JPH0644113B2 - アクテイブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 - Google Patents
アクテイブマトリクス液晶表示パネルの製造方法Info
- Publication number
- JPH0644113B2 JPH0644113B2 JP59182107A JP18210784A JPH0644113B2 JP H0644113 B2 JPH0644113 B2 JP H0644113B2 JP 59182107 A JP59182107 A JP 59182107A JP 18210784 A JP18210784 A JP 18210784A JP H0644113 B2 JPH0644113 B2 JP H0644113B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- liquid crystal
- crystal display
- display panel
- substrate
- Prior art date
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- Expired - Lifetime
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 〔発明の属する分野の説明〕 本発明は、アクティブマトリクス液晶表示パネルの製造
時に発生する静電気によるＭＯＳトランジスタへの損傷
をふせぐ製造方法に関するものである。
時に発生する静電気によるＭＯＳトランジスタへの損傷
をふせぐ製造方法に関するものである。
液晶材料の改良、パネル組立技術の向上等により、大容
量のマトリクス液晶表示パネルが実用化された。しかし
ながらこのマトリクス液晶表示パネルは、コントラス
ト、視角特性、応答速度等の表示特性が、電卓等の表示
特性と比較し、数段劣る。市場の要求として、表示容量
の大きなしかも、表示品位に優れた液晶表示パネルの実
用化が強く望まれている。この市動ニーズを背景に、液
晶表示パネルの一方の電極基板にＭＯＳ構造の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を、表示エレメントの数だけ設け、
そのスイッチング動作により、液晶表示パネルを時分割
駆動するアクティブマトリクス液晶表示パネルの開発が
進められている。このアクティブマトリクス液晶表示パ
ネルは各表示エレメントに、スタチック的に電圧が印加
されるので、表示特性に優れる特徴を有している。ＭＯ
Ｓ−ＴＦＴは、その薄膜半導体材料として、ＣｄＳｅに
代表されるII−IV化合物半導体、Ｔｅ、ポリシリコン、
アモルファスシリコン等が検討されている。これらのＭ
ＯＳ−ＴＦＴは、静電気による損傷をうけやすく、一方
において液晶表示パネルは、その製造工程で静電気を帯
びやすい故、液晶表示パネルの歩留を低下させている。
量のマトリクス液晶表示パネルが実用化された。しかし
ながらこのマトリクス液晶表示パネルは、コントラス
ト、視角特性、応答速度等の表示特性が、電卓等の表示
特性と比較し、数段劣る。市場の要求として、表示容量
の大きなしかも、表示品位に優れた液晶表示パネルの実
用化が強く望まれている。この市動ニーズを背景に、液
晶表示パネルの一方の電極基板にＭＯＳ構造の薄膜トラ
ンジスタ（ＴＦＴ）を、表示エレメントの数だけ設け、
そのスイッチング動作により、液晶表示パネルを時分割
駆動するアクティブマトリクス液晶表示パネルの開発が
進められている。このアクティブマトリクス液晶表示パ
ネルは各表示エレメントに、スタチック的に電圧が印加
されるので、表示特性に優れる特徴を有している。ＭＯ
Ｓ−ＴＦＴは、その薄膜半導体材料として、ＣｄＳｅに
代表されるII−IV化合物半導体、Ｔｅ、ポリシリコン、
アモルファスシリコン等が検討されている。これらのＭ
ＯＳ−ＴＦＴは、静電気による損傷をうけやすく、一方
において液晶表示パネルは、その製造工程で静電気を帯
びやすい故、液晶表示パネルの歩留を低下させている。
本発明の目的は、液晶表示パネルの製造工程で発生する
静電気をおさえ、ＭＯＳ−ＴＦＴに損傷を与えないアク
ティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法を提供する
ことにある。
静電気をおさえ、ＭＯＳ−ＴＦＴに損傷を与えないアク
ティブマトリクス液晶表示パネルの製造方法を提供する
ことにある。
本発明による方法は、ＭＯＳ構造の複数の薄膜トランジ
