JPH0648832Y2 - プラズマ処理装置 - Google Patents

プラズマ処理装置

Info

Publication number
JPH0648832Y2
JPH0648832Y2 JP1988105702U JP10570288U JPH0648832Y2 JP H0648832 Y2 JPH0648832 Y2 JP H0648832Y2 JP 1988105702 U JP1988105702 U JP 1988105702U JP 10570288 U JP10570288 U JP 10570288U JP H0648832 Y2 JPH0648832 Y2 JP H0648832Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electromagnetic coil
case
generation chamber
plasma generation
plasma
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP1988105702U
Other languages
English (en)
Other versions
JPH0227726U (ja
Inventor
道夫 谷口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Daihen Corp
Original Assignee
Daihen Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Daihen Corp filed Critical Daihen Corp
Priority to JP1988105702U priority Critical patent/JPH0648832Y2/ja
Publication of JPH0227726U publication Critical patent/JPH0227726U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPH0648832Y2 publication Critical patent/JPH0648832Y2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、プラズマ処理装置の電磁コイルの改良に関す
るものである。
〔従来技術と考案が解決しようとする問題点〕
第５図は、半導体製造装置等に利用される電子サイクロ
トロン共鳴による有磁場マイクロ波放電を用いた従来の
プラズマ処理装置の概略構成図であつて、マグネトロン
１により発生した2.45GHzのマイクロ波を導波管２を通
してプラズマ生成室３に進行させる。このプラズマ生成
室３の内部には、プラズマ生成室３の外周に配置され、
かつ環状ケース５内に収納されて冷却用媒体４を充填し
た電磁コイル６により、マイクロ波の進行方向と平行な
磁場が形成されるとともに、プラズマ生成室３内で生成
されたイオンを、反応室７内の試料８に投射させるよう
になつている。
第２図は、第５図に示すケース及び電磁コイル部分の縦
断面図であつて、ケース５は通常、非磁性材料（例えば
ステンレス）のみで製作されているので、電磁コイル６
で形成される磁束の磁路は、冷却用媒体4,ケース5,空気
及び真空等になるので、強い磁場を発生させるには、大
きな電流が必要である。また、コイル６の外部へ多量の
磁束が漏れ出すために、周辺機器及び反応室７内の試料
８に対する処理条件に悪影響を及ぼす。
そこで、前述した問題を解決するために、第３図に示す
ように、適当な厚み及び幅を有する強磁性材料からなる
「コ」字状のヨーク９を、ケース５の周方向に沿つて、
適宜の間隔で挿設することが考えられ、その挿設状態を
第４図に示す。したがつて、この場合の磁束の磁路はヨ
ーク９中となるので、磁路の磁気抵抗が小さくなり、よ
り小さな電流で強い磁場を形成させることができ、また
磁束の漏れがなくなる。しかし、ヨーク９を付加したこ
とにより、装置の寸法が大きくなり、またコストアツプ
になる。
〔問題を解決するための手段〕
上記の問題点を解決するために、本考案においては、マ
イクロ波を用いた電子サイクロトロン共鳴により、プラ
ズマを発生させるプラズマ生成室と、プラズマ生成室内
に磁場を形成させるためにその外周に配置され、かつ環
状ケース内に収納されて冷却用媒体を充填した電磁コイ
ルとを備えたプラズマ処理装置において、環状ケースは
プラズマ生成室と電磁コイルとの間に位置する部分のケ
ース部材が非磁性材料からなり、かつプラズマ生成室と
電磁コイルとの間に位置する部分以外のケース部材が強
磁性材料からなることを特徴としている。
〔実施例〕
第１図は、本考案にプラズマ処理装置の要部縦断面図で
あつて、電磁コイル６を収納するケース５は、非磁性材
料と強磁性材料とから構成されており、プラズマ生成室
３と電磁コイル６との間に位置する部分のケース部材5a
は非磁性材料（例えばステンレス）からなり、その形状
は円筒状になつている。また、プラズマ生成室３と電磁
コイル６との間に位置する部分以外のケース部材5bは強
磁性材料（例えば軟鉄）からなり、その縦断面形状は
「コ」字状で、全体は概略的にドーナツ状になつてお
り、このケース部材5bの厚さは、電磁コイル６の外部に
流れる磁束量に応じて適宜選定すればよい。
ケース５をこのような構成にして、環状の電磁コイル６
を２分割されるケース部材5b側に収納し、このケース部
材5bの開口部にケース部材5aを重ね合せ、すべての継目
を溶接して接合を行つた後、コイル６を収納したケース
５を、プラズマ生成室３の外周に配置する。
また、コイル６を冷却するために、ケース５内に冷却用
媒体４（例えば油等）を充填し、装置稼働中はケース５
の上部に設けられた冷却用媒体給排口10,10を通して、
冷却用媒体４を循環させている。
〔考案の効果〕
以上のように、本考案によれば、より小さな電流で強い
磁場を形成させることができ、また磁束の漏れがないの
で、周辺機器及び反応室内の処理条件に悪影響を及ぼす
ことがなくなる。
さらに、電磁コイルを冷却しつつ小さな電流で磁場を形
成させるプラズマ処理装置の小型・軽量化が図られると
ともに、材料費・加工手間の低減になる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本考案のプラズマ処理装置の要部縦断面図、第
２図は第４図に示すケース及び電磁コイルの縦断面図、
第３図はヨークの斜視図、第４図は第５図に示すケース
及び電磁コイル部分とこれらの外周に挿設したヨーク部
分の縦断面図、第５図は従来のプラズマ処理装置を示す
概略構成図である。 ３……プラズマ生成室、４……冷却用媒体、５……ケー
ス、5a,5b……ケース部材、６……電磁コイル。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項１】マイクロ波を用いた電子サイクロトロン共
    鳴により、プラズマを発生させるプラズマ生成室と、前
    記プラズマ生成室内に磁場を形成させるためにその外周
    に配置され、かつ環状ケース内に収納されて冷却用媒体
    を充填した電磁コイルとを備えたプラズマ処理装置にお
    いて、 前記環状ケースは前記プラズマ生成室と電磁コイルとの
    間に位置する部分のケース部材が非磁性材料からなり、
    かつ前記プラズマ生成室と電磁コイルとの間に位置する
    部分以外のケース部材が強磁性材料からなるプラズマ処
    理装置。
JP1988105702U 1988-08-09 1988-08-09 プラズマ処理装置 Expired - Lifetime JPH0648832Y2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1988105702U JPH0648832Y2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 プラズマ処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1988105702U JPH0648832Y2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH0227726U JPH0227726U (ja) 1990-02-22
JPH0648832Y2 true JPH0648832Y2 (ja) 1994-12-12

