JPH0645118A - 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents
角形薄膜チップ抵抗器の製造方法Info
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- JPH0645118A JPH0645118A JP4199376A JP19937692A JPH0645118A JP H0645118 A JPH0645118 A JP H0645118A JP 4199376 A JP4199376 A JP 4199376A JP 19937692 A JP19937692 A JP 19937692A JP H0645118 A JPH0645118 A JP H0645118A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 安価に角形薄膜チップ抵抗器を製造すること
を目的とする。 【構成】 表裏面に分割溝２を有する９６アルミナ基板
１の両主面上に金属有機物からなる電極材料を印刷し焼
成して薄膜上面電極層３を薄膜裏面電極層を形成する工
程Ａと、この薄膜上面電極層３に重なるように薄膜抵抗
体５を形成する工程Ｃと、この薄膜抵抗体５の抵抗値を
修正する工程Ｆと、この薄膜抵抗体５を完全に覆うよう
に保護コート７を形成する工程Ｇと、基板を一次分割す
る工程と、薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層とを電気
的に接続するように薄膜端面電極層８を形成する工程Ｉ
と、個片に分割する工程Ｊと、露出した電極部にめっき
層９を形成する工程Ｋとから構成するものである。
を目的とする。 【構成】 表裏面に分割溝２を有する９６アルミナ基板
１の両主面上に金属有機物からなる電極材料を印刷し焼
成して薄膜上面電極層３を薄膜裏面電極層を形成する工
程Ａと、この薄膜上面電極層３に重なるように薄膜抵抗
体５を形成する工程Ｃと、この薄膜抵抗体５の抵抗値を
修正する工程Ｆと、この薄膜抵抗体５を完全に覆うよう
に保護コート７を形成する工程Ｇと、基板を一次分割す
る工程と、薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層とを電気
的に接続するように薄膜端面電極層８を形成する工程Ｉ
と、個片に分割する工程Ｊと、露出した電極部にめっき
層９を形成する工程Ｋとから構成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は一般的に電子回路に用い
られる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するもので
ある。
られる角形薄膜チップ抵抗器の製造方法に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化に伴い、回路基
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、小形への要求が高まっている。角形チップ抵抗器に
対しても小形化が進められるとともに、より高精度で低
雑音な特性を満足させるため薄膜チップ抵抗器への要求
が高まっている。
板に使用される電子部品に対しても実装密度を高めるた
め、小形への要求が高まっている。角形チップ抵抗器に
対しても小形化が進められるとともに、より高精度で低
雑音な特性を満足させるため薄膜チップ抵抗器への要求
が高まっている。
【０００３】従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法の
一例を図３に示す。まず、従来の製造工程は高純度のア
ルミナ基板などからなる耐熱性の絶縁基板（分割溝な
し）２１を受け入れる工程Ａをスタートし、次に前記絶
縁基板２１上にＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体を形成するス
パッタ工程Ｂを経て、前記薄膜抵抗体を抵抗パターン２
２に整形するエッチング工程Ｃを行い、次に前記抵抗パ
ターン２２上にＮｉ等の薄膜電極を形成するスパッタ工
程Ｄを経て、前記薄膜電極を電極パターン２３に整形す
るエッチング工程Ｅを行い、抵抗および電極パターンを
安定な膜にするために、窒素中などで３５０〜４００℃
の温度の熱処理工程Ｆを行う。その後、抵抗パターンの
抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミング
等により、抵抗値修正工程Ｇを行う。次に、抵抗値修正
済み抵抗パターン２４を保護するために、熱硬化性の樹
脂による保護コート２５形成工程Ｈを行う。次に、絶縁
