JPH065221U - パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路 - Google Patents

パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路

Info

Publication number
JPH065221U
JPH065221U JP4193692U JP4193692U JPH065221U JP H065221 U JPH065221 U JP H065221U JP 4193692 U JP4193692 U JP 4193692U JP 4193692 U JP4193692 U JP 4193692U JP H065221 U JPH065221 U JP H065221U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power mosfet
drive circuit
power
power supply
mosfet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4193692U
Other languages
English (en)
Inventor
克己 因幡
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP4193692U priority Critical patent/JPH065221U/ja
Publication of JPH065221U publication Critical patent/JPH065221U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 電源電圧が変動してもパワーＭＯＳＦＥＴが
破壊されることのない高信頼性のパワーＭＯＳＦＥＴ駆
動回路を提供する。 【構成】 パワーＭＯＳＦＥＴＱ４０の駆動段のＭＯＳ
ＦＥＴＱ１０と電源Ｖｃｃ間に定電圧回路３を設けるこ
とを特徴とする。

Description

【考案の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】
本考案はパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般的にパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路としては、トーテムポール型またはプ ッシュプル型回路があり、それぞれトランジスタまたはＭＯＳＦＥＴによって電 源電圧をパワーＭＯＳＦＥＴのゲートにゲート抵抗を介して直接印加する。
【０００３】 図５及び図６はそれぞれ、トーテムポール型及びプッシュプル型の回路例であ り、図５中、１０はパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路である半導体素子、２０は半 導体素子１０中の制御回路部、Ｑ１０，Ｑ２０，Ｑ３０は半導体素子１０中のパ ワーＭＯＳＦＥＴ駆動段のＭＯＳＦＥＴ、Ｒ１０，Ｒ２０は抵抗、Ｑ４０はパワ ーＭＯＳＦＥＴ、Ｖｃｃは電源、ＺＤ１０は後述する保護用のツェナーダイオー ドである。
【０００４】 また、図６中、１０’はパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路である半導体素子、２ ０’は半導体素子１０’中の制御回路部、Ｑ５０，Ｑ６０はパワーＭＯＳＦＥＴ 駆動段のトランジスタ、Ｒ２０’は抵抗、Ｑ７０はパワーＭＯＳＦＥＴ、ＺＤ１ ０は後述する保護用のツェナーダイオードである。
【０００５】
【考案が解決しようとする課題】
ところで、前述の構成のパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路においては、以下のよ うな問題点があった。
【０００６】 即ち、電源電圧ＶｃｃがパワーＭＯＳＦＥＴのゲートに対し、ゲート抵抗を介 して直接印加されている為に、電源電圧Ｖｃｃが変化するとそれに応じてパワー ＭＯＳＦＥＴのゲート電圧ＶGSも変化する為、パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ＲDS も変化したり、成いはゲート耐圧を越える電圧が印加されパワーＭＯＳＦＥＴ が破壊する場合があった。
【０００７】 この電源電圧Ｖｃｃの変動に対するパワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗ＲDSの変化 及びゲート電圧ＶGSの変化はそれぞれ、例えば図７及び図８に示すような特性と なる。このような電源電圧の変動によるパワーＭＯＳＦＥＴの破壊を防止するよ うため、従来はパワーＭＯＳＦＥＴのゲートに前述したようなツェナーダイオー ドＺＤ１０を接続する必要があった。
