JPH0639155B2 - 銅張積層板の製造方法 - Google Patents

銅張積層板の製造方法

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JPH0639155B2
JPH0639155B2 JP62037626A JP3762687A JPH0639155B2 JP H0639155 B2 JPH0639155 B2 JP H0639155B2 JP 62037626 A JP62037626 A JP 62037626A JP 3762687 A JP3762687 A JP 3762687A JP H0639155 B2 JPH0639155 B2 JP H0639155B2
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Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この発明は、厚さ１０μｍ以下の極薄銅張積層板の製造
に好適な銅張積層板の製造方法に関する。
（従来の技術及びその問題点） 従来、プリント回路板を製造する一般的な方法として
は、フェノール、ガラスエポキシ樹脂等の絶縁基板表面
に１８μｍ乃至は３５μｍ、或いはそれ以上の膜厚を有
する銅箔を接着積層し、この銅箔面にフォトレジスト、
印刷レジスト等のレジストによりマスキングを施し、導
体回路以外の不要部分をエッチング除去する、所謂エッ
チング法がある。
しかし、上記のエッチング法においては、銅箔製造後の
表面処理、切断、絶縁基板への積層等の工程時に物理的
に加わる引張力、折曲力等に耐え得るために、銅箔の厚
さを１８μｍ以上とする必要があるため、導体間隔が１
３０μｍ程度以下の所謂ファインパターンを形成する場
合に、導体端部へのエッチャントの作用時間が長く、こ
の導体端部の形状が直線とならずに品質の低下を招来す
るという問題があった。つまり、エッチング法では、近
年のプリント回路板の高密度化に充分対応することが困
難である。
上述のエッチング法の問題を解決するものとして、所謂
転写法により作製する銅張積層板が、例えば、特公昭55
-24141号公報、特公昭55-32239号公報、特公昭57-24080
号公報、特公昭57-39318号公報、特開昭60-147192号公
報により公知である。
特公昭55-24141号公報、特公昭55-32239号公報、特公昭
57-24080号公報及び特公昭57-39318号公報に開示の銅張
積層板の製造方法（以下これを「ベルト転写法」とい
う）は、金属製回転ドラネの外周面又はホリゾンタルメ
ッキ装置の陰極部に摺動する薄手の導電性金属帯を陰極
としてこれを不溶性の陽極に所定の間隔を保ちながら送
行させ、金属帯と陽極間にメッキ液を高速で強制的に供
給して金属帯表面に銅箔を電解形成させ、この銅箔に予
め接着材が塗布された絶縁基材を密着させたあと、絶縁
基材と銅箔を金属帯から引き剥がすことにより銅張積層
板を実現させるものである。このベルト転写法は高速メ
ッキを行うために従来のエッチング法等より銅箔形成速
度が著しく早く、且つ、連続的に銅張積層板を作製でき
る点ですぐれているが、銅箔を転写した絶縁基材を金属
帯から引き剥がす分離工程時に、銅箔と金属帯表面との
密着強度と、絶縁基材と金属帯表面との密着強度の相違
等に起因して、銅箔が絶縁基板側に部分的に転写しない
ことや、転写分離過程で銅箔がスイング、デフォルムを
起こし、シワ、折れ、打痕、裂け目等の欠陥が発生する
という問題がある。
又、ベルト転写法は導電性基材として金属帯を使用する
ので、幅広の金属帯を使用すると金属帯が送行中に波打
ち、金属帯と陽極間距離を一定に保つことが難しい。従
って、金属帯上に電解される銅箔の厚みが場所によって
異なり、歩留りが悪いという問題がある。このため、ベ
ルト転写法では幅広の金属帯が使用できず、このため生
産性の向上に制限がある。
更に、例えば特公昭57-24080号公報に開示されるよう
に、リールに巻かれたステンレス鋼の金属帯をリールに
巻き取る、所謂リール・ツー・リールの状態で使用する
と、ステンレス板表面に傷、汚れ等の損傷を与え易い。
しかも、その傷、汚れ等に対処するために作業を中断す
ると、今度は銅箔の形成を損なう等の問題が生じるの
で、リール・ツー・リール方式ではたとえステンレス表
面に汚れ、傷等の損傷が発生しても安易に作業（サイ
ン）を中断することが難しい。この結果、不良率の増
加、作業性の低下等の問題が生じる。
又、金属帯としてステンレス鋼を使用すると、この金属
帯表面には気孔等の避けられない物理的欠陥や電気化学
的欠陥が存在し、ベルト転写法は、このような欠陥のあ
る金属帯表面上に直接導体回路を電解析出させるので、
銅箔にピンホールが発生し易く、特に銅回路幅100μｍ
以下、回路間隔100μｍ以下等の高密度導体回路板では
重要な問題となる。
前記特開昭60−１４７１９２号公報に開示の導体回路板
の製造方法（以下これを「従来転写法」という）は、基
板上に薄膜金属層を施す工程（第１９図(a)）と、この
薄膜金属層表面を粗面化する工程（第１９図(b)）と、
薄膜金属層表面にメッキを行って銅箔を形成する工程
（第１９(d)）と、その後に薄膜金属層、銅箔を共に上
記基板から剥離して絶縁性基材へ転写する工程（第１９