基板２１を分割し、端面電極層２７を形成するための準
備工程として、絶縁基板２１に分割のための溝２６を形
成するスクライブ工程Ｉと、絶縁基板２１を短冊状基板
２１ａに分割する一次基板分割工程Ｊを行い、その短冊
状基板２１ａの端面にスパッタ等を用い、端面電極層２
７を形成する端面電極形成工程Ｋを行う。そして露出し
ている電極面にめっきを施すための準備工程として、短
冊状基板２１ａを個片状基板２１ｂに分割する二次基板
分割工程Ｌを行い、最後にはんだ付け時の信頼性の確保
のため電極めっき２８を形成する電極めっき工程Ｍを行
い、角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。
一例を図３に示す。まず、従来の製造工程は高純度のア
ルミナ基板などからなる耐熱性の絶縁基板（分割溝な
し）２１を受け入れる工程Ａをスタートし、次に前記絶
縁基板２１上にＮｉ−Ｃｒ等の薄膜抵抗体を形成するス
パッタ工程Ｂを経て、前記薄膜抵抗体を抵抗パターン２
２に整形するエッチング工程Ｃを行い、次に前記抵抗パ
ターン２２上にＮｉ等の薄膜電極を形成するスパッタ工
程Ｄを経て、前記薄膜電極を電極パターン２３に整形す
るエッチング工程Ｅを行い、抵抗および電極パターンを
安定な膜にするために、窒素中などで３５０〜４００℃
の温度の熱処理工程Ｆを行う。その後、抵抗パターンの
抵抗値を所定の値に修正するためにレーザートリミング
等により、抵抗値修正工程Ｇを行う。次に、抵抗値修正
済み抵抗パターン２４を保護するために、熱硬化性の樹
脂による保護コート２５形成工程Ｈを行う。次に、絶縁
基板２１を分割し、端面電極層２７を形成するための準
備工程として、絶縁基板２１に分割のための溝２６を形
成するスクライブ工程Ｉと、絶縁基板２１を短冊状基板
２１ａに分割する一次基板分割工程Ｊを行い、その短冊
状基板２１ａの端面にスパッタ等を用い、端面電極層２
７を形成する端面電極形成工程Ｋを行う。そして露出し
ている電極面にめっきを施すための準備工程として、短
冊状基板２１ａを個片状基板２１ｂに分割する二次基板
分割工程Ｌを行い、最後にはんだ付け時の信頼性の確保
のため電極めっき２８を形成する電極めっき工程Ｍを行
い、角形薄膜チップ抵抗器を形成していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜チップ抵抗器は次に示すような課題を有していた。 （１） スパッタにより抵抗体及び上面電極を形成して
いるため、連続処理が難しく、量産するためには多くの
スパッタ装置が必要となり、コスト高になる。 （２） 分割溝なしの絶縁基板にパターン形成後、レー
ザースクライブによって分割のための溝を形成している
ため、美観を損なうばかりでなく、レーザーの熱的衝撃
による基板のマイクロクラックが生じやすく、絶縁劣化
の原因になりかねないといった課題がある。
薄膜チップ抵抗器は次に示すような課題を有していた。 （１） スパッタにより抵抗体及び上面電極を形成して
いるため、連続処理が難しく、量産するためには多くの
スパッタ装置が必要となり、コスト高になる。 （２） 分割溝なしの絶縁基板にパターン形成後、レー
ザースクライブによって分割のための溝を形成している
ため、美観を損なうばかりでなく、レーザーの熱的衝撃
による基板のマイクロクラックが生じやすく、絶縁劣化
の原因になりかねないといった課題がある。
【０００５】本発明は上記課題を解決するために、安価
で、基板の絶縁性に優れた角形薄膜チップ抵抗器を提供
することを目的とする。
で、基板の絶縁性に優れた角形薄膜チップ抵抗器を提供
することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、表裏面
に互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の分割
溝を有する絶縁基板の両主面上に金属有機物からなる電
極材料を印刷し焼成して一対の薄膜上面電極層と一対の
薄膜裏面電極層を形成する工程と、この一対の上面電極
層に重なるように薄膜抵抗体を形成する工程と、この薄
膜抵抗体の抵抗値を修正する工程と、この薄膜抵抗体を
完全に覆うように保護膜を形成する工程と、端面電極層
を形成するための準備工程として基板を一次分割する工
程と、前記一対の上面電極層と一対の裏面電極層とを電
気的に接続するように一対の薄膜端面電極層を形成する
工程と、電極めっきのための準備工程として基板を個片
に分割する工程と、露出した電極部に電極めっきをする
工程とを備えたことを特徴とするものである。
に本発明の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法は、表裏面
