再生層１１の厚さを１５０〜１０００Å
として構成する。
【００１９】また本発明は、上述の光磁気記録媒体１０
において、切断層１２の厚さを５０〜１０００Åとして
構成する。
において、切断層１２の厚さを５０〜１０００Åとして
構成する。
【００２０】更に本発明は、上述の光磁気記録媒体１０
において、記録層１３の厚さを２００〜１０００Åとし
て構成する。
において、記録層１３の厚さを２００〜１０００Åとし
て構成する。
【００２１】また更に本発明は、上述の光磁気記録媒体
１０において、再生層１１のキュリー温度を２００〜４
００℃として構成する。
１０において、再生層１１のキュリー温度を２００〜４
００℃として構成する。
【００２２】更に本発明は、上述の光磁気記録媒体１０
において、記録層１３のキュリー温度を１５０〜２５０
℃として構成する。
において、記録層１３のキュリー温度を１５０〜２５０
℃として構成する。
【００２３】また本発明は、上述の光磁気記録媒体１０
において、再生層１１の組成を、Ｇｄx （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-x として、１９≦ｘ≦２９（原子％）として
構成する。
において、再生層１１の組成を、Ｇｄx （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-x として、１９≦ｘ≦２９（原子％）として
構成する。
【００２４】更にまた本発明は、上述の光磁気記録媒体
１０において、記録層１３の組成を、Ｔｂy （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-y として、１６≦ｙ≦３０（原子％）として
構成する。
１０において、記録層１３の組成を、Ｔｂy （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-y として、１６≦ｙ≦３０（原子％）として
構成する。
【００２５】
【作用】上述の本発明光磁気記録媒体によれば、記録用
のビームスポット内の温度（記録温度）下において磁性
層内の磁化の和をほぼ０とすることができ、記録に要す
る磁界の大きさを抑制することができて、超解像の記録
に当たって記録磁界の大きさを１５０Oe程度以下とする
ことができて、高密度記録を行うことができた。以下こ
れについて説明する。
のビームスポット内の温度（記録温度）下において磁性
層内の磁化の和をほぼ０とすることができ、記録に要す
る磁界の大きさを抑制することができて、超解像の記録
に当たって記録磁界の大きさを１５０Oe程度以下とする
ことができて、高密度記録を行うことができた。以下こ
れについて説明する。
【００２６】前述したように、磁界変調方式で記録を安
定に行うためには、反磁界や磁壁エネルギーの和を記録
可能な温度領域においてできるだけ小さくすることによ
って必要な記録磁界を小さくすることができる。単層膜
の場合、反磁界と磁壁エネルギーの和を小さくするため
に記録温度近傍でできるだけ磁化が小さくなるように組
成を選定する必要があるが、多層膜の場合は、記録に直
接寄与しない層の磁化によって記録を行う層の実効的な
磁化を小さくすることができる。
定に行うためには、反磁界や磁壁エネルギーの和を記録
可能な温度領域においてできるだけ小さくすることによ
って必要な記録磁界を小さくすることができる。単層膜
の場合、反磁界と磁壁エネルギーの和を小さくするため
に記録温度近傍でできるだけ磁化が小さくなるように組
成を選定する必要があるが、多層膜の場合は、記録に直
接寄与しない層の磁化によって記録を行う層の実効的な
磁化を小さくすることができる。
【００２７】本発明においては、図１に示すように、再
生層１１、切断層１２及び記録層１３により光磁気記録
膜２２を構成する。この光磁気記録媒体に記録を行う場
合、記録温度は記録層１３のキュリー温度によって決ま
る。そして切断層１２は記録温度においてはキュリー温
度以上となっているため、記録には殆ど影響を及ぼさな
い。従って記録層１３よりキュリー温度が高い再生層１
１の磁化の影響と、記録層１３自身の磁化による反磁界
や磁壁エネルギー、更に外部から与える記録磁界によっ
て記録条件がほぼ決定される。
生層１１、切断層１２及び記録層１３により光磁気記録
膜２２を構成する。この光磁気記録媒体に記録を行う場
合、記録温度は記録層１３のキュリー温度によって決ま
る。そして切断層１２は記録温度においてはキュリー温
度以上となっているため、記録には殆ど影響を及ぼさな
い。従って記録層１３よりキュリー温度が高い再生層１
１の磁化の影響と、記録層１３自身の磁化による反磁界
