JPH0650135Y2 - ダイヤモンドブレード - Google Patents

ダイヤモンドブレード

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JPH0650135Y2
JPH0650135Y2 JP1991007657U JP765791U JPH0650135Y2 JP H0650135 Y2 JPH0650135 Y2 JP H0650135Y2 JP 1991007657 U JP1991007657 U JP 1991007657U JP 765791 U JP765791 U JP 765791U JP H0650135 Y2 JPH0650135 Y2 JP H0650135Y2
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JP
Japan
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diamond
tip
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abrasive grain
standard
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JP1991007657U
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JPH04112775U (ja
Inventor
昌之 安藤
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Sankyo Diamond Industrial Co Ltd
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Sankyo Diamond Industrial Co Ltd
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  • Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本考案は、主として石材、コンク
リート等の硬脆材料を切断するのに使用されるダイヤモ
ンドブレードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】一般に、石材等を切断するダイヤモンド
ブレードとしては、複数のダイヤモンド砥粒を含む単層
チップを用いて、等間隔に鋼製円形基板の外周面に取付
けられたものが使用されている。しかし、上記単層チッ
プを取着したダイヤモンドブレードには、切削作業が進
行するにつれて、チップの外周面と側面との境界部(い
わゆる肩部)が丸みを帯びて、いわゆる「肩だれ」を起
こして、切れ味が低下するという問題がある。この問題
を解決するために、米国特許第3,028,710号に
開示されたような三層構造のダイヤモンドチップを用い
たダイヤモンドブレードが提案された。この三層構造の
ダイヤモンドチップは、図11乃至図13に示されるよ
うに、外側層52b、中央層52a、下地層52cから
成り、鋼製基板51の外周面に固着されている。外側層
52bに含まれているダイヤモンド砥粒の集中度は、中
央層52aに含まれているダイヤモンド砥粒の集中度よ
り遥かに高く構成され、このため切削作業の進行に伴
い、中央層52aが外側層52bより多く摩耗して、チ
ップ52の外周面52dが、図13の如き凹状を呈し、
ダイヤモンドブレードの切れ味が向上するという効果が
ある。
【0003】
【考案が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来技術のような三層構造のダイヤモンドチップは、各チ
ップの両側側面の全体が平行な側面となり、各チップ側
面の全域が切削作業に直接関与するので、従前からの問
題である切削圧(側面抵抗)が高くなると共に、機械の
電力消費量も多くなり、また切削時における冷却水によ
る冷却効果も不十分である等の問題は解決されていな
い。
【0004】本考案の目的は、ダイヤモンドブレードに
おいて、切れ味を向上させるだけでなく、切削圧を減少
させると共に、切削時における冷却水による冷却効果を
向上させることのできる二層又は三層構造から成る多層
ダイヤモンドチップを有するダイヤモンドブレードを提
供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本考案は上記課題を解決
するためになされたものであり、本考案のダイヤモンド
ブレードは、鋼製円形基板の外周面に複数個のダイヤモ
ンドチップを固着したダイヤモンドブレードにおいて、
前記ダイヤモンドチップは平行な2側面を備えた単層ダ
イヤモンドチップからなる標準チップの少なくとも一方
の側面の一部分に、前記標準チップよりダイヤモンド砥
粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を形成させて多層ダ
イヤモンドチップとしたものである。
【0006】上記高集中度のダイヤモンド砥粒層は、上
記標準チップの両側面の一部分に形成させて部分的な三
層構造にしたり、または標準チップの片側面の一部分に
形成させて、部分的に二層構造にした多層ダイヤモンド
チップを、標準チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高
いダイヤモンド砥粒層の位置が隣の多層ダイヤモンドチ
ップと反対位置になるように配置すると好適である。
【0007】
【実施例】次に、本考案の実施例を添付図面を参照して
説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は本考案
を限定する趣旨ではなく、本考案の趣旨に反しない範囲
において、種々改変することができるものである。
【0008】図1乃至図3は本考案の第1実施例を説明
するものであり、図1はダイヤモンドブレードの部分側
面図、図2は図1の部分外周展開図、図3は図2の拡大
C−C断面図である。本例のダイヤモンドブレードS
は、鋼製円形基板1と、複数のダイヤモンドチップ2と
からなり、図1乃至図3で示されるように、円形基板1
の外周には複数のダイヤモンドチップ2が、割溝3を介
して互いに所定間隔毎にロー付け又はレーザー溶接等の
周知技術によって固着されている。
【0009】本例のダイヤモンドチップ2は、平行な2
側面2c,2cをそなえた単層チップからなる標準チッ
プ2aの部分と、この標準チップ2aの一部で且つ両側
の側面に形成されたダイヤモンド砥粒層2bと、を備え
た部分的な三層構造から構成され、標準チップ2aとダ
イヤモンド砥粒層2bは同時に焼結して形成されてい
る。標準チップ2aの部分は、図2及び図3で示すよう
に、厚さT、高さX、長さL1で構成されている。また
ダイヤモンド砥粒層2bの部分は、厚さt1、高さX、
長さL2(L2はL1の約半分前後)からなり、上記標
準チップ2aの回転方向(矢印Rで示す)前部の両側面
に位置するように、標準チップ2aと一体に形成されて
おり、ダイヤモンド砥粒層2bの側面は切削面2dとな
っている。このように本例では、標準チップ2aとダイ
ヤモンド砥粒層2bとの高さXは同じに形成し、長さは
標準チップ2aの略半分にして構成されている。そして
ダイヤモンド砥粒層2bに含まれているダイヤモンド砥
粒の集中度は、標準チップ2aのダイヤモンド砥粒集中
度より高く構成されている。