に互いに相対するように設けた縦方向及び横方向の分割
溝を有する絶縁基板の両主面上に金属有機物からなる電
極材料を印刷し焼成して一対の薄膜上面電極層と一対の
薄膜裏面電極層を形成する工程と、この一対の上面電極
層に重なるように薄膜抵抗体を形成する工程と、この薄
膜抵抗体の抵抗値を修正する工程と、この薄膜抵抗体を
完全に覆うように保護膜を形成する工程と、端面電極層
を形成するための準備工程として基板を一次分割する工
程と、前記一対の上面電極層と一対の裏面電極層とを電
気的に接続するように一対の薄膜端面電極層を形成する
工程と、電極めっきのための準備工程として基板を個片
に分割する工程と、露出した電極部に電極めっきをする
工程とを備えたことを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】本発明によれば、スパッタ装置を用いず、印刷
機とベルト式連続焼成炉によって連続的に上面及び裏面
電極を形成でき、製造工程を簡略化できるため、製造コ
ストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗器を提供でき
る。
機とベルト式連続焼成炉によって連続的に上面及び裏面
電極を形成でき、製造工程を簡略化できるため、製造コ
ストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗器を提供でき
る。
【０００８】また、あらかじめ分割形成済みの絶縁基板
を使用するため、従来のようにレーザースクライブによ
って分割のための溝を形成する必要がないため、基板の
絶縁性が向上する。
を使用するため、従来のようにレーザースクライブによ
って分割のための溝を形成する必要がないため、基板の
絶縁性が向上する。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例の角形薄膜チップ抵
抗器の製造方法について、図面を用いて説明する。
抗器の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００１０】図１は本発明の一実施例の角形薄膜チップ
抵抗器の製造方法を示す工程図で、図２は図１の工程に
よって製造した製品の断面図である。
抵抗器の製造方法を示す工程図で、図２は図１の工程に
よって製造した製品の断面図である。
【００１１】まず、耐熱性及び絶縁性に優れた９６アル
ミナ基板１を受け入れる工程Ａを行う。この９６アルミ
ナ基板１の表裏面には、短冊状、および個片状に分割す
るために、互いに相対するように設けた縦方向および横
方向の分割のための分割溝２（グリーンシート時に金型
成型）が形成されている。
ミナ基板１を受け入れる工程Ａを行う。この９６アルミ
ナ基板１の表裏面には、短冊状、および個片状に分割す
るために、互いに相対するように設けた縦方向および横
方向の分割のための分割溝２（グリーンシート時に金型
成型）が形成されている。
【００１２】次に、前記９６アルミナ基板１の表面にＡ
ｕを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、更に前記９６アルミナ基板１の
裏面に前記金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけをアルミナ基板１上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、
ピーク時間６分，ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイ
ルによって焼成し、薄膜上面電極層３及び薄膜裏面電極
層４を同時に形成する工程Ｂを行う。
ｕを主成分とする金属有機物からなる電極ペーストをス
クリーン印刷・乾燥し、更に前記９６アルミナ基板１の
裏面に前記金属有機物電極ペーストの有機成分だけを飛
ばし、金属成分だけをアルミナ基板１上に焼き付けるた
めに、ベルト式連続焼成炉によって８５０℃の温度で、
ピーク時間６分，ＩＮ−ＯＵＴ時間４５分のプロファイ
ルによって焼成し、薄膜上面電極層３及び薄膜裏面電極
層４を同時に形成する工程Ｂを行う。
【００１３】次に前記９６アルミナ基板１上にＮｉ−Ｃ
ｒの薄膜抵抗体５を形成するスパッタ工程Ｃを経て、前
記薄膜抵抗体５を抵抗パターン６に整形するエッチング
工程Ｄを行い、抵抗パターンを安定な膜にするために、
窒素中で３５０〜４００℃の温度の熱処理工程Ｅを行
う。
ｒの薄膜抵抗体５を形成するスパッタ工程Ｃを経て、前
記薄膜抵抗体５を抵抗パターン６に整形するエッチング
工程Ｄを行い、抵抗パターンを安定な膜にするために、
窒素中で３５０〜４００℃の温度の熱処理工程Ｅを行