や磁壁エネルギー、更に外部から与える記録磁界によっ
て記録条件がほぼ決定される。
【００２８】本発明においては各磁性層を、希土類金属
と遷移金属との化合物により構成し、各層共に副格子磁
化を有するものである。この場合、温度によって遷移金
属優勢膜（ＴＭリッチ）から希土類金属優勢膜（ＲＥリ
ッチ）に、或いはその逆に変化し、温度に依存してその
磁化の大きさ及び向きが変化する。図２Ａ〜Ｃに、各磁
性層の磁化の大きさ及び方向を変化させたときの記録レ
ーザビーム照射領域の磁化態様を模式的に示す。この場
合、遷移金属優勢膜の磁化を上向きの矢印、希土類金属
優勢膜の磁化の向きを下向きの矢印で、また磁化が消失
した状態を○として示し、磁化の大きさは矢印の長さに
比例するように模式的に示した。Ｌは記録用のレーザビ
ームを示す。
と遷移金属との化合物により構成し、各層共に副格子磁
化を有するものである。この場合、温度によって遷移金
属優勢膜（ＴＭリッチ）から希土類金属優勢膜（ＲＥリ
ッチ）に、或いはその逆に変化し、温度に依存してその
磁化の大きさ及び向きが変化する。図２Ａ〜Ｃに、各磁
性層の磁化の大きさ及び方向を変化させたときの記録レ
ーザビーム照射領域の磁化態様を模式的に示す。この場
合、遷移金属優勢膜の磁化を上向きの矢印、希土類金属
優勢膜の磁化の向きを下向きの矢印で、また磁化が消失
した状態を○として示し、磁化の大きさは矢印の長さに
比例するように模式的に示した。Ｌは記録用のレーザビ
ームを示す。
【００２９】先ず再生層１１及び記録層１３の飽和磁化
が共に小さい場合は、図２Ａに示すように、膜内に生じ
る磁界も小さいので、外部から加える磁界が小さくても
充分記録消去を行える。また、図２Ｂに示すように、再
生層１１が室温及び記録温度共にＴＭリッチであって比
較的磁化が大きくても、記録層１３が室温でＲＥリッチ
であれば、記録スポット外で再生層１１の磁化と逆向き
となるので、記録スポット内での反磁界が小さくなり、
再生層１１の磁化の影響を抑えることができて、低磁界
での記録消去が可能となる。更に、図２Ｃに示すよう
に、記録層１３がＴＭリッチで磁化が比較的大きい場合
でも、再生層１１の組成をＲＥリッチとしてその磁化が
記録層１３の磁化と反対の方向に働くようにすれば、ト
ータルでの影響を小さくすることができる。
が共に小さい場合は、図２Ａに示すように、膜内に生じ
る磁界も小さいので、外部から加える磁界が小さくても
充分記録消去を行える。また、図２Ｂに示すように、再
生層１１が室温及び記録温度共にＴＭリッチであって比
較的磁化が大きくても、記録層１３が室温でＲＥリッチ
であれば、記録スポット外で再生層１１の磁化と逆向き
となるので、記録スポット内での反磁界が小さくなり、
再生層１１の磁化の影響を抑えることができて、低磁界
での記録消去が可能となる。更に、図２Ｃに示すよう
に、記録層１３がＴＭリッチで磁化が比較的大きい場合
でも、再生層１１の組成をＲＥリッチとしてその磁化が
記録層１３の磁化と反対の方向に働くようにすれば、ト
ータルでの影響を小さくすることができる。
【００３０】本発明構成によれば、上述したような記録
磁界を妨げない磁化構成とすることができる。このた
め、本発明光磁気記録媒体を用いることによって磁界変
調記録方法によるオーバーライトが可能となる。
磁界を妨げない磁化構成とすることができる。このた
め、本発明光磁気記録媒体を用いることによって磁界変
調記録方法によるオーバーライトが可能となる。
【００３１】
【実施例】以下本発明光磁気記録媒体の各例を詳細に説
明する。光磁気記録媒体の評価に当たって、その記録に
必要な磁界の測定は、図３に示す装置によって行った。
即ち光磁気記録媒体１０を矢印ａで示すように回転さ
せ、その表面の所定領域に対物レンズ７１によって集束
されたレーザ光Ｌを照射すると共に、磁界発生手段７２
により記録磁界及び再生磁界、消去磁界が印加されて記
録再生或いは消去が行われる。
明する。光磁気記録媒体の評価に当たって、その記録に
必要な磁界の測定は、図３に示す装置によって行った。
即ち光磁気記録媒体１０を矢印ａで示すように回転さ
せ、その表面の所定領域に対物レンズ７１によって集束
されたレーザ光Ｌを照射すると共に、磁界発生手段７２
により記録磁界及び再生磁界、消去磁界が印加されて記
録再生或いは消去が行われる。
【００３２】次に評価に用いた光磁気記録媒体１０の構
成を示す。図１に示すように、ガラス、ポリカーボネイ
ト樹脂等の光透過性の基板２０上に、例えば厚さ８００
ÅのＳｉＮ等より成る誘電体膜２１、光磁気記録層２
２、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る保護層２３
