JPH0662550U - 複合半導体装置 - Google Patents
複合半導体装置Info
- Publication number
- JPH0662550U JPH0662550U JP964293U JP964293U JPH0662550U JP H0662550 U JPH0662550 U JP H0662550U JP 964293 U JP964293 U JP 964293U JP 964293 U JP964293 U JP 964293U JP H0662550 U JPH0662550 U JP H0662550U
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- JP
- Japan
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- external lead
- semiconductor device
- composite semiconductor
- sealing resin
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部導出端子の折曲部に気泡を抱き込むこと
をなくし、絶縁耐圧の向上を図ること。 【構成】 外部導出端子13の傾斜部14に貫通孔15
を設けることにより、封止樹脂の充填中に発生する気泡
が該貫通孔15を通して絶縁ケースの上部に逃げること
ができる。このため、封止樹脂が硬化した後には、封止
樹脂の内部に気泡が残存して空隙部を形成することがな
く、絶縁耐圧の向上化を達成することができる。
をなくし、絶縁耐圧の向上を図ること。 【構成】 外部導出端子13の傾斜部14に貫通孔15
を設けることにより、封止樹脂の充填中に発生する気泡
が該貫通孔15を通して絶縁ケースの上部に逃げること
ができる。このため、封止樹脂が硬化した後には、封止
樹脂の内部に気泡が残存して空隙部を形成することがな
く、絶縁耐圧の向上化を達成することができる。
Description
【0001】
本考案は、絶縁ケース内に半導体チップが封入される複合半導体装置に関する ものであり、特にその外部導出端子の構造に関するものである。
【0002】
この種の複合半導体装置の概略構造を図3及び図4に示す。 なお、図3はケースを外した状態の複合半導体装置の平面図、図4はその側面 図である。 これらの図において、放熱板1上に、メタライズ層2を介してセラミック等か ら成る絶縁基板3が載置・固定されている。この絶縁基板3上に、メタライズ層 4を介して外部導出端子5,6が固着されている。これらの外部導出端子5,6 上には、ヒートスプレッダ7が固着され、このヒートスプレッダ7上に半導体チ ップ8が固着されている。この半導体チップ8の上面に設けられた電極面には、 所定の形状に曲折された内部端子9が固着されている。 一方の内部端子9の一端には、外部導出端子5の一端が接続され、他方の内部 端子9の一端には、他の外部導出端子10の一端が接続され、その他端は上方に 導出されている。
【0003】 これらの各部材を包囲するように両端開口の絶縁ケース11が放熱板1上に固 着され、該絶縁ケース11の内部に、封止樹脂12が充填され、硬化される。 以上のような構造を有する複合半導体装置は、放熱板1を図示を省略した外部 部材に透孔1aを介して取り付けて使用される。しかし、上記従来の複合半導体 装置の構造では次のような問題点がある。
【0004】
すなわち、従来の複合半導体装置では、絶縁ケース11の内側に樹脂を充填す る際に、外部導出端子5,6の水平部5a,6aと垂直部5b,6bとの折曲げ 箇所に、充填した封止樹脂内に発生した気泡16を抱き込んでしまう。この気泡 16は、外部導出端子5,6の外面と絶縁ケース11の内面との間隙が狭いため に、容易に上方に逃げることができず、内部に閉じ込められた状態で封止樹脂1 2が硬化してしまう。特に、絶縁基板3の上面端部のメタライズ層4と放熱板1 との間に気泡16が介在する場合には絶縁耐圧を低下させてしまうという解決す べき課題があった。
【0005】
本考案は、上記のような課題を解決するためになされたもので、外部導出端子 の折曲部に気泡を抱き込むことがなく、絶縁耐圧の向上を図った複合半導体装置 を提供することを目的とするものである。
【0006】
本考案の複合半導体装置は、放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁基板の上 面に水平部がはんだ固着され、かつ、該水平部から略直角に折曲げて立上げられ た垂直部を有する外部導出端子を備え、前記絶縁基板及び外部導出端子の下部が 封止樹脂の充填によって絶縁ケース内に封止される複合半導体装置において、前 記外部導出端子の水平部と垂直部との間に傾斜部を設け、該傾斜部に貫通孔を穿 設したことを特徴とするものである。
【0007】
本考案の複合半導体装置は、外部導出端子の傾斜部に貫通孔を設けることによ り、封止樹脂の充填中に発生する気泡が、該貫通孔を通して絶縁ケースの上部に 逃げることができる。このため、封止樹脂が硬化した後には、封止樹脂の内部に 気泡が残存して空隙部を形成することがなく、絶縁耐圧の向上を図ることができ る。
【0008】
以下に、本考案の実施例を図を参照して詳細に説明する。 図1は本考案の一実施例を示す複合半導体装置の外部導出端子部分の拡大図で ある。図2は図1の矢印A方向から見た拡大図である。 これらの図において、外部導出端子13の水平部13aと、この水平部13か ら略直角に折曲げられる垂直部13bとの間に傾斜部14が形成してある。この 傾斜部14の外面と水平部13aの底面とのなす角度αは、この実施例の場合、 α=30〜80度の範囲としてある。また、上記の傾斜部14には貫通孔15が 形成してある。 なお、この貫通孔15の個数は、図示では1個であるが、必要に応じて複数個 設けることができる。また、他の構成部材については従来と同様であるため、そ の詳しい説明は省略する。
