JPH0649563B2 - 過酸化水素の製造方法 - Google Patents
過酸化水素の製造方法Info
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- JPH0649563B2 JPH0649563B2 JP2039877A JP3987790A JPH0649563B2 JP H0649563 B2 JPH0649563 B2 JP H0649563B2 JP 2039877 A JP2039877 A JP 2039877A JP 3987790 A JP3987790 A JP 3987790A JP H0649563 B2 JPH0649563 B2 JP H0649563B2
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- C01—INORGANIC CHEMISTRY
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- Luminescent Compositions (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 本発明は、アントラキノン溶液と水素ガスとをいわゆる
プラグ流が得られるように、反応器に供給するアルキル
化アントラセンの交互の還元と酸化による、過酸化水素
の製造方法に関する。
プラグ流が得られるように、反応器に供給するアルキル
化アントラセンの交互の還元と酸化による、過酸化水素
の製造方法に関する。
［従来技術］ 一般に、過酸化水素は適当な有機溶媒に溶解したアルキ
ル化アントラキノンの交互の還元と酸化による、いわゆ
るアントラキノン法によって製造される。アントラキノ
ン溶液、いわゆる使用液を最初に、いわゆる水素化工程
において触媒の存在下で、水素ガスによって処理する。
次に、使用液をいわゆる酸化工程に導き、そこで空気ま
たは酸素含有ガスと接触させて、過酸化水素を形成す
る。これらの水素化工程と酸化工程の反応図式の１例を
次に示す。： Ｒ＝アルキル（例えばＣ２Ｈ５） 次ぎに、過酸化水素を含む使用液を通常、いわゆる抽出
工程に導き、そこで水による抽出によって使用液から過
酸化水素を取り出し、次に使用液を上記反応工程の次の
サイクルのために水素化工程に再循環する。
ル化アントラキノンの交互の還元と酸化による、いわゆ
るアントラキノン法によって製造される。アントラキノ
ン溶液、いわゆる使用液を最初に、いわゆる水素化工程
において触媒の存在下で、水素ガスによって処理する。
次に、使用液をいわゆる酸化工程に導き、そこで空気ま
たは酸素含有ガスと接触させて、過酸化水素を形成す
る。これらの水素化工程と酸化工程の反応図式の１例を
次に示す。： Ｒ＝アルキル（例えばＣ２Ｈ５） 次ぎに、過酸化水素を含む使用液を通常、いわゆる抽出
工程に導き、そこで水による抽出によって使用液から過
酸化水素を取り出し、次に使用液を上記反応工程の次の
サイクルのために水素化工程に再循環する。
水素化はこの連続プロセスの重要な工程であり、ここで
は多くの問題点に直面する。水素化中は、高度で均一な
生産力が大きく要求されるばかりでなく、過酸化水素の
形成を妨げるかまたは悪化させる二次反応を避けるため
の反応の選択性も要求される。この選択性は多くの要素
に依存し、特にアントラキノンの反応度、水素化温度、
水素ガス圧、触媒、触媒中の流動条件に依存する。
は多くの問題点に直面する。水素化中は、高度で均一な
生産力が大きく要求されるばかりでなく、過酸化水素の
形成を妨げるかまたは悪化させる二次反応を避けるため
の反応の選択性も要求される。この選択性は多くの要素
に依存し、特にアントラキノンの反応度、水素化温度、
水素ガス圧、触媒、触媒中の流動条件に依存する。
一般的な方法は懸濁形の触媒による水素化であり、３反
