JPH0651023A - Test circuit - Google Patents
Test circuitInfo
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- JPH0651023A JPH0651023A JP4206370A JP20637092A JPH0651023A JP H0651023 A JPH0651023 A JP H0651023A JP 4206370 A JP4206370 A JP 4206370A JP 20637092 A JP20637092 A JP 20637092A JP H0651023 A JPH0651023 A JP H0651023A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はテスト回路に関する。The present invention relates to test circuits.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のテスト回路は、図３に示されるよ
うに、電源端子６１および６３、入力端子６２および出
力端子６４に対応して、ＰＭＯＳトランジスタ１３およ
び１５と、ＮＭＯＳトランジスタ１４および１６により
構成されている。2. Description of the Related Art As shown in FIG. 3, a conventional test circuit includes PMOS transistors 13 and 15 and NMOS transistors 14 and 16 corresponding to power supply terminals 61 and 63, an input terminal 62 and an output terminal 64, respectively. It is configured.
【０００３】図３において、入力端子６２より入力され
る電圧レベルが電源端子６１より入力される電源電圧よ
りも低い場合には、ＮＭＯＳトランジスタ１４のチャネ
ルが導通状態となり、ＰＭＯＳトランジスタ１３のチャ
ネルが非導通状態となる。これにより、ＰＭＯＳトラン
ジスタ１５のチャネルが導通状態となり、ＮＭＯＳトラ
ンジスタ１６のチャネルが非導通状態となって、出力端
子６４には“Ｈ”レベルが出力される。そして、入力端
子６２より入力される電圧レベルを電源端子６１に入力
される電源電圧以上に上げてゆくと、電源電圧と入力電
圧との差がＰＭＯＳトランジスタ１３のしきい値電圧に
到達した時点において、ＰＭＯＳトランジスタ１３のチ
ャネルが導通状態となり、更に入力電圧を上げてゆく
と、ＮＭＯＳトランジスタ１３のチャネルが導通状態と
なり、更に入力電圧を上げてゆくと、ＮＭＯＳトランジ
スタ１４のチャネル抵抗よりもＰＭＯＳトランジスタ１
５とＮＭＯＳトランジスタ１６により構成される反転回
路の論理しきい値電圧よりも高い電圧が入力され、出力
端子６４には“Ｌ”レベルが出力される。この時の入力
端子６２に入力される電圧をＶDET とする。In FIG. 3, when the voltage level input from the input terminal 62 is lower than the power supply voltage input from the power supply terminal 61, the channel of the NMOS transistor 14 becomes conductive and the channel of the PMOS transistor 13 becomes non-conductive. It becomes conductive. As a result, the channel of the PMOS transistor 15 becomes conductive, the channel of the NMOS transistor 16 becomes nonconductive, and the "H" level is output to the output terminal 64. Then, if the voltage level input from the input terminal 62 is raised to the power supply voltage input to the power supply terminal 61 or higher, at the time when the difference between the power supply voltage and the input voltage reaches the threshold voltage of the PMOS transistor 13, When the channel of the PMOS transistor 13 becomes conductive and the input voltage is further increased, the channel of the NMOS transistor 13 is made conductive, and when the input voltage is further increased, the PMOS transistor 1 is higher than the channel resistance of the NMOS transistor 14.
5, a voltage higher than the logical threshold voltage of the inverting circuit constituted by the NMOS transistor 16 and the NMOS transistor 16 is input, and the "L" level is output to the output terminal 64. The voltage input to the input terminal 62 at this time is V DET .
