JPH0653796A - スイッチング素子の駆動回路 - Google Patents

スイッチング素子の駆動回路

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JPH0653796A
JPH0653796A JP22088592A JP22088592A JPH0653796A JP H0653796 A JPH0653796 A JP H0653796A JP 22088592 A JP22088592 A JP 22088592A JP 22088592 A JP22088592 A JP 22088592A JP H0653796 A JPH0653796 A JP H0653796A
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Japan
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capacitor
switching element
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diode
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JP22088592A
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Kazuki Morita
一樹 森田
Tomonori Yoshimura
知法 吉村
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Toyo Electric Manufacturing Ltd
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Toyo Electric Manufacturing Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】スイッチング素子の誤点弧すなわちオフ状態の
素子が誤ってオンしてしまうことを防止するようにした
ものである。 【構成】スイッチング素子のベース端子とエミッタ端子
間にコンデンサ(2)とダイオード(6)を接続すると
ともに、ダイオード(6)と並列に抵抗(7)を接続構
成したもの。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、電力変換器等に用いら
れるスイッチング素子を駆動するためのスイッチング素
子の駆動回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】スイッチング素子においては、ベース
(B)〜エミッタ(E)間にもしくはゲート(G)〜カ
ソード(C)間が逆バイアスされている状態、すなわち
ターンオフ状態のコレクタ〜エミッタ間(もしくはアノ
ード〜カソード間)に高い(dv/dt)が印加、(例えば
スイッチング素子と逆並列に接続されているフライホー
ルダイオードが逆回復した瞬間)されると、コレクタ〜
ベース間(もしくはアノード〜ゲート間)の接合容量を
通してコレクタからベース(もしくはアノードからゲー
ト)の方向に急峻な立ち上がりをもった(dv/dt)電流
が流れる。
【0003】逆バイアス電源とスイッチング素子間の配
線距離が長い場合、(dv/dt)電流は逆バイアス電源に
流れ込まずにスイッチング素子のベース(もしくはゲー
ト)からエミッタ(もしくはカソード)の方向に流れ込
み、スイッチング素子をターンオンさせてしまうことが
ある。このようにオフ状態のスイッチング素子が誤って
オンしてしまうと、電力変換器が短絡などにより破壊す
るおそれがある。
【0004】図2に従来の回路構成例を示す。図2にお
いては、1はスイッチング素子の一例のトランジスタ、
2はコンデンサ、3は逆バイアス電源、4はトランジス
タ1のコレクタ(C)〜ベース(B)間の接合容量、5
は逆バイアス電源3とトランジスタ1間の配線インピー
ダンスである。かような回路例においては、前述の(dv
/dt)電流がトランジスタ1のベースに流れ込まないよ
うに、トランジスタ1のベース(B)〜エミッタ(E)
間にコンデンサ2を接続し、(dv/dt)電流をコンデン
サ2に吸収させていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来方式では、(dv/dt)電流が一旦コンデンサ2
に吸収されるが、これが引金となりその後コンデンサ2
と配線インピーダンス5間で共振を起こし、コンデンサ
2の両端電圧すなわちトランジスタ1のベース〜エミッ
タ間電圧が振動的となってしまう。
【0006】この振動の過程において、コンデンサ2の
両端電圧がトランジスタ1をターンオンさせるに最小の
ベース〜エミッタ間電圧以上に上昇すると、コンデンサ
2とトランジスタ1間の配線インピーダンスが小さいた
め、コンデンサ2からシランジスタ1のベースへ立ち上
がりの急峻なピーク値の大きい放電電流が流れ込み、結
局はトランジスタ1をターンオンさせてしまう。さら
に、ベース〜エミッタ間の振動電圧のピーク値がトラン
ジスタ1のベース〜エミッタ間逆耐圧を越えてしまう恐
れがある。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明は上述したような
課題を解決するため、スイッチング素子のベース〜エミ
ッタ間(もしくはゲート〜カソード間)にコンデンサと
ダイオードの直列回路をダイオードのカソードがスイッ
チング素子のエミッタ側(もしくはカソード側)の向き