応相間の良好な接触、高い生産力と選択性が得られる。
しかし、この方法では、完成水素化溶液を次の処理工程
に導く場合に、フィルターが、例えば触媒粒子によって
閉塞されやすい。または粒子の漏出が生ずるという点で
ろ過の困難が生ずる。使用するフィルターは通常高価で
あり、非常な注意を必要とする。
応相間の良好な接触、高い生産力と選択性が得られる。
しかし、この方法では、完成水素化溶液を次の処理工程
に導く場合に、フィルターが、例えば触媒粒子によって
閉塞されやすい。または粒子の漏出が生ずるという点で
ろ過の困難が生ずる。使用するフィルターは通常高価で
あり、非常な注意を必要とする。
このようなろ過の困難さを避けるために、触媒を固定床
に塗布する（いわゆる固定床水素化）。このようにし
て、ろ過の困難さが避けられるが、生産力と選択性の結
果は懸濁触媒水素化によって得られた結果に比べて、し
ばしば劣る。この理由は不均一な流れの分布（いわゆる
チャンネリング）と床を横切る大きい圧力低下のため
に、３反応相の間の接触が劣ることによる。
に塗布する（いわゆる固定床水素化）。このようにし
て、ろ過の困難さが避けられるが、生産力と選択性の結
果は懸濁触媒水素化によって得られた結果に比べて、し
ばしば劣る。この理由は不均一な流れの分布（いわゆる
チャンネリング）と床を横切る大きい圧力低下のため
に、３反応相の間の接触が劣ることによる。
固定床水素化を改良する方法の１つは、同じような並行
チャンネル、いわゆる一体式固定床、として固定床を配
置することである（ヨーロッパ特許出願第102,934 号参
照）。このようにして、３相の接触は改良され、流れの
分布は均一になり、圧力低下は小さくなる。
チャンネル、いわゆる一体式固定床、として固定床を配
置することである（ヨーロッパ特許出願第102,934 号参
照）。このようにして、３相の接触は改良され、流れの
分布は均一になり、圧力低下は小さくなる。
［技術的問題］ 本発明は、水素ガスを通常、例えばいわゆる孔質フィル
ターまたはエジェクターを介して、小気泡として液相に
供給する一体式固定床水素化の改良に関する。これらの
気泡は通常、一体式固定床のチャンネルの直径よりも小
さく、生ずる流れの種類は気泡流（bubble flow）と呼
ばれる；第１ａ図参照。
ターまたはエジェクターを介して、小気泡として液相に
供給する一体式固定床水素化の改良に関する。これらの
気泡は通常、一体式固定床のチャンネルの直径よりも小
さく、生ずる流れの種類は気泡流（bubble flow）と呼
ばれる；第１ａ図参照。
理論的計算によると、いわゆるテイラー流(Taylor flo
w)すなわち実際に全チャンネル直径を横切る大きい気
泡、液相によって分離されるいわゆるガスプラグ（第Ｉ
ｂ図参照）は触媒表面へまたは触媒表面からの物質移動
を改良する。良好な物質移動の理由はガス相から薄い液
体フィルムを介して触媒表面までの拡散距離が短いこと
と、ガスプラグ間の液体プラグ内の高度の攪流にある。
w)すなわち実際に全チャンネル直径を横切る大きい気
泡、液相によって分離されるいわゆるガスプラグ（第Ｉ
ｂ図参照）は触媒表面へまたは触媒表面からの物質移動
を改良する。良好な物質移動の理由はガス相から薄い液
体フィルムを介して触媒表面までの拡散距離が短いこと
と、ガスプラグ間の液体プラグ内の高度の攪流にある。
計算は、直径１〜３mmを有するチャンネル内で液体プラ
グが数mm、最大10mmの長さを有すべきこと、及びガスプ
ラグがほぼ同じ長さを有すべきことを示している。良好
な物質移動のために、チャンネル内の速度は少なくとも
0.15ｍ／秒であるべきである。
グが数mm、最大10mmの長さを有すべきこと、及びガスプ
ラグがほぼ同じ長さを有すべきことを示している。良好
な物質移動のために、チャンネル内の速度は少なくとも
0.15ｍ／秒であるべきである。