【０００４】この従来のテスト回路は、例えば、図４に
示されるようにして使用される。インバータ１７に対す
る入力と、図３に示されるテスト回路１８の入力が共に
外部からの入力端子６５に接続されており、テスト回路
１８の出力は、非測定対象の半導体集積回路１９に接続
される。入力端子６５よりの外部入力が、電源電圧以下
の範囲において変化する場合には、テスト回路１８の出
力は変化することがないが、インバータ１７の出力は外
部入力が反転されて出力されるために、出力端子６６を
介して、外部入力の反転出力として出力される。この場
合においては、テスト回路１８の出力を受けて動作する
半導体集積回路１９は、通常の動作状態となる。しかし
ながら、入力端子より入力される外部入力が電源電圧よ
りも高くなり、前述のＶDET のレベルに到達すると、イ
ンバータ１７の出力は変化しないが、テスト回路１８の
出力は反転するので、外部入力から入力される信号はテ
スト回路１８を通して、半導体集積回路１９に伝達され
る。この時に、テスト回路１８の出力を受けて動作する
半導体集積回路１９には、テスト用信号が入力されたこ
ととなり、半導体集積回路１９は、通常の動作状態とは
異なるテスト動作状態になる。このテスト動作状態の例
としては、例えば、マイクロコンピュータにおけるエミ
ュレーション・モードなどが挙げられる。This conventional test circuit is used, for example, as shown in FIG. The input to the inverter 17 and the input of the test circuit 18 shown in FIG. 3 are both connected to the external input terminal 65, and the output of the test circuit 18 is connected to the semiconductor integrated circuit 19 that is not the measurement target. When the external input from the input terminal 65 changes within the range of the power supply voltage or less, the output of the test circuit 18 does not change, but the output of the inverter 17 is output by inverting the external input. , And is output as an inverted output of the external input via the output terminal 66. In this case, the semiconductor integrated circuit 19 which operates by receiving the output of the test circuit 18 is in a normal operating state. However, when the external input input from the input terminal becomes higher than the power supply voltage and reaches the level of V DET described above, the output of the inverter 17 does not change, but the output of the test circuit 18 is inverted. The input signal is transmitted to the semiconductor integrated circuit 19 through the test circuit 18. At this time, the test signal is input to the semiconductor integrated circuit 19 which operates by receiving the output of the test circuit 18, and the semiconductor integrated circuit 19 enters a test operation state different from the normal operation state. An example of this test operation state is, for example, an emulation mode in a microcomputer.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のテスト
回路においては、電源電圧ＶDDと出力端子６４における
出力電圧を反転させるための入力電圧ＶDET との差が、
低ＶDD域において小さい値となっているので、入力電圧
にＶDET 程度のノイズが印加されてしまうと、出力端子
６４におけるレベルが一時的に変化してしまうことがあ
り、この低ＶDD域におけるＶDDとＶDET との差をノイズ
を考慮して大きくしても、それに伴ない高ＶDD域におけ
るＶDET の値も大きくなってしまい、半導体集積回路に
過大な電圧が印加される結果となり、使用し得るＶDD域
が限定されてしまうという欠点がある。In the conventional test circuit described above, the difference between the power supply voltage V DD and the input voltage V DET for inverting the output voltage at the output terminal 64 is as follows.
Since a small value in the low V DD range, the noise on the order of V DET from being applied to the input voltage, may level will temporarily change at output terminal 64, the low V DD region Even if the difference between V DD and V DET at V DDET is increased in consideration of noise, the value of V DET in the high V DD region is also increased accordingly, and an excessive voltage is applied to the semiconductor integrated circuit. Therefore, there is a drawback that the usable V DD range is limited.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】第１の発明のテスト回路
は、ソースに入力端子が接続され、ゲートに第１の電源
端子が接続される第１のＰＭＯＳトランジスタと、ドレ
インに前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレインが接
続され、ゲートに前記第１の電源端子が接続されて、ソ
ースが接地される第１のＮＭＯＳトランジスタと、ソー
スに第２の電源端子が接続され、ゲートに前記第１のＰ
ＭＯＳトランジスタのドレインならびに前記第１のＮＭ
ＯＳトランジスタのドレインが接続されて、ドレインが
出力端子に接続される第２のＰＭＯＳトランジスタと、
ドレインに前記出力端子が接続され、ゲートに前記第２
のＰＭＯＳトランジスタのゲートが接続される第２のＮ
ＭＯＳトランジスタと、ドレインに前記第２のＮＭＯＳ
トランジスタのソースが接続され、ゲートに第３の電源
端子が接続されて、ソースが接地される第３のＮＭＯＳ
トランジスタとを備えて構成される。A test circuit according to a first aspect of the present invention comprises a first PMOS transistor having a source connected to an input terminal and a gate connected to a first power supply terminal, and a drain connected to the first PMOS transistor. A drain of the PMOS transistor is connected, the gate is connected to the first power supply terminal, the source is grounded to a first NMOS transistor, the source is connected to the second power supply terminal, and the gate is connected to the first power supply terminal. P
Drain of MOS transistor and the first NM
A second PMOS transistor connected to the drain of the OS transistor and connected to the output terminal;
The output terminal is connected to the drain, and the second terminal is connected to the gate.