(e)）と、転写された薄膜金属層をエッチングにより除
去する工程（第１９図(f)）とからなるもので、この従
来転写法は、基板上に１〜１０μｍ程度の薄膜金属層を
形成しておき、これを転写時に銅箔と共に絶縁性基材に
転写することにより、銅箔を容易且つ確実に転写するこ
とが出来る点で前述のベルト転写法より優れている。そ
して、薄膜金属層表面に塩化第二銅・塩酸混合液等を使
用して化学エッチング法により粗面化することにより銅
箔メッキ膜の薄膜金属層への密着性を良好に保つように
している。しかしながら、従来転写法は上述のように基
板上に薄膜金属層を形成させた後、この薄膜金属層表面
を粗面化する工程が必須要件であり、この粗面化処理に
時間が掛かり、生産性の向上に悪影響を及ぼすと共に、
工程簡略化の上で好ましくない。
更に、その他の従来の銅張積層板の製造方法としては、
厚さ４０〜６０μｍのアルミホイルからなるキャリヤ
（担体）表面に銅を電気メッキにより堆積させて５〜１
０μｍ厚さの銅箔を形成し、次いで、該銅箔表面に絶縁
基材を接着積層し、キャリヤを酸もしくはアルカリによ
り化学的に除去するか或いは機械的に分離除去する方
法、並びに、圧延法によるもの、即ち、例えば銅インゴ
ットを多段圧延機により圧延して３μｍ程度以上の膜厚
を有する銅箔を作製し、この銅箔を絶縁基材と圧着する
方法が知られている。
しかしながら、前者の方法では、アルミホイルキャリア
除去工程に複雑な工程を必要とし、更にはアルミホイル
の再使用か不可能であるため、生産効率の低下、材料コ
ストの上昇を招くという問題がある。一方、後者の方法
は、前述のベルト転写法のメッキ法による銅箔の製造工
程を圧延法に置き換えたものであり、メッキ法と同様に
銅箔のシワ、亀裂、へこみ、変形等の欠陥を有してい
る。
一方、銅箔と絶縁基材との密着性を向上させるためには
銅箔表面は所定の粗度を有している必要がある。
本発明は上述の種々の問題点を解決するためになされた
もので、生産性が高く、設備及びその設置面積が最小限
でよく、しかも、高密度の回路パターンを有するプリン
ト回路板の製造に好適な、極薄の銅箔が形成された銅張
積層板の製造方法を提供することを目的とする。
（問題点を解決するための手段及び作用） 上述の目的を達成するために本発明者等が種々研究を重
ねた結果、少ない生産設備と少ない設置面積で高い生産
性を上げるには、所謂高速メッキ法の採用が必要である
こと、特別な粗面化処理工程を必要とせずに、高速メッ
キ法により所要の粗度のメッキ面を得る電解メッキ条件
を究明し得たこと、所謂単板プレス法により導電基材表
面に銅箔を形成し、これを絶縁基材に転写すれば銅箔が
絶縁基材に容易且つ確実に転写できること等の認識に基
づくものである。
即ち、第１の本発明の銅張積層板の製造方法は、平板状
導電基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距
離３〜３０mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解
液の接液スピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解液
を強制的に供給し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件で
電解メッキを施して前記導電基材表面に数μｍ以上の膜
厚を有する銅箔を形成する工程と、この銅箔表面に粗面
化処理を施す工程と、斯く形成させた銅箔を挟んで前記
導電基材に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着する工程
と、前記銅箔と絶縁基材とを前記導電基材から一体に剥
離する工程とからなることを特徴とする。
第２の本発明の銅張積層板の製造方法は、表面に厚さ0.
1〜３μｍの高純度金属膜が形成された平板状導電基材
を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜３
０mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の接液
スピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強制的
に供給し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件で電解メッ
キを施して前記高純度金属膜上に前記陰極とこの高純度
金属膜との間の密着力より強い密着力で高純度金属膜と
密着するような数μｍ以上の膜厚を有する銅箔を形成す
る工程と、この銅箔表面に粗面化処理を施す工程と、斯
く形成された銅箔を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積
層して一体に加熱圧着する工程と、前記高純度金属膜及
び前記銅箔を前記絶縁基材と一体に前記導電基材から剥
離する工程とからなることを特徴とする。
第３の本発明の銅張積層板の製造方法は、表面に厚さ７
０〜２５０μｍの高純度金属膜が形成された平板状導電
基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３
〜３０mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の