今までの困難な点は、大きな反応器内で便利な方法でテ
イラー流を得ることであった。チャンネルの直径を越え
る直径の水素ガス泡の均一な供給を確保することが容易
ではなく、さらに、気泡が結合して環状流になりやす
く、（第１ｃ図参照）、液体はチャンネル壁に沿って流
れ、チャンネルの中心はガスによって満たされる。この
種類の流れは生産力を明白に減ずることになる。実際の
使用では、純粋に理想的な場合に応じた理想的なテイラ
ー流すなわち小気泡と同様に起り得る非理想性（nonide
alities）を全く含まない流れを得ることが全く不可能
であるので、ガスプラグを囲繞する液体プラグが気泡流
中と同じ種類の小気泡を含む流れであるいわゆるプラグ
流（第１ｄ図参照）を受入れなければならない。
イラー流を得ることであった。チャンネルの直径を越え
る直径の水素ガス泡の均一な供給を確保することが容易
ではなく、さらに、気泡が結合して環状流になりやす
く、（第１ｃ図参照）、液体はチャンネル壁に沿って流
れ、チャンネルの中心はガスによって満たされる。この
種類の流れは生産力を明白に減ずることになる。実際の
使用では、純粋に理想的な場合に応じた理想的なテイラ
ー流すなわち小気泡と同様に起り得る非理想性（nonide
alities）を全く含まない流れを得ることが全く不可能
であるので、ガスプラグを囲繞する液体プラグが気泡流
中と同じ種類の小気泡を含む流れであるいわゆるプラグ
流（第１ｄ図参照）を受入れなければならない。
先行技術の、固定床触媒によるアントラキノン溶液の水
素化では、液体を反応器底部に供給し、水素ガスを固定
床触媒の直接下方に何らかの分配装置、例えば孔質フィ
ルターを介して供給し、それによって気泡流が得られ
る。先行技術の方法による固定床水素化を第２図に示
す。このような反応器をより大きい規模で建造しようと
試みる場合に、反応器横断面を横切る水素ガスと液体の
良好な分布を得ることに困難さがあり、触媒活性の低下
と生産力の低下が生ずる。流れの形態をより大きい気泡
を生ずるように変えようと試みる場合に、シャットル弁
または往復ポンプによるガスと液体の交互供給を用いる
ことができる。これは今まで研究活動にのみ用いられて
きたプラグ流を得る１方法である。しかし、この方法は
機械的にあまりに複雑であり、これらの供給方法を実際
の用途の大規模な使用には適用できない。
素化では、液体を反応器底部に供給し、水素ガスを固定
床触媒の直接下方に何らかの分配装置、例えば孔質フィ
ルターを介して供給し、それによって気泡流が得られ
る。先行技術の方法による固定床水素化を第２図に示
す。このような反応器をより大きい規模で建造しようと
試みる場合に、反応器横断面を横切る水素ガスと液体の
良好な分布を得ることに困難さがあり、触媒活性の低下
と生産力の低下が生ずる。流れの形態をより大きい気泡
を生ずるように変えようと試みる場合に、シャットル弁
または往復ポンプによるガスと液体の交互供給を用いる
ことができる。これは今まで研究活動にのみ用いられて
きたプラグ流を得る１方法である。しかし、この方法は
機械的にあまりに複雑であり、これらの供給方法を実際
の用途の大規模な使用には適用できない。
［本発明の説明］ 過酸化水素の製造において、細心に調節した液量を上方
から触媒チャンネルに供給する場合に、また水素ガスを
供給する場合にも、固定床水素化反応器の一体式触媒の
触媒チャンネル内にほぼ理想的なプラグ流(plug flow)
が発生することが、今回、以外にも発見された。液体供
給量が重力の作用下で流出する量よりも少ない場合、ガ
スが自動的に混合される。次に、液体は重力の作用下で
チャンネルを通って下方に流れ、囲繞するガスも好まし
く共に運ばれ、ガスプラグすなわち触媒チャンネルの直
径に近い直径の気泡及び適当な長さの液体プラグが形成
される。これらのテストでは、チャンネル内の約0.4 ｍ
／秒の下降速度が得られ、これは良好な物質移動を生ず