う。
【００１４】その後、抵抗パターン６の抵抗値を所定の
値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値
修正工程Ｆを行う。
値に修正するためにレーザートリミングにより、抵抗値
修正工程Ｆを行う。
【００１５】次に、抵抗値修正済み抵抗パターンを保護
するために、樹脂ペースとをスクリーン印刷し、熱硬化
して保護コート７を形成する工程Ｇを行う。
するために、樹脂ペースとをスクリーン印刷し、熱硬化
して保護コート７を形成する工程Ｇを行う。
【００１６】次に、９６アルミナ基板１を分割し、薄膜
端面電極層８を形成するための準備工程として、９６ア
ルミナ基板１を短冊状基板１ａに分割する一次基板分割
工程Ｈを行い、その短冊状基板１ａの端面にスパッタに
よりＮｉの薄膜端面電極層８を形成する端面電極形成工
程Ｉを行う。
端面電極層８を形成するための準備工程として、９６ア
ルミナ基板１を短冊状基板１ａに分割する一次基板分割
工程Ｈを行い、その短冊状基板１ａの端面にスパッタに
よりＮｉの薄膜端面電極層８を形成する端面電極形成工
程Ｉを行う。
【００１７】そして露出している電極面にめっきを施す
ための準備工程として、短冊状基板１ａを個片状基板１
ｂに分割する二次基板分割工程Ｊを行い、最後に露出し
ている薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層４と薄膜端面
電極層８のはんだ付け時の電極食われの防止およびはん
だ付け時の信頼性の確保のため、電解めっきによってＮ
ｉ，Ｓｎ−Ｐｂのめっき層９を形成する電極めっき工程
Ｋを行う。
ための準備工程として、短冊状基板１ａを個片状基板１
ｂに分割する二次基板分割工程Ｊを行い、最後に露出し
ている薄膜上面電極層３と薄膜裏面電極層４と薄膜端面
電極層８のはんだ付け時の電極食われの防止およびはん
だ付け時の信頼性の確保のため、電解めっきによってＮ
ｉ，Ｓｎ−Ｐｂのめっき層９を形成する電極めっき工程
Ｋを行う。
【００１８】以上の工程により、本発明の実施例による
角形薄膜チップ抵抗器を試作した。この本発明の角形薄
膜チップ抵抗器と、従来の角形薄膜チップ抵抗器との抵
抗値ばらつき、抵抗温度特性、電流雑音特性を比較した
ところ、同等であることがわかった。
角形薄膜チップ抵抗器を試作した。この本発明の角形薄
膜チップ抵抗器と、従来の角形薄膜チップ抵抗器との抵
抗値ばらつき、抵抗温度特性、電流雑音特性を比較した
ところ、同等であることがわかった。
【００１９】なお、本実施例では金属有機物電極ペース
トの焼成温度を８５０℃としたが、これは焼成温度を限
定するものではない。
トの焼成温度を８５０℃としたが、これは焼成温度を限
定するものではない。
【００２０】また、金属有機物電極ペーストはＡｕを主
成分とする電極ペーストを用いたが、Ｎｉ系や他の貴金
属系でもよく、金属有機物電極ペーストなら何でも良
い。
成分とする電極ペーストを用いたが、Ｎｉ系や他の貴金
属系でもよく、金属有機物電極ペーストなら何でも良
い。
【００２１】また、絶縁基板として両面に分割溝を設け
たが、どちらか一方にのみ設けても良い。
たが、どちらか一方にのみ設けても良い。
【００２２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、スパッタ
装置を用いず、印刷機とベルト式連続焼成炉によって連
続的に薄膜電極層を形成でき、製造工程を簡略化できる
ため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗
器を提供できるばかりでなく、あらかじめ分割溝形成済
みの絶縁基板を使用するため、従来のようにレーザース
クライブによって分割のための溝を形成する必要がない
ため、基板の絶縁性が向上する。
装置を用いず、印刷機とベルト式連続焼成炉によって連
続的に薄膜電極層を形成でき、製造工程を簡略化できる
ため、製造コストが下がり、安価な角形薄膜チップ抵抗
器を提供できるばかりでなく、あらかじめ分割溝形成済
みの絶縁基板を使用するため、従来のようにレーザース
クライブによって分割のための溝を形成する必要がない
ため、基板の絶縁性が向上する。
【図１】本発明の一実施例の角形薄膜チップ抵抗器の製
造方法を示す工程図
造方法を示す工程図
【図２】本発明の一実施例の角形薄膜チップ抵抗器の製
造を示す断面図
造を示す断面図
【図３】従来の角形薄膜チップ抵抗器の製造方法を示す
工程図
工程図