接液スピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強
制的に供給し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件で電解
メッキを施して前記高純度金属膜上に前記陰極とこの高
純度金属膜との間の密着力より弱い密着力で高純度金属
膜と密着するような数μｍ以上の膜厚を有する銅箔を形
成する工程と、この銅箔表面に粗面化処理を施す工程
と、斯く形成させた銅箔を挟んで前記導電基材に絶縁基
材を積層して一体に加熱圧着する工程と、前記銅箔と前
記絶縁基材のみを一体に前記導電基材から剥離し、前記
高純度金属膜は前記導電基材表面に残留せしめる工程と
からなることを特徴とする。
第２及び第３の本発明において、上述の高純度金属膜を
単板の導電基材と銅箔間に介在させたことによる作用と
して、以下の３点を上げることが出来る。
(1)高純度金属膜を介在させた導電基材単板を絶縁基材
に重ね合わせ、プレスで所定時間加圧加温し、固化積層
後分離すると、単板と高純度金属膜が70〜120g/cmのピ
ーリング強度で剥離分離ができ、寸法変化、外観不良の
ない転写積層が容易にできる。
(2)単板導電基材（例えばステンレススチール）の表面
は化学的、物理的に基材表面を充分に研磨を施しても、
基材内部にある非金属介在物、電気化学的欠陥による基
材中の成分が脱落したり、金属間化学物、偏析、気孔等
が残存し、これらの欠陥を経済的且つ完全に補うことが
出来ない。本発明の高純度金属膜は基材の上記欠陥を補
うことができ、この結果、ピンホールが発生せず、従っ
て、幅100μｍ以下のファインパターンの回路基板を容
易且つ安価に作製できる。
(3)単板導電基材に高純度金属膜及び銅箔を形成した
後、絶縁基材に転写積層を加熱圧着工程で実施するが、
この際、絶縁基材に塗布又は含浸したＢステージの樹脂
接着剤が溶融且つゲル化及び固化過程で単板導電基材の
周縁部表面に流出しようとするが、この高純度金属膜を
単板基材周縁部までの広がりで単板導電基材表面を被覆
しておくことにより、流出固化した樹脂が高純度金属膜
の上に留まり、転写積層分離工程で単板導電基材と高純
度金属膜の境界（界面）より容易に分離でき、単板導電
基材に密着・付着することが全くない利点がある。
次に、第１図乃至第１０図に基づき、第１乃至第３の本
発明方法による銅張積層板の製造工程を説明する。
先ず、第１の本発明方法に使用する導電基材２として
は、剛性を有する単板、例えば有効寸法最大1220×1020
mm、厚み１〜10mmの範囲の適宜の大きさの平板状導電材
からなり、メッキ工程で使用する薬品に対する耐薬品
性、耐電食性を奏することが望ましく、ステンレススチ
ール板（例えば、ハードニング処理を施したＳＵＳ６３
０が好適である）、ニッケル板、チタン又はチタン合金
板、銅又は銅合金板等が使用される。この導電基材２の
表面の汚れ、酸化皮膜を除去すると共に、該表面に所要
の粗度を与える前処理工程を施す（第１図(a)）。導電
基材２の表面は、0.08〜0.23μｍの範囲の粗度で研磨す
るのが望ましい。この導電基材２の表面粗度は、後述す
る銅箔６と導電基材２の剥離工程（第１図(e)）におい
て銅箔６が容易に剥離できる密着性が得られるように設
定されるもので、導電基材２と銅箔６間の界面の密着力
が後述の銅箔６と絶縁基材１０間の界面の密着力より小
となるように設定してある。
導電基材２としてステレススチール板を使用する場合に
は、例えば、導電基材２を硫酸80〜100m／、60〜70
℃の溶液に10〜30分間浸漬してスケール除去を行い、次
いで、水洗後、硝酸60〜100m／に酸性フッ化アンモ
ニウム30g／を加えた、室温の溶液に10〜30分間浸漬
してスマット除去を行う。次に、水洗後、リン酸ナトリ
ウム20〜50g／と水酸化ナトリウム50g／の電解液
で、電解液温度：室温〜40℃、電流値：３〜8A/dm2の電
解条件で１〜２分間陰極電解脱脂を行う。上述の粗面化
処理は化学的に行うものであるが、導電基材２表面を化
学的にクリーニングした後、湿式サンドブラスト（液体
ホーニング）等により機械的に粗面化してもよい。
導電基材２としてニッケル板を使用する場合には、例え
ば、リン酸ナトリウム20〜50g／に水酸化ナトリウム5
0g／を加えた電解液で、電解液温度：室温〜40℃、電
流値：３〜8A/dm2の電解条件で１〜２分間陰極電解脱脂
を行う。そして、水洗後、フッ化水素１〜10g／、50
℃の溶液、又は、塩酸150m／、50℃の溶液に１〜10
分間浸漬して粗面化し、次いで、水洗後40〜60℃で温水
洗浄を施す。
導電基材２としてチタン又はチタン合金板を使用する場
合には、例えば、リン酸ナトリウム20〜50g／、50〜6
0℃の溶液に３〜５分間浸漬してアルカリ浸漬脱脂を行
う。次いで、水洗後、25％フッ酸(HF)-75％硝酸(HNO3)
溶液に浸漬して化学エッチングにより粗面化処理を行
う。
導電基材２として銅又は銅合金板を使用する場合には、
例えば、リン酸ナトリウム20〜50g／の電解液で、電
解液温度：50〜60℃、電流値：３〜10Ａ／dm2の電解条
件で30秒〜２分間陰極電解脱脂を行う。次いで、水洗
後、フッ化水素１〜10g／、室温以下の溶液で30秒〜
２分間酸洗いし、水洗する。
次に、前処理を終えた導電基材２を陰極１として、これ