るために充分以上である。液体プラグとガスプラグの長
さは数mmになる。本発明による固定床水素化を第３図に
示す。
から触媒チャンネルに供給する場合に、また水素ガスを
供給する場合にも、固定床水素化反応器の一体式触媒の
触媒チャンネル内にほぼ理想的なプラグ流(plug flow)
が発生することが、今回、以外にも発見された。液体供
給量が重力の作用下で流出する量よりも少ない場合、ガ
スが自動的に混合される。次に、液体は重力の作用下で
チャンネルを通って下方に流れ、囲繞するガスも好まし
く共に運ばれ、ガスプラグすなわち触媒チャンネルの直
径に近い直径の気泡及び適当な長さの液体プラグが形成
される。これらのテストでは、チャンネル内の約0.4 ｍ
／秒の下降速度が得られ、これは良好な物質移動を生ず
るために充分以上である。液体プラグとガスプラグの長
さは数mmになる。本発明による固定床水素化を第３図に
示す。
従って、本発明はアントラキノン方法による過酸化水素
の製造方法に関する。本発明の特徴は請求の範囲に述べ
るが、100 ℃未満の温度、1.5 Ｍｐａ未満の圧力におけ
る水素化中にアントラキノン含有使用液が縦型一体式固
定床反応器の上端に供給され、触媒床の表面全体に均一
に分布され、これと同時に、水素ガスまたは水素ガス含
有ガスが供給され、触媒チャンネルの直径に近い直径を
有する気泡が形成され、ガスプラグと液体プラグがチャ
ンネルを通って交互に下方に流れるように、使用液流が
調節されることを意味する。
の製造方法に関する。本発明の特徴は請求の範囲に述べ
るが、100 ℃未満の温度、1.5 Ｍｐａ未満の圧力におけ
る水素化中にアントラキノン含有使用液が縦型一体式固
定床反応器の上端に供給され、触媒床の表面全体に均一
に分布され、これと同時に、水素ガスまたは水素ガス含
有ガスが供給され、触媒チャンネルの直径に近い直径を
有する気泡が形成され、ガスプラグと液体プラグがチャ
ンネルを通って交互に下方に流れるように、使用液流が
調節されることを意味する。
液体が触媒床全体に均一に噴霧されるように、適当な孔
面積と孔間隔とを有する孔質プレートを介して液体を供
給することが適当であると判明している。水素ガスは孔
質プレートと触媒床との間に供給するのが好ましい。
面積と孔間隔とを有する孔質プレートを介して液体を供
給することが適当であると判明している。水素ガスは孔
質プレートと触媒床との間に供給するのが好ましい。
第３図に示すように、反応器底部の未反応水素は外部連
絡路または内部連絡路を介して反応器の上部に再循環さ
れる。帰り管内の動圧低下が無視できるものであるなら
ば、下降流中の動圧低下は静圧増加によって正確に調節
されるので、反応器内の総圧力は一定である。反応速度
は圧力の上昇と共に増加するので、反応器全体の圧力が
一体であることは非常に有利であるが、圧力が高くなり
すぎると、二次反応が許容しがたいレベルにまで生ず
る。圧力が一定であるので、圧力を適切なレベルに設定
して、反応速度が反応器全体で高くなるが、反応器の如
何なる部分においても好ましくない二次反応が生じない
ようにすることができる。
絡路または内部連絡路を介して反応器の上部に再循環さ
れる。帰り管内の動圧低下が無視できるものであるなら
ば、下降流中の動圧低下は静圧増加によって正確に調節
されるので、反応器内の総圧力は一定である。反応速度
は圧力の上昇と共に増加するので、反応器全体の圧力が
一体であることは非常に有利であるが、圧力が高くなり
すぎると、二次反応が許容しがたいレベルにまで生ず
る。圧力が一定であるので、圧力を適切なレベルに設定
して、反応速度が反応器全体で高くなるが、反応器の如
何なる部分においても好ましくない二次反応が生じない
ようにすることができる。
帰り管内の圧力低下が低いならば、下降速度は0.4 m3液
体／m2・秒（すなわち100 ％液体と０％ガス）から約0.
