JPH0640727A - Ｐｌｚｔ薄膜の作製方法 - Google Patents
Ｐｌｚｔ薄膜の作製方法Info
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- JPH0640727A JPH0640727A JP19666092A JP19666092A JPH0640727A JP H0640727 A JPH0640727 A JP H0640727A JP 19666092 A JP19666092 A JP 19666092A JP 19666092 A JP19666092 A JP 19666092A JP H0640727 A JPH0640727 A JP H0640727A
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- JP
- Japan
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- plzt
- film
- thin film
- transparent
- mixture
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- Pending
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- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 透過光の利用が任意に可能なＰＬＺＴ素子を
得る。 【構成】 透明基板１上に透明導電膜２からなる電極を
形成した後に、ＰＬＺＴを構成する各成分元素のアルコ
キシド溶液を塗布し、次いで酸素含有雰囲気において熱
処理することによって透明導電膜上にＰＬＺＴ薄膜３を
形成するものである。
得る。 【構成】 透明基板１上に透明導電膜２からなる電極を
形成した後に、ＰＬＺＴを構成する各成分元素のアルコ
キシド溶液を塗布し、次いで酸素含有雰囲気において熱
処理することによって透明導電膜上にＰＬＺＴ薄膜３を
形成するものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＰＬＺＴ薄膜の作製方
法に関する。
法に関する。
【０００２】ＰＬＺＴ（ＰｂＯ−Ｌａ2 Ｏ3 −ＺｒＯ−
ＴｉＯ2 ）薄膜は、その電気光学効果・光散乱効果を利
用した、表面弾性素子、光電検出素子、光導波路、光シ
ャッター、光スイッチ、画像メモリー等に応用すること
が見込まれている。
ＴｉＯ2 ）薄膜は、その電気光学効果・光散乱効果を利
用した、表面弾性素子、光電検出素子、光導波路、光シ
ャッター、光スイッチ、画像メモリー等に応用すること
が見込まれている。
【０００３】
【従来の技術】ＰＬＺＴを光シャッター、光スイッチ、
画像メモリー等に応用する場合には、ＰＬＺＴ薄膜の両
面あるいは片面に電極を形成し、有効な電気光学効果あ
るいは、光散乱効果を生じせしめる電界を印加する必要
があり、電極を形成することが行われている。
画像メモリー等に応用する場合には、ＰＬＺＴ薄膜の両
面あるいは片面に電極を形成し、有効な電気光学効果あ
るいは、光散乱効果を生じせしめる電界を印加する必要
があり、電極を形成することが行われている。
【０００４】従来、ＰＬＺＴ薄膜の作製方法としては、
ホットプレス法、ゾルゲル法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法等が知られている。このうち、ゾルゲル法はＰＬＺ
Ｔの各成分元素、すなわち鉛、ランタン、ジルコニア及
びチタンのアルコキシド混合溶液から固体薄膜を比較的
簡単に作製できる方法として注目されている。
ホットプレス法、ゾルゲル法、スパッタリング法、ＣＶ
Ｄ法等が知られている。このうち、ゾルゲル法はＰＬＺ
Ｔの各成分元素、すなわち鉛、ランタン、ジルコニア及
びチタンのアルコキシド混合溶液から固体薄膜を比較的
簡単に作製できる方法として注目されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ＰＬＺＴの電気光学的
な効果の利用するための制御用の電界を印加する電極の
形成は、従来のＰＬＺＴ素子では、図５に示すように基
板５１上に金属製の電極５２を形成した後にＰＬＺＴ薄
膜５３を形成したり、薄膜を作製した後に電極を形成す
ることが行われていた。
な効果の利用するための制御用の電界を印加する電極の
形成は、従来のＰＬＺＴ素子では、図５に示すように基
板５１上に金属製の電極５２を形成した後にＰＬＺＴ薄
膜５３を形成したり、薄膜を作製した後に電極を形成す
ることが行われていた。
【０００６】ところが、このような構成のＰＬＺＴ素子
では、電極によって光の透過する部分が限定されるの
で、ＰＬＺＴ素子としての構成も限定されるという問題
点があった。
では、電極によって光の透過する部分が限定されるの
で、ＰＬＺＴ素子としての構成も限定されるという問題
点があった。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、図１に示すよ