スタが行列状に配置形成された第１の電極基板と共通電
極を有する第２の電極基板とを有するアクティブマトリ
クス液晶表示パネルの製造方法において、前記複数の薄
膜トランジスタの行をなすゲート電極端子同志および列
をなす電極端子同志を短絡する接続部とこの接続部に連
続する共通電極端子とを前記第１の電極基板に形成する
工程と、前記接続部および前記共通電極端子を有する前
記第１の電極基板にラビング処理を施す工程と、前記第
１の電極基板の前記共通電極端子と前記第２の電極基板
の前記共通電極とを接続させつつ前記第１および第２の
電極基板を所定間隔を保ち対向させて組み立て、液晶を
封入する工程と、組み立て完了後前記接続部を前記第１
の基板から切断する工程とを含んでいる。
スタが行列状に配置形成された第１の電極基板と共通電
極を有する第２の電極基板とを有するアクティブマトリ
クス液晶表示パネルの製造方法において、前記複数の薄
膜トランジスタの行をなすゲート電極端子同志および列
をなす電極端子同志を短絡する接続部とこの接続部に連
続する共通電極端子とを前記第１の電極基板に形成する
工程と、前記接続部および前記共通電極端子を有する前
記第１の電極基板にラビング処理を施す工程と、前記第
１の電極基板の前記共通電極端子と前記第２の電極基板
の前記共通電極とを接続させつつ前記第１および第２の
電極基板を所定間隔を保ち対向させて組み立て、液晶を
封入する工程と、組み立て完了後前記接続部を前記第１
の基板から切断する工程とを含んでいる。
以下、本発明について実施例を用い説明する。
一実施例のアクティブマトリクス液晶表示パネルの製造
方法に用いる液晶表示パネルの模式断面図を第１図に示
す。ＴＦＴが設けられた電極基板１２と共通電極２が設
けられた電極基板１との間に液晶３が充填されている。
電極基板１２にゲート電極１１が所定のパターン状に形
成され、その上にゲート絶縁膜１０が被われている。ゲ
ート絶縁膜上に半導体層９が所定のパターン状に形成さ
れ、その上にドレイン電極６、ソース電極７が設けられ
ており、ソース電極７は、表示電極８に接続されてい
る。ソース電極とドレイン電極間のチャンネル部を保護
する目的で絶縁膜５を設け、且つチャンネル部には、遮
光膜４が設けられている。図中１３，１４は、液晶分子
を配向させるための配向膜である。この配向膜は、有機
フィルムであり、布等で一方向にラビングして細溝が形
成されるが、この工程で静電気をおびやすい。又パネル
組み立て時乾燥雰囲気中で行なうため、電荷が両電極基
板間に蓄積される。第２図にマトリクス構成する場合の
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の電気的接続を
示す。図に示す様にゲート電極は、ｎ行に分割して結線
され、ドレイン電極はｎ列に分割して結線される。ソー
ス電極は、表示電極に結線されており、液晶層の静電容
量を介して共通電極（アース記号）に結線されている。
第３図は、本実施例の製造方法を説明するために用いる
液晶表示パネルの端子部を模式的に示したものである。
ゲート電極端子群Ｇ１，Ｇ２…Ｇｎ及びドレイン電極端
子群Ｄ１，Ｄ２…Ｄｍは、第１図の説明で明らかな様
に、同一電極基板１２にあり、一方共通電極は、電極基
板１にあるが、この共通電極をトランスファ端子を介し
て電極基板１２の共通電極端子ＣＯＭに接続する。これ
らのゲート電極端子群ドレイン電極端子群及び共通電極
端子を電極基板１２の４辺であらかじめ短絡される様に
電極をパターンニングする。
方法に用いる液晶表示パネルの模式断面図を第１図に示
す。ＴＦＴが設けられた電極基板１２と共通電極２が設
けられた電極基板１との間に液晶３が充填されている。
電極基板１２にゲート電極１１が所定のパターン状に形
成され、その上にゲート絶縁膜１０が被われている。ゲ
ート絶縁膜上に半導体層９が所定のパターン状に形成さ
れ、その上にドレイン電極６、ソース電極７が設けられ
ており、ソース電極７は、表示電極８に接続されてい
る。ソース電極とドレイン電極間のチャンネル部を保護
する目的で絶縁膜５を設け、且つチャンネル部には、遮
光膜４が設けられている。図中１３，１４は、液晶分子
を配向させるための配向膜である。この配向膜は、有機
フィルムであり、布等で一方向にラビングして細溝が形
成されるが、この工程で静電気をおびやすい。又パネル
組み立て時乾燥雰囲気中で行なうため、電荷が両電極基
板間に蓄積される。第２図にマトリクス構成する場合の
ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極の電気的接続を