を陽極１４に所定の距離（３〜30mm）だけ離間させて対
峙させ、所謂高速メッキにより導電基材２上に銅箔６を
電解析出させる（第１図(b)、及び第４図）。この高速
メッキの電解液としては、金属銅濃度0.20〜2.0mo／
、好ましくは、0.35〜0.98mo／、最も好ましくは
1.4〜1.6mo／、及び硫酸濃度50〜220g／を含有す
る硫酸銅メッキ液でよく、メッキの均一性を確保するた
めに。***国ＬＰＷ社製のCUPPORAPID Hs（商品名）を
1.5／あて添加する。又、ピロリン酸銅液等の通常の
メッキ液を使用してもよい。又、電流密度0.15〜４Ａ／
cm2、電解液の流速2.6〜20ｍ／秒、電解液温度45〜70
℃、好ましくは60〜65℃となるように夫々設定する。メ
ッキ液温が45℃未満であると、銅イオンの移動速度が低
下するため電極表面に分極層が生じ易くなり、メッキ堆
積速度が低下する。一方、液温が７０℃を越えるとメッ
キ液の蒸発量が多くなり濃度が不安定になると共に液温
高温化による設備的制限が加わる。
電流密度と電解液の流速とを上述の所定の条件に設定す
ることにより、導電基材２表面に、毎分25〜100μｍの
堆積速度で銅箔６を堆積させ、従来のメッキ法の１０〜
２００倍の高能率で銅電鋳を行うことが出来、実用上極
めて大きな意義を有する。しかも、堆積する銅粒子を極
めて微細にすることができ、銅箔６の伸び率は抗張力を
損なうことなく１６〜25％に達する。この伸び率は通常
のメッキ法により形成された銅箔の伸び率の1.5〜２倍
以上であり（圧延アニール銅箔と同等以上の値であ
り）、極めて柔らかい銅箔を作製することが出来る。こ
のように圧延アニール銅箔と同等の性能を有することか
ら、高折曲性が必要なフレキシブル基板において特に有
効である。又、生成した銅箔６の表面粒子を、平均粒子
径で3.0〜7.5μｍと極めて微細にすることができ、その
結果、続く粗面化処理（電解メッキ）工程において形成
される突起状析出物も極めて微細なものとすることが出
来る。
銅電鋳工程において、銅箔６が所要の厚み（例えば、２
μｍ〜３００μｍ）に達した時点で通電及びメッキ液の
供給を停止し、水洗後、引き続き銅箔６を粗面化するた
めの粗面化電解メッキを実施する（第１図(c)）。この
粗面化電解メッキ工程における電解条件は、電流密度が
０．２５〜０．８５Ａ／cm2、電極間距離が２６〜５０m
m、電極に対する電解液の接液スピードが０．１〜０．
８ｍ／秒となるように夫々設定する。尚、電解液として
は特に限定されないが、例えば、硫酸銅(CuSO4・5H2O)：
80〜150g／、硫酸(H2SO4)：40〜80g／、及び硝酸カ
リウム(KNO3)：25〜50g／よりなる混合溶液等を使用
する。
この粗面化処理により銅箔６を粗面上には突起状析出物
が付着形成され、この突起状析出物の平均粒径は１〜５
μｍとなり、後述する絶縁基材１０との密着性が極めて
良好となる。
尚、上述した粗面化処理後に更に銅箔６表面にクロメー
ト処理を施すと、絶縁基材１０中の樹脂との親和性が高
まり、ピーリング強度はもとより、銅箔６の耐熱性（例
えば、はんだ耐熱性）も１５％程度向上するという利点
がある。このクロメート処理は、具体的には、０．７〜
１２ｇ／濃度の重クロム酸カリウム溶液に常温で５〜
４５秒間浸漬するか、市販の電解クロメート処理液にて
クロメート処理を施す。
次いで、上記により銅箔６が形成された導電基材２を該
銅箔６を介して絶縁基材１０に積層したのち、ホットプ
レスにより加熱融着させる（第１図(d)、第５図）。絶
縁基材１０としては、有機材料、無機材料のいずれのも
のでもよく、例えば、ガラス、エポキシ系樹脂、フェノ
ール系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、
アーラミド樹脂等の材料を用いることができる。又、
鉄、アルミ等の導電性材料の表面にホーロウを被覆し、
又、アルミ表面を酸化するアルマイト処理を施して絶縁
した材料でもよい。一般には、ガラス布等にエポキシ樹
脂を含浸させ、半硬化状態（Ｂステージ）にあるプリプ
レグに銅箔６が加熱・加圧され、これと接着される。こ
のとき、銅箔６は一体且つ直接に絶縁基材１０に密着・
転写されるので、物理的強度の小さい銅箔６にシワ、亀
裂等の品質上の欠陥を生ずることがない。
次に、絶縁基材１０の加熱硬化を待って導電基材２を、
絶縁基材１０に転写された銅箔６から剥離する（第１図
(e)、第６図）。このとき、導電基材２と銅箔６との間
の密着力より、銅箔６と絶縁基材１０との間の密着力の
方が大であるから、導電基材２は銅箔６との界面で分離
して、絶縁基材１０には銅箔６が一体に密着する。
なお、上記工程終了後に陰極となる導電基材２表面を研
磨、活性化することにより、再び上記工程を繰り返すこ
とが可能となる。
第２の本発明方法による製造工程では、上記した平板状
導電基材２の前処理（第２図(a)）終了後に導電基材２
の表面に高純度金属膜５を形成する工程が付加される。
この場合も、導電基材２を陰極１として、これを陽極１
４に所定の距離（６〜３０mm）だけ離間させて対峙さ
せ、上記と同様高速メッキにより導電基材２上に高純度
金属膜５を電解析出させる（第２図(b)、第７図）。高
純度金属膜５としては、銅、ニッケル等が好適であり、
これらの高純度金属膜５を0.1〜３μｍの厚みで導電基
