JPH0643258B2 - 回路基板用誘電体材料 - Google Patents
回路基板用誘電体材料Info
- Publication number
- JPH0643258B2 JPH0643258B2 JP29903087A JP29903087A JPH0643258B2 JP H0643258 B2 JPH0643258 B2 JP H0643258B2 JP 29903087 A JP29903087 A JP 29903087A JP 29903087 A JP29903087 A JP 29903087A JP H0643258 B2 JPH0643258 B2 JP H0643258B2
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- JP
- Japan
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- weight
- glass
- dielectric material
- dielectric
- circuit board
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
Landscapes
- Glass Compositions (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は回路基板として有用な誘電体材料、特に低温焼
成が可能で、かつ抗折強度の大きい誘電体材料に関す
る。
成が可能で、かつ抗折強度の大きい誘電体材料に関す
る。
従来の技術 ＬＳＩなど半導体及び回路部品の高密度実装化に伴い、
近年多層回路基板が広く採用されている。セラミック多
層回路基板は、誘電体層と導体層とを交互に積層し、同
時焼成して一体化することにより製造されるものであ
り、誘電体材料としは、従来主としてアルミナ系セラミ
ックスが使用されてきた。ところでアルミナは絶縁性、
機械的強度等の特性は優れているが、焼結温度が1500℃
以上と高く、内部配線導体材料には比較的電気抵抗の高
いＭoやＷ等の高融点金属を用いるので、導体幅を大き
くとらなくてはならないなど、小型化、高密度化が困難
である。そこで電気抵抗が小さく融点の低いＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕなどの高導電性金属を導体材料として用いるた
めに、これらの金属の融点以下で焼結可能な誘電体材料
の開発が望まれている。
近年多層回路基板が広く採用されている。セラミック多
層回路基板は、誘電体層と導体層とを交互に積層し、同
時焼成して一体化することにより製造されるものであ
り、誘電体材料としは、従来主としてアルミナ系セラミ
ックスが使用されてきた。ところでアルミナは絶縁性、
機械的強度等の特性は優れているが、焼結温度が1500℃
以上と高く、内部配線導体材料には比較的電気抵抗の高
いＭoやＷ等の高融点金属を用いるので、導体幅を大き
くとらなくてはならないなど、小型化、高密度化が困難
である。そこで電気抵抗が小さく融点の低いＡｇ、Ａ
ｕ、Ｃｕなどの高導電性金属を導体材料として用いるた
めに、これらの金属の融点以下で焼結可能な誘電体材料
の開発が望まれている。
更に誘電体の誘電率は基板内部での信号の伝播速度に大
きく影響するが、アルミナ系セラミックスは誘電率が約
8.5〜10と比較的大きく、信号伝送の高速化に限界があ
るため、より低い誘電率を有する誘電体材料が求められ
ている。
きく影響するが、アルミナ系セラミックスは誘電率が約
8.5〜10と比較的大きく、信号伝送の高速化に限界があ
るため、より低い誘電率を有する誘電体材料が求められ
ている。
これらの要請に応えて近年、例えば低温焼結セラミック
ス、結晶化ガラス、ガラス−セラミックス混合物など種
々の誘電体材料が提案され、一部実用化されているが、
誘電率等の電気特性、機械的強度等回路基板としての要
求特性を全て満足するものではない。特に現在実用化さ
れている、非酸化性雰囲気中で低温焼成するタイプの材
料は、抗折強度が2000Kg以下と、アルミナ基板に比べて
著しく小さい欠点があった。
ス、結晶化ガラス、ガラス−セラミックス混合物など種
々の誘電体材料が提案され、一部実用化されているが、
誘電率等の電気特性、機械的強度等回路基板としての要
求特性を全て満足するものではない。特に現在実用化さ
れている、非酸化性雰囲気中で低温焼成するタイプの材
