JPH0645499A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 バス・バーとボンディングワイヤとの間に所
定のクリアランスを確保したうえで薄型化を可能とした
半導体装置を提供する。 【構成】 半導体チップ2上に配置されたインナリード
4と、インナリード4と半導体チップ2の電極パッド3
とを接続するボンディングワイヤ7と、半導体チップ2
上で且つインナリード4と電極パッド3との間に配設さ
れたバス・バー6と、これら全体を一体封止したモール
ド樹脂とからなるもので、少なくともボンディングワイ
ヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の所定箇所がイ
ンナリード4よりも低く形成されている。これによりボ
ンディングワイヤ7のループ高さを従来より低くして
も、バス・バー6とボンディングワイヤ7との間には所
定のクリアランスGが得られるようになる。
定のクリアランスを確保したうえで薄型化を可能とした
半導体装置を提供する。 【構成】 半導体チップ2上に配置されたインナリード
4と、インナリード4と半導体チップ2の電極パッド3
とを接続するボンディングワイヤ7と、半導体チップ2
上で且つインナリード4と電極パッド3との間に配設さ
れたバス・バー6と、これら全体を一体封止したモール
ド樹脂とからなるもので、少なくともボンディングワイ
ヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の所定箇所がイ
ンナリード4よりも低く形成されている。これによりボ
ンディングワイヤ7のループ高さを従来より低くして
も、バス・バー6とボンディングワイヤ7との間には所
定のクリアランスGが得られるようになる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、樹脂封止型の半導体装
置に係わり、特に半導体チップ上にインナリードが配置
されたいわゆるLOC構造のもので半導体チップの電極
パッドとインナリードとの間にバス・バーが配設された
ものに用いて好適なものである。
置に係わり、特に半導体チップ上にインナリードが配置
されたいわゆるLOC構造のもので半導体チップの電極
パッドとインナリードとの間にバス・バーが配設された
ものに用いて好適なものである。
【0002】
【従来の技術】はじめに、この種の半導体装置の一例を
図3に基づいて説明する。図示した半導体装置1におい
て、2は半導体チップであり、この半導体チップ2の上
面には複数の電極パッド3が形成されている。これらの
電極パッド3は、半導体チップ2の中央部分に配置され
ている。また、半導体チップ2上には図示せぬ絶縁テー
プを介してインナリード4が配置されており、このイン
ナリード4からはアウターリード5が延出されている。
図3に基づいて説明する。図示した半導体装置1におい
て、2は半導体チップであり、この半導体チップ2の上
面には複数の電極パッド3が形成されている。これらの
電極パッド3は、半導体チップ2の中央部分に配置され
ている。また、半導体チップ2上には図示せぬ絶縁テー
プを介してインナリード4が配置されており、このイン
ナリード4からはアウターリード5が延出されている。
【0003】さらに、半導体チップ2の電極パッド3と
インナリード4との間には、それぞれバス・バー6が設
けられており、各バス・バー6はインナリード4と同様
に図示せぬ絶縁テープを介して半導体チップ1上に配置
されている。このうち、一方のバス・バー6は電源ライ
ンの機能を果たし、もう一方のバス・バー6はアース
(接地)ラインの機能を果たすようになっている。
インナリード4との間には、それぞれバス・バー6が設
けられており、各バス・バー6はインナリード4と同様
に図示せぬ絶縁テープを介して半導体チップ1上に配置
されている。このうち、一方のバス・バー6は電源ライ
ンの機能を果たし、もう一方のバス・バー6はアース
(接地)ラインの機能を果たすようになっている。
【0004】ここで、半導体チップ2の電極パッド3と
インナリード4、並びに半導体チップ2の電極パッド3
とバス・バー6とは、ボンディングワイヤ7を介して接
続されている。そして、アウタリード5を除く各構成部
品はモールド樹脂8によって一体封止されている。
インナリード4、並びに半導体チップ2の電極パッド3
とバス・バー6とは、ボンディングワイヤ7を介して接
続されている。そして、アウタリード5を除く各構成部
品はモールド樹脂8によって一体封止されている。
【0005】従来の半導体装置においては、図4に示す
ように、半導体チップ2上においてインナリード4とバ
ス・バー6とがそれぞれ絶縁テープ9を介して同一の高
さで配置されている。またボンディングワイヤ7はバス
・バー6を乗り越えるかたちで電極パッド3とインナリ
ード4とを接続している。
ように、半導体チップ2上においてインナリード4とバ