うに透明基板１上に透明導電膜２からなる電極を形成し
た後に、ＰＬＺＴを構成する各成分元素のアルコキシド
溶液を塗布し、次いで酸素含有雰囲気において熱処理す
ることによって透明導電膜上にＰＬＺＴ薄膜３を形成す
るものである。
うに透明基板１上に透明導電膜２からなる電極を形成し
た後に、ＰＬＺＴを構成する各成分元素のアルコキシド
溶液を塗布し、次いで酸素含有雰囲気において熱処理す
ることによって透明導電膜上にＰＬＺＴ薄膜３を形成す
るものである。
【０００８】透明基板上に形成する電極は、酸化錫（Ｓ
ｎＯ2 ）膜などを透過光の特性に応じて任意に選ぶこと
ができる。
ｎＯ2 ）膜などを透過光の特性に応じて任意に選ぶこと
ができる。
【０００９】図２には、本発明のＰＬＺＴの形成工程を
示すが、透明導電膜からなる電極を形成した基板上にＰ
ＬＺＴを構成する各成分のアルコキシド溶液の塗布は、
スピンコートなどによって行えば均一な膜を形成するこ
とができる。スピンコートによって塗布の後に空気中に
放置するとアルコキシドの溶剤等が揮散するとともに、
アルコキシドが空気中の水分と反応し加水分解をし、Ｐ
ＬＺＴの水酸化物が形成される。
示すが、透明導電膜からなる電極を形成した基板上にＰ
ＬＺＴを構成する各成分のアルコキシド溶液の塗布は、
スピンコートなどによって行えば均一な膜を形成するこ
とができる。スピンコートによって塗布の後に空気中に
放置するとアルコキシドの溶剤等が揮散するとともに、
アルコキシドが空気中の水分と反応し加水分解をし、Ｐ
ＬＺＴの水酸化物が形成される。
【００１０】乾燥後に加熱炉中において仮焼した後、焼
成を行いＰＬＺＴ膜を形成する。溶液との塗布から仮焼
までの工程を繰り返し行うことによって任意の厚さの薄
膜を形成することが可能となる。
成を行いＰＬＺＴ膜を形成する。溶液との塗布から仮焼
までの工程を繰り返し行うことによって任意の厚さの薄
膜を形成することが可能となる。
【００１１】本発明に使用することができるアルコキシ
ドは、鉛アルコキシド（Ｐｂ（ＯＲ）2 、ランタンアル
コキシド（Ｌａジルコニウムアルコキシド（Ｚｒ（Ｏ
Ｒ）4）、チタニウムアルコキシド（Ｔｉ（ＯＲ）4 ）
で示されるエチル、プロピル、ブチル等の各種の低級ア
ルコールのアルコキシドを使用することができ、これら
の有機溶剤には、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、ｎ−酢酸ブチルな
どの有機溶剤を使用することができる。
ドは、鉛アルコキシド（Ｐｂ（ＯＲ）2 、ランタンアル
コキシド（Ｌａジルコニウムアルコキシド（Ｚｒ（Ｏ
Ｒ）4）、チタニウムアルコキシド（Ｔｉ（ＯＲ）4 ）
で示されるエチル、プロピル、ブチル等の各種の低級ア
ルコールのアルコキシドを使用することができ、これら
の有機溶剤には、メタノール、エタノール、プロパノー
ル、イソプロパノール、ブタノール、ｎ−酢酸ブチルな
どの有機溶剤を使用することができる。
【００１２】また、本発明の透明電極上に形成したＰＬ
ＺＴ薄膜は、図３（Ａ）に示すように、片面に透明パタ
ーンニング電極を形成することによって、光シャッター
として使用することができ、また図３（Ｂ）に示すよう
にＰＬＺＴ電極の両面に透明電極を設けることも可能で
あり、画像メモリーとして利用することができる。
ＺＴ薄膜は、図３（Ａ）に示すように、片面に透明パタ
ーンニング電極を形成することによって、光シャッター
として使用することができ、また図３（Ｂ）に示すよう
にＰＬＺＴ電極の両面に透明電極を設けることも可能で
あり、画像メモリーとして利用することができる。
【００１３】
【作用】本発明の方法は、透明基板上に導電性薄膜から
なる透明電極を形成した後に、金属アルコキシド溶液に
スピンコートにより塗布した後熱処理を行うことによっ
て、透明電極上にＰＬＺＴを形成することができるの
で、任意の構成のＰＬＺＴ素子を得ることができる。
なる透明電極を形成した後に、金属アルコキシド溶液に
スピンコートにより塗布した後熱処理を行うことによっ
て、透明電極上にＰＬＺＴを形成することができるの
で、任意の構成のＰＬＺＴ素子を得ることができる。
【００１４】
【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに説明す
る。
る。
【００１５】原料としては、Ｐｂ、Ｌａ、Ｚｒ、Ｔｉの
アルコキシドの混合物（（株）高純度化学研究所製、商
品名ＰＬＺＴ−２０）、透明ガラス（コーニング社 無
アルカリガラス７０５９）に透明導電層としてＳｎＯ2
薄膜を形成した基板上に、アルコキシドの混合物溶液を
スピンコートし、１回の塗布で１μｍの膜厚が得られ
た。
アルコキシドの混合物（（株）高純度化学研究所製、商
品名ＰＬＺＴ−２０）、透明ガラス（コーニング社 無
アルカリガラス７０５９）に透明導電層としてＳｎＯ2
薄膜を形成した基板上に、アルコキシドの混合物溶液を
スピンコートし、１回の塗布で１μｍの膜厚が得られ
た。
【００１６】スピンコートの後に、空気中に５分間放置
して溶剤を揮散し、次いで、４００℃の加熱炉に入れ、
１０℃／分で昇温し、４５０℃で１時間保持した後放冷
することによって仮焼した。さらに、４００℃に加熱し