材２表面に積層させる。
高純度金属膜５として銅を析出させる場合の高速メッキ
条件としては、45〜70℃のメッキ液を陰極表面において
乱流状態、即ち、電極間距離３〜３０mm、電極に対する
接液スピードが2.6〜20.0m/secになるように陰極電極を
回転するか、固定電極間に強制的に電解液を供給する。
このとき、メッキ液として、例えば、硫酸銅メッキ液、
ピロリン酸銅液等を使用し、陰極電流密度0.15〜4.0Ａ
／cm2の電流を印加し、高純度金属膜５の堆積速度が25
〜100μｍ／minとなるように設定することが望ましい。
高純度金属膜５としてニッケルを析出させる場合の高速
メッキ条件としては、陰極と陽極とを300〜350mmで離間
させ、この電極間に40〜48℃のメッキ液を供給してエア
攪拌を行う。このとき、メッキ液として、例えば、硫酸
ニッケル、スルファミン酸ニッケル等を使用し、陰極電
流密度2.2〜4.0Ａ／dm2の電流を印加し、高純度金属膜
５の堆積速度が0.8〜1.5μｍ／minとなるように設定す
ることが望ましい。
なお、高純度金属膜５としてニッケル・リン合金を使用
することもできる。その場合、無電解ニッケルメッキに
よることが好ましく、無電解ニッケルメッキ条件として
は、35〜10℃のメッキ液を、導電基材２表面の接液スピ
ードが40〜80mm/secとなるように揺動をかける。このと
き、メッキ液として、例えば、次亜リン酸又はボロン系
還元剤を用いた無電解ニッケル液等を使用し、高純度金
属膜５の堆積速度が30分間に１〜３μｍとなるように設
定することが望ましい。
高速メッキされた高純度金属膜５は、上述した通り所要
の表面粗度を有する導電基材２に電解積層されるので当
該導電基材２に適度の密着力で密着しており、又、その
表面粗度は上述したメッキ条件による高速メッキによっ
て、後述する銅箔６と高純度金属膜５との所望の密着力
を得るに好適な範囲内にある。つまり、第２の本発明に
おいては、導電基材２の表面粗度、メッキ液の接液スピ
ード及び電解電流密度の各条件を組み合わせることによ
り、高純度金属膜５の表面粗度を好適に制御することが
できる。従って、第２の本発明においては、高速メッキ
により積層された高純度金属膜５の表面はメッキ後に特
別な表面処理を必要としない。
又、ステンレススチール板、ニッケル板等からなる導電
基材２には電気化学的欠陥が存在し、これらの欠陥は金
属間化学物、或いは非金属介在物、偏析、気孔等からな
り、これらの欠陥はステンレススチール板の溶製時、圧
延時等に混入生成されるもので、導電基材２の表面処理
だけでは改善し得ないものである。この欠陥は銅箔６に
ピンホールを生じさせ原因となるものである。導電基材
２の表面に形成させた高純度金属膜５表面は電気化学的
に平滑であり、この高純度金属膜５上に後述する銅箔６
を形成させることにより、物理的強度の小さい銅箔６に
亀裂、シワ、ピンホールの発生が防止される。
次に、上述のようにして高純度金属膜５上に、上記第１
の本発明の製造工程で説明したと同様にして、銅箔６を
形成し（第２図(c)、第８図）、この銅箔６表面を粗面
化処理した（第２図(d)）後、このように高純度金属膜
５を介して銅箔６が形成された導電基材２を前記絶縁基
材１０に積層しホットプレスにより加熱圧着させる（第
２図(e)、第９図）。絶縁基材１０としては前述したも
のが使用できる。このようにして銅箔６と絶縁基材１０
とを強固に密着させた後、導電基材２のみを剥離除去す
る（第２図(f)、第１０図）。つまり、この工程におい
て、導電基材２と高純度金属膜５との間の密着力は、高
純度金属膜５と銅箔６との間、及び銅箔６と絶縁基材１
０との間の密着力の夫々よりも小さいため、第１０図に
示すように、絶縁基材１０側には高純度金属膜５及び銅
箔６が一体に転写される。
なお、上記転写工程において、高純度金属膜５と銅箔６
とが同一金属即ち銅よりなる場合は転写後に高純度金属
膜５を除去する必要はなく、予め両層の合計の厚さを所
望の厚さとしておけばよいが、高純度金属膜５が例えば
ニッケル等のように銅箔６と異種の金属よりなる場合
は、転写後に高純度金属膜５を例えば酸等によりエッチ
ング除去する必要がある（第１図(g)、第６図）。更
に、第２の本発明の製造工程終了後にも導電基材２表面
を研磨、活性化することにより上記工程を再び繰り返す
ことが可能となる。
第３の本発明の製造工程では、平板状導電基材前処理
（第３図(a)、高純度金属膜形成（第３図(b)、第７
図）、銅電鋳（第３図(c)、第８図）、銅箔表面粗面化
処理（第３図(d)）及び転写積層（第３図(e)、第９図）
の各工程は上記した第２の本発明の製造工程と同様であ
るが、高純度金属膜５の厚さは７０〜２５０μｍに設定
する。又、第３の本発明においては、後述するように、
転写積層後に高純度金属膜を導電基材と共に剥離させる
こととするため、高純度金属膜５と銅箔６との間の密着
力が、高純度金属膜５と導電基材２との間の密着力及び
銅箔６と絶縁基材１０との間の密着力の夫々よりも小と
なるように、当該高純度金属膜５の表面粗度を設定する
必要がある。そのための高純度金属膜５の表面処理法と
しては、特に限定されるものではないが、例えば、高純
度金属膜５表面に上述したクロメート処理を施すことに
より、当該高純度金属膜５表面にクロメート被膜を形成
