JPH0645396A - Film carrier semiconductor device - Google Patents
Film carrier semiconductor deviceInfo
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- JPH0645396A JPH0645396A JP19502192A JP19502192A JPH0645396A JP H0645396 A JPH0645396 A JP H0645396A JP 19502192 A JP19502192 A JP 19502192A JP 19502192 A JP19502192 A JP 19502192A JP H0645396 A JPH0645396 A JP H0645396A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、フィルムキャリア半
導体装置に関し、特にバンプレスのフィルムキャリア半
導体装置の製法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a film carrier semiconductor device, and more particularly to a bumpless film carrier semiconductor device manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のフィルムキャリア方式による半導
体装置の製造方法は、図５に平面図，図６に断面図とし
て示す如く搬送及び位置決め用のスプロケットホール２
ａと半導体チップ７ａが入る開孔部であるデバイスホー
ル１０ａを有するポリイミド等の絶縁フィルム上に銅等
の金属箔を接着し、金属箔をエッチング等により所望の
形状のリード３ａと電気選別のためのパッド５ａとを形
成したフィルムキャリアテープ１ａと、あらかじめ電極
端子上に金属突起物であるバンプ１１ａを設けた半導体
チップ７ａとを準備し、次にフィルムキャリア１ａのリ
ード３ａと半導体チップ７ａのバンプ１１ａとを熱圧着
法または共晶法等により、インナーリードボンディング
し、フィルムキャリアテープの状態で電気選別やバイア
ス試験を実施してフィルムキャリア半導体装置が完成す
る。2. Description of the Related Art A conventional method of manufacturing a semiconductor device by a film carrier method is a sprocket hole 2 for carrying and positioning as shown in a plan view of FIG. 5 and a sectional view of FIG.
a and a metal foil of copper or the like on an insulating film of polyimide or the like having a device hole 10a which is an opening portion into which the semiconductor chip 7a is inserted, and the metal foil is etched to form a lead 3a having a desired shape and for electrical selection. The film carrier tape 1a having the pads 5a formed thereon and the semiconductor chip 7a having the bumps 11a, which are metal projections, previously provided on the electrode terminals are prepared. Inner lead bonding is performed with 11a by a thermocompression bonding method or a eutectic method, and electrical selection and a bias test are performed in the state of the film carrier tape to complete the film carrier semiconductor device.
【０００３】前記のようなフィルムキャリア半導体装置
の製造方法はボンディングがリード数と無関係に一度で
可能であるためスピードが速いこと、フィルムキャリア
テープを使用するためボンディング等の組立てと電気選
別作用の自動化が図れ量産性が優れている等の利点を有
している。In the method of manufacturing the film carrier semiconductor device as described above, the bonding can be performed at one time regardless of the number of leads, so that the speed is fast, and since the film carrier tape is used, the assembling such as bonding and the automation of the electric sorting operation are performed. However, it has advantages such as excellent mass productivity.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のフィル
ムキャリア半導体装置は、半導体チップの電極上にバン
プを形成する必要があり、ウェーハ状態で主に電解メッ
キ法により、実施するバンプ形成のためのコストが高い
という欠点がある。In the conventional film carrier semiconductor device described above, it is necessary to form bumps on the electrodes of the semiconductor chip, and the bump formation for forming the bumps is performed mainly in the wafer state by the electrolytic plating method. It has the disadvantage of high cost.