【0009】 上記のように構成の外部導出端子13を用いて従来と同様に複合半導体装置を 組み立てた場合、封止樹脂の充填中に発生した気泡が傾斜部14に穿設した貫通 孔15を介して絶縁ケースの上方に逃げる。このため、封止樹脂が硬化した後に は硬化樹脂の内部には気泡が残存せず、空隙部が形成されない。その結果、絶縁 耐圧を向上させることができる。
【0010】
以上のように、本考案の複合半導体装置は、外部導出端子の水平部と垂直部の 間に傾斜部を設け、この傾斜部に貫通孔を設けるようにしたので、該貫通孔を介 して封止樹脂の充填中に発生する気泡を絶縁ケースの上方に逃がすことができる 。このため、封止樹脂の硬化後には気泡が残存せず、絶縁耐圧が向上し装置自体 の信頼性を高めることができる。
【図1】本考案の一実施例であって、複合半導体装置の
外部導出端子部分を示す拡大図である。
外部導出端子部分を示す拡大図である。
【図2】図1の矢印A方向から見た上記外部導出端子の
拡大図である。
拡大図である。
【図3】従来の複合半導体装置の絶縁ケースを外した状
態の平面図である。
態の平面図である。
【図4】同じくその側面図である。
1 放熱板 2,4 メタライズ層 3 絶縁基板 5,6,10,13 外部導出端子 7 ヒートスプレッダ 8 半導体チップ 9 内部端子 11 絶縁ケース 12 樹脂封止 13a 水平部 13b 垂直部 14 傾斜部 15 貫通孔 16 気泡
Claims (1)
- 【請求項1】 放熱板上に絶縁基板が積層され、該絶縁
基板の上面に水平部がはんだ固着され、かつ、該水平部
から略直角に折曲げて立上げられた垂直部を有する外部
導出端子を備え、前記絶縁基板及び外部導出端子の下部
が封止樹脂の充填によって絶縁ケース内に封止される複
合半導体装置において、前記外部導出端子の水平部と垂
直部との間に傾斜部を設け、該傾斜部に貫通孔を穿設し
たことを特徴とする複合半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993009642U JP2593867Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1993009642U JP2593867Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0662550U true JPH0662550U (ja) | 1994-09-02 |
JP2593867Y2 JP2593867Y2 (ja) | 1999-04-19 |
Family
ID=11725880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1993009642U Expired - Lifetime JP2593867Y2 (ja) | 1993-02-12 | 1993-02-12 | 複合半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2593867Y2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231742A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018157146A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
WO2019234984A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
US11694938B2 (en) | 2018-11-07 | 2023-07-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
-
1993
- 1993-02-12 JP JP1993009642U patent/JP2593867Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009231742A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | 半導体装置 |
JP2018157146A (ja) * | 2017-03-21 | 2018-10-04 | 住友電気工業株式会社 | 半導体モジュール |
WO2019234984A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2019-12-12 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
JPWO2019234984A1 (ja) * | 2018-06-06 | 2021-05-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置及び電力変換装置 |
US11699666B2 (en) | 2018-06-06 | 2023-07-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and power conversion device |
US11694938B2 (en) | 2018-11-07 | 2023-07-04 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE102019216275B4 (de) | 2018-11-07 | 2024-05-08 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2593867Y2 (ja) | 1999-04-19 |
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