１ ９６アルミナ基板 ２ 分割溝 ３ 薄膜上面電極層 ４ 薄膜裏面電極層 ５ 薄膜抵抗体 ７ 保護コート ８ 薄膜端面電極層 ９ めっき層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 津田 清二 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】表裏面の少なくとも一方に互いに相対する
ように設けた縦方向及び横方向の分割溝を有する絶縁基
板の両主面上に金属有機物からなる電極材料を印刷し焼
成して一対の薄膜上面電極層と一対の薄膜裏面電極層を
形成する工程と、この一対の薄膜上面電極層に重なるよ
うに薄膜抵抗体を形成する工程と、この薄膜抵抗体の抵
抗値を修正する工程と、この薄膜抵抗体を完全に覆うよ
うに保護膜を形成する工程と、薄膜端面電極層を形成す
るための準備工程として基板を一次分割する工程と、前
記一対の薄膜上面電極層と一対の薄膜裏面電極層とを電
気的に接続するように一対の薄膜端面電極層を形成する
工程と、電極めっきのための準備工程として基板を個片
に分割する工程と、露出した電極部に電極めっきを形成
する工程とを備えたことを特徴とする角形薄膜チップ抵
抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19937692A JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19937692A JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0645118A true JPH0645118A (ja) | 1994-02-18 |
| JP3304130B2 JP3304130B2 (ja) | 2002-07-22 |
Family
ID=16406735
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19937692A Expired - Fee Related JP3304130B2 (ja) | 1992-07-27 | 1992-07-27 | 角形薄膜チップ抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3304130B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307903A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-11-02 | Koketsu Kagi Kofun Yugenkoshi | 薄膜抵抗器の製造方法 |
| JP2002064002A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製法 |
| US7103965B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Method of making chip resistor |
| KR100894025B1 (ko) * | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
-
1992
- 1992-07-27 JP JP19937692A patent/JP3304130B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001307903A (ja) * | 2000-04-11 | 2001-11-02 | Koketsu Kagi Kofun Yugenkoshi | 薄膜抵抗器の製造方法 |
| JP2002064002A (ja) * | 2000-06-05 | 2002-02-28 | Rohm Co Ltd | チップ抵抗器およびその製法 |
| KR100894025B1 (ko) * | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
| US7103965B2 (en) | 2002-01-17 | 2006-09-12 | Rohm Co., Ltd. | Method of making chip resistor |
| US7352273B2 (en) | 2002-01-17 | 2008-04-01 | Rohm Co., Ltd. | Chip resistor |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3304130B2 (ja) | 2002-07-22 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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