料は、抗折強度が2000Kg以下と、アルミナ基板に比べて
著しく小さい欠点があった。
本発明者等は先にＮｇＯ，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＢａＯ，
ＺｒＯ2を構成成分とし、焼成によりＢａＺｒ（ＢＯ3）
2結晶を生じて、優れた絶縁性及び誘電特性を示すガラ
ス材料を開発し、特許出願を行った。しかしながらこの
材料は優れた性質を示すものの、強度がアルミナ基板に
比べてやや小さい傾向がある。
ＺｒＯ2を構成成分とし、焼成によりＢａＺｒ（ＢＯ3）
2結晶を生じて、優れた絶縁性及び誘電特性を示すガラ
ス材料を開発し、特許出願を行った。しかしながらこの
材料は優れた性質を示すものの、強度がアルミナ基板に
比べてやや小さい傾向がある。
発明が解決しようとする問題点 本発明の目的は、低温で焼成でき、焼成後は優れた絶縁
特性及び誘電特性を示し、かつ機械的強度の改善された
新規な回路基板用誘電体材料を提供することにある。
特性及び誘電特性を示し、かつ機械的強度の改善された
新規な回路基板用誘電体材料を提供することにある。
問題点を解決するための手段 本発明は、(A)マグネシウム、硼素、珪素、バリウム、
ジルコニウム、アルミニウム及びカルシウムを各々酸化
物換算で ＭｇＯ ２０〜４０重量％、 Ｂ2Ｏ3 １０〜３０重量％、 ＳｉＯ2 １０〜３５重量％、 ＢａＯ ５〜２２重量％、 ＺｒＯ2 ５〜２０重量％、 Ａｌ2Ｏ3 ２〜１５重量％、 ＣａＯ ０〜 ５重量％、 の比率で含有するガラス、及び(B)(A)のガラスを予め熱
処理し、結晶化させて得れたガラス−セラミックより選
んだ１種又は２種以上からなる回路基板用誘電体材料で
ある。又第二の発明は、このガラス及び／又はガラス−
セラミックスに、更に結晶性フィラーを配合した回路基
板用誘電体材料である。
ジルコニウム、アルミニウム及びカルシウムを各々酸化
物換算で ＭｇＯ ２０〜４０重量％、 Ｂ2Ｏ3 １０〜３０重量％、 ＳｉＯ2 １０〜３５重量％、 ＢａＯ ５〜２２重量％、 ＺｒＯ2 ５〜２０重量％、 Ａｌ2Ｏ3 ２〜１５重量％、 ＣａＯ ０〜 ５重量％、 の比率で含有するガラス、及び(B)(A)のガラスを予め熱
処理し、結晶化させて得れたガラス−セラミックより選
んだ１種又は２種以上からなる回路基板用誘電体材料で
ある。又第二の発明は、このガラス及び／又はガラス−
セラミックスに、更に結晶性フィラーを配合した回路基
板用誘電体材料である。
本発明のガラス(A)は、各成分酸化物の原料化合物を酸
化物換算で上記の粗成範囲となるように混合し、通常の
ガラスの製法に従って例えば1400〜1600℃の温度で溶融
し、次いで溶融物を急冷してガラス化し、これを粉砕す
ることによって製造される。又ガラス−セラミックス
(B)は、このガラスを結晶化温度以上で熱処理して予め
結晶化させた後、粉砕することにより製造される。
化物換算で上記の粗成範囲となるように混合し、通常の
ガラスの製法に従って例えば1400〜1600℃の温度で溶融
し、次いで溶融物を急冷してガラス化し、これを粉砕す
ることによって製造される。又ガラス−セラミックス
(B)は、このガラスを結晶化温度以上で熱処理して予め
結晶化させた後、粉砕することにより製造される。
結晶性フィラーとしてはアルミナ、ジルコニア、シリ
カ、ベリリア、珪素ジルコニウム、スタアタイト、フォ
ルステライト、ムライト等の酸化物や、窒化珪素、窒化
アルミニウム、窒化硼素等の窒化物などを使用すること
ができる。
カ、ベリリア、珪素ジルコニウム、スタアタイト、フォ
ルステライト、ムライト等の酸化物や、窒化珪素、窒化
アルミニウム、窒化硼素等の窒化物などを使用すること
ができる。
作用 本発明のガラスは、800〜900℃付近に結晶化温度を有し
ており、結晶化温度以上で焼成することによって一部結
晶化しガラス−セラミックスとなる。Ｘ線回折分析の結
果、焼成体は主としてＢａＺｒ（ＢＯ3）2とＢａＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8の二つの結晶相と残部組成のガラス質の三相か
らなっており、これらの結晶相とガラス相との共存によ
り機械的強度が大きく、絶縁性の優れた緻密な誘電体が
得られるものと考えられる。
ており、結晶化温度以上で焼成することによって一部結
晶化しガラス−セラミックスとなる。Ｘ線回折分析の結
果、焼成体は主としてＢａＺｒ（ＢＯ3）2とＢａＡｌ2
Ｓｉ2Ｏ8の二つの結晶相と残部組成のガラス質の三相か