た加熱炉に入れ、１０℃／分で昇温し、６００℃で４時
間保持し熱処理を行った。また、仮焼成工程を繰り返す
ことにより任意の膜厚を形成することができ、４回の塗
布と焼成工程によって１μｍのＰＬＺＴ膜を形成するこ
とができた。
して溶剤を揮散し、次いで、４００℃の加熱炉に入れ、
１０℃／分で昇温し、４５０℃で１時間保持した後放冷
することによって仮焼した。さらに、４００℃に加熱し
た加熱炉に入れ、１０℃／分で昇温し、６００℃で４時
間保持し熱処理を行った。また、仮焼成工程を繰り返す
ことにより任意の膜厚を形成することができ、４回の塗
布と焼成工程によって１μｍのＰＬＺＴ膜を形成するこ
とができた。
【００１７】得られたＰＬＺＴ膜のＸ線回折チャートを
図４に示す。図４よりＰＬＺＴが確かに得られているこ
とがわかった。
図４に示す。図４よりＰＬＺＴが確かに得られているこ
とがわかった。
【００１８】
【発明の効果】本発明の方法によれば、透明導電層を有
する透明基材上に透明でかつ良質なＰＬＺＴ薄膜を簡易
な方法でかつ効率的に得ることができる。
する透明基材上に透明でかつ良質なＰＬＺＴ薄膜を簡易
な方法でかつ効率的に得ることができる。
【図１】本発明によって製造したＰＬＺＴ素子を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明の製造工程を説明する図である。
【図３】本発明のＰＬＺＴ素子の利用方法を説明する図
である。
である。
【図４】本発明で得られた物質を説明する図である。
【図５】従来のＰＬＺＴ素子を示す断面図である。
１…透明基板、２…透明導電膜、３…ＰＬＺＴ薄膜、５
１…基板、５２…電極、５３…ＰＬＺＴ薄膜
１…基板、５２…電極、５３…ＰＬＺＴ薄膜
Claims (1)
- 【請求項１】 ＰＬＺＴ薄膜の作成方法において、ＰＬ
ＺＴの各成分元素のアルコキシドを含有する混合溶液
を、導電性の透明電極膜としてＳｎＯ2 膜を形成した透
明基板上に塗布した後に焼成することを特徴とするＰＬ
ＺＴ薄膜の作製方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19666092A JPH0640727A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｐｌｚｔ薄膜の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19666092A JPH0640727A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｐｌｚｔ薄膜の作製方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0640727A true JPH0640727A (ja) | 1994-02-15 |
Family
ID=16361480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19666092A Pending JPH0640727A (ja) | 1992-07-23 | 1992-07-23 | Ｐｌｚｔ薄膜の作製方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0640727A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009042529A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 光制御装置及びその製造方法 |
| US9925771B2 (en) | 2014-03-18 | 2018-03-27 | Rohm Co., Ltd. | Device using a piezoelectric film |
-
1992
- 1992-07-23 JP JP19666092A patent/JPH0640727A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009042529A (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-26 | Sony Corp | 光制御装置及びその製造方法 |
| US9925771B2 (en) | 2014-03-18 | 2018-03-27 | Rohm Co., Ltd. | Device using a piezoelectric film |
| US11007780B2 (en) | 2014-03-18 | 2021-05-18 | Rohm Co., Ltd. | Device using a piezoelectric film |
| US11565525B2 (en) | 2014-03-18 | 2023-01-31 | Rohm Co., Ltd. | Device using a piezoelectric film |
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