【0010】ダイヤモンドチップ2を本例のような構成
にすると、ダイヤモンド砥粒層2bの両側面である切削
面2dが切削に直接関与し、標準チップ2aの両側面2
cが切削作業には直接関与しないので、切削圧(側面抵
抗)が減少する。
【0011】上記実施例では、ダイヤモンド砥粒層2b
の側面形状を略四角形として形成しているが、逆台形等
の他の形状にしてもよい。また、ダイヤモンド砥粒層2
bの回転方向前端が標準チップ2aの前端と一致させて
形成しているが、ダイヤモンド砥粒層2bを標準チップ
2aの中央部付近の側面に形成してもよい。さらに、標
準チップ2aの厚さTを円形基板1の厚さと同じにして
もよい。
【0012】図4及び図5は本考案の第2実施例を示す
ものである。なお、本例を含めて以下の実施例において
は、上記第1実施例と同一部材等には同一符号を付して
その説明を省略する。本例のダイヤモンドチップ12
は、標準チップ12aの両側面の各2個所(前部と後
部)に、厚さt2、高さX、長さL3のダイヤモンド砥
粒層12bが形成されたものである。ダイヤモンド砥粒
層12bのダイヤモンド砥粒集中度は、第1実施例と同
様に、標準チップ12aより高くなっている。その他の
構成、効果などは第1実施例と同一であり、説明を省略
する。
【0013】図6乃至図8は本考案の第3実施例を示す
ものである。この例のダイヤモンドチップ22は、標準
チップ22aの回転方向前部の片側面に、厚さt3、高
さX、長さL4のダイヤモンド砥粒層22bが形成され
ている。本例は、部分的な二層構造のダイヤモンドチッ
プであり、ダイヤモンド砥粒層22bの位置が隣接する
ダイヤモンドチップ22と交互に反対位置に形成されて
おり、切断作業に直接関与する左側面の総面積が右側面
の総面積と同一になっている(但し、チップ22の数が
偶数の場合)。なお、本実施例の場合も、ダイヤモンド
砥粒層22bのダイヤモンド砥粒集中度は厚さTの標準
チップ22aより高くなっている。
【0014】ダイヤモンドチップを上記実施例のような
構成にすれば、標準チップ22aのダイヤモンド砥粒層
側の側面22cが切削作業に直接関与しないので、切削
圧(側面抵抗)が減少する。
【0015】上記実施例では、第1実施例と同様に、ダ
イヤモンド砥粒層22bの側面形状が略四角形になって
いるが、逆台形などの他の形状にしてもよい。なお、本
例ではダイヤモンド砥粒層22bの位置が隣接するダイ
ヤモンドチップ22と交互に反対位置に形成している
が、ダイヤモンドチップの数が多い場合等においては、
ダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を同
一方向に2つ連続したものを交互にしてもよい。このと
きにも切断作業に直接関与する左右の総面積が左右同一
にすると、回転バランス及び切削バランス上で好適であ
る。
【0016】図9及び図10は本考案の第4実施例を示
すもので、本例のダイヤモンドチップ32は、標準チッ
プ32aの片側面の2個所(前部と後部)に、厚さt
4、高さX、長さL5のダイヤモンド砥粒層32bが形
成されたものである。本例のダイヤモンドチップ32は
第3実施例と同様に、部分的な二層構造となっており、
切削作業に直接関与する左側面の総面積が右側面の総面
積と同一になっている。その他の構成、効果などは第3
実施例と同一であり、説明を省略する。なお本例におい
ても、上記第3実施例と同様に、ダイヤモンドチップの
ダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を同
一方向に2つ連続したものを交互にしてもよい。このと
きにも切断作業に直接関与する左右の総面積が左右同一
にすると、回転バランス及び切削バランス上で好適であ
る。
【0017】なお、上記第3及び第4実施例に示した二
層構造のダイヤモンドチップのダイヤモンド砥粒層の厚
さt3及びt4は、切削作業の進行に伴うチップ外周面
の凹状化を配慮して、三層構造チップのt1及びt2
(第1及び第2実施例)より厚くなっている。上記各構
成に係るダイヤモンドブレードは外径が250mm程度
乃至2,500mm程度のものに好適に用いられるもの
であり、ダイヤモンドチップ2の具体的な寸法として、
標準チップの厚さTとしては1.5乃至6mm程度,ダ
イヤモンド砥粒層の厚さt1,t2としては0.5乃至
2.0程度,厚さt3,t4としては1.0乃至4.0
程度が好ましく、標準チップ或はダイヤモンド砥粒層の
高さXとしては5乃至10mm程度,標準チップの長さ
L1としてはは35乃至50mm程度が好ましい。また
各実施例におけるダイヤモンド砥粒層の全体の厚さとし
ては2.5≦T+2×t1≦10(単位mm),2.5
≦T+2×t2≦10(単位mm)、2.5≦T+t3
≦10(単位mm),2.5≦T+t4≦10(単位m
m)とすることが好ましい。
【0018】
【考案の効果】上記構成からなる本考案によれば、ダイ
ヤモンドチップが標準チップとダイヤモンド砥粒層とか
ら構成された部分的な多層チップとして、円形基板の外
周に固着することによって、従来の三層チップと同様
に、切削作業の進行に伴うチップ外周面の凹状化という
利点を有したまま、切削圧(側面抵抗)の低いダイヤモ
ンドブレードを提供することができる。従って、本考案
のダイヤモンドブレードを使って石材等を切断すれば、
切れ味を維持したまま切削圧が減少するので、生産性が
向上する。
【0019】また、各チップの側面の一部が被削材の切
削面に直接接触しないので、側面全域が切削作業に直接
関与していた従来のダイヤモンドブレードに比べて、切
削作業中の切削圧(側面抵抗)が低減すると共に、冷却
水の回りがよくなり、機械の電力消費量も低減する。さ
らに、冷却水の回りがよくなると、切削作業中の摩擦抵
抗が小さくなり、切削による切屑の排出が改善されるの
で、作業能率も上がる。
【0020】このように、本考案によれば、多層チップ
本来の切れ味を低下させることなく、側面抵抗の低いブ
レードを作ることができるので、冷却水を用いない乾式
切削の場合でも、生産性向上に大きく寄与するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本考案に係る第1実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。
【図2】図1におけるダイヤモンドブレードの部分外周
展開図である。
【図3】図2の拡大C−C断面図である。
【図4】本考案に係る第2実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。
【図5】図4おけるダイヤモンドブレードの部分外周展
開図である。
【図6】本考案に係る第3実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。
【図7】図6におけるダイヤモンドブレードの部分外周
展開図である。
【図8】図7の拡大C−C断面図である。
【図9】本考案に係る第4実施例のダイヤモンドブレー
ドの部分側面図である。
【図10】図9におけるダイヤモンドブレードの部分外
周展開図である。
【図11】従来例のダイヤモンドブレードの部分側面図
である。
【図12】図11の拡大B−B断面図である。
【図13】従来例の使用されたダイヤモンドチップ部分
の拡大断面図である。
【符号の説明】
1 鋼製円形基板 2,12,22,32 ダイヤモンドチップ 2a,12a,22a,32a 標準チップ 2b,12b,22b,32b ダイヤモンド砥粒層 2d 側面(切削側面) S ダイヤモンドブレード