【０００８】 そこで本考案の目的は、電源電圧の変動があっても、それに伴なってゲート電 圧、パワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗が変化することのない、高信頼性のパワーＭ ＯＳＦＥＴの駆動回路を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
前記目的を達成するために本考案は、パワーＭＯＳＦＥＴ及び電源間に介挿さ れ前記パワーＭＯＳＦＥＴを駆動するパワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路において、前 記パワーＭＯＳＦＥＴの駆動段の半導体素子と前記電源間に定電圧回路を設けて なることを特徴とする。
【００１０】
【作用】
本考案のパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路においては、前述のように定電圧回路 を設けておりゲート電圧は安定化されるので、電源電圧が変動してもパワーＭＯ ＳＦＥＴのオン抵抗の変化は無くなりゲート破壊も無くなる。
【００１１】 また、従来不可欠であったパワーＭＯＳＦＥＴのゲート部のツェナーダイオー ドが不要となり、さらに定電圧回路はゲート電圧のみを対象としたものであるた め面積も小さく済み、駆動回路としての形状が大型化されるといった問題も無く ゲート電圧の安定化を図れる。
【００１２】
【実施例】
本考案の実施例について、図１乃至図４を参照して説明する。
【００１３】 図１及び図２はそれぞれ、本実施例によるトーテムポール型及びプッシュプル 型のパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路である。
【００１４】 なお、図５及び図６に示す従来例と同一機能部分には同一記号を付している。
【００１５】 図１のトーテムポール型の駆動回路である半導体素子（以下、単に駆動回路と 記す）１においては、電源電圧Ｖｃｃと駆動用ＭＯＳＦＥＴＱ１０との間に定電 圧回路３を組み込んでいる。従って、電源電圧Ｖｃｃが変動した場合でも制御回 路２へ入力される電圧は変化するがパワーＭＯＳＦＥＴＱ４０のゲート電圧は変 化せず、オン抵抗の変化やゲート破壊は起こらない。
【００１６】 図３及び図４はこれを示したもので、それぞれ、電源電圧Ｖｃｃに対するパワ ーＭＯＳＦＥＴＱ４０のオン抵抗ＲDS特性及びゲート電圧ＶGSの特性を示してい る。図３及び図４より明らかなように、パワーＭＯＳＦＥＴＱ４０のオン抵抗Ｒ DS 及びゲート電圧ＶDSは電源電圧Ｖｃｃの変動にかかわらず一定となっている。
【００１７】 また、ゲート電圧を安定化できることから、従来不可欠であったパワーＭＯＳ ＦＥＴ４０のゲート部の保護用のツェナーダイオードＺＤ１０も不要となり、さ らに定電圧化はゲート電圧のみを対象としているので駆動回路における定電圧回 路３の面積も小さくて済み、駆動回路としての形状が大型化されるといった問題 も無くゲート電圧の安定化を図れる。
【００１８】 また、図２のプッシュプル型の駆動回路１’においては、電源電圧Ｖｃｃと駆 動用トランジスタＱ５０との間に定電圧回路３’を組み込んでいる。２’は制御 回路である。この実施例においても、図１のトーテムポール型の駆動回路と同一 の効果が得られる 以上のように、本実施例によれば、形状を大型化するといった変更もなく、電 源電圧の変動に対して安定したゲート電圧を供給できる高信頼性のパワーＭＯＳ ＦＥＴの駆動回路を実現できる。
【００１９】
【考案の効果】
以上説明したように本考案によれば、形状を大型化するといった変更もなく、 安定したゲート電圧を供給できる高信頼性のパワーＭＯＳＦＥＴの駆動回路を実 現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本考案の一実施例によるトーテムポール型のパ
ワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路である。
【図２】本考案の他の実施例によるプッシュプル型のパ
ワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路図である。
【図３】本考案の実施例によるパワーＭＯＳＦＥＴ駆動
回路における電源電圧とオン抵抗の特性図である。
【図４】本考案の実施例によるパワーＭＯＳＦＥＴ駆動
回路における電源電圧とゲート電圧の特性図である。
【図５】従来例によるトーテムポール型のパワーＭＯＳ
ＦＥＴ駆動回路図である。
【図６】従来例によるプッシュプル型のパワーＭＯＳＦ
ＥＴ駆動回路図である。
【図７】従来例によるパワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路にお
ける電源電圧とオン抵抗の特性図である。
【図８】従来例によるパワーＭＯＳＦＥＴ駆動回路にお
ける電源電圧とゲート電圧の特性図である。
【符号の説明】
３，３’ 定電圧回路 Ｑ４０，Ｑ７０ パワーＭＯＳＦＥＴ Ｖｃｃ 電源 Ｑ１０，Ｑ２０，Ｑ３０ ＭＯＳＦＥＴ（駆動段の半導
体素子） Ｑ５０，Ｑ６０ トランジスタ（駆動段の半導体素子）

