JPH0660323A - テーパ状エッチング方法 - Google Patents
テーパ状エッチング方法Info
- Publication number
- JPH0660323A JPH0660323A JP4224663A JP22466392A JPH0660323A JP H0660323 A JPH0660323 A JP H0660323A JP 4224663 A JP4224663 A JP 4224663A JP 22466392 A JP22466392 A JP 22466392A JP H0660323 A JPH0660323 A JP H0660323A
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- JP
- Japan
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- etching
- substrate
- resist
- sio
- gas
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、基板の表面に、任意の傾斜角度の段
差を形成することが可能であるようにした、テーパ状エ
ッチング方法を提供することを目的とする。 【構成】基板１１上に、縁部が傾斜するようにレジスト
１５を形成した後、エッチングガスを使用して異方性エ
ッチングすることにより、該基板上に、該レジストの傾
斜面に対応して傾斜した段部１１ａを形成するようにし
た、テーパ状エッチング方法において、装置として平行
平型、ＥＣＲ型等のＲＩＥ装置１０、エッチングガスと
してＣＦ4＋Ｏ2等の反応ガスを用い、かつエッチング条
件を任意に設定して、該レジスト及び基板のエッチング
レート比αを調節することにより、該基板上の傾斜面の
傾斜角度θ’が適宜に調整され得るように、テーパ状エ
ッチング方法を構成する。
差を形成することが可能であるようにした、テーパ状エ
ッチング方法を提供することを目的とする。 【構成】基板１１上に、縁部が傾斜するようにレジスト
１５を形成した後、エッチングガスを使用して異方性エ
ッチングすることにより、該基板上に、該レジストの傾
斜面に対応して傾斜した段部１１ａを形成するようにし
た、テーパ状エッチング方法において、装置として平行
平型、ＥＣＲ型等のＲＩＥ装置１０、エッチングガスと
してＣＦ4＋Ｏ2等の反応ガスを用い、かつエッチング条
件を任意に設定して、該レジスト及び基板のエッチング
レート比αを調節することにより、該基板上の傾斜面の
傾斜角度θ’が適宜に調整され得るように、テーパ状エ
ッチング方法を構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば薄膜磁気ヘッド
等を製造する場合に、ＳｉＯ2基板（基板上のＳｉＯ2膜
でもよい）に対してテーパ付きの段差を形成するための
エッチング方法に関するものである。
等を製造する場合に、ＳｉＯ2基板（基板上のＳｉＯ2膜
でもよい）に対してテーパ付きの段差を形成するための
エッチング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば薄膜磁気ヘッド等の製造工
程において、セラミック基板上に形成されたＳｉＯ2膜
に対して、テーパ付きの段差を形成する場合、イオンミ
リング装置を使用して、イオンビームを照射することに
より、エッチングが行なわれている。
程において、セラミック基板上に形成されたＳｉＯ2膜
に対して、テーパ付きの段差を形成する場合、イオンミ
リング装置を使用して、イオンビームを照射することに
より、エッチングが行なわれている。
【０００３】このようなエッチング方法によれば、図６
に示すように、基板１上に形成されたＳｉＯ2膜２は、
その表面に、縁部が角度θで傾斜するようにレジスト３
が形成された後（図６（Ａ）に示す）、上記のようにイ
オンビームを照射することにより、該レジスト３及びＳ
ｉＯ2膜２がエッチングされる。従って、該レジスト３
の形状が、該ＳｉＯ2膜２に転写せしめられることによ
り、該ＳｉＯ2膜２上に、該レジスト３の傾斜面に対応
して角度θ’で傾斜した段部２ａが形成されることにな
る（図６（Ｂ）に示す）。
に示すように、基板１上に形成されたＳｉＯ2膜２は、
その表面に、縁部が角度θで傾斜するようにレジスト３
が形成された後（図６（Ａ）に示す）、上記のようにイ
オンビームを照射することにより、該レジスト３及びＳ
ｉＯ2膜２がエッチングされる。従って、該レジスト３
の形状が、該ＳｉＯ2膜２に転写せしめられることによ
り、該ＳｉＯ2膜２上に、該レジスト３の傾斜面に対応
して角度θ’で傾斜した段部２ａが形成されることにな
る（図６（Ｂ）に示す）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法においては、ＳｉＯ2膜２に形成される段部２
ａの傾斜角度θ’を変更したい場合、レジスト３の形状
やイオンビームの入射角度を適宜に調整することによ
り、該傾斜角度θ’が調整され得るものの、その調整範
囲は、比較的狭く、大幅な変更を行なうことは困難であ
った。
うな方法においては、ＳｉＯ2膜２に形成される段部２
ａの傾斜角度θ’を変更したい場合、レジスト３の形状
