JPH0652354B2 - 調光ミラー - Google Patents

調光ミラー

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JPH0652354B2
JPH0652354B2 JP59101858A JP10185884A JPH0652354B2 JP H0652354 B2 JPH0652354 B2 JP H0652354B2 JP 59101858 A JP59101858 A JP 59101858A JP 10185884 A JP10185884 A JP 10185884A JP H0652354 B2 JPH0652354 B2 JP H0652354B2
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electrolyte
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忠敏 神森
誠一 宮坂
巧一 鈴木
衛 水橋
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Asahi Glass Co Ltd
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    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/15Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on an electrochromic effect
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    • G02F1/1533Constructional details structural features not otherwise provided for

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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、エレクトロクロミック調光体(以下「EC調
光体という」と略記する)に反射層を設けた調光ミラー
に関する。
従来、上述のタイプの調光ミラーとしては、例えば特公
昭57-7418号公報に開示されているように、透過型EC
調光体の背面に反射層を形成したものが用いられるが、
反射層が調光体の背面に外付けされている場合には、反
射層が傷つき易く、また、酸化,浸蝕され易く、コスト
も高くなり、さらに、透明電極と反射層との二重の反射
により像が重なり合うという欠点を有していた。このた
め、例えば特開昭57-208530号公報に開示されているよ
うに、透明電極の一方と一体的に反射膜を形成し透明基
板の中に封入するようにしたものも用いられているが、
この場合には、反射膜が、電解質に接するため、浸蝕さ
れ易いという欠点があった。
本発明は、このような従来の調光ミラーの欠点を解消す
るためになされたものであり、反射層が浸蝕され難く、
耐久性が良く、2重像の問題の生じない調光ミラーを提
供することを目的とする。
即ち、本発明の調光ミラーは、透明電極を形成した透明
な表基板と、反射性電極を形成した裏基板とを電解質を
挟持し透明電極と反射性電極とを内側にして対向させ、
反射性電極の上にエレクトロクロミック物質層を電解質
に接して形成して成る調光ミラーにおいて、前記反射性
電極として第IV族Bの元素の窒化物を用い、前記反射性
電極の膜厚が200Åないし5000Åであり、かつ、
電解質がレドックス剤を含んでいることを特徴とする。
以下、本発明になる調光ミラーを図面を参照しつつ説明
する。第1図は、本発明の代表的調光ミラーの断面図で
ある。
第1図において、透明な表基板1の上には透明電極2が
形成され、裏基板3の上には反射層と電極との双方の作
用を果す反射性電極4と、EC物質層5とが形成され
る。表基板1と裏基板3とは電解質6を挟持し透明電極
2と反射性電極4とを内側にして、必要に応じてシール
材7により電解質6をシールし、相対向して構成され調
光ミラー8を形成する。
表基板1の素材としてはガラスやプラスチック等の透明
な物質を用いる。該表基板1上に形成する透明電極2と
しては酸化インジウム・酸化錫(ITO)や酸化錫(SnO2
等を用いる。この透明電極2は、例えばITOを材質とし
て用いた場合には、蒸着法やスパッター法により表基板
1上に面抵抗値が20Ω以下程度に形成することが望まし
い。
裏基板3の素材としては、ガラス,プラスチック、セラ
ミック又はアルミニウム等の金属などを用い、反射性電
極4の素材としては、チタン(Ti),ジルコニウム(Zr),
ハフニウム(Hf)の第IV族Bの元素の窒化物である窒化チ
タン(TiN),窒化ジルコニウム(ZrN),窒化ハフニウム(H
fN)のうちいずれか一種を用いる。この反射性電極4
は、例えば窒素ガス雰囲気下で上記第IV族Bの元素をイ
オンプレーティング又はスパッタリングして、前記裏基
板3上に膜厚200Åないしは5000Åに形成すればよい。
なお、膜厚は、反射性能,抵抗特性,強度等の面より、
500Åないしは1000Åに形成するのが一層望ましい。イ
オンプレーティングで被膜させる場合には、例えば3〜
5×10-4Torrのアルゴンと窒素の混合ガス中で上記第IV
族Bの元素を200Wの出力で高周波励起して裏基板3上
に被膜させる。また、スパッタリング法による場合には
例えば5〜7×10-4Torrのアルゴンと窒素の混合ガス中