【０００５】また、最近の半導体装置は、その能力増加
にともなって多数リード化が著しく、インナーリードボ
ンディングするためのリードが細く、かつ薄くなってお
り、リード変形により、隣接リード間同士の接触や、リ
ードと半導体チップエッジとの接触が発生しやすいとい
う欠点がある。In addition, in recent semiconductor devices, the number of leads is remarkably increased with the increase in the capability thereof, and the leads for inner lead bonding are thin and thin. Due to lead deformation, contact between adjacent leads or contact between adjacent leads may occur. However, there is a drawback that contact between the lead and the semiconductor chip edge is likely to occur.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】本発明のフィルムキャリ
ア半導体装置は、耐熱性絶縁フィルムでなるフィルムキ
ャリアテープの一方の面に形成したリードと、前記フィ
ルムキャリアテープの他方の面側に配置した半導体チッ
プのアルミ電極とを前記フィルムキャリアテープに設け
たデバイスホールを介して直接接合し、前記半導体チッ
プのアルミ電極パッドの外周を結ぶラインより外側の半
導体チップ表面が前記フィルムキャリアテープで覆われ
ている構造を有している。A film carrier semiconductor device of the present invention comprises a lead formed on one surface of a film carrier tape made of a heat resistant insulating film and a semiconductor arranged on the other surface side of the film carrier tape. The aluminum electrode of the chip is directly bonded through a device hole provided in the film carrier tape, and the surface of the semiconductor chip outside the line connecting the outer circumferences of the aluminum electrode pads of the semiconductor chip is covered with the film carrier tape. It has a structure.
【０００７】[0007]
【作用】上記の構成によると、リードを半導体チップの
アルミ電極に直接、接合するので、バンプを形成する必
要がなくなり、コストが下げられる。According to the above construction, since the lead is directly bonded to the aluminum electrode of the semiconductor chip, it is not necessary to form a bump, and the cost can be reduced.
【０００８】また、半導体チップのアルミ電極パッドの
外周より外は、フィルムキャリアテープで覆われている
のでフィルムキャリアテープから突出したインナーリー
ドの長さが短くなっているので、リード変形が発生しに
くくなる。Further, since the area outside the outer periphery of the aluminum electrode pad of the semiconductor chip is covered with the film carrier tape, the length of the inner lead protruding from the film carrier tape is short, so that lead deformation is unlikely to occur. Become.
【０００９】また半導体チップの電極の外周を結ぶライ
ンより外側の半導体チップ表面をフィルムキャリアテー
プで覆っているのでリードと半導体チップとのエッジタ
ッチを防ぐことが出来る。Further, since the surface of the semiconductor chip outside the line connecting the outer peripheries of the electrodes of the semiconductor chip is covered with the film carrier tape, edge touch between the lead and the semiconductor chip can be prevented.
【００１０】[0010]
【実施例】以下、この発明について図面を参照して説明
する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１１】図１は、この発明の一実施例のフィルムキ
ャリアテープの平面図である。フィルムキャリアテープ
１ｂにはスプロケットホール２ｂ，リード３ｂ，アウタ
ーリード用ホール４ｂ，電気選別用パッド５ｂ，デバイ
スホール１０ｂが形成されている。FIG. 1 is a plan view of a film carrier tape according to an embodiment of the present invention. The film carrier tape 1b is provided with a sprocket hole 2b, a lead 3b, an outer lead hole 4b, an electric selection pad 5b, and a device hole 10b.
【００１２】デバイスホール１０ｂの開孔面積は半導体
チップのアルミ電極パッドの外周を結ぶ面積とほぼ等し
くしている。またデバイスホール内に突出したインナー
リード３ｂは銅に金メッキしたもので厚みは従来のリー
ドより厚めである。長さは接合された時に、インナーリ
ードの先端がアルミ電極パッドよりはみ出ない長さとす
る。例えば、アルミ電極パッドのサイズを１００μｍ，
フィルムキャリアテープ１ｂの厚さを１２５μｍとする
と、２００〜３００μｍくらいになる。The opening area of the device hole 10b is made substantially equal to the area connecting the outer circumferences of the aluminum electrode pads of the semiconductor chip. The inner lead 3b protruding into the device hole is made of copper plated with gold and is thicker than the conventional lead. The length should be such that the tips of the inner leads do not protrude beyond the aluminum electrode pad when joined. For example, if the size of the aluminum electrode pad is 100 μm,
If the thickness of the film carrier tape 1b is 125 μm, it will be about 200 to 300 μm.