やイオンビームの入射角度を適宜に調整することによ
り、該傾斜角度θ’が調整され得るものの、その調整範
囲は、比較的狭く、大幅な変更を行なうことは困難であ
った。
【０００５】本発明は、以上の点に鑑み、基板の表面
に、任意の傾斜角度の段差を形成することが可能である
ようにした、テーパ状エッチング方法を提供することを
目的としている。
に、任意の傾斜角度の段差を形成することが可能である
ようにした、テーパ状エッチング方法を提供することを
目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、基板上に、縁部が傾斜するようにレジストを形成
した後、反応性のイオンエッチングを使用してエッチン
グすることにより、該基板上に、該レジストの傾斜面に
対応して傾斜した段部を形成するようにした、テーパ状
エッチング方法において、エッチング条件を任意に設定
して、該レジスト及び基板のエッチングレート比を調節
することにより、該基板上の傾斜面の傾斜角度が適宜に
調整され得ることを特徴とする、テーパ状エッチング方
法により、達成される。
れば、基板上に、縁部が傾斜するようにレジストを形成
した後、反応性のイオンエッチングを使用してエッチン
グすることにより、該基板上に、該レジストの傾斜面に
対応して傾斜した段部を形成するようにした、テーパ状
エッチング方法において、エッチング条件を任意に設定
して、該レジスト及び基板のエッチングレート比を調節
することにより、該基板上の傾斜面の傾斜角度が適宜に
調整され得ることを特徴とする、テーパ状エッチング方
法により、達成される。
【０００７】
【作用】上記構成によれば、段部を形成すべき基板の表
面に、縁部が傾斜するようにレジストを形成した後、反
応性のイオンエッチングを使用してエッチングを行なう
ようにし、而もエッチング条件を任意に設定することに
より、即ちエッチングガスの組成，エッチングガスの特
定の成分の量や、レジスト厚、放電条件等を適宜に選定
することにより、該レジストの傾斜角度が、該基板の表
面に転写されると共に、その際形成される基板上の段差
の傾斜角度が、任意の角度に調整され得ることになり、
所望の傾斜角度の段差が得られることになる。
面に、縁部が傾斜するようにレジストを形成した後、反
応性のイオンエッチングを使用してエッチングを行なう
ようにし、而もエッチング条件を任意に設定することに
より、即ちエッチングガスの組成，エッチングガスの特
定の成分の量や、レジスト厚、放電条件等を適宜に選定
することにより、該レジストの傾斜角度が、該基板の表
面に転写されると共に、その際形成される基板上の段差
の傾斜角度が、任意の角度に調整され得ることになり、
所望の傾斜角度の段差が得られることになる。
【０００８】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて、本発
明を詳細に説明する。図１は、本発明の方法の実施する
ための一例で、平行平板型ＲＩＥ（リアクティブイオン
エッチング）装置（ＥＣＲ型のＲＩＥ装置でもよい）の
一例を示している。
明を詳細に説明する。図１は、本発明の方法の実施する
ための一例で、平行平板型ＲＩＥ（リアクティブイオン
エッチング）装置（ＥＣＲ型のＲＩＥ装置でもよい）の
一例を示している。
【０００９】図１において、ＲＩＥ装置１０は、エッチ
ングすべき基板、この場合ＳｉＯ2基板１１が載置され
る、一方の電極１２と、該電極１２に対して上方から対
向するように配設された他方の電極１３と、該電極１
２，１３の間にＲＦ電圧を印加するＲＦ電源１４とから
構成されており、少なくとも該電極１２，１３の間は、
外部に対して気密的に構成され、真空排気装置（図では
省略）に接続されていて、外部から矢印で示すように、
エッチングガス、この場合ＣＦ4及びＯ2から成るエッチ
ングガスが流入せしめられ得るようになっている。
ングすべき基板、この場合ＳｉＯ2基板１１が載置され
る、一方の電極１２と、該電極１２に対して上方から対
向するように配設された他方の電極１３と、該電極１
２，１３の間にＲＦ電圧を印加するＲＦ電源１４とから
構成されており、少なくとも該電極１２，１３の間は、
外部に対して気密的に構成され、真空排気装置（図では
省略）に接続されていて、外部から矢印で示すように、
エッチングガス、この場合ＣＦ4及びＯ2から成るエッチ
ングガスが流入せしめられ得るようになっている。
【００１０】また、上記ＳｉＯ2基板１１は、前以て、
図２（Ａ）に示すように、その表面に縁部が角度θで傾
斜するように厚さｔのレジスト１５が塗布されている。
図２（Ａ）に示すように、その表面に縁部が角度θで傾
斜するように厚さｔのレジスト１５が塗布されている。
【００１１】このようなＳｉＯ2基板１１を上記ＲＩＥ
装置１０により、エッチングすると、上述したエッチン
グガス中の成分がレジスト１５及びＳｉＯ2基板１１と
反応することにより、該レジスト１５及びＳｉＯ2基板
１１が徐々にエッチングされることになる（図２（Ｂ）
参照）。
装置１０により、エッチングすると、上述したエッチン
グガス中の成分がレジスト１５及びＳｉＯ2基板１１と
反応することにより、該レジスト１５及びＳｉＯ2基板
１１が徐々にエッチングされることになる（図２（Ｂ）
参照）。
【００１２】かくして、エッチングが完了すると、図２
（Ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 基板１１の表面に、段
差１１ａが、形成されることになる。この場合、α＝
（ＳｉＯ2基板のエッチングレート）／（レジストのエ
ッチングレート）としたとき、α＝１となるようにガス
組成等のエッチング条件を調整した場合、該段差１１ａ
の傾斜角度θ’はレジスト１５の傾斜角度θに等しく、
また段差１１ａの高さは、該レジスト１５の厚さｔに等
しくなる。
（Ｃ）に示すように、ＳｉＯ2 基板１１の表面に、段
差１１ａが、形成されることになる。この場合、α＝
（ＳｉＯ2基板のエッチングレート）／（レジストのエ
ッチングレート）としたとき、α＝１となるようにガス
組成等のエッチング条件を調整した場合、該段差１１ａ
の傾斜角度θ’はレジスト１５の傾斜角度θに等しく、
また段差１１ａの高さは、該レジスト１５の厚さｔに等
しくなる。
【００１３】ここで、上記ＣＦ4及びＯ2から成るエッチ
ングガスに関して、例えばＯ2の量を変更することによ
り、α＞１に調整すると、図３に示すように、ＳｉＯ2
基板１１のエッチングレートが、レジスト１５のエッチ
ングレートより大きくなるので、ＳｉＯ2基板１１の表
面に形成される段差１１ａは、傾斜角度θ’が、レジス
ト１５の傾斜角度θより大きくなると共に、その高さ
が、レジスト１５の厚さｔより大きくなる。
ングガスに関して、例えばＯ2の量を変更することによ
り、α＞１に調整すると、図３に示すように、ＳｉＯ2
基板１１のエッチングレートが、レジスト１５のエッチ
ングレートより大きくなるので、ＳｉＯ2基板１１の表
面に形成される段差１１ａは、傾斜角度θ’が、レジス
ト１５の傾斜角度θより大きくなると共に、その高さ
が、レジスト１５の厚さｔより大きくなる。
【００１４】また、同様にして、例えばＯ2の量を変更
することにより、α＜１に調整すると、図４に示すよう
に、ＳｉＯ2基板１１のエッチングレートが、レジスト
１５のエッチングレートより小さくなるので、ＳｉＯ2
基板１１の表面に形成される段差１１ａは、傾斜角度
θ’’が、レジスト１５の傾斜角度θより小さくなると
共に、その高さが、レジスト１５の厚さｔより小さくな
る。
することにより、α＜１に調整すると、図４に示すよう
に、ＳｉＯ2基板１１のエッチングレートが、レジスト
１５のエッチングレートより小さくなるので、ＳｉＯ2
基板１１の表面に形成される段差１１ａは、傾斜角度
θ’’が、レジスト１５の傾斜角度θより小さくなると
共に、その高さが、レジスト１５の厚さｔより小さくな
る。
【００１５】かくして、Ｏ2の量を変更することによ
り、段差１１ａの傾斜角度θ’が適宜に調整され得るこ
とになる。この時、θ’、θ、αの間にはｔａｎ-1（α
・ｔａｎθ）＝θ’の関係が成立する。
り、段差１１ａの傾斜角度θ’が適宜に調整され得るこ
とになる。この時、θ’、θ、αの間にはｔａｎ-1（α
・ｔａｎθ）＝θ’の関係が成立する。
【００１６】図５は、図４の場合に比較して、レジスト
１５の厚さをｔ／αとした場合を示している。この場合
には、ＳｉＯ2基板１１の表面に形成される段差１１ａ
は、その高さが、図２の場合と同じ高さｔであり、且つ
その傾斜角度θ’’が、図４の場合と同じ角度θ’’で
ある。
１５の厚さをｔ／αとした場合を示している。この場合
には、ＳｉＯ2基板１１の表面に形成される段差１１ａ
は、その高さが、図２の場合と同じ高さｔであり、且つ
その傾斜角度θ’’が、図４の場合と同じ角度θ’’で
ある。
【００１７】このようにして、エッチングガスのうち、
Ｏ2の量を調整し、またはレジスト１５の厚さｔを変更
することにより、ＳｉＯ2基板１１の表面に形成される
段差１１ａの傾斜角度及び厚さが、適宜に調整され得る
ことになる。
Ｏ2の量を調整し、またはレジスト１５の厚さｔを変更
することにより、ＳｉＯ2基板１１の表面に形成される
段差１１ａの傾斜角度及び厚さが、適宜に調整され得る
ことになる。
【００１８】尚、上記の実施例においては、ＳｉＯ2基
板１１に対してのエッチングの例を示したが、基板全体
がＳｉＯ2で無くても、任意の材料の基板の少なくても
表面部にＳｉＯ2膜が付着している構造でも、上記の実
施例と同様の加工ができる事は言うまでもない。また、
表１の様に、被段差形成材料が反応性のイオンエッチン
グが可能な材料で、かつ、レジストのエッチングレート
と独立にエッチンングレートを調整可能な被段差形成材
料とエッチングガスの組み合わせであれば、上記実施例
と同様にして、任意の角度での段差加工が可能である。
尚、表１中の基板の材質は、本発明による加工条件、例
えば、温度、電圧、真空度等に耐える物であれば、任意
に選ぶ事ができる。また、表１の各エッチングガスの第
一項目の成分（ＣＦ4、ＣＣ１4）は、被段差加工材料を
反応性のイオンエッチングでエッチングできるガスであ
れば、表１に示したガス以外のガスでもかまわない。同
様に、表１の各エッチングガスの第二項目の成分
（Ｏ2）は、レジストを反応性のイオンエッチングでエ
ッチングできるガスであれば、Ｏ2以外でも何等支障は
ない。
板１１に対してのエッチングの例を示したが、基板全体
がＳｉＯ2で無くても、任意の材料の基板の少なくても
表面部にＳｉＯ2膜が付着している構造でも、上記の実
施例と同様の加工ができる事は言うまでもない。また、