を順次例えばスパッタリングによって被着形成して作製
することができる。光磁気記録層２２は基板２０側から
再生層１１、切断層１２及び記録層１３をスパッタリン
グ等により積層して構成する。
成を示す。図１に示すように、ガラス、ポリカーボネイ
ト樹脂等の光透過性の基板２０上に、例えば厚さ８００
ÅのＳｉＮ等より成る誘電体膜２１、光磁気記録層２
２、例えば厚さ８００ÅのＳｉＮ等より成る保護層２３
を順次例えばスパッタリングによって被着形成して作製
することができる。光磁気記録層２２は基板２０側から
再生層１１、切断層１２及び記録層１３をスパッタリン
グ等により積層して構成する。
【００３３】そして再生層１１は、例えばＧｄx （Ｆｅ
85Ｃｏ15）100-x によって構成し、その厚さｈ1 は再生
時に充分なカー回転角θK が得られる程度に厚く、且つ
所要の温度分布を得るのに要する再生レーザ光のパワー
（再生パワー）が高くなり過ぎない程度の１５０〜１０
００Åに選定する。
85Ｃｏ15）100-x によって構成し、その厚さｈ1 は再生
時に充分なカー回転角θK が得られる程度に厚く、且つ
所要の温度分布を得るのに要する再生レーザ光のパワー
（再生パワー）が高くなり過ぎない程度の１５０〜１０
００Åに選定する。
【００３４】またそのキュリー温度Ｔｃ1 は、再生時に
照射されるレーザ光による昇温によってカー回転角θK
が低下することのない程度、即ち機能的には２００℃程
度以上に選定する。このキュリー温度Ｔｃ1 は実質的に
は４００℃以上とすることは難しく、従って、２００℃
〜４００℃に選定される。そしてこの再生層１１の飽和
磁化Ｍｓ1 は、室温でＴＭリッチの場合０＜Ｍｓ 1 ＜１
５０emu/cc、ＲＥリッチの場合０＜Ｍｓ1 ＜１６０emu/
ccとする。
照射されるレーザ光による昇温によってカー回転角θK
が低下することのない程度、即ち機能的には２００℃程
度以上に選定する。このキュリー温度Ｔｃ1 は実質的に
は４００℃以上とすることは難しく、従って、２００℃
〜４００℃に選定される。そしてこの再生層１１の飽和
磁化Ｍｓ1 は、室温でＴＭリッチの場合０＜Ｍｓ 1 ＜１
５０emu/cc、ＲＥリッチの場合０＜Ｍｓ1 ＜１６０emu/
ccとする。
【００３５】切断層１２はＴｅＦｅＣｏ系によって構成
し、そのキュリー温度Ｔｃ2 は再生パワーが実用可能な
パワーになるよう、６０℃〜２００℃に選定する又、組
成範囲はＴＭリッチの場合は０＜Ｍｓ2 ＜３００emu/c
c、ＲＥリッチの場合は０＜Ｍｓ2 ＜１６０emu/ccとす
る。またその厚さｈ2 は、再生層１１と記録層１３を完
全に分離するように５０Å以上とし、記録時のレーザ光
パワー（記録パワー）を抑制するために１０００Å以下
とする。
し、そのキュリー温度Ｔｃ2 は再生パワーが実用可能な
パワーになるよう、６０℃〜２００℃に選定する又、組
成範囲はＴＭリッチの場合は０＜Ｍｓ2 ＜３００emu/c
c、ＲＥリッチの場合は０＜Ｍｓ2 ＜１６０emu/ccとす
る。またその厚さｈ2 は、再生層１１と記録層１３を完
全に分離するように５０Å以上とし、記録時のレーザ光
パワー（記録パワー）を抑制するために１０００Å以下
とする。
【００３６】記録層１３は例えばＴｂy （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-y によって構成し、その飽和磁化Ｍｓ3 は、
ＴＭリッチで０＜Ｍｓ3 ＜１００emu/cc、ＲＥリッチの
場合は０＜Ｍｓ3 ＜１６０emu/ccとする。そしてその厚
さｈ3 は２００Å以上であれば、記録及び再生感度に影
響を及ぼさない限り限定されないが、記録パワー等を考
慮して１０００Å以下とする。またキュリー温度Ｔｃ3
は１５０〜２５０℃に選定する。尚、上述の各飽和磁化
の値は室温における値を示す。
ｏ15）100-y によって構成し、その飽和磁化Ｍｓ3 は、
ＴＭリッチで０＜Ｍｓ3 ＜１００emu/cc、ＲＥリッチの
場合は０＜Ｍｓ3 ＜１６０emu/ccとする。そしてその厚
さｈ3 は２００Å以上であれば、記録及び再生感度に影
響を及ぼさない限り限定されないが、記録パワー等を考
慮して１０００Å以下とする。またキュリー温度Ｔｃ3
は１５０〜２５０℃に選定する。尚、上述の各飽和磁化
の値は室温における値を示す。
【００３７】このような構成による光磁気記録媒体１０
に対し、図３において説明した光磁気記録装置を用い
て、媒体１０の回転速度を２４００rpm 、線速度８m/s
、信号周波数ｆ＝１０MHz 、０．８μm ピッチ、ピッ
ト長０．４μm として記録を行い、上述の特開平１−１