ス・バー6とがそれぞれ絶縁テープ9を介して同一の高
さで配置されている。またボンディングワイヤ7はバス
・バー6を乗り越えるかたちで電極パッド3とインナリ
ード4とを接続している。
【0006】このように電極パッド3とインナリード4
との間にバス・バー6を配設することによって、どの箇
所の電極パッド3からでも最短距離で電源が得られるよ
うになり、チップ上での回路パターンのレイアウト設計
が容易になるとともに、高速アクセス、大容量、高周波
数などへの対応が可能となる。
との間にバス・バー6を配設することによって、どの箇
所の電極パッド3からでも最短距離で電源が得られるよ
うになり、チップ上での回路パターンのレイアウト設計
が容易になるとともに、高速アクセス、大容量、高周波
数などへの対応が可能となる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところで最近では、こ
の種の半導体装置に対して薄型化が強く要求されるよう
になってきた。しかしながら従来の半導体装置において
は、モールド樹脂8の厚みを小さくすると、樹脂表面か
らワイヤ7が露出してしまう不都合が生じる。そこで、
ワイヤ7のループ高さを低くすると、バス・バー6とボ
ンディングワイヤ7とのクリアランスGが十分に得られ
ず、著しい電気的な特性劣化を招いたり、モールド工程
でのワイヤ変形によってバス・バー6とボンディングワ
イヤ7とが接触(ショート)したりするなどの虞れが生
じる。このような種々の問題によって従来の半導体装置
では薄型化が実現できなかった。
の種の半導体装置に対して薄型化が強く要求されるよう
になってきた。しかしながら従来の半導体装置において
は、モールド樹脂8の厚みを小さくすると、樹脂表面か
らワイヤ7が露出してしまう不都合が生じる。そこで、
ワイヤ7のループ高さを低くすると、バス・バー6とボ
ンディングワイヤ7とのクリアランスGが十分に得られ
ず、著しい電気的な特性劣化を招いたり、モールド工程
でのワイヤ変形によってバス・バー6とボンディングワ
イヤ7とが接触(ショート)したりするなどの虞れが生
じる。このような種々の問題によって従来の半導体装置
では薄型化が実現できなかった。
【0008】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたもので、バス・バーとボンディングワイヤとの間に
所定のクリアランスを確保したうえで薄型化を実現可能
とした半導体装置を提供することを目的とする。
れたもので、バス・バーとボンディングワイヤとの間に
所定のクリアランスを確保したうえで薄型化を実現可能
とした半導体装置を提供することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためになされたもので、半導体チップ上に配置さ
れたインナリードと、このインナリードと半導体チップ
の電極パッドとを接続するボンディングワイヤと、半導
体チップ上で且つインナリードと電極パッドとの間に配
設されたバス・バーと、これら全体を一体封止したモー
ルド樹脂とからなる半導体装置において、少なくともボ
ンディングワイヤの通過位置に対応したバス・バーの所
定箇所をインナリードよりも低く形成したものである。
成するためになされたもので、半導体チップ上に配置さ
れたインナリードと、このインナリードと半導体チップ
の電極パッドとを接続するボンディングワイヤと、半導
体チップ上で且つインナリードと電極パッドとの間に配
設されたバス・バーと、これら全体を一体封止したモー
ルド樹脂とからなる半導体装置において、少なくともボ
ンディングワイヤの通過位置に対応したバス・バーの所
定箇所をインナリードよりも低く形成したものである。
【0010】
【作用】本発明の半導体装置においては、ボンディング
ワイヤの通過位置に対応したバス・バーの所定箇所がイ
ンナリードよりも低く形成されることにより、その分、
ボンディングワイヤのループ高さを低くしても、ボンデ
ィングワイヤとバス・バーとの間には所定のクリアラン
スが得られる。
ワイヤの通過位置に対応したバス・バーの所定箇所がイ
ンナリードよりも低く形成されることにより、その分、
ボンディングワイヤのループ高さを低くしても、ボンデ
ィングワイヤとバス・バーとの間には所定のクリアラン
スが得られる。
【0011】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて詳細
に説明する。なお、本実施例においては従来例と同様の
部材に同じ符号を付して説明する。図1は本発明に係わ
る半導体装置の実施例を説明する要部側断面図であり、
図2は同要部斜視図である。図1及び図2において、2
は半導体チップ、3は半導体チップ2の上面に形成され
た電極パッド、4は半導体チップ2上に絶縁テープ9を
介して配置されたインナリード、6は半導体チップ2上
において電極パッド3とインナリード4との間に絶縁テ
ープ9を介して配設されたバス・バー、7はバス・バー