らなっており、これらの結晶相とガラス相との共存によ
り機械的強度が大きく、絶縁性の優れた緻密な誘電体が
得られるものと考えられる。
即ちＢａＺｒ（ＢＯ3）2結晶は、上記ガラス質との共存
で、低誘電率でかつ優れた絶縁特性を有する誘電体とな
る。一方ガラス成分中のＡｌ2Ｏ3は、焼成体の抗折強度
を大きく向上させる。これはＡｌ2Ｏ3によって、ＢａＡ
ｌ2Ｓｉ2Ｏ8（セルシアン）の結晶相が新たに出現し、
これが強度の増加に寄与すること、及び系全体の結晶化
度が増加することによるものと考えられる。尚Ａｌ2Ｏ3
を配合すると焼結温度が上昇するが、ＣａＯを添加する
ことによって、二つの結晶相の生成に影響を及ぼすこと
なく焼結温度の上昇を抑えることができる。
で、低誘電率でかつ優れた絶縁特性を有する誘電体とな
る。一方ガラス成分中のＡｌ2Ｏ3は、焼成体の抗折強度
を大きく向上させる。これはＡｌ2Ｏ3によって、ＢａＡ
ｌ2Ｓｉ2Ｏ8（セルシアン）の結晶相が新たに出現し、
これが強度の増加に寄与すること、及び系全体の結晶化
度が増加することによるものと考えられる。尚Ａｌ2Ｏ3
を配合すると焼結温度が上昇するが、ＣａＯを添加する
ことによって、二つの結晶相の生成に影響を及ぼすこと
なく焼結温度の上昇を抑えることができる。
ガラスの組成範囲を限定した理由は、次の通りである。
ＭｇＯが２０〜４０重量％の範囲を外れると、前記結晶
が析出しにくくなる。Ｂ2Ｏ3が３０重量％を越えると強
度が低下し、回路基板用に使用できなくなり、又１０重
量％未満ではガラス製造時の溶融が困難になる。ＳｉＯ
2は３５重量％を越えると結晶化が遅くなる。又１０重
量％より少量ではガラスの結晶化が速まり、焼結性が悪
化する。ＢａＯは２２重量％より多いと誘電率が高くな
り、５重量％未満ではＺｒＯ2が分相を起こし、均質な
ガラス−セラミックスが得られない。ＺｒＯ2が２０重
量％を越えると溶融困難になり、又５重量％より少ない
場合は結晶化反応が緩慢になり、不完全な結晶相しか得
られない。Ａｌ2Ｏ3は、１５重量％を越えると焼結温度
が高くなるので望ましくなく、又２重量％より少ないと
機械的強度の増大に効率がない。ＣａＯは必ずしも配合
する必要はないが、Ａｌ2Ｏ3による焼結温度の高温化を
抑えるのに有効である。１〜５重量％の添加が効果的で
あるが、５重量％を越えると抗折強度の低下をもたら
す。
が析出しにくくなる。Ｂ2Ｏ3が３０重量％を越えると強
度が低下し、回路基板用に使用できなくなり、又１０重
量％未満ではガラス製造時の溶融が困難になる。ＳｉＯ
2は３５重量％を越えると結晶化が遅くなる。又１０重
量％より少量ではガラスの結晶化が速まり、焼結性が悪
化する。ＢａＯは２２重量％より多いと誘電率が高くな
り、５重量％未満ではＺｒＯ2が分相を起こし、均質な
ガラス−セラミックスが得られない。ＺｒＯ2が２０重
量％を越えると溶融困難になり、又５重量％より少ない
場合は結晶化反応が緩慢になり、不完全な結晶相しか得
られない。Ａｌ2Ｏ3は、１５重量％を越えると焼結温度
が高くなるので望ましくなく、又２重量％より少ないと
機械的強度の増大に効率がない。ＣａＯは必ずしも配合
する必要はないが、Ａｌ2Ｏ3による焼結温度の高温化を
抑えるのに有効である。１〜５重量％の添加が効果的で
あるが、５重量％を越えると抗折強度の低下をもたら
す。
更にガラス(A)を予め結晶化させ、粉砕してガラス−セ
ラミック質の誘電体材料(B)とし、これを焼結させるこ
とによっても同様な低誘電率の誘電体を得ることが可能
である。
ラミック質の誘電体材料(B)とし、これを焼結させるこ
とによっても同様な低誘電率の誘電体を得ることが可能
である。
ガラス(A)及びガラス−セラミックス(B)はそれぞれ単独
で用いてもよいが、両者を混合して使用することもでき
る。尚ガラス(A)は単独で使用すると、焼成時の脱バイ
ンダが不十分になる傾向があり、焼成体中にカーボンが
残留し易いから、フィラーとして予め結晶化されたガラ
ス−セラミックス(B)や、その他通常使用される結晶性
フィラーと混合使用するのが望ましい。特にガラス−セ
ラミックス(B)をフィラーとして用いる場合は、焼成後
は均質体となって組成及び特性を大きく変化させないの
で有利であり、かつ多量に配合することも可能で混合比
を自由に選択することができる利点である。これらのフ
ィラーは、脱バインダ性の改善の他、機械的強度、成形
性等を改善したり、焼成時の収縮率を制御する効果があ
る。
で用いてもよいが、両者を混合して使用することもでき