Of the second N connected to the gate of the PMOS transistor of
A MOS transistor and the second NMOS in the drain
A third NMOS in which the source of the transistor is connected, the gate is connected to the third power supply terminal, and the source is grounded.
And a transistor.
【０００７】また、第２の発明のテスト回路は、ソース
に入力端子が接続され、ゲートに第１の電源端子が接続
される第１のＰＭＯＳトランジスタと、ドレインに前記
第１のＰＭＯＳトランジスタのドレインが接続され、ゲ
ートに前記第１の電源端子が接続されて、ソースが接地
される第１のＮＭＯＳトランジスタと、ソースに第２の
電源端子が接続され、ゲートに前記第１のＰＭＯＳトラ
ンジスタのドレインならびに前記第１のＮＭＯＳトラン
ジスタのドレインが接続されて、ドレインが出力端子に
接続される第２のＰＭＯＳトランジスタと、ドレインに
前記出力端子が接続され、ゲートに前記第２のＰＭＯＳ
トランジスタのゲートが接続される第２のＮＭＯＳトラ
ンジスタと、ドレインに前記第２のＮＭＯＳトランジス
タのソースが接続され、ソースが接地される第３のＮＭ
ＯＳトランジスタと、ソースに第３の電源端子が接続さ
れ、ゲートが接地されて、ドレインに前記第３のＮＭＯ
Ｓトランジスタのゲートが接続される第３のＰＭＯＳト
ランジスタと、一端が前記第３のＰＭＯＳトランジスタ
のドレインに接続され、他端が接地される抵抗とを備え
て構成される。In the test circuit of the second invention, a source is connected to an input terminal and a gate is connected to a first power supply terminal, and a drain is a drain of the first PMOS transistor. A first NMOS transistor whose gate is connected to the first power supply terminal and whose source is grounded; and a source which is connected to a second power supply terminal, and whose gate is connected to the drain of the first PMOS transistor. A second PMOS transistor having a drain connected to the output terminal and a drain connected to the output terminal; and a drain connected to the output terminal and a gate connected to the second PMOS transistor.
A second NMOS transistor connected to the gate of the transistor, and a third NM connected to the drain of the source of the second NMOS transistor and grounded at the source.
The third power supply terminal is connected to the OS transistor and the source, the gate is grounded, and the third NMO is connected to the drain.
It is configured to include a third PMOS transistor to which the gate of the S transistor is connected, and a resistor whose one end is connected to the drain of the third PMOS transistor and whose other end is grounded.
【０００８】[0008]
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, the present invention will be described with reference to the drawings.
【０００９】図１は本発明の第１の実施例を示すブロッ
ク図である。図１に示されるように、本実施例は、電源
端子５１、５３および５４、入力端子５２および出力端
子５５に対応して、ＰＭＯＳトランジスタ１および３
と、ＮＭＯＳトランジスタ２、４および５とを備えて構
成される。FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, in this embodiment, the PMOS transistors 1 and 3 are provided corresponding to the power supply terminals 51, 53 and 54, the input terminal 52 and the output terminal 55.
And NMOS transistors 2, 4 and 5.