6を乗り越えるかたちで電極パッド3とインナリード4
とを接続するボンディングワイヤであり、これら全体は
図示せぬモールド樹脂によって一体封止されている。
に説明する。なお、本実施例においては従来例と同様の
部材に同じ符号を付して説明する。図1は本発明に係わ
る半導体装置の実施例を説明する要部側断面図であり、
図2は同要部斜視図である。図1及び図2において、2
は半導体チップ、3は半導体チップ2の上面に形成され
た電極パッド、4は半導体チップ2上に絶縁テープ9を
介して配置されたインナリード、6は半導体チップ2上
において電極パッド3とインナリード4との間に絶縁テ
ープ9を介して配設されたバス・バー、7はバス・バー
6を乗り越えるかたちで電極パッド3とインナリード4
とを接続するボンディングワイヤであり、これら全体は
図示せぬモールド樹脂によって一体封止されている。
【0012】本実施例の半導体装置においては、ボンデ
ィングワイヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の所
定箇所がインナリード4よりも低く形成されている。上
述したボンディングワイヤ7の通過位置とは、すなわち
電極パッド3とインナリード4とを結ぶ線上部分のこと
であり、本実施例では、この線上部分に相当する箇所P
(図2)が凹状に形成されている。
ィングワイヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の所
定箇所がインナリード4よりも低く形成されている。上
述したボンディングワイヤ7の通過位置とは、すなわち
電極パッド3とインナリード4とを結ぶ線上部分のこと
であり、本実施例では、この線上部分に相当する箇所P
(図2)が凹状に形成されている。
【0013】ここで、バス・バー6の所定箇所をインナ
リード4よりも低く形成する具体的手段としては、以下
の2通りの方法が考えられる。その一つは、リードフレ
ームをエッチング法により加工する場合において、リー
ドフレームのエンチングとともにバス・バー6の所定箇
所を例えばその上層からほぼ半分の深さまでエッチング
によって除去する方法であり、もう一つは、リードフレ
ームをプレスによる打ち抜きによって加工する場合にお
いて、リードフレームの打ち抜きとともにバス・バー6
の所定箇所をプレスにより押し潰す方法である。上記い
ずれの方法によっても、バス・バー6の所定箇所をイン
ナリード4より低く形成することができるが、加工精度
の面では前者のエッチング法を採用した方が好適であ
る。
リード4よりも低く形成する具体的手段としては、以下
の2通りの方法が考えられる。その一つは、リードフレ
ームをエッチング法により加工する場合において、リー
ドフレームのエンチングとともにバス・バー6の所定箇
所を例えばその上層からほぼ半分の深さまでエッチング
によって除去する方法であり、もう一つは、リードフレ
ームをプレスによる打ち抜きによって加工する場合にお
いて、リードフレームの打ち抜きとともにバス・バー6
の所定箇所をプレスにより押し潰す方法である。上記い
ずれの方法によっても、バス・バー6の所定箇所をイン
ナリード4より低く形成することができるが、加工精度
の面では前者のエッチング法を採用した方が好適であ
る。
【0014】このように本実施例の半導体装置において
は、ボンディングワイヤ7の通過位置に対応したバス・
バー6の所定箇所がインナリード4よりも低く形成され
ることにより、その分、ボンディングワイヤ7のループ
高さを低くしても、ボンディングワイヤ7とバス・バー
6との間には所定のクリアランスG(図1)が得られ
る。その結果、モールド樹脂(不図示)の厚みを従来よ
り小さくしても、ボンディングワイヤ7が樹脂表面から
露出することがなくなり、もって半導体装置の薄型化が
実現可能となる。
は、ボンディングワイヤ7の通過位置に対応したバス・
バー6の所定箇所がインナリード4よりも低く形成され
ることにより、その分、ボンディングワイヤ7のループ
高さを低くしても、ボンディングワイヤ7とバス・バー
6との間には所定のクリアランスG(図1)が得られ
る。その結果、モールド樹脂(不図示)の厚みを従来よ
り小さくしても、ボンディングワイヤ7が樹脂表面から
露出することがなくなり、もって半導体装置の薄型化が
実現可能となる。
【0015】また本実施例の半導体装置によれば、実際
にワイヤボンディングを行う場合、ボンディングツール
は電極パッド3を起点に所定高さまで上昇した後、ほぼ
水平に移動してインナリード4に到達するような動きに
なるため、従来のような大きく弧を描く動きに比べ、結
果として形成されるボンディングワイヤ7のループ高さ
のバラツキが非常に小さくなる。よって、ループ高さの
バラツキが小さくなった分だけ、モールド樹脂の厚みを
従来より小さく設定することが可能となり、もって半導
体装置の一層の薄型化が実現可能となる。
にワイヤボンディングを行う場合、ボンディングツール
は電極パッド3を起点に所定高さまで上昇した後、ほぼ