で第IV族Bの元素を100Wの出力で高周波加熱して裏基
板3上に被膜させる。
EC物質としては、酸化タングステン(WO3)又は酸化
モリブデン(MoO3)等の電圧の印加により可逆的に可視
光域で着消色する遷移金属化合物を用い、反射性電極4
上に蒸着しEC物質層5を形成する。
電解質6としては、公知の溶媒に沃化リチウム(Li
I)等の応答性、耐久性向上のためのレドックス剤を加
え着色助剤としての陽イオン(H,Li+等)を安定に
存在させる溶液型のものに必要に応じて、増粘剤や樹脂
等を加えゲル化したゲル状のもの等が用いられる。電解
質6の厚さとしては、十分な着消色反応を得るために、
溶液型のものでは100μm以上の厚み、ゲル状のもので
は50μm以上の厚みがあることが望ましい。
シール材7としては、エポキシ,シリコン,ポリアミド
等が必要に応じて用いられる。
なお、反射性電極4上に膜厚500Åないし2000ÅのITO膜
を塗布すれば、反射性電極4の酸化が完全に防止され、
耐久性は更に向上する。
更に、表基板1には透明電極2の他に、該透明基板2上
に正負のいずれの電圧印加によっても着色しないEC物
質層や、裏基板3側のEC物質層5が着色すると同時に
着色する(即ち、EC物質層5に印加される電圧と反対
の極性の電圧の印加で着消色する)EC物質層を形成し
ても良い。
次に具体的実施例につき更に説明する。
実施例1 10cm角のガラス製裏基板上にイオンプレーティング法に
よりTiN膜を膜厚1000Åにコートし反射性電極を形成す
る。更に、該反射性電極上に膜厚5000ÅのWO3膜を蒸着
しEC物質層を形成する。
一方、10cm角のガラス製の表基板上にITO膜を膜厚1500
Åに蒸着し透明電極を形成する。
該ITO膜と前記WO3膜との間隔が200μmとなるように前
記表基板と裏基板とを対向させセルを形成させ、該セル
中に、γ−ブチロラクトン(γ−BL)に0.5Mol/の
LiIを溶解した電解液を注入しシール材で封止し調光ミ
ラーを作成した。
この調光ミラーに±1Vの電圧を印加することにより、
第2図a(破線)に示すような反射率変化特性を有する
耐久性の良い調光ミラーが得られた。
実施例2 10cm角のガラス製の裏基板上にスパッタリング法により
ZrN膜を膜厚1000Åにコートし反射性電極を形成する。
更に、該反射性電極上に膜厚5000ÅのWO3膜を蒸着しE
C物質層を形成する。
一方、10cm角のガラス製の表基板上にITO膜を膜厚1500
Åに蒸着し透明電極を形成する。
電解質としてγ−BLに0.7Mol/のLiIを溶解しポリ
ビニルブチラール(PVB)重量パーセンティジで50%と
なるように混合したゲル状物質を用い、該電解質層の厚
さが50μmとなるように、前記EC物質層と透明電極と
の間に挿入し圧着固定する。
このようにして作成した調光ミラーでは第2図b(実
線)に示すような反射率変化特性が得られた。
実施例3 実施例2と同様に裏基板上にZrN膜を形成し、該ZrN膜上
にITO膜を膜厚1000Åに蒸着した上で該ITO膜上に膜厚50
00ÅのWO3膜を蒸着しEC物質層を形成した。
以下実施例2と同様にして調光ミラーを作成した。
この調光ミラーは、反射率変化特性は実施例2と同一の
特性(第2図b)が得られ、耐久性としては着消色のサ
イクルテストを105回以上行なっても応答性の低下が認
められない優れた性能が得られた。
なお、本発明の調光ミラーは以上の構成に限られるもの
ではなく、EC調光体の裏基板の一部のみに反射性電極
を形成し、その部分のみを調光ミラーとしても良いし、
該調光ミラー部分で何らかの形状又はセグメントを形成
し、商標、サービスマーク、イニシャル、カレンダー表
示等として利用しても良い。
以上述べたように、本発明になる調光ミラーにおいて
は、電極と反射層とを共用し、該反射性電極として耐蝕
性の高い第IV族Bの元素の窒化物を用い、かつ、電解質
と反射性電極の間にEC物質層が介在するために、反射
性電極が電解質により浸蝕され難く、耐久性に優れ、ま
た2重像等も生じることがない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の代表的調光ミラーの断面図、第2図は
本発明の実施例の反射率変化特性を示すグラフである。 1;表基板、2;透明電極、 3;裏基板、4;反射性電極、 5;EC物質層、6;電解質、 7;シール材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水橋 衛 神奈川県横浜市旭区白根町1219―47 (56)参考文献 特開 昭58−68020(JP,A) 特開 昭58−142319(JP,A) 特開 昭58−30729(JP,A) 実開 昭58−21120(JP,U)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明電極を形成した透明な表基板と、反射
    性電極を形成した裏基板とを電解質を挟持し透明電極と
    反射性電極とを内側にして対向させ、反射性電極の上に
    エレクトロクロミック物質層を電解質に接して形成して
    成る調光ミラーにおいて、前記反射性電極として第IV族
    Bの元素の窒化物を用い、前記反射性電極の膜厚が20
    0Åないし5000Åであり、かつ、電解質がレドック
    ス剤を含んでいることを特徴とする調光ミラー。
JP59101858A 1984-05-22 1984-05-22 調光ミラー Expired - Lifetime JPH0652354B2 (ja)

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