【００１０】図１において、入力端子５２に入力される
電圧が、電源端子５１の電源電圧以下である場合には、
ＮＭＯＳトランジスタ２のチャネルが導通状態となり、
ＰＭＯＳトランジスタ１のチャネルは非導通状態とな
る。これにより、ＰＭＯＳトランジスタ３のチャネルが
導通状態となり、ＮＭＯＳトランジスタ４のチャネルが
非導通状態となって、出力端子５５における出力として
は“Ｈ”レベルが出力される。そして、入力端子５２の
入力電圧を電源電圧以上に上げてゆくと、電源電圧と入
力電圧との差がＰＭＯＳトランジスタ１のしきい値電圧
に到達した時点において、ＰＭＯＳトランジスタ１のチ
ャネルが導通状態になり、更に入力電圧を上げてゆく
と、ＮＭＯＳトランジスタ２のチャネル抵抗よりもＰＭ
ＯＳトランジスタ１のチャネル抵抗が低くなった時点に
おいて、ＰＭＯＳトランジスタ３とＮＭＯＳトランジス
タ４により構成される反転回路に論理しきい値電圧より
も高い電圧が入力され、出力端子５５には“Ｌ”レベル
が出力される。電源電圧が低い場合におけるＶDET を従
来のＶDET に合わせてみると、電源電圧が高くなるにつ
れて、ＮＭＯＳトランジスタ５のチャネル抵抗が小さく
なり、ＰＭＯＳトランジスタ３と、ＮＭＯＳトランジス
タ４とにより構成される反転回路の論理しきい値電圧が
従来よりも更に低い値となり、図５に示されるように、
ＶDET の値は従来よりも低い値となる。In FIG. 1, when the voltage input to the input terminal 52 is equal to or lower than the power supply voltage of the power supply terminal 51,
The channel of the NMOS transistor 2 becomes conductive,
The channel of the PMOS transistor 1 becomes non-conductive. As a result, the channel of the PMOS transistor 3 is rendered conductive, the channel of the NMOS transistor 4 is rendered non-conductive, and the output terminal 55 outputs the "H" level. Then, when the input voltage of the input terminal 52 is raised to the power supply voltage or more, the channel of the PMOS transistor 1 becomes conductive when the difference between the power supply voltage and the input voltage reaches the threshold voltage of the PMOS transistor 1. Then, when the input voltage is further increased, PM is higher than the channel resistance of the NMOS transistor 2.
When the channel resistance of the OS transistor 1 becomes low, a voltage higher than the logical threshold voltage is input to the inverting circuit composed of the PMOS transistor 3 and the NMOS transistor 4, and the output terminal 55 is at the “L” level. Is output. When V DET when the power supply voltage is low is matched with the conventional V DET , the channel resistance of the NMOS transistor 5 decreases as the power supply voltage increases, and the inversion formed by the PMOS transistor 3 and the NMOS transistor 4 The logic threshold voltage of the circuit becomes a lower value than before, and as shown in FIG.
The value of V DET is lower than that of the conventional one.
【００１１】図５に示されるのは、本実施例と従来例の
ＶDD−ＶDET 特性を比較して示した図であり、図５より
明らかなように、本発明の場合には、反転出力が得られ
る入力電圧ＶDET は、同一の電源電圧ＶDDに対して従来
例よりも低い電圧であり、使用される電源電圧のレベル
範囲が従来よりも拡大される。FIG. 5 is a diagram showing a comparison between the V DD -V DET characteristics of the present embodiment and the conventional example. As is apparent from FIG. 5, in the case of the present invention, the inversion is performed. The input voltage V DET from which the output is obtained is a voltage lower than that of the conventional example with respect to the same power source voltage V DD , and the level range of the power source voltage used is expanded as compared with the conventional example.
【００１２】次に、本発明の第２の実施例について説明
する。図２は本発明の第２の実施例を示すブロック図で
ある。図２に示されるように、本実施例は、電源端子５
６、５８および５９、入力端子５７および出力端子６０
に対応して、ＰＭＯＳトランジスタ６、８および１１
と、ＮＭＯＳトランジスタ７、９および１０とを備えて
構成される。Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 2 is a block diagram showing a second embodiment of the present invention. As shown in FIG. 2, in this embodiment, the power supply terminal 5
6, 58 and 59, input terminal 57 and output terminal 60
Corresponding to the PMOS transistors 6, 8 and 11
And NMOS transistors 7, 9 and 10.