1 m3液体／m2・秒（すなわち25％液体と75％ガス）まで
の液体負荷に対して約0.4 ｍ／秒である。液体負荷がさ
らに減少するならば、プラグ流が環状流になるので、下
降速度が低下する。同時に、生産力は明白に低下する。
体／m2・秒（すなわち100 ％液体と０％ガス）から約0.
1 m3液体／m2・秒（すなわち25％液体と75％ガス）まで
の液体負荷に対して約0.4 ｍ／秒である。液体負荷がさ
らに減少するならば、プラグ流が環状流になるので、下
降速度が低下する。同時に、生産力は明白に低下する。
適当な流速度は0.4 ｍ／秒であるが、望ましい場合に
は、水素ガス帰り管を絞ることによって、流速度をさら
に減ずることができる。例えば、コンプレッサーまたは
エジェクターによって底部から上部へガスを送ることに
よって、高い流速度が得られる。
は、水素ガス帰り管を絞ることによって、流速度をさら
に減ずることができる。例えば、コンプレッサーまたは
エジェクターによって底部から上部へガスを送ることに
よって、高い流速度が得られる。
反応器を通して水素ガスの割合を高く維持できるという
事実のために、排出ガス流なしに反応器をランする場合
にも生産力は低下せず、このことは先行技術の方法に対
する大きな改良である。水素ガス消費は理論的に可能な
消費に非常に近い。
事実のために、排出ガス流なしに反応器をランする場合
にも生産力は低下せず、このことは先行技術の方法に対
する大きな改良である。水素ガス消費は理論的に可能な
消費に非常に近い。
同時に、水素ガスの高い割合は反応器内の使用液の低い
割合を意味し、このことも比較的高価な使用液量が減少
されるので、先行技術の方法に対する改良である。
割合を意味し、このことも比較的高価な使用液量が減少
されるので、先行技術の方法に対する改良である。
最後に、高いガス割合は0.1 m3／m2・秒程度の低い液体
流にも拘らず下降速度が維持されるので、液体循環に必
要なポンプ輸送力が気泡流方法に比べて減じられること
を意味する。
流にも拘らず下降速度が維持されるので、液体循環に必
要なポンプ輸送力が気泡流方法に比べて減じられること
を意味する。
本発明のさらに有利な利点は、大サイズ反応器において
も小サイズ反応器の高い生産力が維持されることであ
り、このことは、気泡流方法では大サイズ反応器内では
ガスと液体の分布が悪くなるので、今までは不可能であ
った。
も小サイズ反応器の高い生産力が維持されることであ
り、このことは、気泡流方法では大サイズ反応器内では
ガスと液体の分布が悪くなるので、今までは不可能であ
った。
第１図〜第３図を含む添付図において、第１図は上記の
４種類の流れのタイプすなわち気泡流（第１ａ図）、テ
イラー流（第１ｂ図）、環状流（第１ｃ図）、プラグ流
（第１ｄ図）を説明する。
４種類の流れのタイプすなわち気泡流（第１ａ図）、テ
イラー流（第１ｂ図）、環状流（第１ｃ図）、プラグ流
（第１ｄ図）を説明する。
第２図は先行技術の方法による固定床水素化を説明し、
第３図は本発明による固定床水素化を説明する。固定床
触媒２を含む反応器１を示す。第２図は分配フィルター
３を示し、第３図は孔質プレート４を示す。水素ガス管
はＨ２のしるしをつけ、アントラキノン使用液を導く管
には、流入液についてはＡ、流出液についてはＡ(Hyd
r.）のしるしをつける。
第３図は本発明による固定床水素化を説明する。固定床
触媒２を含む反応器１を示す。第２図は分配フィルター
３を示し、第３図は孔質プレート４を示す。水素ガス管
はＨ２のしるしをつけ、アントラキノン使用液を導く管
