JPH0657432A - 酸化タンタル薄膜の形成方法 - Google Patents
酸化タンタル薄膜の形成方法Info
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- JPH0657432A JPH0657432A JP21247192A JP21247192A JPH0657432A JP H0657432 A JPH0657432 A JP H0657432A JP 21247192 A JP21247192 A JP 21247192A JP 21247192 A JP21247192 A JP 21247192A JP H0657432 A JPH0657432 A JP H0657432A
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- JP
- Japan
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- thin film
- tantalum oxide
- oxide thin
- vacuum chamber
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＤＲＡＭの容量性絶縁膜として利用できる酸
化タンタル薄膜の形成方法に関するもので、未処理でリ
ーク電流の小さい酸化タンタル薄膜を形成することを目
的とする。 【構成】 真空室１内に原料ガスを導入し、熱分解反応
させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に
於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＴｉＣｌ4を導入し、熱分解反応させ、
基板５上にＴｉを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させ
る。 【効果】 酸化タンタル薄膜の形成において薄膜中の格
子欠陥の補償、または応力の緩和のためにＳｉまたはＴ
ｉを含有させることによって低リーク電流を有する酸化
タンタル薄膜を形成できる。
化タンタル薄膜の形成方法に関するもので、未処理でリ
ーク電流の小さい酸化タンタル薄膜を形成することを目
的とする。 【構成】 真空室１内に原料ガスを導入し、熱分解反応
させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に
於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＴｉＣｌ4を導入し、熱分解反応させ、
基板５上にＴｉを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させ
る。 【効果】 酸化タンタル薄膜の形成において薄膜中の格
子欠陥の補償、または応力の緩和のためにＳｉまたはＴ
ｉを含有させることによって低リーク電流を有する酸化
タンタル薄膜を形成できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はＤＲＡＭ（ダイナミック
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造方法に関する。
ラム）等の容量性絶縁膜などとして有用な酸化タンタル
薄膜の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、原料ガスを真空室内で加熱分解反
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
応させて基板上に薄膜を形成するＣＶＤ法（化学気相成
長法）は半導体や誘電体等の薄膜形成の有用な手段とし
て注目されており、容量性絶縁膜などとして有用な酸化
タンタル薄膜の形成方法においてもＣＶＤ装置をもちい
て化学気相成長法により薄膜を製造することが試みられ
ている。この場合には通常加熱し得る真空室を有するい
わゆる熱ＣＶＤ装置が用いられている。
【０００３】以下、図面を参照しながら従来の酸化タン
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
タル薄膜の製造方法について説明する。図２は従来のＣ
ＶＤ法による酸化タンタル薄膜形成法に用いられている
酸化タンタル薄膜製造装置（ＣＶＤ装置）の構成を示す
概略図である。
【０００４】従来ＣＶＤ装置による酸化タンタル薄膜の
製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5等で代表
される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて形
成されてきた。
製造は、原料として液体のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5等で代表
される液体有機タンタル化合物と酸素ガス等を用いて形
成されてきた。
【０００５】図２において、真空室３１は真空排気装置
３２によっておよそ０．５〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空に
排気される。３３は真空室内に設置された基板であり、
通常ポリシリコンからなる基板が用いられる。また、真
空室３１はヒータ３４によって約４５０℃に加熱されて
いる。アンプル３６内のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は流量制御