４３０４２号公開公報及び特願平２─４１５０２５号出
願に示されているように、再生ビームスポット内の特に
高温領域で記録されたピットが消去するか或いは縮小さ
れることによってこの部分の記録ピットがマスクされ、
再生ビームスポット内の比較的低温領域の記録ピットの
みを読み出す超解像の再生方式により再生を行い、Ｃ／
Ｎ（キャリア／ノイズ）比を測定した。
に対し、図３において説明した光磁気記録装置を用い
て、媒体１０の回転速度を２４００rpm 、線速度８m/s
、信号周波数ｆ＝１０MHz 、０．８μm ピッチ、ピッ
ト長０．４μm として記録を行い、上述の特開平１−１
４３０４２号公開公報及び特願平２─４１５０２５号出
願に示されているように、再生ビームスポット内の特に
高温領域で記録されたピットが消去するか或いは縮小さ
れることによってこの部分の記録ピットがマスクされ、
再生ビームスポット内の比較的低温領域の記録ピットの
みを読み出す超解像の再生方式により再生を行い、Ｃ／
Ｎ（キャリア／ノイズ）比を測定した。
【００３８】図４は、再生層１１のＧｄの含有量ｘを変
化させたときのＣ／Ｎ比の変化を示す。この結果、１９
≦ｘ≦２９（原子％）として再生層１３を構成すること
により、４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることがわか
る。そしてこの組成範囲では、室温でＴＭリッチのとき
０＜Ｍｓ1 ＜２４０emu/cc、室温でＲＥリッチのとき０
＜Ｍｓ1 ＜１６０emu/ccに対応する。
化させたときのＣ／Ｎ比の変化を示す。この結果、１９
≦ｘ≦２９（原子％）として再生層１３を構成すること
により、４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることがわか
る。そしてこの組成範囲では、室温でＴＭリッチのとき
０＜Ｍｓ1 ＜２４０emu/cc、室温でＲＥリッチのとき０
＜Ｍｓ1 ＜１６０emu/ccに対応する。
【００３９】また、記録層１３の組成を変えて、Ｔｂy
（Ｆｅ85Ｃｏ15）100-y のＴｂ含有量ｙを変化させ、Ｃ
／Ｎ比を測定した結果を図５に示す。この結果から、Ｔ
ｂの含有量は１６≦ｙ≦３０（原子％）とするときに４
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることがわかる。そしてこ
の組成範囲では、室温でＴＭリッチのとき０＜Ｍｓ3 ＜
３００emu/cc、室温でＲＥリッチのとき０＜Ｍｓ3 ＜１
６０emu/ccに対応する。
（Ｆｅ85Ｃｏ15）100-y のＴｂ含有量ｙを変化させ、Ｃ
／Ｎ比を測定した結果を図５に示す。この結果から、Ｔ
ｂの含有量は１６≦ｙ≦３０（原子％）とするときに４
０ｄＢ以上のＣ／Ｎが得られることがわかる。そしてこ
の組成範囲では、室温でＴＭリッチのとき０＜Ｍｓ3 ＜
３００emu/cc、室温でＲＥリッチのとき０＜Ｍｓ3 ＜１
６０emu/ccに対応する。
【００４０】以上の測定より、４０ｄＢ以上のＣ／Ｎが
得られる構成により光磁気記録媒体を用いて、線速度１
０m/s 、再生パワーを１．５mW、記録周波数を３MHz と
し、記録パワーを各光磁気記録媒体の２次高調波が最小
となるように選定して、記録に必要な磁界を測定した。
得られる構成により光磁気記録媒体を用いて、線速度１
０m/s 、再生パワーを１．５mW、記録周波数を３MHz と
し、記録パワーを各光磁気記録媒体の２次高調波が最小
となるように選定して、記録に必要な磁界を測定した。
【００４１】図６はこのような装置によって記録磁界を
変化させて記録を行った場合のキャリアとノイズの変化
の一例を示し、実線Ｃはキャリア、実線Ｎはノイズレベ
ルをそれぞれ示す。図６において磁界の符号は記録方向
を＋、消去方向を−として示す。上述したように、磁界
が負であっても周囲の磁化の反磁界によって記録方向に
磁界が働き、ある程度のキャリアレベルが得られるが、
ノイズレベルも磁界０の近傍で大となる。この場合、記
録方向に１００Oe以上の磁界を印加するとキャリアＣ、
ノイズＮが共に安定したレベルとなって良好なＣ／Ｎ比
が得られ、消去方向に磁界を印加する場合は、２５０Oe
以上（即ち図４において−２５０Oe以下）の磁界がかか
ればノイズ上昇や浮遊磁界による書き込みは行われな
い。従って、この結果から磁界変調記録に必要な磁界は
２５０Oeということがわかる。
変化させて記録を行った場合のキャリアとノイズの変化
の一例を示し、実線Ｃはキャリア、実線Ｎはノイズレベ
ルをそれぞれ示す。図６において磁界の符号は記録方向
を＋、消去方向を−として示す。上述したように、磁界