示す。図に示す様にゲート電極は、ｎ行に分割して結線
され、ドレイン電極はｎ列に分割して結線される。ソー
ス電極は、表示電極に結線されており、液晶層の静電容
量を介して共通電極（アース記号）に結線されている。
第３図は、本実施例の製造方法を説明するために用いる
液晶表示パネルの端子部を模式的に示したものである。
ゲート電極端子群Ｇ１，Ｇ２…Ｇｎ及びドレイン電極端
子群Ｄ１，Ｄ２…Ｄｍは、第１図の説明で明らかな様
に、同一電極基板１２にあり、一方共通電極は、電極基
板１にあるが、この共通電極をトランスファ端子を介し
て電極基板１２の共通電極端子ＣＯＭに接続する。これ
らのゲート電極端子群ドレイン電極端子群及び共通電極
端子を電極基板１２の４辺であらかじめ短絡される様に
電極をパターンニングする。
第１図に示した構成のＴＦＴ電極基板１２は、上述した
様にラビング工程で静電気を帯電しやすいが、第３図で
説明した様にゲート電極及びドレイン電極が端子部で短
絡されているので、ＴＦＴが損傷されることはない。
又、ＴＦＴ電極基板１２と共通電極基板１を一定間隙を
保ち組み立て、液晶を充填する注入孔を除いて周囲を接
着剤でシールするが、第３図で説明した様に共通電極は
ドレイン電極、ゲート電極と短絡されているので、両電
極基板間に電荷が帯電することはない。注入孔より液晶
材を充填し、その注入孔を封孔し、偏光板を貼付して、
液晶表示パネルが完成する。偏光板面をこすったり、あ
るいは偏光板の保護シートをはずす時、両電極基板間に
電荷が帯電し、液晶分子配向が一時的に乱れる現象が観
察されるが、本実施例の製造方法では、短絡されている
のでこの電荷帯電を防止できる。第３図(a)，(b)で示し
た短絡は、この液晶表示パネルをモジュールに組み込む
時、第３図の一点鎖線の部分を切断することにより、開
放する。
様にラビング工程で静電気を帯電しやすいが、第３図で
説明した様にゲート電極及びドレイン電極が端子部で短
絡されているので、ＴＦＴが損傷されることはない。
又、ＴＦＴ電極基板１２と共通電極基板１を一定間隙を
保ち組み立て、液晶を充填する注入孔を除いて周囲を接
着剤でシールするが、第３図で説明した様に共通電極は
ドレイン電極、ゲート電極と短絡されているので、両電
極基板間に電荷が帯電することはない。注入孔より液晶
材を充填し、その注入孔を封孔し、偏光板を貼付して、
液晶表示パネルが完成する。偏光板面をこすったり、あ
るいは偏光板の保護シートをはずす時、両電極基板間に
電荷が帯電し、液晶分子配向が一時的に乱れる現象が観
察されるが、本実施例の製造方法では、短絡されている
のでこの電荷帯電を防止できる。第３図(a)，(b)で示し
た短絡は、この液晶表示パネルをモジュールに組み込む
時、第３図の一点鎖線の部分を切断することにより、開
放する。
以上、実施例により、本発明について説明したが、アク
ティブマトリクス液晶表示パネルの製造工程での静電気
発生は、ゲート電極端子、ドレイン電極端子及び共通電
極端子を短絡することにより、おさえられるので、ＴＦ
Ｔの静電気による損傷から守られるので、液晶表示パネ
ルの歩留を著しく向上させることが出来る。
ティブマトリクス液晶表示パネルの製造工程での静電気
発生は、ゲート電極端子、ドレイン電極端子及び共通電
極端子を短絡することにより、おさえられるので、ＴＦ
Ｔの静電気による損傷から守られるので、液晶表示パネ
ルの歩留を著しく向上させることが出来る。
第１図は、アクティブマトリクス液晶表示パネルの模式
断面図、第２図は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース
電極、表示電極、共通電極の電気的接続を示した回路
図、第３図(a)，(b)は、本発明を説明するために用いた
実施例の短絡手段を説明するための液晶表示パネルの端
子部を示す平面図および側面図である。 図中、１……共通電極基板、１２……ＴＦＴ電極基板、
１１……ゲート電極、１０……ゲート絶縁膜、９……半
導体層、６……ドレイン電極、７……ソース電極、８…
…表示電極、５……保護膜、４……遮光膜、１３，１４
……配向膜、３……液晶材。
断面図、第２図は、ゲート電極、ドレイン電極、ソース
電極、表示電極、共通電極の電気的接続を示した回路
図、第３図(a)，(b)は、本発明を説明するために用いた
実施例の短絡手段を説明するための液晶表示パネルの端
子部を示す平面図および側面図である。 図中、１……共通電極基板、１２……ＴＦＴ電極基板、
１１……ゲート電極、１０……ゲート絶縁膜、９……半