すると、このクロメート被膜が云わば剥離被膜として機
能して、高純度金属膜５と銅箔６との間で剥離が生じ易
くなる。
第９図に示した転写積層工程終了後、導電基材２及び高
純度金属膜５を一体に銅箔６及び絶縁基材１０から剥離
せしめて、絶縁基材１０に銅箔６のみを密着残留せしめ
る。尚、銅箔６を剥離後の絶縁基材１０表面には高純度
金属膜５が残留しており、必要に応じて高純度金属膜５
表面を研磨したのち、再び銅箔６を形成して上記工程を
繰り返す、或いは、一旦高純度金属膜５を除去したのち
に絶縁基材１０表面を研磨して高純度金属膜５及び銅箔
６を順次形成して再び上記工程を繰り返すことが可能と
なる。
第１１図乃至第１４図は第１図(b)及び(d)に示す工程に
おいて、ホリゾンタル型の高速メッキを実施するメッキ
装置の一例を示し、メッキ装置１１のフレーム１２の上
部中央に水平に板状不溶性陽極１４が設置され、陰極１
はこの陽極１４に平行に対向させて固定される。不溶性
陽極１４は第１１図〜第１３図に示すように大電流を通
電するために２枚の銅板１４ａ、１４ｂが重合され、こ
れらの表面全体に鉛１４ｃが、肉厚２〜１０mm、好まし
くは３〜７mmの範囲内で一様にアセチレントーチ等で被
覆して構成される。鉛被覆14cは、通常、鉛93％、スズ
７％の鉛合金を使用する。極間距離が100μｍ不均一に
なると、電鋳される銅膜は、35μｍ銅で数μｍのばらつ
きが生じ、高電流密度（0.8〜1.2Ａ／cm2）で長時間（1
000時間以上）使用する場合には、電極の部分的な電解
消耗により膜厚のばらつきは更に大きくなる。このた
め、電極の再加工修正により電極間距離を維持する必要
がある。鉛被覆の電極に代えて、チタン板にプラチナ、
パラジュウム等の微粉末を熱解重合性樹脂でベースト状
にし、これを粗面化されたチタン板表面に均一に塗布し
700〜800℃で焼き付けて不溶性陽極１４としてもよい。
このチタン板陽極を使用すると、電解消耗が極めて少な
くなり、長時間に亘り（１０００時間以上）電極の再加
工修正の必要がない。
陰極１は、第２図(b)及び第３図(b)の高純度金属膜形成
工程では、工程(a)で研磨された導電基材２の研磨面
が、第１図(b)の銅箔電鋳工程では、高純度金属膜５及
びレジストマスク７の形成された導電基材２の面を前記
陽極１４側に対向させて取付け固定される。陰極１と不
溶性陽極１４間の離間距離は前述した高純度金属膜５の
形成工程及び銅箔６の電鋳工程の夫々に応じた最適距離
に設定される。
陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部１３の入口側には
高速流でメッキ液２３を圧送するノズル１５の一端が接
続され、このノズル１５は空隙部１３の入口部で第１２
図に示すように不溶性陽極１４の略全幅に臨んで開口し
ており、ノズル１５の他端は導管１６を介してポンプ１
７に接続されている。ポンプ１７は更に図示しない導管
を介してメッキ液貯槽（図示せず）に接続されている。
空隙部１３の出口側（ノズル１５を設けた不溶性陽極１
４の対向辺側）には不溶性陽極１４の略全幅にわたって
排液口１８が開口しており、この排液口１８は導管１９
を介して前記メッキ液貯槽に接続されている。そして、
前記ノズル１５及び排液口１８はメッキ液２３が空隙部
１３を一様の速度分布で流れることが出来るように、こ
れらのノズル１５及び排液口１８の流れ方向の断面形状
変化は滑らかに変化している。ポンプ１７から吐出され
たメッキ液２３は、導管１６、ノズル１５、陰極１と不
溶性陽極１４との空隙部１３、排液口１８、導管１９を
順次通過してメッキ液貯槽に戻され、ここから再びポン
プ１７により上述の経路で連続して循環される。
メッキ液２３をノズル１５から電極間空隙部１３へ前述
した好適のメッキ液速度で供給すると、陰極１表面近傍
でメッキ液流れは乱流状態になっており、電極表面近傍
の金属イオン濃度が極度に低下しないように、即ち分極
層の生長を抑えて、高速度でメッキ膜を成長させること
が可能となる。
本発明におけるメッキ工程では、陰極１と不溶性陽極１
４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電性を有
する給電板２０、陽極電源ケーブル２１、陰極電源ケー
ブル２２を介して、前述した所要の高電流が給電される
ようになっており、不溶性陽極１４に対向する陰極１表
面及びその非導電性レジストマスク７でマスキングしな
い部分に、毎分２５〜１００μｍ程度の堆積速度で銅膜
を電解析出することができる。
第１５図は、本発明方法を実施するバーチカル型のメッ
キ装置を示し、第１１図乃至第１４図に示すメッキ装置
１１が陰極１及び陽極１４を水平（ホリゾンタル）に配
置したのに対し、第１５図に示すメッキ装置２５は、陰
極１及び不溶性陽極１４が鉛直方向（バーチカル）に配
置されている点で異なる。尚、第１５図において、第１
１図乃至第１４図に示すメッキ装置１１の対応するもの
と実質的に同じ機能を有するものには同じ符号を付し
て、それらの詳細な説明を省略する。（以下同様）。
メッキ装置２５は、基台２６上に固定された架台２７
と、四辺形の４隅に配設された（第１５図には２本の支
柱のみを示す）３０，３１と、該支柱３０，３１から延
出させ、上下方向に伸縮自在のロッド３０ａ，３１ａに
横架支持され、ロッド３０ａ，３１ａの伸縮により昇降