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 鋼製円形基板の外周面に複数個のダイヤ
    モンドチップを固着したダイヤモンドブレードにおい
    て、前記ダイヤモンドチップは平行な2側面を備えた単
    層ダイヤモンドチップからなる標準チップの少なくとも
    一方の側面の一部分に、前記標準チップよりダイヤモン
    ド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層を形成させて多
    層ダイヤモンドチップとしたことを特徴とするダイヤモ
    ンドブレード。
  2. 【請求項2】 前記標準チップの両側面の一部分に標準
    チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモンド
    砥粒層を形成させて、多層ダイヤモンドチップを部分的
    に三層構造としたことを特徴とする請求項1記載のダイ
    ヤモンドブレード。
  3. 【請求項3】 前記標準チップの一方の側面の一部分に
    標準チップよりダイヤモンド砥粒集中度の高いダイヤモ
    ンド砥粒層を形成させて、部分的に二層構造にした多層
    ダイヤモンドチップを、前記標準チップよりダイヤモン
    ド砥粒集中度の高いダイヤモンド砥粒層の位置が隣の多
    層ダイヤモンドチップと反対位置になるように配置した
    ことを特徴とする請求項1記載のダイヤモンドブレー
    ド。
JP1991007657U 1991-01-29 1991-01-29 ダイヤモンドブレード Expired - Lifetime JPH0650135Y2 (ja)

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JPH04112775U JPH04112775U (ja) 1992-09-30
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JP6211472B2 (ja) * 2014-06-26 2017-10-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド セグメントチップ

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