になるよう接続し、さらにダイオードと並列に抵抗を接
続した構成をなすものである。
【0008】
【作用】かかる構成により、(dv/dt)電流がダイオー
ドを通してコンデンサに吸収されることによってコンデ
ンサが充電された後も、コンデンサの放電側の配線経路
にはコンデンサと直列に抵抗が挿入されることにより、
この抵抗の振動制御効果により放電側の振動が抑制され
る。
【0009】したがって、スイッチング素子のベース〜
エミッタ間(もしくはゲート〜アソード間)電圧は振動
的とはならず、スイッチング素子をターンオンさせるに
最小のベース〜エミッタ間(もしくはゲート〜カソード
間)電圧以上に上昇する可能性はきわめて低くなる。仮
に前記電圧以上に上昇しても、コンデンサの放電電流は
抵抗の作用により立ち上がりの緩やかなピーク値の小さ
い電流となるためスイッチング素子をターンオンさせる
ことはなく、ゆっくりと逆バイアス電源に引き抜かれて
いく。
【0010】
【実施例】図1に本発明の一実施例の要部構成を示すも
ので、6はダイオード、7は抵抗である。図中、図2と
同符号のものは同じ機能を有する部分を示す。すなわ
ち、トランジスタ1のベース(B)〜エミッタ(E)間
に、コンデンサ2と直列に図示の極性向きのダイオード
6が接続され、ダイオード6と並列に抵抗7が接続され
てなる。
【0011】さて、ターンオフ状態のトランジスタ1の
コレクタ〜エミッタ間に高い(dv/dt)が印加される
と、トランジスタ1のコレクタ〜ベース間の接合容量4
を通して、コレクタからベースの方向に急峻な立ち上が
りをもった(dv/dt)電流が流れる。逆バイアス電源3
とトランジスタ1間の配線距離が長く配線インピーダン
ス5が存在すると、(dv/dt)電流は逆バイアス電源3
には流れ込まず、ダイオード6を通してコンデンサ2に
吸収される。したがって、トランジスタ1のベースにも
(dv/dt)電流は流れ込まずトランジスタ1はターンオ
ンしない。
【0012】また、(dv/dt)電流がコンデンサ2に吸
収されることによりコンデンサ2が充電された後も、コ
ンデンサ2の放電側の配線経路にはコンデンサ2と直列
に抵抗7が挿入されることになり、この抵抗7の振動抑
制効果により放電側の振動が抑制される。したがって、
トランジスタ1のベース〜エミッタ間電圧は振動的とは
ならず、トランジスタ1をターンオンさせるに最小のベ
ース〜エミッタ間電圧以上に上昇する可能性はきわめて
低くなるようにできる。仮に前記電圧以上に上昇して
も、コンデンサ2の放電電流は抵抗7の作用により立ち
上がりの緩やかなピーク値の小さい電流となるため、ト
ランジスタ1をターンオンさせることはなく、ゆっくり
と逆バイアス電源に引き抜かれていく。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ダ
イオードと抵抗を付加しただけという簡便な回路によ
り、スイッチング素子の誤点弧すなわちオフ状態のスイ
ッチング素子が誤ってオンしてしまうことを防止でき、
このことは電力変換器等の装置の短絡破壊を防止できる
ということである。さらに、付設の抵抗の作用により振
動が抑制されるため、ベース〜エミッタ間電圧が逆耐圧
を越えてしまう心配も解消できる。
【図面の簡単な説明】
【0014】
【図1】図1は本発明の一実施例の要部構成を示す回路
図である。
【図2】図2は従来の構成例を示す回路図である。
【0015】
【符号の説明】
1 スイッチング素子 2 コンデンサ 3 逆バイアス電源 4 接合容量 5 配線インピーダンス 6 ダイオード 7 抵抗

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 電力変換器等に用いられるスイッチング
    素子を駆動するスイッチング素子の駆動回路において、
    前記スイッチング素子のベース端子(もしくはゲート端
    子)と該スイッチング素子のエミッタ端子(もしくはカ
    ソード端子)間にコンデンサとダイオードの直列回路
    を、該ダイオードがスイッチング素子のエミッタ端子側
    (もしくはカソード端子側)の向きになるよう接続する
    とともに、前記ダイオードと並列に抵抗を接続構成する
    ようにしたことを特徴とするスイッチング素子の駆動回
    路。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246889A (ja) * 2001-02-22 2002-08-30 Sunx Ltd 検出スイッチ
WO2012153836A1 (ja) * 2011-05-12 2012-11-15 日産自動車株式会社 スイッチング回路及び半導体モジュール
JP2012239061A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Nissan Motor Co Ltd スイッチング回路及び半導体モジュール
JP2013062965A (ja) * 2011-09-14 2013-04-04 Sanken Electric Co Ltd 半導体モジュール

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US8916882B2 (en) 2011-05-12 2014-12-23 Nissan Motor Co., Ltd. Switching circuit and semiconductor module
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