する上板２８と、架台２７の上面と上板２８の下面間に
垂直且つ平行に対向して挟持固定される高導電性を有す
る給電板２０及び不溶性陽極１４とからなり、給電板２
０と陽極１４とは所定の電極間距離だけ離間して配置さ
れている。不溶性陽極１４は第９図〜第１１図に示す陽
極と同様に、プラチナ等の微粉末でコーティングしたチ
タン板により大電流を通電可能に構成される。
陰極１は、第２図(b)の高純度金属膜形成工程では、工
程(a)で研磨された導電基材２の研磨面が、第１図(b)の
銅箔電鋳工程では、高純度金属膜５及びレジストマスク
７の形成された導電基材２の面を前記給電板２０に、図
示しない真空チャック等により取り付け固定される。
尚、陰極１の取り付け時には前記上板２８を上方に上昇
させて、陰極１を給電板２０の陽極１４側面に沿って嵌
挿し、前記真空チャック等により固定した後、再び上板
２８を下降させて陽極１４及び給電板２０の上壁に密着
させ、陰極１の装着を完了する。尚、第１８図中符号２
９はシール用のＯリングである。又、陰極１と不溶性陽
極１４間の離間距離は前述した高純度金属膜５の形成工
程及び銅箔６の電鋳工程の夫々に応じた最適距離に設定
される。
陰極１及び不溶性陽極１４間の空隙部３８の入口側には
高速流でメッキ液２３が流入するランプ部３８ａが形成
され、このランプ部３８ａは空隙部３８の入口部で、第
１４図に示したと同様に不溶性陽極１４の略全幅に臨ん
で開口しており、ランプ部３８ａの空隙部３８と反対側
は整流装置３５、及び導管３４を介してポンプ１７に接
続されている。ポンプ１７は更にメッキ液貯槽３３に接
続されている。空隙部３８の出口側（空隙部３８の上部
のメッキ液２３の排出側）には不溶性陽極１４の略全幅
にわたって排液口３８ｂが開口しており、この排液口１
８は導管４０を介して前記メッキ液貯槽３３に接続され
ている。
整流装置３５は、その内部空間がメッキ液２３の流れ方
向に装着された２枚の、多数の小孔を有する整流板３５
ａ，３５ｂにより小室に区画されており、この整流板３
５ａ，３５ｂにより、ランプ部３８ａに流入するメッキ
液２３の流れを整流して空隙部３８を下方から上方に向
かって流れるメッキ液２３の速度分布を一様にしてい
る。ポンプ１７から吐出されたメッキ液２３は、導管３
４、整流装置３５、ランプ部３８ａ、陰極１と不溶性陽
極１４との空隙部３８、排液口３８ｂ、導管４０を順次
通過してメッキ液貯槽３３に戻され、ここから再びポン
プ１７により上述の経路で連続して循環される。
第１５図に示すメッキ装置２５は、メッキ液２３を整流
装置３５を介して、更に、下方から上方に向かって電極
間空隙部１３に供給するので、メッキ液２３は空隙部１
３において第１１図に示すメッキ装置１１より、より均
一な乱流速度分布を有しており、膜厚の一定な銅箔を電
鋳するには好都合である。
第１５図に示すメッキ装置においても、陰極１と不溶性
陽極１４との間に、銅、黒鉛、鉛等の耐薬品性、高導電
性を有する給電板２０、陽極電源ケーブル２１、陰極電
源ケーブル２２を介して、前述した所要の高電流が給電
されるようになっており、不溶性陽極１４に対向する陰
極１表面の非導電性レジストマスク７でマスキングしな
い部分に、毎分２５〜１００μｍ程度の堆積速度で銅膜
を電解析出することができる。
第１６図乃至第１８図は、本発明方法を実施する回転式
高速メッキ装置４１を示し、メッキ装置４１は、フレー
ム４２、該フレーム４２内に配設され不溶性陽極１４を
載置支持する架台４３、陽極１４の上方に配置されるハ
ウジング４５、該ハウジング４５内に回転可能に収納さ
れ陰極を１を掴持する回転体４６、該回転体４６を駆動
する駆動機構４７、フレーム４２の上部に配設されてハ
ウジング４５を昇降させる駆動機構４８、メッキ液を貯
溜するメッキ液槽３３及びメッキ液槽３３のメッキ液を
陽極１４と回転体４６の各対向する端面間に画成される
液密空隙部１３内に供給するポンプ１７とにより構成さ
れる。
フレーム４２は基盤４２ａ上に立設された４本の支柱４
２ｂ，４２ｂ（２本のみ図示）と、これらの各支柱４２
ｂ，４２ｂの上端面に載置固定される上板４２ｃとによ
り構成される。
架台４３は基盤４２ａ上に載置され、フレーム４２の４
本の支柱４２ｂの略中央に位置している。
不溶性陽極１４は正方形状の盤体で架台４３上に載置固
定される。この陽極１４の略中央には孔１４ａが穿設さ
れている。この陽極１４は例えば、チタン母材にプラチ
ナ、イリジウム等の酸化物を２０〜５０μの厚みに張っ
た部材で形成され、メッキ液の組成に変化を与えること
なく、また不純物の混入を防止する不溶性陽極とされて
いる。陽極１４には枠体４３ａがシール部材４３ｂを介
して液密に外嵌されている。この枠体４３ａの高さは陽
極４の厚みの２倍程度あり、対向する両側壁の略中央に
は夫々孔４３ｃ，４３ｄが穿設されている。
ハウジング４５は上面視正方形状をなし（第１７図）、
下部枠５０、中間枠５１、上部枠５２、上蓋５３と、下
部枠５０と中間枠５１との間に介在されるインナギヤ５
４、中間枠５１と上部枠５２との間に介在される集電用
スリップリング５５とにより構成され、これらは強固に
共締固定されて一体に形成される。ハウジング４５の下
部枠５０の中央には回転体収納用の大径の孔５０ａが穿
設され、上蓋５３の上面両側には夫々側方に突出する支
持部材５７，５７が固設されている。