装置３８によって流量制御された不活性ガス３９によっ
てバブリングされヒータ４０によって約１５０℃に加熱
されたガス導入管４１を通って真空室３１に導入され
る。流量制御装置４２によって流量制御された酸素ガス
４３も加熱されたガス導入管４１を通って真空室３１に
導入される。真空室内に導入されたこれらの原料ガスは
熱分解反応して、約４５０℃に加熱されている基板３３
上に酸化タンタル薄膜が堆積される。堆積された、酸化
タンタル薄膜は、通常Ｏ2またはＯ3中で４５０から８０
０℃の温度で熱処理される。
３２によっておよそ０．５〜１０Ｔｏｒｒ程度の真空に
排気される。３３は真空室内に設置された基板であり、
通常ポリシリコンからなる基板が用いられる。また、真
空室３１はヒータ３４によって約４５０℃に加熱されて
いる。アンプル３６内のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は流量制御
装置３８によって流量制御された不活性ガス３９によっ
てバブリングされヒータ４０によって約１５０℃に加熱
されたガス導入管４１を通って真空室３１に導入され
る。流量制御装置４２によって流量制御された酸素ガス
４３も加熱されたガス導入管４１を通って真空室３１に
導入される。真空室内に導入されたこれらの原料ガスは
熱分解反応して、約４５０℃に加熱されている基板３３
上に酸化タンタル薄膜が堆積される。堆積された、酸化
タンタル薄膜は、通常Ｏ2またはＯ3中で４５０から８０
０℃の温度で熱処理される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な方法で形成された酸化タンタル薄膜は未処理の状態で
はリーク電流が大きいためオゾン中での熱処理、紫外線
の照射等の複雑な工程が必要になる。
な方法で形成された酸化タンタル薄膜は未処理の状態で
はリーク電流が大きいためオゾン中での熱処理、紫外線
の照射等の複雑な工程が必要になる。
【０００７】本発明は未処理の状態でリーク電流の小さ
い酸化タンタル薄膜を形成することを目的とする。
い酸化タンタル薄膜を形成することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の酸化タンタル薄膜の形成方法においては、
真空室内にＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5、ＴｉＣｌ4、Ｏ2、Ａｒ
を導入しＴｉを混入した酸化タンタル薄膜を堆積する。
め、本発明の酸化タンタル薄膜の形成方法においては、
真空室内にＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5、ＴｉＣｌ4、Ｏ2、Ａｒ
を導入しＴｉを混入した酸化タンタル薄膜を堆積する。
【０００９】また、真空室内にＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5、Ｓ
ｉＨ4、Ｏ2、Ａｒを導入しＳｉを混入した酸化タンタル
薄膜を堆積する。
ｉＨ4、Ｏ2、Ａｒを導入しＳｉを混入した酸化タンタル
薄膜を堆積する。
【００１０】
【作用】本発明による酸化タンタル薄膜は、通常酸化タ
ンタル薄膜内に形成される格子欠陥、空位等をＴｉまた
はＳｉが補償するか、ＴｉまたはＳｉが混入されている
ためにＴａ2Ｏ5格子にかかる応力が緩和されて格子欠陥
ができずらくなるために、リーク電流の小さい酸化タン
タル薄膜が形成できる。
ンタル薄膜内に形成される格子欠陥、空位等をＴｉまた
はＳｉが補償するか、ＴｉまたはＳｉが混入されている
ためにＴａ2Ｏ5格子にかかる応力が緩和されて格子欠陥
ができずらくなるために、リーク電流の小さい酸化タン
タル薄膜が形成できる。
【００１１】
【実施例】図１は本発明の実施例で使用した酸化タンタ
ル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、真
空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室内
に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを用
いた。基板５はヒータ６によって約６００℃に加熱され
ている。
ル薄膜形成装置の概略図である。１は真空室であり、真
空排気装置２によって真空に排気される。５は真空室内
に設置された基板であり本実施例ではポリシリコンを用
いた。基板５はヒータ６によって約６００℃に加熱され
ている。
【００１２】アンプル３内のＴａ（ＯＣ2Ｈ5）5は高温
槽７によって１２０℃に温度制御され、流量制御装置８
によって流量制御されたＡｒガス４（本実施例でのＡｒ
流量は３００ｓｃｃｍ）によってバブリングされヒータ
９によって約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通
って真空室１に導入される。流量制御装置１１によって
流量制御されたＯ2ガス１２（本実施例では５００ｓｃ
ｃｍ）と流量制御装置１４によって流量制御されたＴｉ
Ｃｌ4１３またはＳｉＨ4１３も真空室内に導入される。
（但しＴｉＣｌ4の場合は流量制御装置１４およびガス
導入管１５は約８０℃に加熱されている）真空室内に導
入されたこれらの原料ガスは熱分解反応して、約６００
℃に加熱されている基板５上にＴｉを含有する酸化タン
タル薄膜またはＳｉを含有する酸化タンタル薄膜が形成
される。（本実施例ではＴｉＣｌ４流量５ｓｃｃｍ、Ｓ