【００１３】図２は、この発明の一実施例のフィルムキ
ャリア半導体装置の製法を示す断面図である。図２(A)
の如くボンディングステージ１２ｂ上に半導体チップ７
ｂを載置し、リード３ｂが半導体チップ７ｂのアルミ電
極パッド８ｂと位置が合うように調整する。ついて図２
(B) の如く、ボンディングツール９ｂで半導体チップ７
ｂのアルミ電極パッド８ｂとリード３ｂとをAu−A の
超音波熱圧着で一括で接合することによって図２(c) の
如くフィルムキャリア半導体装置が完成する。FIG. 2 is a sectional view showing a method of manufacturing a film carrier semiconductor device according to an embodiment of the present invention. Figure 2 (A)
The semiconductor chip 7 on the bonding stage 12b
b is placed, and the lead 3b is adjusted so as to be aligned with the aluminum electrode pad 8b of the semiconductor chip 7b. About Figure 2
As shown in (B), use the bonding tool 9b to
The aluminum electrode pad 8b of b and the lead 3b are collectively joined by ultrasonic thermocompression bonding of Au-A to complete the film carrier semiconductor device as shown in FIG. 2 (c).
【００１４】[0014]
【実施例２】図３はこの発明の第２実施例のフィルムキ
ャリアの平面図である。この実施例はデバイスホール１
０ｂ’は電極パッドに対応する部分のみであり、デバイ
スホールにかこまれてチップコート用フィルム６ｂ’を
設けていること以外は、第１実施例と同様である。この
実施例では、半導体チップの表面がフィルムで覆われて
いるために外部環境から保護できる。[Embodiment 2] FIG. 3 is a plan view of a film carrier according to a second embodiment of the present invention. In this embodiment, the device hole 1
0b 'is only the portion corresponding to the electrode pad, and is the same as that of the first embodiment except that the chip coat film 6b' is provided by being bitten by the device hole. In this embodiment, since the surface of the semiconductor chip is covered with the film, it can be protected from the external environment.
【００１５】図４は、この発明の第２実施例のフィルム
キャリア半導体装置の製法を示す。FIG. 4 shows a method of manufacturing a film carrier semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
【００１６】[0016]
【発明の効果】以上説明したように、この発明は、リー
ドを半導体チップの電極に直接接合するので、バンプを
形成する必要がなくなり、コストが下げられる。As described above, according to the present invention, since the leads are directly bonded to the electrodes of the semiconductor chip, it is not necessary to form bumps, and the cost can be reduced.
【００１７】また耐熱性絶縁フィルムから突出したイン
ナーリードの長さを短くしているのでリード変形が発生
しにくくなる。Further, since the length of the inner lead protruding from the heat resistant insulating film is shortened, lead deformation is less likely to occur.
【００１８】また半導体チップの電極の外周を結ぶライ
ンより外側の半導体チップ表面を耐熱性絶縁フィルムで
覆っているので、リードと半導体チップとのエッジタッ
チを防ぐことが出来る等の効果がある。Further, since the surface of the semiconductor chip outside the line connecting the outer peripheries of the electrodes of the semiconductor chip is covered with the heat resistant insulating film, it is possible to prevent edge touch between the lead and the semiconductor chip.
【図１】 この発明のフィルムキャリアテープの平面図FIG. 1 is a plan view of a film carrier tape of the present invention.
【図２】 この発明のフィルムキャリア半導体装置の製
法を示す断面図FIG. 2 is a sectional view showing a method of manufacturing a film carrier semiconductor device of the present invention.
【図３】 この発明の第２の実施例のフィルムキャリア
テープの平面図FIG. 3 is a plan view of a film carrier tape according to a second embodiment of the present invention.
【図４】 この発明の第２の実施例のフィルムキャリア
半導体装置の製法を示す断面図FIG. 4 is a sectional view showing a method of manufacturing a film carrier semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図５】 従来のフィルムキャリア方式による半導体装
置の平面図FIG. 5 is a plan view of a conventional semiconductor device using a film carrier method.