が負であっても周囲の磁化の反磁界によって記録方向に
磁界が働き、ある程度のキャリアレベルが得られるが、
ノイズレベルも磁界０の近傍で大となる。この場合、記
録方向に１００Oe以上の磁界を印加するとキャリアＣ、
ノイズＮが共に安定したレベルとなって良好なＣ／Ｎ比
が得られ、消去方向に磁界を印加する場合は、２５０Oe
以上（即ち図４において−２５０Oe以下）の磁界がかか
ればノイズ上昇や浮遊磁界による書き込みは行われな
い。従って、この結果から磁界変調記録に必要な磁界は
２５０Oeということがわかる。
【００４２】このようにしてして測定した結果を以下の
表１に示す。表１の各例において各層の飽和磁化Ｍｓは
ＴＭリッチを正、ＲＥリッチを負として示し、又記録磁
界の数値は、それぞれ安定な記録を行う磁界の下限（符
号正の値）と、消去を確実に行う磁界の上限（符号負の
値）とをそれぞれ示す。上述したように磁界変調記録に
必要な磁界は、この消去を確実に行い得る値の絶対値と
なる。
表１に示す。表１の各例において各層の飽和磁化Ｍｓは
ＴＭリッチを正、ＲＥリッチを負として示し、又記録磁
界の数値は、それぞれ安定な記録を行う磁界の下限（符
号正の値）と、消去を確実に行う磁界の上限（符号負の
値）とをそれぞれ示す。上述したように磁界変調記録に
必要な磁界は、この消去を確実に行い得る値の絶対値と
なる。
【００４３】
【表１】
【００４４】この結果から、表１において斜線を付して
示すように記録磁界が１５０Oe以下となる組成範囲を選
定することができる。即ち再生層１１が補償組成近傍か
又はＭｓ1 ＜１６０emu/ccとされるＲＥリッチの場合は
記録層１３の室温の飽和磁化Ｍｓ3 がＴＭリッチで１０
０emu/cc未満、ＲＥリッチで１６０emu/cc未満の範囲又
は補償組成近傍であれば、記録温度で反磁界の影響等を
抑制し、記録磁界を低減化することができることがわか
る。
示すように記録磁界が１５０Oe以下となる組成範囲を選
定することができる。即ち再生層１１が補償組成近傍か
又はＭｓ1 ＜１６０emu/ccとされるＲＥリッチの場合は
記録層１３の室温の飽和磁化Ｍｓ3 がＴＭリッチで１０
０emu/cc未満、ＲＥリッチで１６０emu/cc未満の範囲又
は補償組成近傍であれば、記録温度で反磁界の影響等を
抑制し、記録磁界を低減化することができることがわか
る。
【００４５】一方再生層１１の室温での飽和磁化Ｍｓ1
がＴＭリッチで０＜Ｍｓ1 ＜１５０emu/ccのときは、記
録層１３が上述の範囲即ちＭｓ3 ＜１６０emu/ccの範囲
でＲＥリッチとされ、且つ再生層１１の飽和磁化Ｍｓ1
と記録層１３の飽和磁化Ｍｓ 3 との差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 が
４０emu/cc以下となるように構成することによって同様
に記録温度での反磁界等を抑制できることがわかる。
がＴＭリッチで０＜Ｍｓ1 ＜１５０emu/ccのときは、記
録層１３が上述の範囲即ちＭｓ3 ＜１６０emu/ccの範囲
でＲＥリッチとされ、且つ再生層１１の飽和磁化Ｍｓ1
と記録層１３の飽和磁化Ｍｓ 3 との差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 が
４０emu/cc以下となるように構成することによって同様
に記録温度での反磁界等を抑制できることがわかる。
【００４６】即ち、再生層１１が室温でＲＥリッチか又
は補償組成近傍の組成とされる場合は、記録層１３の組
成がＴＭリッチであるかＲＥリッチであるかによらず
に、室温で上述の範囲の飽和磁化であれば記録磁界を抑
えることができる。一方、再生層１１が室温でＴＭリッ
チの場合は、再生層１１及び記録層１３の室温での飽和
磁化の差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 を４０emu/cc以下とする場合、
記録温度迄昇温したときに再生層１１の磁化による反磁
界の影響を抑制できて、記録磁界を１５０Oe以下とする
ことができるものと思われる。
は補償組成近傍の組成とされる場合は、記録層１３の組
成がＴＭリッチであるかＲＥリッチであるかによらず
に、室温で上述の範囲の飽和磁化であれば記録磁界を抑
えることができる。一方、再生層１１が室温でＴＭリッ
チの場合は、再生層１１及び記録層１３の室温での飽和
磁化の差Ｍｓ1 −Ｍｓ3 を４０emu/cc以下とする場合、
記録温度迄昇温したときに再生層１１の磁化による反磁
界の影響を抑制できて、記録磁界を１５０Oe以下とする
ことができるものと思われる。
【００４７】上述したように、本発明によれば超高密度
記録再生を行い得る光磁気記録媒体を、現状の磁界変調