ｉＨ４流量３ｓｃｃｍとした）図３は原料としてＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5、Ａｒ、Ｏ2を導入した場合、それに加え
ＴｉＣｌ4を導入した場合またはＳｉＨ4を導入した場合
の酸化タンタル薄膜のリーク電流を示したものである。
Ｏ2のみを導入して形成した場合の酸化タンタル薄膜の
リーク電流は電界強度１ＭＶ／ｃｍで１ｘ１０-3Ａ／ｃ
ｍ2程度の電流が流れている。しかしＴｉＣｌ4またはＳ
ｉＨ4を導入して堆積した場合、未処理の状態でリーク
電流は約３ｘ１０-10Ａ／ｃｍ2と小さく、絶縁耐圧も大
きくなっていることがわかる。
槽７によって１２０℃に温度制御され、流量制御装置８
によって流量制御されたＡｒガス４（本実施例でのＡｒ
流量は３００ｓｃｃｍ）によってバブリングされヒータ
９によって約１５０℃に加熱されたガス導入管１０を通
って真空室１に導入される。流量制御装置１１によって
流量制御されたＯ2ガス１２（本実施例では５００ｓｃ
ｃｍ）と流量制御装置１４によって流量制御されたＴｉ
Ｃｌ4１３またはＳｉＨ4１３も真空室内に導入される。
（但しＴｉＣｌ4の場合は流量制御装置１４およびガス
導入管１５は約８０℃に加熱されている）真空室内に導
入されたこれらの原料ガスは熱分解反応して、約６００
℃に加熱されている基板５上にＴｉを含有する酸化タン
タル薄膜またはＳｉを含有する酸化タンタル薄膜が形成
される。（本実施例ではＴｉＣｌ４流量５ｓｃｃｍ、Ｓ
ｉＨ４流量３ｓｃｃｍとした）図３は原料としてＴａ
（ＯＣ2Ｈ5）5、Ａｒ、Ｏ2を導入した場合、それに加え
ＴｉＣｌ4を導入した場合またはＳｉＨ4を導入した場合
の酸化タンタル薄膜のリーク電流を示したものである。
Ｏ2のみを導入して形成した場合の酸化タンタル薄膜の
リーク電流は電界強度１ＭＶ／ｃｍで１ｘ１０-3Ａ／ｃ
ｍ2程度の電流が流れている。しかしＴｉＣｌ4またはＳ
ｉＨ4を導入して堆積した場合、未処理の状態でリーク
電流は約３ｘ１０-10Ａ／ｃｍ2と小さく、絶縁耐圧も大
きくなっていることがわかる。
【００１３】真空室内の圧力としては通常０．５〜１０
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2も用いられることが多い。これらの不活性ガ
スの流量については特に限定するものではないが５０〜
１０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
Ｔｏｒｒ程度の範囲が一般的で、また不活性ガスとして
は特に限定するものではないが、通常ＡｒやＨｅが用い
られ、Ｎ2も用いられることが多い。これらの不活性ガ
スの流量については特に限定するものではないが５０〜
１０００ｓｃｃｍ程度の範囲が好適である。
【００１４】
【発明の効果】本発明はＴｉまたはＳｉを含有する酸化
タンタル薄膜を形成することによって、従来法による酸
化タンタル薄膜内に形成されやすい格子欠陥等を補償ま
たは応力を緩和することでリーク電流の小さい酸化タン
タル薄膜を形成することができる。
タンタル薄膜を形成することによって、従来法による酸
化タンタル薄膜内に形成されやすい格子欠陥等を補償ま
たは応力を緩和することでリーク電流の小さい酸化タン
タル薄膜を形成することができる。
【図１】本発明の一実施例における酸化タンタル薄膜形
成装置の概略図
成装置の概略図
【図２】従来例における酸化タンタル薄膜形成装置の概
略図
略図
【図３】本発明および従来例によって形成した酸化タン
タル薄膜のリーク電流特性を示す図
タル薄膜のリーク電流特性を示す図
１ 真空室 ２ 真空排気装置 ３ アンプル ４ Ａｒガス ５ 基板 ６ ヒータ ７ 恒温槽 ８ 流量制御装置 ９ ヒータ １０ ガス導入管 １１ 流量制御装置 １２ Ｏ2ガス １３ ＴｉＣｌ4またはＳｉＨ4 １４ 流量制御装置 １５ ガス導入管 １６ 基板ホルダ ３１ 真空室 ３２ 真空排気装置 ３３ 基板 ３４ ヒータ ３６ アンプル ３７ ヒータ ３８ 流量制御装置 ３９ 不活性ガス ４０ ヒータ ４１ ガス導入管 ４２ 流量制御装置 ４３ 酸素ガス
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平尾 孝 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】真空室内に原料ガスを導入し、熱分解反応
させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に
於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＴｉＣｌ4を導入し、熱分解反応させ、
基板上にＴｉを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させる
ことを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。 - 【請求項２】真空室内に原料ガスを導入し、熱分解反応
させる化学気相成長法による酸化タンタル薄膜の形成に
於て、前記真空室内に原料ガスとして少なくとも、Ｔａ
（ＯＣ2Ｈ5）5とＳｉＨ4を導入し、熱分解反応させ、基
板上にＳｉを含有した酸化タンタル薄膜を堆積させるこ