【００１３】図２において、入力端子５７に入力される
電圧が、電源端子５６の電源電圧以下である場合には、
ＮＭＯＳトランジスタ７のチャネルが導通状態となり、
ＰＭＯＳトランジスタ６のチャネルは非導通状態とな
る。これにより、ＰＭＯＳトランジスタ８のチャネルが
導通状態となり、ＮＭＯＳトランジスタ９のチャネルが
非導通状態となって、出力端子６０における出力として
は“Ｈ”レベルが出力される。そして、入力端子５７の
入力電圧を電源電圧以上に上げてゆくと、電源電圧と入
力電圧との差がＰＭＯＳトランジスタ６のしきい値電圧
に到達した時点において、ＰＭＯＳトランジスタ６のチ
ャネルが導通状態になり、更に入力電圧を上げてゆく
と、ＮＭＯＳトランジスタ７のチャネル抵抗よりもＰＭ
ＯＳトランジスタ６のチャネル抵抗が低くなった時点に
おいて、ＰＭＯＳトランジスタ８とＮＭＯＳトランジス
タ９により構成される反転回路に論理しきい値電圧より
も高い電圧が入力され、出力端子６０には“Ｌ”レベル
が出力される。電源電圧が低い場合におけるＶDET を従
来のＶDET に合わせてみると、電源端子５６における電
源電圧が高くなるにつれて、ＰＭＯＳトランジスタ１１
のチャネルの抵抗が小さくなり、ＰＭＯＳトランジスタ
１１と、抵抗１２とにより構成されるバイアス回路の出
力、即ちＮＭＯＳトランジスタ１０の入力レベルが高く
なり、ＮＭＯＳトランジスタ１０のチャネル抵抗が低く
なって、ＰＭＯＳトランジスタ８とＮＭＯＳトランジス
タ９とにより構成される反転回路の論理しきい値電圧が
低くなり、ＶDET の値は従来例の場合より低い値とな
る。In FIG. 2, when the voltage input to the input terminal 57 is lower than the power supply voltage of the power supply terminal 56,
The channel of the NMOS transistor 7 becomes conductive,
The channel of the PMOS transistor 6 becomes non-conductive. As a result, the channel of the PMOS transistor 8 becomes conductive, the channel of the NMOS transistor 9 becomes nonconductive, and the output terminal 60 outputs the "H" level. Then, when the input voltage of the input terminal 57 is increased to the power supply voltage or more, the channel of the PMOS transistor 6 becomes conductive when the difference between the power supply voltage and the input voltage reaches the threshold voltage of the PMOS transistor 6. When the input voltage is further increased, the PM is higher than the channel resistance of the NMOS transistor 7.
When the channel resistance of the OS transistor 6 becomes low, a voltage higher than the logical threshold voltage is input to the inverting circuit formed by the PMOS transistor 8 and the NMOS transistor 9, and the output terminal 60 is at the “L” level. Is output. When V DET when the power supply voltage is low is matched with the conventional V DET , as the power supply voltage at the power supply terminal 56 increases, the PMOS transistor 11
Of the PMOS transistor 11 and the resistor 12, that is, the input level of the NMOS transistor 10 becomes high, the channel resistance of the NMOS transistor 10 becomes low, and the PMOS transistor 8 becomes low. The logical threshold voltage of the inverting circuit constituted by the NMOS transistor 9 and the NMOS transistor 9 becomes low, and the value of V DET becomes lower than that in the conventional example.
【００１４】[0014]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、継続接
続された反転回路により構成されるテスト回路に適用さ
れて、終段の反転回路の接地側に電源電圧により透過的
に抵抗値が変わる回路を少なくとも１個接続することに
より、テスト時に使用可能な電源電圧の範囲を拡大する
ことができるという効果がある。As described above, the present invention is applied to the test circuit constituted by the continuously connected inverting circuit, and the resistance value is transparently applied to the ground side of the inverting circuit at the final stage by the power supply voltage. By connecting at least one different circuit, it is possible to expand the range of the power supply voltage that can be used during the test.
【図１】本発明の第１の実施例を示す回路図である。FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of the present invention.
【図２】本発明の第２の実施例を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.
【図３】従来例を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing a conventional example.
【図４】テスト回路の使用例を示す図である。FIG. 4 is a diagram illustrating a usage example of a test circuit.
【図５】本発明と従来例とのＶDD−ＶDET 特性を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing V DD -V DET characteristics of the present invention and a conventional example.
１，３，６，８，１１，１３，１５ ＰＭＯＳトラン
ジスタ ２，４，５，７，９，１０，１４，１６ ＮＭＯＳト
ランジスタ １２ 抵抗1,3,6,8,11,13,15 PMOS transistor 2,4,5,7,9,10,14,16 NMOS transistor 12 resistor
Claims (2)
第１の電源端子が接続される第１のＰＭＯＳトランジス
タと、 ドレインに前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレイン
が接続され、ゲートに前記第１の電源端子が接続され
て、ソースが接地される第１のＮＭＯＳトランジスタ
と、 ソースに第２の電源端子が接続され、ゲートに前記第１
のＰＭＯＳトランジスタのドレインならびに前記第１の
ＮＭＯＳトランジスタのドレインが接続されて、ドレイ
ンが出力端子に接続される第２のＰＭＯＳトランジスタ
と、 ドレインに前記出力端子が接続され、ゲートに前記第２
のＰＭＯＳトランジスタのゲートが接続される第２のＮ
ＭＯＳトランジスタと、 ドレインに前記第２のＮＭＯＳトランジスタのソースが
接続され、ゲートに第３の電源端子が接続されて、ソー
スが接地される第３のＮＭＯＳトランジスタと、 を備えることを特徴とするテスト回路。1. A first PMOS transistor having a source connected to an input terminal and a gate connected to a first power supply terminal, a drain connected to a drain of the first PMOS transistor, and a gate connected to the first PMOS transistor. A first NMOS transistor having a power supply terminal connected to the source and a source grounded; and a second power supply terminal connected to the source and the first NMOS transistor connected to the gate.