水平に移動してインナリード4に到達するような動きに
なるため、従来のような大きく弧を描く動きに比べ、結
果として形成されるボンディングワイヤ7のループ高さ
のバラツキが非常に小さくなる。よって、ループ高さの
バラツキが小さくなった分だけ、モールド樹脂の厚みを
従来より小さく設定することが可能となり、もって半導
体装置の一層の薄型化が実現可能となる。
【0016】なお、上記実施例の構成においては、ボン
ディングワイヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の
所定箇所だけを凹状に低く形成したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば電極パッド3とインナ
リード4間のバス・バー6全面をエッチングによってイ
ンナリード4より低く形成したものであってもよい。し
かしながら、一般的には図示せぬ圧着冶具を用いてイン
ナリード4とバス・バー6とを半導体チップ2上に同時
に圧着するため、この点を考慮すると先に説明した構成
の方がより好適である。
ディングワイヤ7の通過位置に対応したバス・バー6の
所定箇所だけを凹状に低く形成したが、本発明はこれに
限定されるものではなく、例えば電極パッド3とインナ
リード4間のバス・バー6全面をエッチングによってイ
ンナリード4より低く形成したものであってもよい。し
かしながら、一般的には図示せぬ圧着冶具を用いてイン
ナリード4とバス・バー6とを半導体チップ2上に同時
に圧着するため、この点を考慮すると先に説明した構成
の方がより好適である。
【0017】
【発明の効果】以上、説明したように本発明の半導体装
置によれば、ボンディングワイヤの通過位置に対応した
バス・バーの所定箇所がインナリードよりも低く形成さ
れるため、その分、ボンディングワイヤのループ高さを
低くしても、ボンディングワイヤとバス・バーとの間に
所定のクリアランスが得られるようになる。その結果、
モールド樹脂の厚みを従来より小さくした場合であって
もボンディングワイヤが樹脂表面から露出することがな
くなり、もって半導体装置の薄型化が実現可能となる。
置によれば、ボンディングワイヤの通過位置に対応した
バス・バーの所定箇所がインナリードよりも低く形成さ
れるため、その分、ボンディングワイヤのループ高さを
低くしても、ボンディングワイヤとバス・バーとの間に
所定のクリアランスが得られるようになる。その結果、
モールド樹脂の厚みを従来より小さくした場合であって
もボンディングワイヤが樹脂表面から露出することがな
くなり、もって半導体装置の薄型化が実現可能となる。
【図1】本発明に係わる半導体装置の実施例を説明する
要部側断面図である。
要部側断面図である。
【図2】本発明に係わる半導体装置の実施例を説明する
要部斜視図である。
要部斜視図である。
【図3】半導体装置の一例を示す斜視図である。
【図4】従来の半導体装置を説明する要部側断面図であ
る。
る。
2 半導体チップ 3 電極パッド 4 インナリード 6 バス・バー 7 ボンディングワイヤ
Claims (1)
- 【請求項1】 半導体チップ上に配置されたインナリー
ドと、前記インナリードと前記半導体チップの電極パッ
ドとを接続するボンディングワイヤと、前記半導体チッ
プ上で且つ前記インナリードと前記電極パッドとの間に
配設されたバス・バーと、これら全体を一体封止したモ
ールド樹脂とからなる半導体装置において、 少なくとも前記ボンディングワイヤの通過位置に対応し
た前記バス・バーの所定箇所を前記インナリードよりも
低く形成したことを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4218489A JPH0645499A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4218489A JPH0645499A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0645499A true JPH0645499A (ja) | 1994-02-18 |
Family
ID=16720734
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4218489A Pending JPH0645499A (ja) | 1992-07-24 | 1992-07-24 | 半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0645499A (ja) |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4218489A patent/JPH0645499A/ja active Pending
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