には、流入液についてはＡ、流出液についてはＡ(Hyd
r.）のしるしをつける。
つぎに、本発明を下記の例に関してさらに詳細に説明す
るが、これらの例は本発明を単に説明するものであり、
本発明を限定するものではない。
るが、これらの例は本発明を単に説明するものであり、
本発明を限定するものではない。
実施例１ この実施例は、ガスと液体を本発明によって供給する場
合の固定床のチャンネル内の流れの形態を示す。
合の固定床のチャンネル内の流れの形態を示す。
垂直ガラス管、ガラス管上端に配置したアントラキノン
使用液を含むビューレット及びガラス管の下端に配置し
た流量測定用のガラス測定器から成る簡単な試験装置を
使用した。ガラス管の高さ（200 mm）は実際の触媒床の
高さと同じであり、直径（1.5 mm）は実際の触媒床のチ
ャンネルに相当する。ガラス管は実際の触媒床と同じ摩
擦係数を与えるためにシリカ製内部被覆を有する。試験
は慣習的なアントラキノン使用液と空気を用いて室温に
おいて実施する。得られた結果を第１表に示す。
使用液を含むビューレット及びガラス管の下端に配置し
た流量測定用のガラス測定器から成る簡単な試験装置を
使用した。ガラス管の高さ（200 mm）は実際の触媒床の
高さと同じであり、直径（1.5 mm）は実際の触媒床のチ
ャンネルに相当する。ガラス管は実際の触媒床と同じ摩
擦係数を与えるためにシリカ製内部被覆を有する。試験
は慣習的なアントラキノン使用液と空気を用いて室温に
おいて実施する。得られた結果を第１表に示す。
第１表は、0.1 m3／m2・秒未満の液体負荷ではプラグ流
が不安定になり、環状流に変化することを示す。
が不安定になり、環状流に変化することを示す。
実施例２ この実施例は、流れ(running)が上流の気泡流から下流
のプラグ流に変化すると50の触媒量を有する反応器内
の生産力が改善されることを示す。
のプラグ流に変化すると50の触媒量を有する反応器内
の生産力が改善されることを示す。
アントラキノン含有使用液を一方では本発明に従って、
他方では先行技術の方法に従って、縦型反応器に導入し
た。反応器は上記量の一体式固定床触媒（チャンネル直
径1.5 mm、チャンネル長さ200 mm）を含有した。両方の
場合に、水素ガスを導入した。気泡流による操作では、
反応器の底部と頂部では圧力が異なり、表には平均圧力
を示す。プラグ流による操作では、反応器を通して圧力
は同じである。生産力の測定は触媒１m3、１時間あたり
の過酸化水素kgで示す。得られた結果を第２表に示す。
他方では先行技術の方法に従って、縦型反応器に導入し
た。反応器は上記量の一体式固定床触媒（チャンネル直
径1.5 mm、チャンネル長さ200 mm）を含有した。両方の
場合に、水素ガスを導入した。気泡流による操作では、
反応器の底部と頂部では圧力が異なり、表には平均圧力
を示す。プラグ流による操作では、反応器を通して圧力
は同じである。生産力の測定は触媒１m3、１時間あたり
の過酸化水素kgで示す。得られた結果を第２表に示す。
得られた結果は、本発明によるプラグ流の非常に高い生
産力を示す。
産力を示す。
実施例３ この実施例は、1000の触媒量を有する反応器内の先行
技術の方法による気泡流操作が、50の触媒量を有する
実施例２による小サイズ反応器におけるよりもはるかに
低い生産力を生ずることを示す。
技術の方法による気泡流操作が、50の触媒量を有する
実施例２による小サイズ反応器におけるよりもはるかに
低い生産力を生ずることを示す。
この実施例も、反応器を本発明によって設計する場合
に、大サイズ反応器での生産力が小サイズ反応器での高