表１の様に、被段差形成材料が反応性のイオンエッチン
グが可能な材料で、かつ、レジストのエッチングレート
と独立にエッチンングレートを調整可能な被段差形成材
料とエッチングガスの組み合わせであれば、上記実施例
と同様にして、任意の角度での段差加工が可能である。
尚、表１中の基板の材質は、本発明による加工条件、例
えば、温度、電圧、真空度等に耐える物であれば、任意
に選ぶ事ができる。また、表１の各エッチングガスの第
一項目の成分（ＣＦ4、ＣＣ１4）は、被段差加工材料を
反応性のイオンエッチングでエッチングできるガスであ
れば、表１に示したガス以外のガスでもかまわない。同
様に、表１の各エッチングガスの第二項目の成分
（Ｏ2）は、レジストを反応性のイオンエッチングでエ
ッチングできるガスであれば、Ｏ2以外でも何等支障は
ない。
【００１９】
【表１】
【００２０】また、上記説明においては、エッチングガ
スのＯ2の量を調整する場合と、レジスト１５の厚さを
調整する場合について述べたが、これに限らず、エッチ
ングガスの他の組成、各ガス圧を変更したり、電極１
２，１３間に印加するＲＦ電力を調整する等の、各種エ
ッチング条件を変更することにより、該段差の傾斜角度
及び高さが任意に調整され得ることになる。
スのＯ2の量を調整する場合と、レジスト１５の厚さを
調整する場合について述べたが、これに限らず、エッチ
ングガスの他の組成、各ガス圧を変更したり、電極１
２，１３間に印加するＲＦ電力を調整する等の、各種エ
ッチング条件を変更することにより、該段差の傾斜角度
及び高さが任意に調整され得ることになる。
【００２１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、基
板の表面に、任意の傾斜角度の段差を形成することが可
能である、極めて優れたテーパ状エッチング方法が提供
され得ることになる。
板の表面に、任意の傾斜角度の段差を形成することが可
能である、極めて優れたテーパ状エッチング方法が提供
され得ることになる。
【図１】本発明による方法を実施するためのＲＩＥ装置
の概略図である。
の概略図である。
【図２】本発明によるエッチング方法の一実施例におけ
る、（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチング
途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそれ
ぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
る、（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチング
途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそれ
ぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
【図３】図１の方法にて、エッチングガスを変更した場
合の（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチング
途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそれ
ぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
合の（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチング
途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそれ
ぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
【図４】図１の方法にて、さらにエッチングガスを変更
した場合の（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッ
チング途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示
すそれぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
した場合の（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッ
チング途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示
すそれぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
【図５】本発明によるエッチング方法の他の実施例にお
ける、（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチン
グ途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそ
れぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
ける、（Ａ）はエッチング前を示し、（Ｂ）はエッチン
グ途中、及び（Ｃ）はエッチング終了後の状態を示すそ
れぞれＳｉＯ2基板の断面図である。
【図６】従来のイオンビームによる方法の一例における
（Ａ）はエッチング前を示し、及び（Ｂ）はエッチング
終了後の状態を示すそれぞれＳｉＯ2基板の断面図であ
る。
（Ａ）はエッチング前を示し、及び（Ｂ）はエッチング
終了後の状態を示すそれぞれＳｉＯ2基板の断面図であ
る。
１０ ＲＩＥ装置 １１ ＳｉＯ2基板 １１ａ 段部 １２ 電極 １３ 電極 １４ ＲＦ電源 １５ レジスト α エッチングレート比 θ’、θ’’ 傾斜角度
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上に、縁部が傾斜するようにレジス
トを塗布した後、エッチングガスを使用してエッチング
することにより、該基板上に、該レジストの傾斜面に対
応して傾斜した段部を形成するようにした、テーパ状エ
ッチング方法において、 反応性のイオンエッチングでエッチングを行い、かつエ
ッチング条件を任意に設定して、該レジスト及び基板の
エッチングレート比を調節することにより、該基板上の
傾斜面の傾斜角度が適宜に調整され得ることを特徴とす
る、テーパ状エッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4224663A JPH0660323A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | テーパ状エッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4224663A JPH0660323A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | テーパ状エッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660323A true JPH0660323A (ja) | 1994-03-04 |
Family
ID=16817264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4224663A Pending JPH0660323A (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | テーパ状エッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0660323A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100728153B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-06-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2009051631A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Baw structure with reduced topographic steps and related method |
| JP2011237374A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Seiko Epson Corp | 分光装置、検出装置及び分光装置の製造方法 |
| JP2020202222A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4224663A patent/JPH0660323A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100728153B1 (ko) * | 2005-06-24 | 2007-06-13 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 반도체 장치의 제조 방법 |
| WO2009051631A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | Skyworks Solutions, Inc. | Baw structure with reduced topographic steps and related method |
| US8514033B2 (en) | 2007-10-18 | 2013-08-20 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | BAW structure with reduced topographic steps and related method |
| JP2011237374A (ja) * | 2010-05-13 | 2011-11-24 | Seiko Epson Corp | 分光装置、検出装置及び分光装置の製造方法 |
| JP2020202222A (ja) * | 2019-06-07 | 2020-12-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
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