とを特徴とする酸化タンタル薄膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21247192A JPH0657432A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21247192A JPH0657432A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0657432A true JPH0657432A (ja) | 1994-03-01 |
Family
ID=16623197
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21247192A Pending JPH0657432A (ja) | 1992-08-10 | 1992-08-10 | 酸化タンタル薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0657432A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322784B1 (ko) * | 1998-04-29 | 2002-03-13 | 마이크로코팅 테크놀로지, 인크. | 제어 분위기 하의 화학적 기상 증착 장치 및 방법 |
| EP1625944A1 (en) | 2004-08-13 | 2006-02-15 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing lithographic printing plate support |
| EP1712368A1 (en) | 2005-04-13 | 2006-10-18 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method of manufacturing a support for a lithographic printing plate |
| EP2100677A1 (en) | 2008-03-06 | 2009-09-16 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing aluminum alloy plate for lithographic printing plate, aluminum alloy plate for lithographic printing plate obtained thereby and lithographic printing plate support |
| WO2010038812A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 電解処理方法および電解処理装置 |
| WO2010150810A1 (ja) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 光反射基板およびその製造方法 |
| WO2011037005A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
| EP2434592A2 (en) | 2010-09-24 | 2012-03-28 | Fujifilm Corporation | Anisotropically conductive member |
-
1992
- 1992-08-10 JP JP21247192A patent/JPH0657432A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100322784B1 (ko) * | 1998-04-29 | 2002-03-13 | 마이크로코팅 테크놀로지, 인크. | 제어 분위기 하의 화학적 기상 증착 장치 및 방법 |
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| EP2100677A1 (en) | 2008-03-06 | 2009-09-16 | Fujifilm Corporation | Method of manufacturing aluminum alloy plate for lithographic printing plate, aluminum alloy plate for lithographic printing plate obtained thereby and lithographic printing plate support |
| WO2010038812A1 (ja) | 2008-09-30 | 2010-04-08 | 富士フイルム株式会社 | 電解処理方法および電解処理装置 |
| WO2010150810A1 (ja) | 2009-06-26 | 2010-12-29 | 富士フイルム株式会社 | 光反射基板およびその製造方法 |
| WO2011037005A1 (ja) | 2009-09-24 | 2011-03-31 | 富士フイルム株式会社 | 平版印刷版原版 |
| WO2011078010A1 (ja) | 2009-12-25 | 2011-06-30 | 富士フイルム株式会社 | 絶縁基板、絶縁基板の製造方法、配線の形成方法、配線基板および発光素子 |
| EP2434592A2 (en) | 2010-09-24 | 2012-03-28 | Fujifilm Corporation | Anisotropically conductive member |
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