る。尚ガラス(A)は単独で使用すると、焼成時の脱バイ
ンダが不十分になる傾向があり、焼成体中にカーボンが
残留し易いから、フィラーとして予め結晶化されたガラ
ス−セラミックス(B)や、その他通常使用される結晶性
フィラーと混合使用するのが望ましい。特にガラス−セ
ラミックス(B)をフィラーとして用いる場合は、焼成後
は均質体となって組成及び特性を大きく変化させないの
で有利であり、かつ多量に配合することも可能で混合比
を自由に選択することができる利点である。これらのフ
ィラーは、脱バインダ性の改善の他、機械的強度、成形
性等を改善したり、焼成時の収縮率を制御する効果があ
る。
本発明の誘電体材料は、回路基板や、多層回路の誘電体
層として使用される。
層として使用される。
例えば多層回路基板に使用する場合は、本発明のガラス
又はガラス−セラミックスをポールミルにて平均粒径１
〜５μｍ程度まで粉砕し、得られた粉末に必要に応じて
フィラー、結合剤、可塑剤、湿潤剤を添加し、溶剤中で
充分に混合してスラリーを作り、ドクターブレード法な
ど公知の方法により成形してグリーンシートを作成す
る。このグリーンシートに導体を印刷し、複数枚積層し
て加熱加圧した後、焼成することにより一体化する。焼
成はガラスの結晶化温度以上で行えばよく、例えば1000
℃以下の低温で焼成することができる。
又はガラス−セラミックスをポールミルにて平均粒径１
〜５μｍ程度まで粉砕し、得られた粉末に必要に応じて
フィラー、結合剤、可塑剤、湿潤剤を添加し、溶剤中で
充分に混合してスラリーを作り、ドクターブレード法な
ど公知の方法により成形してグリーンシートを作成す
る。このグリーンシートに導体を印刷し、複数枚積層し
て加熱加圧した後、焼成することにより一体化する。焼
成はガラスの結晶化温度以上で行えばよく、例えば1000
℃以下の低温で焼成することができる。
焼成雰囲気は使用する導体材料により、酸化性雰囲気、
非酸化性雰囲気のいずれでもよいが、本発明の誘電体材
料は、非酸化性雰囲気中で焼成した場合でも充分に大き
い機械的強度が得られる。尚グリーンシートの代わりに
誘電体ペーストとして、ペースト積層法による多層回路
基板の製造に用いることもできる。
非酸化性雰囲気のいずれでもよいが、本発明の誘電体材
料は、非酸化性雰囲気中で焼成した場合でも充分に大き
い機械的強度が得られる。尚グリーンシートの代わりに
誘電体ペーストとして、ペースト積層法による多層回路
基板の製造に用いることもできる。
実施例 実施例１ Ｍｇ（ＯＨ）2，Ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＢａＣＯ3，Ｚｒ
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3及びＣａＣＯ3を酸化物換算で表１に示し
た割合で秤量し、自動乳鉢で混合し、白金ルツボ中で15
00℃に30分保持して溶融した後、双ロールで急冷してガ
ラスを製造した。このガラスをスタンプミルで粗粉砕
し、次いで溶剤としてメタノールを用いてアルミナ製ポ
ールミルで48時間粉砕し、平均粒径2.5μｍのガラス粉
末(A)を得た。
Ｏ2，Ａｌ2Ｏ3及びＣａＣＯ3を酸化物換算で表１に示し
た割合で秤量し、自動乳鉢で混合し、白金ルツボ中で15
00℃に30分保持して溶融した後、双ロールで急冷してガ
ラスを製造した。このガラスをスタンプミルで粗粉砕
し、次いで溶剤としてメタノールを用いてアルミナ製ポ
ールミルで48時間粉砕し、平均粒径2.5μｍのガラス粉
末(A)を得た。
一方、これと同一組成のガラスを作成し、粗粉砕したも
のを900℃で30分間熱処理して結晶化させ、再度粉砕し
て平均粒径2.5μｍガラス−セラミックス粉末(B)を得
た。
のを900℃で30分間熱処理して結晶化させ、再度粉砕し
て平均粒径2.5μｍガラス−セラミックス粉末(B)を得
た。
ガラス粉末(A)50重量部、ガラス−セラミックス粉末(B)
50重量部、アクリル系樹脂12重量部、フタル酸系可塑剤
３重量部及びケトン系溶剤28重量部をアルミナ製ポール
ミルを用いて充分混合してスラリーとした。次いで脱泡
及び粘度調整を行った時、ドクタープレード法により厚
さ１５０μｍのグリーンシートを作成した。６枚のグリ
ーンシートを温度80℃、圧力100Kg／cm2で加熱して積層
し、未焼結基板を得た。
50重量部、アクリル系樹脂12重量部、フタル酸系可塑剤
３重量部及びケトン系溶剤28重量部をアルミナ製ポール