【図６】 従来のフィルムキャリア方式による半導体装
置の断面図FIG. 6 is a sectional view of a semiconductor device according to a conventional film carrier method.
１ａ，１ｂ，１ｂ’ フィルムキャリアテープ ２ａ，２ｂ，２ｂ’ スプロケットホール ３ａ，３ｂ，３ｂ’ リード ４ａ，４ｂ，４ｂ’ アウターリード用ホール ５ａ，５ｂ，５ｂ’ 電気選別用パッド ６ｂ’ チップコート用フィルム ７ａ，７ｂ，７ｂ’ 半導体チップ ８ｂ，８ｂ’ アルミ電極パッド ９ｂ ９ｂ’ ボンディングツール １０ａ，１０ｂ，１０ｂ’ デバイスホール １１ａ バンプ １２ｂ，１２ｂ’ ボンディングステージ 1a, 1b, 1b 'Film carrier tape 2a, 2b, 2b' Sprocket hole 3a, 3b, 3b 'Lead 4a, 4b, 4b' Outer lead hole 5a, 5b, 5b 'Electrical selection pad 6b' Chip coat film 7a, 7b, 7b 'Semiconductor chip 8b, 8b' Aluminum electrode pad 9b 9b 'Bonding tool 10a, 10b, 10b' Device hole 11a Bump 12b, 12b 'Bonding stage
Claims (4)
とデバイスホール内に突出したリードとを有するフィル
ムキャリアテープと半導体チップを接続したフィルムキ
ャリア半導体装置において、 前記リードを半導体チップのアルミ電極に直接接合した
ことを特徴とするフィルムキャリア半導体装置。1. A film carrier semiconductor device in which a semiconductor chip is connected to a film carrier tape having a sprocket hole for carrying and positioning and a lead protruding into a device hole, and the lead is directly bonded to an aluminum electrode of the semiconductor chip. A film carrier semiconductor device characterized by the above.
と、デバイスホールと、一方の面に前記デバイスホール
に突出したリードとを有するフィルムキャリアテープの
他方の面側に半導体チップを配置し、 前記デバイスホールを介して、前記リードを前記半導体
チップの電極パッドとを接続し、 前記半導体チップの表面外周部は、前記フィルムキャリ
アテープで覆われていることを特徴とするフィルムキャ
リア半導体装置。2. A semiconductor chip is arranged on the other surface side of a film carrier tape having a sprocket hole for carrying and positioning, a device hole, and a lead projecting into the device hole on one surface, The lead is connected to the electrode pad of the semiconductor chip via the film carrier semiconductor device, and the outer peripheral portion of the surface of the semiconductor chip is covered with the film carrier tape.
項２」に記載のフィルムキャリア半導体装置。3. The film carrier semiconductor device according to claim 2, wherein the electrode pad is an aluminum electrode.
の前記電極パッドの集合に対応した部分に設けられて、
前記半導体チップの表面の外周部と中央部は前記フィル
ムキャリアテープで覆われていることを特徴とする「請
求項２」又は「請求項３」に記載のフィルムキャリア半
導体装置。4. The device hole is provided in a portion corresponding to a group of the electrode pads of the semiconductor chip,
The film carrier semiconductor device according to claim 2 or 3, wherein the outer peripheral portion and the central portion of the surface of the semiconductor chip are covered with the film carrier tape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19502192A JPH0645396A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Film carrier semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19502192A JPH0645396A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Film carrier semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645396A true JPH0645396A (en) | 1994-02-18 |
Family
ID=16334220
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19502192A Pending JPH0645396A (en) | 1992-07-22 | 1992-07-22 | Film carrier semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0645396A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326644A (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nec Corp | Tape carrier and semiconductor device using the same |
-
1992
- 1992-07-22 JP JP19502192A patent/JPH0645396A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07326644A (en) * | 1994-05-31 | 1995-12-12 | Nec Corp | Tape carrier and semiconductor device using the same |
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