導体層、６……ドレイン電極、７……ソース電極、８…
…表示電極、５……保護膜、４……遮光膜、１３，１４
……配向膜、３……液晶材。
Claims (1)
- 【請求項１】ＭＯＳ構造の複数の薄膜トランジスタが行
列状に配置形成された第１の電極基板と共通電極を有す
る第２の電極基板とを有するアクティブマトリクス液晶
表示パネルの製造方法において、前記複数の薄膜トラン
ジスタの行をなすゲート電極端子同志および列をなす電
極端子同志を短絡する接続部とこの接続部に連続する共
通電極端子とを前記第１の電極基板に形成する工程と、
前記接続部および前記共通電極端子を有する前記第１の
電極基板にラビング処理を施す工程と、前記第１の電極
基板の前記共通電極端子と前記第２の電極基板の前記共
通電極とを接続させつつ前記第１および第２の電極基板
を所定間隔を保ち対向させて組み立て、液晶を封入する
工程と、組み立て完了後前記接続部を前記第１の基板か
ら切断する工程とを含むことを特徴とするアクティブマ
トリクス液晶表示パネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182107A JPH0644113B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | アクテイブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59182107A JPH0644113B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | アクテイブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6159475A JPS6159475A (ja) | 1986-03-26 |
| JPH0644113B2 true JPH0644113B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=16112456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59182107A Expired - Lifetime JPH0644113B2 (ja) | 1984-08-31 | 1984-08-31 | アクテイブマトリクス液晶表示パネルの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0644113B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5373377A (en) * | 1992-02-21 | 1994-12-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal device with shorting ring and transistors for electrostatic discharge protection |
| JP3642876B2 (ja) * | 1995-08-04 | 2005-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | プラズマを用いる半導体装置の作製方法及びプラズマを用いて作製された半導体装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54141155A (en) * | 1978-04-25 | 1979-11-02 | Sharp Corp | Production of liquid crystal cell |
| JPS57136676A (en) * | 1981-02-18 | 1982-08-23 | Hitachi Ltd | Liquid crystal display element |
| JPS59166984A (ja) * | 1983-03-14 | 1984-09-20 | 三菱電機株式会社 | マトリクス型液晶表示装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-08-31 JP JP59182107A patent/JPH0644113B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6159475A (ja) | 1986-03-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |