JPH0653603A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH0653603A JPH0653603A JP4205327A JP20532792A JPH0653603A JP H0653603 A JPH0653603 A JP H0653603A JP 4205327 A JP4205327 A JP 4205327A JP 20532792 A JP20532792 A JP 20532792A JP H0653603 A JPH0653603 A JP H0653603A
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Abstract
によりノイズを発生しない半導体レーザ装置を提供する
ものである。 【構成】 位置決め手段を有するリード上に載置された
受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上に載
置されかつ前方に主出射光を発射する様に設けられた半
導体レーザ素子と、リードの周辺に形成された絶縁枠を
設ける。そして絶縁枠が半導体レーザ素子の主出射光の
下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁を有する様に設
けるものである。
Description
体レーザ装置に関する。
なされているが、その中で例えば本出願人が特願平4−
138696号にて出願した半導体レーザ装置を図4に
示す。この図に於て、リード31上に受光素子32が載
置され、その上に半導体レーザ素子33が載置されてい
る。半導体レーザ素子33の後面と受光素子32のP型
拡散領域34を透光性樹脂35が覆っている。他のリー
ド36がリード31と離れて設けられている。半導体レ
ーザ素子33と他のリード36との間に、金属細線37
が配線されている。絶縁枠38がリード31と他のリー
ド36を一体的に保持する様に設けられている。この半
導体レーザ装置が支持具39に固定され、その上に光学
部品40が固定されている。
レーザ装置に於ては、主出射光41が回折格子等からな
る光学部品40へ進入した後、1部は光学部品40で反
射され戻り光42となって再び半導体レーザ素子33へ
帰る。そして戻り光42は半導体レーザ素子33の端面
で反射され再び光学部品40へ進入し、主出射光41の
邪魔をするのでノイズを発生させる。故に、本発明はか
かる従来の欠点に鑑みてなされたものであり、戻り光が
光学部品へ進入する事を防止する事によりノイズを発生
しない半導体レーザ装置を提供するものである。
決するために、位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、受光素子上に又はその前方のリード上
に載置されかつ前方に主出射光を発射する様に設けられ
た半導体レーザ素子と、リードの周辺に形成された絶縁
枠を設ける。そして絶縁枠が半導体レーザ素子の主出射
光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁を有する様
に設けるものである。
射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠の外壁
を設けている。故に半導体レーザ素子の主出射光が光学
部品で反射され、その戻り光が傾斜した外壁により上方
に反射されるので、光学部品に再進入しない。
い説明する。図1は本実施例に係る半導体レーザ装置の
側面断面図であり、図2はその半導体レーザ装置の平面
断面図である。これらの図に於て、リード1は厚みが
0.2乃至1.0mmの銅等の金属材料からなり矩形部
2と切欠部3と端子部4からできている。リード1は端
面5に形成されたV字状溝の様な位置決め手段6を有し
ている。その他に位置決め手段6はU字状溝でも、断面
略コ字状の凹部に形成しても良く、またはV字状、U字
状、断面略コ字状の凸部に形成しても良い。
るシリコン系結晶に表面電極8、9と裏面電極10を設
けられたものである。表面電極9はP型拡散領域からな
る受光面11とオーミック接触して形成されている。受
光素子7は銀ペースト等の導電性接着剤を介してリード
1上に固着されている。
それを挟むクラッド層からなるGaAlAsの発光層か
らできている。半導体レーザ素子12の両端は劈開され
その上に反射膜が形成されている。半導体レーザ素子1
2は前方に主出射光13を発射する様に、受光素子7の
表面電極8上に銀ペースト又は半田を介して固着されて
いる。半導体レーザ素子12は後方にモニター用の副出
射が行われる様に、後面の反射膜の反射率が前面のそれ
よりも高い様に形成されている。上述の様に半導体レー
ザ素子12の光軸中心線14は、受光素子7の受光面1
1より高い位置にある様に設けられている。
らなり、リード1の切欠き部3に位置し、半導体レーザ
素子12の主出射光13の方向と逆に延びている。金属
細線17と他の金属細線18は共に金等からなり、それ
ぞれ半導体レーザ素子12と他のリード15との間、お
よび受光素子7の表面電極9と他のリード16との間を
接続する様に配線されている。他の金属細線19は受光
素子7の表面電極8とリード1との間を接続する様に配
線されている。透光性樹脂20は例えばエポキシ樹脂か
らなり、半導体レーザ素子12の後面近傍から受光素子
7の受光面11を一体に覆う様に形成されている。
又はエポキシ樹脂等からなり、半導体レーザ素子12の
主出射光13が発射する付近を露出する様に平面略コ字
状にかつリード1と、他のリード15と16の各表面と
裏面を挟む様にトランスファーモールドによって形成さ
れている。絶縁枠21は半導体レーザ素子12の主出射
光13の下に於て、前方に下り勾配の傾斜した外壁22
を形成されている。半導体レーザ素子12の前方に位置
する絶縁枠21の開口部23は、前方に行く程広がる様
に傾斜した面を有している。半導体レーザ素子12を保
護するために、開口部23はできるだけ小さい方が良
い。また主出射光13は円錐状に放射されるので、円錐
状のビームに当らない様にする必要がある。これらの2
つの条件を満たすために、開口部23は傾斜した面を有
する様に形成されている。
薄く、例えば0.3mmに形成されている。これは半導
体レーザ素子12の出射ビームが開口部23に当らない
様にするため、できるだけ半導体レーザ素子12と光学
部品24を近づけるためである。絶縁枠21の側方の肉
厚Bは比較的、薄く、例えば0.6mmに形成されてい
る。これはできるだけ半導体装置の外形を小さくするた
めである。絶縁枠21の後方の肉厚Cは比較的、厚く、
