JPH065776A - Manufacture of ceramic package having resistance - Google Patents
Manufacture of ceramic package having resistanceInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、抵抗付セラミックパッ
ケージの製造方法に係り、より詳細には、抵抗値のバラ
ツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつIC
チップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラ
ミックパッケージの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic package with resistance, and more specifically, it has less variation in resistance value and can form an arbitrary resistance value, and IC
The present invention relates to a method of manufacturing a ceramic package with a resistor that can reduce adverse effects in a chip mounting process.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、パッケージの多機能化に伴い、コ
ンデンサ内蔵パッケージ、抵抗付パッケージの必要性が
増大している。すなわち、近年のパッケージの構成の複
雑化に伴い、該パッケージに実装するICチップからの
信号がピンに伝わる時間のバラツキが大きくなっている
ことに鑑み、パッケージ内部に抵抗を組み込んで、該ピ
ン毎の信号が伝わる時間を調節できるようにした抵抗付
パッケージの必要性が増加している。2. Description of the Related Art In recent years, with the multi-functionalization of packages, the need for a package with a built-in capacitor and a package with a resistor has increased. That is, in view of the fact that the variations in the time taken for the signals from the IC chips mounted in the package to reach the pins have become large as the package configuration has become more complex in recent years, resistors have been built into the package, and There is an increasing need for resistor-equipped packages that allow the time of signal transmission to be adjusted.
【0003】そして、このような抵抗付パッケージは、
通常、抵抗として、 RU O2を用いたハイブリッドIC
用抵抗ペースト、耐熱金属(W,Mo等)に絶縁物(Al
2O3,ガラス等)を添加した抵抗ペースト、ランタン
−ボライド,酸化スズ等よりなる抵抗ペーストを用い、
該抵抗ペーストをパッケージの上面に印刷・焼成するこ
とで形成されている。And such a package with a resistor is
Usually, a hybrid IC using R U O 2 as a resistor
Resistance paste, heat resistant metal (W, Mo, etc.) and insulator (Al
2 O 3 , glass, etc.) added resistance paste, lanthanum-boride, tin oxide, etc.
It is formed by printing and firing the resistor paste on the upper surface of the package.
【0004】すなわち、抵抗付パッケージは、成形→印
刷→焼成→Niメッキ→ロー付→Auメッキの工程で得
たパッケージの上面に、前記抵抗ペースト印刷→抵抗焼
成の工程で抵抗を形成することで製造されている。That is, the resistor-equipped package is obtained by forming resistors on the upper surface of the package obtained in the steps of molding → printing → firing → Ni plating → brazing → Au plating in the process of printing the resistor paste → resistive firing. Being manufactured.
【0005】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述した抵抗
ペーストを用いて形成した抵抗付パッケージの場合、次
のような問題がある。すなわち、 抵抗ペーストとして RU O2を用いたもの、ランタン
−ボライド,酸化スズを用いたものにあっては、その焼
成温度を、800℃以上とする必要があるので、パッケ
ージのNiメッキ部がAuメッキ表面に拡散し、酸化す
るケースが生じ、その結果として、ICの実装(ダイア
タッチ、ワイヤボンディング、シール)に悪影響を及ぼ
す。 抵抗ペーストとして耐熱金属に絶縁物を添加したも
のを用いたものにあっては、印刷厚みにバラツキがある
ため、抵抗値にバラツキが生じ易く、その安定性に欠
け、かつトリミングが困難である。またパッケージサイ
ズの制約により、パターンを十分に長くできないため、
高抵抗の要求に対応できない。 パッケージ表面に抵抗を形成することになるので、
ICチップの実装密度が低下する。 等の問題がある。However, the resistor-equipped package formed by using the above-mentioned resistor paste has the following problems. That is, what a resistive paste with R U O 2, lanthanum - boride, in the one using the tin oxide, the firing temperature, it is necessary to be 800 ° C. or higher, Ni plating portion of the package In some cases, it diffuses and oxidizes on the Au-plated surface, and as a result, it adversely affects the IC mounting (die attachment, wire bonding, sealing). In the case of using a resistance paste obtained by adding an insulating material to a heat resistant metal, since the printing thickness varies, the resistance value tends to vary, the stability is insufficient, and trimming is difficult. Also, due to package size restrictions, the pattern cannot be made long enough,
We cannot meet the demand for high resistance. Since it will form a resistor on the package surface,
The packaging density of IC chips is reduced. There is a problem such as.
【0006】ところで、パッケージにおいて、ICチッ
プの実装密度を向上させ得る構造としては、該パッケー
ジの裏面に抵抗を形成する構成が提案されている(特開
平1−214051号公報参照)。そして、この構成に
あっては、広い面積を有するパッケージの裏面を有効活
用でき、かつ該パッケージの上面へのチップ抵抗等の設
置によるICチップの実装密度の低下を軽減でき、かつ
抵抗値の修正(トリミング)を行うことができるという
利点を有する。By the way, as a structure capable of improving the packaging density of IC chips in a package, a structure in which a resistor is formed on the back surface of the package has been proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 1-214051). Further, in this configuration, the back surface of the package having a large area can be effectively used, the reduction in the mounting density of IC chips due to the installation of chip resistors or the like on the top surface of the package can be reduced, and the resistance value can be corrected. This has the advantage that (trimming) can be performed.
【0007】しかし、この抵抗付パッケージにあって
も、抵抗ペーストとしては、 RU O2等を用いるので、そ
の焼成温度を800℃以上とする必要があり、そのため
にパッケージの導体部のNiメッキ部がAuメッキ表面
に拡散し、酸化するケースが生じ、また抵抗値のバラツ
キが大きく、高抵抗の要求に対応できないという課題が
残る。However, even in this resistor-equipped package, since RU O 2 or the like is used as the resistor paste, it is necessary to set the firing temperature to 800 ° C. or higher. Therefore, the Ni plating of the conductor portion of the package is required. There is a problem that the portion diffuses on the Au-plated surface and is oxidized, and the resistance value varies greatly, so that the requirement for high resistance cannot be met.
【0008】本発明は、以上のような問題点に対処して
創案したものであって、その目的とする処は、抵抗値の
バラツキが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつ
ICチップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付
セラミックパッケージの製造方法を提供することにあ
る。The present invention has been made in view of the above problems, and its object is to make it possible to form an arbitrary resistance value with less variation in resistance value. It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a ceramic package with a resistor that can reduce adverse effects in a chip mounting process.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】そして、上記課題を解決
するための手段としての本発明の抵抗付セラミックパッ
ケージの製造方法は、パッケージ裏面にカーボン抵抗を
スクリーン印刷した後、該パッケージを、200°C以
下の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミング
することで該パッケージ裏面に抵抗を形成するようにし
た構成よりなる。The method for manufacturing a ceramic package with resistance of the present invention as a means for solving the above-mentioned problems is as follows. The structure is such that a resistor is formed on the back surface of the package by firing at a low temperature of C or lower and trimming the carbon surface.
【0010】[0010]
【作用】本発明の抵抗付セラミックパッケージの製造方
法は、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これ
を該パッケージと一体として、200℃以下の温度で焼
成するので、該焼成の際に、該パッケージ表面のNiメ
ッキ部のAuメッキ表面への拡散を小さくでき、また後
工程の実装工程において、ダイボンド、ワイヤボンディ
ング、シール時において、熱の発生を少なくできること
より、抵抗値のドリフトを小さくできるように作用す
る。In the method of manufacturing the ceramic package with resistance according to the present invention, carbon resistance is used as the resistance paste, and this is baked together with the package at a temperature of 200 ° C. or less. It is possible to reduce the diffusion of the Ni-plated portion of the surface to the Au-plated surface, and to reduce the amount of heat generated during die bonding, wire bonding, and sealing in the subsequent mounting process, thereby reducing the drift of the resistance value. To work.
【0011】また、パッケージの裏面にカーボン抵抗ペ
ーストを印刷・焼成した後、トリミングにより抵抗値を
調整するようにしているので、抵抗値の精度を向上でき
ると共に、該抵抗値の種類を多くとれ、高抵抗の要求に
も対応できる。Further, since the resistance value is adjusted by trimming after printing and firing the carbon resistance paste on the back surface of the package, the accuracy of the resistance value can be improved and the types of the resistance value can be increased. It can meet the demand for high resistance.
【0012】[0012]
【実施例】以下、図面を参照しながら、本発明を具体化
した実施例について説明する。ここに、図1は、本発明
の製造方法で得た抵抗付セラミックパッケージの断面図
である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 is a sectional view of a ceramic package with resistance obtained by the manufacturing method of the present invention.
【0013】本実施例の抵抗付セラミックパッケージの
製造方法は、概略すると、予め導体配線パターンを形
成したパッケージ1にカーボン抵抗2を印刷する抵抗印
刷工程と、200°C以下の低温度でカーボン抵抗2
を焼成する抵抗焼成工程と、カーボン表面をトリミン
グして所望の抵抗値の抵抗2を形成する抵抗形成工程の
三つの工程を有する。以下、それぞれの工程について説
明する。The method of manufacturing a ceramic package with resistance according to the present embodiment is roughly described. A resistance printing step of printing a carbon resistance 2 on a package 1 on which a conductor wiring pattern is formed in advance and a carbon resistance at a low temperature of 200 ° C. or lower. Two
And a resistance forming step of forming a resistor 2 having a desired resistance value by trimming the carbon surface. Each step will be described below.
【0014】−抵抗印刷工程− 本工程は、パッケージ1の裏面3にカーボン抵抗ペース
トをスクリーン印刷する工程である。ここで、パッケー
ジ1の裏面3を用いるのは、広い面積を有するパッケー
ジの裏面を有効活用することで、パッケージ1の上面へ
の抵抗2の形成によるICチップ4の実装密度の低下を
軽減することを考慮したことによる。また、カーボン抵
抗ペーストの印刷は、スクリーン印刷によって行い、シ
ート抵抗を形成する。ここで、抵抗ぺーストとして、カ
ーボン抵抗ペーストを用いたのは、その焼成温度を低い
温度とすることができることによる。-Resistance printing step-This step is a step of screen-printing a carbon resistance paste on the back surface 3 of the package 1. Here, the use of the back surface 3 of the package 1 is to effectively utilize the back surface of the package having a large area, and to reduce the reduction in the mounting density of the IC chips 4 due to the formation of the resistor 2 on the upper surface of the package 1. Due to consideration. The carbon resistance paste is printed by screen printing to form a sheet resistance. Here, the reason why the carbon resistance paste is used as the resistance paste is that the firing temperature can be set to a low temperature.
【0015】−抵抗焼成工程− 本工程は、200°C以下の低温度でパッケージ1の裏
面に印刷したカーボン抵抗ペーストを焼成・一体化する
工程である。ここで、焼成温度を200℃以下の低温度
としたのは、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い
たことと、熱によってパッケージ1に形成されている導
体部5のNiメッキ部がAuメッキ表面に拡散するのを
最小限とすることを考慮したことによる。他のペースト
を用いる場合は、その焼成温度を、800℃以上とする
必要があり、該熱によってパッケージ1に形成されてい
る導体部のNiメッキ部がAuメッキ表面に拡散すると
いう問題が生じることになり、カーボン抵抗ペーストを
用いることで、このような問題が解消できる。-Resistance firing step-This step is a step of firing and integrating the carbon resistance paste printed on the back surface of the package 1 at a low temperature of 200 ° C or lower. Here, the firing temperature was set to a low temperature of 200 ° C. or lower because the carbon paste was used as the resistance paste, and the Ni-plated portion of the conductor portion 5 formed on the package 1 by heat was formed on the Au-plated surface. This is due to consideration of minimizing diffusion. When another paste is used, it is necessary to set the firing temperature to 800 ° C. or higher, which causes a problem that the Ni-plated portion of the conductor portion formed in the package 1 diffuses to the Au-plated surface due to the heat. By using the carbon resistance paste, such a problem can be solved.
【0016】−抵抗形成工程− 本工程は、前工程でパッケージ1の裏面に設けたシート
抵抗の表面をトリミングすることにより、所望の抵抗を
形成し、抵抗値の精度を高める工程である。ここで、ト
リミングはレーザーによって行い、その抵抗値精度を向
上させ、かつ多くの種類の抵抗値が自由に得られること
を考慮したことによる。そして、このトリミングによ
り、±2%以下の精度が得られ、またボンディング後
で、±5%以下の精度が得られる。また、抵抗値の種類
としては、80オーム〜200キロオームの範囲内の抵
抗値が得られる。-Resistor Forming Step-This step is a step of forming a desired resistance by trimming the surface of the sheet resistance provided on the back surface of the package 1 in the previous step and improving the accuracy of the resistance value. Here, trimming is performed by a laser, the accuracy of the resistance value is improved, and it is considered that many kinds of resistance values can be freely obtained. By this trimming, an accuracy of ± 2% or less can be obtained, and an accuracy of ± 5% or less can be obtained after bonding. Further, as the kind of resistance value, a resistance value within the range of 80 ohms to 200 kilo ohms can be obtained.
【0017】また、上述した各工程で得た抵抗付セラミ
ックパッケージへのICチップの実装には、ダイアタッ
チ材料として、Ag−エポキシ樹脂を用い、またシール
方法として、シームウェルドを採用している。これは、
熱の発生を少なくし、抵抗値ドリフトを小さくすること
を考慮したことによる。従って、この材料・方法を用い
ることにより低温度で処理でき、パッケージへの実装工
程での問題を回避でき、かつ抵抗値精度を維持できる。
すなわち、抵抗ペーストとして、カーボン抵抗ペースト
を用いると共に、実装工程での、ダイアタッチ材料とし
て、Ag−エポキシ樹脂を用い、またシール方法とし
て、シームウェルドを用いる組み合わせにより、抵抗ド
リフトを小さくできる。Further, in mounting the IC chip on the ceramic package with resistance obtained in the above-mentioned steps, Ag-epoxy resin is used as the die attach material, and seam weld is adopted as the sealing method. this is,
This is due to consideration of reducing heat generation and resistance value drift. Therefore, by using this material and method, it is possible to perform processing at a low temperature, avoid problems in the process of mounting the package, and maintain the resistance value accuracy.