Family

ID=31338555

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1988105702U Expired - Lifetime JPH0648832Y2 (ja) 1988-08-09 1988-08-09 プラズマ処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0648832Y2 (ja)

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0666296B2 (ja) * 1985-09-20 1994-08-24 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
JPS62197847U (ja) * 1986-06-06 1987-12-16

Also Published As

Publication number Publication date
JPH0227726U (ja) 1990-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5308417A (en) Uniformity for magnetically enhanced plasma chambers
JP2003510780A (ja) 大きい領域を有するプラズマ源における均一ガス分布
JPS6322605B2 (ja)
US5111494A (en) Magnet for use in a drift tube of an x-ray tube
US4912445A (en) Electromagnet with a magnetic shield
JPH0648832Y2 (ja) プラズマ処理装置
JP2007224343A (ja) マグネトロンスパッタリング装置
JPS6132779B2 (ja)
JPH0530287B2 (ja)
JPS62152127A (ja) プラズマ装置
JPS62169311A (ja) Ｎｍｒイメ−ジング用超伝導磁石装置
JP2801096B2 (ja) イオン源
JPH0728719Y2 (ja) 高周波多重極線形加速器
JPH0722841Y2 (ja) マグネトロン
JPH0557798U (ja) 磁場の発生装置
JP2000144413A (ja) 基板を薄膜で被覆するための装置
JPS63170832A (ja) イオンビ−ム装置
JP3177552B2 (ja) フォトマスク用ドライエッチング装置
JPH01294859A (ja) 対向ターゲツト式スパツタリング装置
JP2000156299A (ja) 高周波加速空胴、シンクロトロン、粒子線治療装置及び放射光発生装置
KR100609960B1 (ko) 마그네트론
JPH0233842A (ja) 超伝導電子レンズ
JPH0574355A (ja) マグネトロン
JPH02273323A (ja) 強磁性体のスパツタリング装置
JPH05314917A (ja) マイクロ波放電型イオンビーム装置