方式により記録することができる。
記録再生を行い得る光磁気記録媒体を、現状の磁界変調
方式により記録することができる。
【００４８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば再
生レーザ光のスポットに比し小なる微細領域での超解像
の再生を行うと共に、記録時にはオーバーライトが可能
になり、消去過程つまり一旦全磁性層を消去するという
過程を必要とせずに高密度の記録が可能となって記録の
簡易化をはかることができる。
生レーザ光のスポットに比し小なる微細領域での超解像
の再生を行うと共に、記録時にはオーバーライトが可能
になり、消去過程つまり一旦全磁性層を消去するという
過程を必要とせずに高密度の記録が可能となって記録の
簡易化をはかることができる。
【図１】本発明光磁気記録媒体の一例の略線的拡大断面
図である。
図である。
【図２】光磁気記録媒体の磁化態様の各例の模式的説明
図である。
図である。
【図３】光磁気記録再生装置の一例の概略図である。
【図４】再生層の組成とキャリア／ノイズ比との関係を
示す図である。
示す図である。
【図５】記録層の組成とキャリア／ノイズ比との関係を
示す図である。
示す図である。
【図６】記録磁界とキャリア、ノイズの関係を示す図で
ある。
ある。
【図７】光磁気記録の記録態様の模式的説明図である。
【符号の説明】 １１ 再生層 １２ 切断層 １３ 記録層 ２０ 基板 ２１ 誘電体膜 ２２ 光磁気記録層 ２３ 保護層
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも再生層と、記録層と、これら
の層間に介在する切断層とを有し、上記再生層の磁化状
態を変化させながら記録信号を読み出す光磁気記録媒体
において、 上記再生層はＧｄＦｅＣｏを主体として構成され、室温
で遷移金属優勢膜である場合はその飽和磁化Ｍｓ1 がＭ
ｓ1 ＜１５０emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場
合はＭｓ1 ＜１６０emu/ccとされ、 上記切断層はＴｂＦｅＣｏを主体として構成され、その
キュリー温度は６０〜２００℃であって、且つ上記再生
層及び上記記録層のキュリー温度に比し低い温度とさ
れ、 上記記録層はＴｂＦｅＣｏを主体として構成され、室温
で遷移金属優勢膜で有る場合はその飽和磁化Ｍｓ3 がＭ
ｓ3 ＜１００emu/cc、室温で希土類金属優勢膜である場
合はＭｓ3 ＜１６０emu/ccとされ、 上記再生層が遷移金属優勢膜とされるときは上記記録層
が希土類金属優勢膜とされ、且つ上記再生層の飽和磁化
Ｍｓ1 と上記記録層の飽和磁化Ｍｓ3 との差Ｍｓ1 −Ｍ
ｓ3 が４０emu/cc以下とされることを特徴とする光磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 上記切断層が室温で遷移金属優勢膜であ
る場合はその飽和磁化Ｍｓ2 がＭｓ2 ＜３００emu/cc、
室温で希土類金属優勢膜である場合はＭｓ2 ＜１６０em
u/ccとされて成ることを特徴とする上記請求項１に記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 上記再生層の厚さが１５０〜１０００Å
とされて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光
磁気記録媒体。 - 【請求項４】 上記切断層の厚さが５０〜１０００Åと
されて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光磁
気記録媒体。 - 【請求項５】 上記記録層の厚さが２００〜１０００Å
とされて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光
磁気記録媒体。 - 【請求項６】 上記再生層のキュリー温度が２００〜４
００℃とされて成ることを特徴とする上記請求項１に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項７】 上記記録層のキュリー温度が１５０〜２
５０℃とされて成ることを特徴とする上記請求項１に記
載の光磁気記録媒体。 - 【請求項８】 上記再生層の組成が、Ｇｄx （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-x で表され、１９≦ｘ≦２９（原子％）とさ
れて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光磁気