い生産力に比べてやや低下するにすぎないことを示す。
に、大サイズ反応器での生産力が小サイズ反応器での高
い生産力に比べてやや低下するにすぎないことを示す。
小サイズ反応器による試験を実施例２に従って実施し
た。大サイズ反応器による試験も大きな触媒量に合せて
調節した反応器内で、同様にして実施した。この触媒も
チャンネル直径1.5 mm、チャンネル長さ20mm及びはるか
に大きい床面積を有した。
た。大サイズ反応器による試験も大きな触媒量に合せて
調節した反応器内で、同様にして実施した。この触媒も
チャンネル直径1.5 mm、チャンネル長さ20mm及びはるか
に大きい床面積を有した。
得られた結果を第３表に示す。
この結果は、気泡流反応器の規模拡大が生産力の有為な
低下を生ずるが、本発明によるプラグ流反応器の生産力
は小規模ではすでに良好であるが、規模を拡大した場合
にもやや低下するにすぎないことを示す。
低下を生ずるが、本発明によるプラグ流反応器の生産力
は小規模ではすでに良好であるが、規模を拡大した場合
にもやや低下するにすぎないことを示す。
第１ａ図は、気泡流を説明する図、 第１ｂ図は、テーラー流を説明する図、 第１ｃ図は、環状流を説明する図、 第１ｄ図は、プラグ流を説明する図、 第２図は、先行技術の方法による固定床水素化を説明す
る図、 第３図は、本発明による固定床水素化を説明する図であ
る。 １：反応器、２：固定床触媒、 ３：分配フィルター、４：孔質プレート。
る図、 第３図は、本発明による固定床水素化を説明する図であ
る。 １：反応器、２：固定床触媒、 ３：分配フィルター、４：孔質プレート。
Claims (7)
- 【請求項１】アルキル化アントラキノン使用液の交互の
還元と酸化を用い、前記使用液の水素化を100 ℃未満の
温度及び 1.5ＭＰａ未満の圧力における縦型一体式固定
床反応器内で水素ガスまたは水素ガス含有ガスによって
連続的に実施するアントラキノン法による過酸化水素の
製造方法において、 前記使用液を反応器の上端に供給し、触媒床の表面全体
に均一に分布させ、同時に水素ガスまたは水素ガス含有
ガスを反応器の上端に導入し、前記使用液の触媒床を通
る流量を、液体流量が床を通る液体の下降速度よりも小
さくなるように調節し、それによって触媒チャンネルの
直径に近い直径を有するガスプラグが形成され、このよ
うなガスプラグと対応する液体プラグが前記チャンネル
を通って交互に、自動的に下方に流れることによって、
いわゆるプラグ流が形成されることを特徴とする前記方
法。 - 【請求項２】使用液が孔質プレートによって触媒床全体
に均一に分布されることを特徴とする請求項１記載の方
法。 - 【請求項３】水素ガスを反応器の孔質プレートと触媒床
上端との間に供給することを特徴とする請求項１または
２記載の方法。 - 【請求項４】使用液の液体流量が0.1 〜0.4 m3／m2・ｓ
であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載
の方法。 - 【請求項５】反応器の下部からの未反応水素ガスを外部
連絡路または内部連絡路を介して反応器上部に再循環す
ることを特徴とする請求項１に記載の方法。 - 【請求項６】帰り管内の再循環ガス流を減速することに
よって、使用液の流速度を減ずることを特徴とする請求
項５記載の方法。 - 【請求項７】帰り管にガスを送り戻すことによって、使
用液の流速度を増加させることを特徴とする請求項５記
載の方法。
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