例えば1.5mmに形成されている。これはリード1と
他のリード15と16を一体的に保持し強度を確保する
ためである。そして、受光素子7の前方に絶縁枠21の
張り出し部Dを形成する事により、取りつけ時や梱包時
に受光素子7と半導体レーザ素子12が損傷される事が
防止される。これらの部品により半導体レーザ装置25
は構成されている。
部とリード1の端面5に形成された位置決め手段6、す
なわち凹部又は凸部をはめ合う様に、半導体レーザ装置
25が支持具26に固定されている。回折格子やハーフ
ミラーや対物レンズ等の光学部品26が半導体レーザ素
子12の主出射光13の方向に設けられている。また光
学部品24は支持具26の開口部27に直接に固定され
ても良い。
光13が回折格子等からなる光学部品24へ進入した
後、1部は光学部品24で反射され戻り光28となって
再び半導体レーザ素子12の方向へ帰る。そして主出射
光13の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁22で
反射された戻り光28は上方に進行する。故に戻り光2
8は再び光学部品24へ進入しない。
が低くなる第2実施例を図3の断面図に従い説明する。
受光素子7aは例えばP−I−N構造からなるシリコン
系結晶に表面電極9aと裏面電極10aを設けられたも
のである。表面電極9aはP型拡散領域からなる受光面
11aとオーミック接触して形成されている。受光素子
7aは導電性接着剤を介してリード1a上に固着されて
いる。
なり表面電極8aと裏面電極(図示せず)を設けられた
ものであり、導電性接着剤によりリード1a上に固着さ
れている。半導体レーザ素子12はサブマウント29の
表面電極8aと合金化することにより固定されている。
この様に、半導体レーザ素子12は受光素子7aの前方
のリード1a上にサブマウント29を介して載置され、
その光軸中心線14は受光面11aより高い位置にあり
かつ前方に主出射面を有している。
の後面近傍から受光面11aまで覆う様に形成されてい
る。図3の番号と図1、図2の番号と同じものは同じ部
品である事を示す。上述の様に、半導体レーザ素子12
と受光素子7aを離してリード1a上に載置するので、
半導体レーザ素子12の温度上昇により受光素子7aの
温度が余り上がらない。故に受光素子7aの受光特性
(受光量に対するモニタ電流値)が安定するのでモニタ
電流も安定する。
施例と同じ様に戻り光28は絶縁枠21aの外壁22a
により上方に反射され、光学部品24へ進入しない。
の凹部上に受光素子を載置し、その前方のリード上に直
接に半導体レーザ素子を載置し、光軸中心線が受光面よ
り高い位置にある様に設けても良い。
の主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した絶縁枠
の外壁を設けている。故に主出射光が回折格子等からな
る光学部品へ進入した後、1部は光学部品で反射され戻
り光となって再び半導体レーザ素子の方向へ帰る。そし
て主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜した外壁で
反射された戻り光は上方に進行する。故に戻り光は再び
光学部品へ進入しない。従って主出射光のみが光学部品
に進入するので、所定の出射光を光学部品に正確に供給
でき、戻り光によるノイズが発生しない。
位置する絶縁枠の開口部を前方に行くに従って広がる様
に形成する。故に主出射光の円錐状ビームが開口部に当
ることを防止し、開口部を小さくして半導体レーザ素子
を保護することができる。
に設けられた位置決め手段と支持具の凸部又は凹部をは
め合わす事により、半導体レーザ装置の位置ずれを防止
し、出射ビームと光学部品の関係位置を正確に保持する
ことができる。
断面図である。
断面図である。
側面断面図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 位置決め手段を有するリード上に載置さ
れた受光素子と、その受光素子上に又はその前方の前記
リード上に載置されかつ前方に主出射光を発射する様に
設けられた半導体レーザ素子と、前記リードの周辺に形
成された絶縁枠とを具備し、その絶縁枠が前記半導体レ
ーザ素子の主出射光の下に於て前方に下り勾配の傾斜し
た外壁を有する事を特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4205327A JP3059831B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
US08/216,508 US5367530A (en) | 1992-05-29 | 1994-03-22 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4205327A JP3059831B2 (ja) | 1992-07-31 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0653603A true JPH0653603A (ja) | 1994-02-25 |
JP3059831B2 JP3059831B2 (ja) | 2000-07-04 |
Family
ID=16505097
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4205327A Expired - Fee Related JP3059831B2 (ja) | 1992-05-29 | 1992-07-31 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3059831B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2005-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1992
- 1992-07-31 JP JP4205327A patent/JP3059831B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6885076B2 (en) | 2000-07-17 | 2005-04-26 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3059831B2 (ja) | 2000-07-04 |
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