記録媒体。 - 【請求項９】 上記記録層の組成が、Ｔｂy （Ｆｅ85Ｃ
ｏ15）100-y で表され、１６≦ｙ≦３０（原子％）とさ
れて成ることを特徴とする上記請求項１に記載の光磁気
記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21937992A JPH0668532A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 光磁気記録媒体 |
| EP19930112803 EP0583720A3 (en) | 1992-08-18 | 1993-08-10 | Magnetooptical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21937992A JPH0668532A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 光磁気記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0668532A true JPH0668532A (ja) | 1994-03-11 |
Family
ID=16734501
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21937992A Pending JPH0668532A (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 光磁気記録媒体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0583720A3 (ja) |
| JP (1) | JPH0668532A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1066561C (zh) * | 1994-06-10 | 2001-05-30 | 佳能株式会社 | 实现超分辨率的磁-光记录介质及使用该介质的再生方法 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000200448A (ja) * | 1998-10-30 | 2000-07-18 | Fujitsu Ltd | 光磁気記録媒体及び光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP2000173119A (ja) * | 1998-12-09 | 2000-06-23 | Sony Corp | 光学記録媒体及びその製造方法 |
| JP2002157792A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-31 | Canon Inc | 光磁気記録媒体及び該媒体のための再生方法、再生装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04143947A (ja) * | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Seiko Epson Corp | 光磁気記録媒体 |
| JP2910250B2 (ja) * | 1990-12-27 | 1999-06-23 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
| JP3111479B2 (ja) * | 1991-02-08 | 2000-11-20 | ソニー株式会社 | 光磁気記録媒体 |
-
1992
- 1992-08-18 JP JP21937992A patent/JPH0668532A/ja active Pending
-
1993
- 1993-08-10 EP EP19930112803 patent/EP0583720A3/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1066561C (zh) * | 1994-06-10 | 2001-05-30 | 佳能株式会社 | 实现超分辨率的磁-光记录介质及使用该介质的再生方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0583720A2 (en) | 1994-02-23 |
| EP0583720A3 (en) | 1994-05-11 |
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