ミルを用いて充分混合してスラリーとした。次いで脱泡
及び粘度調整を行った時、ドクタープレード法により厚
さ１５０μｍのグリーンシートを作成した。６枚のグリ
ーンシートを温度80℃、圧力100Kg／cm2で加熱して積層
し、未焼結基板を得た。
これをベルト炉において、600℃で2.5時間保持して有機
物を除去した後、窒素雰囲気中表１に示した温度で2.5
時間保持して焼成を行った。
物を除去した後、窒素雰囲気中表１に示した温度で2.5
時間保持して焼成を行った。
得られた焼成体について各々比誘電率、絶縁抵抗及び抗
折強度を測定し、結果を第１表に示した。
折強度を測定し、結果を第１表に示した。
実施例２〜５ ガラスの組成を表１のとおりとする以外は実施例１と同
様にしてグリーンシートを作成し、積層後、焼成した。
得られた焼成体について特性を測定し、結果を表１に併
せて示した。
様にしてグリーンシートを作成し、積層後、焼成した。
得られた焼成体について特性を測定し、結果を表１に併
せて示した。
比較例１〜３ ＭｇＯ、Ｂ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＢａＣＯ3、ＺｒＯ2、Ａｌ2
Ｏ3及びＣａＯを表１に示した割合で混合し、実施例と
同様にしてグリーンシートを作成し、積層後、焼成し
た。得られた焼成体について特性を測定し、結果を表１
に併せて示した。
Ｏ3及びＣａＯを表１に示した割合で混合し、実施例と
同様にしてグリーンシートを作成し、積層後、焼成し
た。得られた焼成体について特性を測定し、結果を表１
に併せて示した。
表１より明らかなように、本発明の誘電体材料は回路基
板材料として優れた特性を有しており、特にＡｌ2Ｏ3の
添加で抗折強度が著しく向上した。尚比較例３ではＡｌ
2Ｏ3の添加量が多いため焼成温度が高く、1100℃でも焼
結しなかった。
板材料として優れた特性を有しており、特にＡｌ2Ｏ3の
添加で抗折強度が著しく向上した。尚比較例３ではＡｌ
2Ｏ3の添加量が多いため焼成温度が高く、1100℃でも焼
結しなかった。
実施例６〜９ 実施例１においてガラス粉末(A)とガラス−セラミック
ス粉末(B)の比率を変え、表２のとおりとする以外は同
様にしてグリーンシートを作り、積層した後焼成した。
ス粉末(B)の比率を変え、表２のとおりとする以外は同
様にしてグリーンシートを作り、積層した後焼成した。
得られた誘電体の特性を表２に示した。
実施例１０ 実施例１と同一組成のガラス粉末と、平均粒径1.0μｍ
の珪酸ジルコニウム粉末とを重量比で50：50の割合で混
合し、実施例１と同様にしてグリーンシートを作り、積
層した後980℃で2.5時間焼成した。得られた焼成体の比
誘電率、絶縁抵抗及び抗折強度はそれぞれ7.8、1014Ωc
m以上、2100Kg/cm2であった。
の珪酸ジルコニウム粉末とを重量比で50：50の割合で混
合し、実施例１と同様にしてグリーンシートを作り、積
層した後980℃で2.5時間焼成した。得られた焼成体の比
誘電率、絶縁抵抗及び抗折強度はそれぞれ7.8、1014Ωc
m以上、2100Kg/cm2であった。
発明の効果 本発明の誘電体材料は、優れた電気的特性及び高い機械
的強度を有しており、かつ低温での焼結が可能なので、
導体抵抗の低いＡｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属を配線材料
として使用することができ、高密度実装が可能な回路基
板用材料として極めて有用である。
的強度を有しており、かつ低温での焼結が可能なので、
導体抵抗の低いＡｇ、Ａｕ、Ｃｕなどの金属を配線材料
として使用することができ、高密度実装が可能な回路基
板用材料として極めて有用である。
Claims (2)
- 【請求項１】(A)マグネシウム、硼素、珪素、バリウ
ム、ジルコニウム、アルミニウム及びカルシウムを各々
酸化物換算で ＭｇＯ ２０〜４０重量％、 Ｂ2Ｏ3 １０〜３０重量％、 ＳｉＯ2 １０〜３５重量％、 ＢａＯ ５〜２２重量％、 ＺｒＯ2 ５〜２０重量％、 Ａｌ2Ｏ3 ２〜１５重量％、 ＣａＯ ０〜 ５重量％、 の比率で含有するガラス 及び (B)(A)のガラスを予め熱処理し、結晶化させて得られた
ガラス−セラミックス より選んだ１種又は２種以上からなる回路基板用誘電体
材料。 - 【請求項２】(1)(A)マグネシウム、硼素、珪素、バリウ
ム、ジルコニウム、アルミニウム及びカルシウムを各々