That is, the resistance drift can be reduced by using a carbon resistance paste as the resistance paste, Ag-epoxy resin as the die attach material, and seam weld as the sealing method in the mounting process.
【0018】なお、本発明は、上述した実施例に限定さ
れるものでなく、本発明の要旨を変更しない範囲内で変
形実施できる構成を含む。It should be noted that the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, but includes configurations that can be modified and implemented within a range that does not change the gist of the present invention.
【0019】[0019]
【発明の効果】以上の説明より明らかなように、本発明
の抵抗付セラミックパッケージの製造方法によれば、抵
抗ペーストとして、カーボン抵抗を用い、これを該パッ
ケージにスクリーン印刷により塗布して、200℃以下
の温度で焼成するので、該焼成の際に、該パッケージ表
面の導体部のNiメッキ部のAuメッキ表面への拡散を
小さくでき、また後工程の実装工程において、ダイボン
ド、ワイヤボンディング、シール時において、熱の発生
を少なくできることより、抵抗値のドリフトを小さくで
きるという効果を有する。As is apparent from the above description, according to the method for manufacturing a ceramic package with resistance of the present invention, carbon resistance is used as the resistance paste, and this is applied to the package by screen printing to obtain 200 Since firing is performed at a temperature of ℃ or less, the diffusion of the Ni-plated portion of the conductor portion of the package to the Au-plated surface during the firing can be reduced, and die bonding, wire bonding, and sealing can be performed in the mounting step of the subsequent steps. Occasionally, it is possible to reduce the amount of heat generated, and thus it is possible to reduce the drift of the resistance value.
【0020】従って、本発明によれば、抵抗値のバラツ
キが少なく、任意の抵抗値の形成が可能で、かつICチ
ップの実装工程での悪影響を少なくできる抵抗付セラミ
ックパッケージの製造方法を提供できる。Therefore, according to the present invention, it is possible to provide a method of manufacturing a ceramic package with resistance, which has less variation in resistance value, can form an arbitrary resistance value, and can reduce adverse effects in the mounting process of the IC chip. .
【図1】本発明の製造方法で得た抵抗付セラミックパッ
ケージの断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a ceramic package with resistance obtained by a manufacturing method of the present invention.
1・・・パッケージ、2・・・抵抗、3・・・パッケー
ジの裏面、4・・・ICチップ、5・・・導体部1 ... Package, 2 ... Resistor, 3 ... Package backside, 4 ... IC chip, 5 ... Conductor part
Claims (1)
をスクリーン印刷した後、該パッケージを、200°C
以下の低温度で焼成し、かつ該カーボン表面をトリミン
グすることで該パッケージ裏面に抵抗を形成することを
特徴とする抵抗付セラミックパッケージの製造方法。1. After carbon-resistive paste is screen-printed on the back surface of the package, the package is heated to 200 ° C.
A method of manufacturing a ceramic package with resistance, comprising: forming a resistance on the back surface of the package by firing at the following low temperature and trimming the surface of the carbon.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18457792A JPH065776A (en) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | Manufacture of ceramic package having resistance |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18457792A JPH065776A (en) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | Manufacture of ceramic package having resistance |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH065776A true JPH065776A (en) | 1994-01-14 |
Family
ID=16155645
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18457792A Pending JPH065776A (en) | 1992-06-17 | 1992-06-17 | Manufacture of ceramic package having resistance |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH065776A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014168081A1 (en) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 昭和電工株式会社 | Carbon member, carbon member manufacturing method, redox flow battery and fuel cell |
US9136777B2 (en) | 2010-02-18 | 2015-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitively coupled power supply system |
-
1992
- 1992-06-17 JP JP18457792A patent/JPH065776A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9136777B2 (en) | 2010-02-18 | 2015-09-15 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitively coupled power supply system |
WO2014168081A1 (en) | 2013-04-11 | 2014-10-16 | 昭和電工株式会社 | Carbon member, carbon member manufacturing method, redox flow battery and fuel cell |
KR20150125710A (en) | 2013-04-11 | 2015-11-09 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Carbon member, carbon member manufacturing method, redox flow battery and fuel cell |
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