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】 パワーＭＯＳＦＥＴ及び電源間に介挿さ
    れ前記パワーＭＯＳＦＥＴを駆動するパワーＭＯＳＦＥ
    Ｔ駆動回路において、 前記パワーＭＯＳＦＥＴの駆動段の半導体素子と前記電
    源間に定電圧回路を設けてなることを特徴とするパワー
    ＭＯＳＦＥＴ駆動回路。
JP4193692U 1992-06-18 1992-06-18 パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路 Pending JPH065221U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4193692U JPH065221U (ja) 1992-06-18 1992-06-18 パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4193692U JPH065221U (ja) 1992-06-18 1992-06-18 パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH065221U true JPH065221U (ja) 1994-01-21

Family

ID=12622115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4193692U Pending JPH065221U (ja) 1992-06-18 1992-06-18 パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH065221U (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687018B1 (ko) * 2003-09-26 2007-02-27 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 과열보호회로를 구비한 반도체장치 및 그것을 이용한전자회로
JP2010193431A (ja) * 2009-01-26 2010-09-02 Rohm Co Ltd 出力回路およびモータ駆動装置
JP2012191454A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 窒化物半導体装置
WO2014167938A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 富士電機株式会社 パワーデバイスの駆動回路
JPWO2014199818A1 (ja) * 2013-06-14 2017-02-23 富士電機株式会社 ゲート駆動回路

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182913A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Omron Tateisi Electronics Co 電界効果トランジスタの駆動回路
JPS6422109A (en) * 1987-07-16 1989-01-25 Nec Corp Semiconductor device
JPH0322732A (ja) * 1989-06-20 1991-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高速クロック再生装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63182913A (ja) * 1987-01-23 1988-07-28 Omron Tateisi Electronics Co 電界効果トランジスタの駆動回路
JPS6422109A (en) * 1987-07-16 1989-01-25 Nec Corp Semiconductor device
JPH0322732A (ja) * 1989-06-20 1991-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 高速クロック再生装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100687018B1 (ko) * 2003-09-26 2007-02-27 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 과열보호회로를 구비한 반도체장치 및 그것을 이용한전자회로
JP2010193431A (ja) * 2009-01-26 2010-09-02 Rohm Co Ltd 出力回路およびモータ駆動装置
JP2012191454A (ja) * 2011-03-10 2012-10-04 Toshiba Corp 窒化物半導体装置
WO2014167938A1 (ja) * 2013-04-08 2014-10-16 富士電機株式会社 パワーデバイスの駆動回路
CN105027441A (zh) * 2013-04-08 2015-11-04 富士电机株式会社 功率器件的驱动电路
JPWO2014167938A1 (ja) * 2013-04-08 2017-02-16 富士電機株式会社 パワーデバイスの駆動回路
US9692406B2 (en) 2013-04-08 2017-06-27 Fuji Electric Co., Ltd. Power device drive circuit
JPWO2014199818A1 (ja) * 2013-06-14 2017-02-23 富士電機株式会社 ゲート駆動回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2715491B2 (ja) 半導体集積回路
JP2715642B2 (ja) 半導体集積回路
JPH065221U (ja) パワーｍｏｓｆｅｔ駆動回路
KR100812876B1 (ko) 전원 회로 및 반도체 장치
US6034448A (en) Semiconductor switch
JP2605181B2 (ja) パワーｍｏｓｆｅｔドライバー回路
JPH04195613A (ja) ボルテージ・レギュレーター
US5973565A (en) DC bias feedback circuit for MESFET bias stability
JPH07202667A (ja) 半導体装置
JP2605447Y2 (ja) 半導体素子
JPH06236812A (ja) 駆動回路
KR930004303Y1 (ko) 전자회로의 동작구동회로
JP2001068950A (ja) ゲートバイアス回路
JP3003455B2 (ja) 過熱検出回路
KR19990040003A (ko) 푸시풀/오픈 드레인 옵션을 제어하는 출력 버퍼 회로
JP3711893B2 (ja) 電源回路装置
JPH11127037A (ja) Ｃｍｏｓ演算増幅器
JPH0525812U (ja) トランジスタのドライブ回路
JPH0611626Y2 (ja) デプレツシヨン型ｆｅｔ直流バイアス回路
US5408137A (en) Output driver circuit with high breakdown voltage
JPS62199064A (ja) Ｍｏｓ・ｆｅｔゲ−ト保護回路
JPH055698Y2 (ja)
JP2969381B2 (ja) 複合電力用素子
JPH10135805A (ja) プリドライバ回路
KR960008144Y1 (ko) 정전류 회로