A second PMOS transistor in which the drain of the PMOS transistor and the drain of the first NMOS transistor are connected, and the drain is connected to the output terminal; and the output terminal is connected to the drain and the second terminal is connected to the gate.
Of the second N connected to the gate of the PMOS transistor of
A test comprising: a MOS transistor; and a third NMOS transistor having a drain connected to the source of the second NMOS transistor, a gate connected to a third power supply terminal, and a source grounded. circuit.
第１の電源端子が接続される第１のＰＭＯＳトランジス
タと、 ドレインに前記第１のＰＭＯＳトランジスタのドレイン
が接続され、ゲートに前記第１の電源端子が接続され
て、ソースが接地される第１のＮＭＯＳトランジスタ
と、 ソースに第２の電源端子が接続され、ゲートに前記第１
のＰＭＯＳトランジスタのドレインならびに前記第１の
ＮＭＯＳトランジスタのドレインが接続されて、ドレイ
ンが出力端子に接続される第２のＰＭＯＳトランジスタ
と、 ドレインに前記出力端子が接続され、ゲートに前記第２
ＰＭＯＳトランジスタのゲートが接続される第２のＮＭ
ＯＳトランジスタと、 ドレインに前記第２のＮＭＯＳトランジスタのソースが
接続され、ソースが接地される第３のＮＭＯＳトランジ
スタと、 ソースに第３の電源端子が接続され、ゲートが接地され
て、ドレインに前記第３のＮＭＯＳトランジスタのゲー
トが接続される第３のＰＭＯＳトランジスタと、 一端が前記第３のＰＭＯＳトランジスタのドレインに接
続され、他端が接地される抵抗と、 を備えることを特徴とするテスト回路。2. A first PMOS transistor having a source connected to an input terminal and a gate connected to a first power supply terminal, a drain connected to a drain of the first PMOS transistor, and a gate connected to the first PMOS transistor. A first NMOS transistor having a power supply terminal connected to the source and a source grounded; and a second power supply terminal connected to the source and the first NMOS transistor connected to the gate.
A second PMOS transistor in which the drain of the PMOS transistor and the drain of the first NMOS transistor are connected, and the drain is connected to the output terminal; and the output terminal is connected to the drain and the second terminal is connected to the gate.
The second NM to which the gate of the PMOS transistor is connected
An OS transistor, a drain is connected to the source of the second NMOS transistor, a source is grounded, a third NMOS transistor, a source is connected to a third power supply terminal, a gate is grounded, and a drain is connected to the drain. A test circuit comprising: a third PMOS transistor to which the gate of the third NMOS transistor is connected; and a resistor having one end connected to the drain of the third PMOS transistor and the other end grounded. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206370A JP2927112B2 (en) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | Test circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4206370A JP2927112B2 (en) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | Test circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0651023A true JPH0651023A (en) | 1994-02-25 |
| JP2927112B2 JP2927112B2 (en) | 1999-07-28 |
Family
ID=16522208
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4206370A Expired - Fee Related JP2927112B2 (en) | 1992-08-03 | 1992-08-03 | Test circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2927112B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6079828A (en) * | 1997-03-04 | 2000-06-27 | Nidek Co., Ltd. | Ophthalmic measurement apparatus |
-
1992
- 1992-08-03 JP JP4206370A patent/JP2927112B2/en not_active Expired - Fee Related
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| US6079828A (en) * | 1997-03-04 | 2000-06-27 | Nidek Co., Ltd. | Ophthalmic measurement apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2927112B2 (en) | 1999-07-28 |
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