酸化物換算で ＭｇＯ ２０〜４０重量％、 Ｂ2Ｏ3 １０〜３０重量％、 ＳｉＯ2 １０〜３５重量％、 ＢａＯ ５〜２２重量％、 ＺｒＯ2 ５〜２０重量％、 Ａｌ2Ｏ3 ２〜１５重量％、 ＣａＯ ０〜 ５重量％、 の比率で含有するガラス 及び (B)(A)のガラスを予め熱処理し、結晶化させて得られた
ガラス−セラミックス より選んだ１種又は２種以上と、 (2)結晶性フィラー とからなる回路基板用誘電体材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29903087A JPH0643258B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板用誘電体材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29903087A JPH0643258B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板用誘電体材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01141837A JPH01141837A (ja) | 1989-06-02 |
| JPH0643258B2 true JPH0643258B2 (ja) | 1994-06-08 |
Family
ID=17867306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29903087A Expired - Fee Related JPH0643258B2 (ja) | 1987-11-27 | 1987-11-27 | 回路基板用誘電体材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0643258B2 (ja) |
Families Citing this family (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3647130B2 (ja) * | 1996-02-06 | 2005-05-11 | 昭栄化学工業株式会社 | 絶縁体ガラス組成物とこれを用いた厚膜多層回路絶縁層用ガラス組成物 |
| JP5057620B2 (ja) * | 2000-08-28 | 2012-10-24 | 京セラ株式会社 | 低温焼成セラミック焼結体、並びに配線基板 |
| US6579818B2 (en) * | 2000-08-28 | 2003-06-17 | Kyocera Corporation | Glass ceramic sintered product |
| JP2002338295A (ja) * | 2001-05-17 | 2002-11-27 | Asahi Glass Co Ltd | 無アルカリガラス、電子回路基板用組成物および電子回路基板 |
| JP4994052B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-08-08 | 京セラ株式会社 | 基板およびこれを用いた回路基板 |
| JP4935248B2 (ja) * | 2006-08-30 | 2012-05-23 | 株式会社デンソー | 混成集積回路装置、および混成集積回路装置の製造方法 |
| KR101133480B1 (ko) * | 2007-04-17 | 2012-04-10 | 아사히 가라스 가부시키가이샤 | 무알칼리 유리의 제조 방법 |
| JP5657860B2 (ja) * | 2008-12-19 | 2015-01-21 | 釜屋電機株式会社 | グレーズド絶縁基板、集合絶縁基板、その製造方法及びヒューズ抵抗器 |
| CN116396074B (zh) * | 2023-04-10 | 2024-06-07 | 江苏科技大学 | 一种低损耗介电材料及其制备方法和应用 |
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1987
- 1987-11-27 JP JP29903087A patent/JPH0643258B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JPH01141837A (ja) | 1989-06-02 |
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