回転体４６はハウジング４５内に収納され、基部４６ａ
は当該ハウジング４５の下部枠５０の孔５０ａ内に僅か
な空隙で回転可能に収納され、軸４６ｂの上端は軸受５
９を介して上蓋５３に回転可能に軸支され且つ当該上蓋
５３の軸孔５３ａを貫通して上方に突出している。この
状態において回転体４６の基部４６ａの下端面４６ｃは
陽極１４の上面１４ｂと所定の距離だけ離間して平行に
対向する。
回転体４６の基部４６ａには第１６図及び第１８図に示
すように軸方向に平行に且つ周方向に等間隔に孔４６ｄ
が複数例えば４個穿設され、これらの各孔４６ｄ内には
第２の回転体６０が回転可能に収納されている。この回
転体６０は図示しない軸受を介して孔４６ｄに僅かなギ
ャップで回転可能に軸支されている。そして、回転体６
０の下端面に穿設された孔に、チャック機構１１０によ
り陰極１が掴持・固定され、図示しない導電部材及びブ
ラシ１０３を介してスリップリング５５に電気的に接続
されている。回転体６０の上端面にはギヤ６５が固着さ
れており、このギヤ６５はハウジング４５に設けられた
インナギヤ５４と噛合している。
駆動機構４７（第１６図）の駆動用モータ７０はハウジ
ング４５の上蓋５３上に載置固定され、該モータ７０の
回転軸に装着されたギヤ７２は回転体４６の軸４６ｂの
上端面に螺着固定されたギヤ７３と噛合する。
第１６図に示すフレーム４２の上板４２ｃには駆動機構
４８の駆動用モータ８０が載置固定され、該モータ８０
はスクリュウシャフト８５を駆動すると共にプーリ８
３、ベルト８７及びプーリ８３を介して被駆動軸である
スクリュウシャフト８６を駆動する。スクリュウシャフ
ト８５，８６の各自由端はハウジング５の対応する各支
持部材５７，５７の各ネジ孔５７ａ，５７ａに螺合して
いる。
陽極１４（第１６図）の一側面には電源ケーブル２１が
固着され、スリップリング５５の上面所定位置には電源
ケーブル２２が固着されている。
メッキ液通路（導管）１４０の一端は陽極１４の下方か
ら当該陽極の孔１４ａに液密に接続され、他端はポンプ
１７を介してメッキ液貯槽３３に連通される。通路１４
１，１４２の各一方の開口端は夫々陽極１４の枠体４３
ａの各孔４３ｃ、４３ｄに液密に接続され、各他端は夫
々メッキ液貯槽３３に接続されている。
回転式高速メッキ装置４１の作用を説明すると、先ず、
駆動機構４８のモータ８０を駆動してスクリュウシャフ
ト８５，８６を回転させ、ハウジング４５を、第１６図
の２点鎖線で示す上限位置まで上昇した位置に移動停止
させておく。このとき、ハウジング４５の下端は枠体４
３ａから抜け出て上方に位置する。
次いで、回転体４６の各第２の回転体６０にメッキを施
すべき導電基材２からなる陰極１を夫々装着する。そし
て、駆動機構４８のモータ８０を駆動して各スクリュウ
シャフト８５，８６を前述とは反対に回転させ、ハウジ
ング４５を、第１６図に実線で示す位置まで移動停止さ
せる。この状態において、ハウジング４５の下端が枠体
４３ａ内に液密に嵌合し、且つ、陽極１４の上面１４ｂ
と各陰極１とは所定の間隔で平行に対向する。そして、
陽極１４の上面１４ｂと回転体４６の下端面４６ｃとの
間に画成される液密の空隙部１３にメッキ液貯槽３３か
らポンプ１７、導管１４０を介して前記空隙部１３内に
メッキ液を供給し、当該空隙部１３即ち、陽極１４と陰
極１との間にメッキ液を充満させる。この空隙部１３内
に供給されたメッキ液は両側から各通路１４１，１４２
を介してメッキ液貯槽３３に還流される。
メッキ液の供給開始後、駆動機構４７のモータ７０を駆
動して回転体４６を例えば第１８図に矢印ＣＣで示す反
時計方向に回転させる。この回転体４６の回転に伴いイ
ンナギヤ５４と噛合するギヤ６５を介して第２の各回転
体６０が夫々第１８図に矢印Ｃで示す時計方向に回転す
る。これらの各回転体６０は例えば１０m/sec〜30m/sec
の回転速度で回転（自転）する。かかる速度で回転体６
０即ち、陰極１がメッキ液中で回転すると、当該陰極１
に接するメッキ液の金属濃度の分極層が極めて小さくな
り、この結果、レイノズル数Ｒｅが2900を超えた（Ｒｅ
＞2900）状態となり、陰極１に接するメッキ液はどの部
分をとってもレイノズル数Ｒｅが2300以上（Ｒｅ＞230
0）となる。
このように陰極１に接するメッキ液の金属濃度分極層を
極めて小さくさせた状態において前記直流電源を投入し
て電源ケーブル２１、陽極１４、メッキ液、陰極１、カ
ーボンブラシ１０３、スリップリング５５、電源ケーブ
ル２２の経路で所要の直流電流を流し、陰極１の陽極１
４の上面１４ｂと対向する端面にメッキを施す。
所定時間の経過後、前記電流の供給を停止し、ポンプ１
７を停止させると共に駆動モータ７０を停止させて陰極
１へのメッキを終了させる。この陰極１を回転体６０か
ら取り外す場合には前述した装着の場合と逆の操作を行
う。
回転式高速メッキ装置はメッキ液中で陰極を高速回転さ
せて当該メッキ液の金属濃度分極層を極めて小さくする
ようにしているために前記液密空隙部１３に供給するメ
ッキ液の流速は遅くてもよく、これに伴いポイプの小型
化、電力の節約、及びランニングコストの低減等が図ら
れる。更に従来の如くメッキ液の金属濃度の分極層を極
めて小さくするためのメッキ液の助走距離が不要であ
り、装置の小型化を図ることが出来る等の優れた効果が
ある。
このように本発明方法は上述した第１１図乃至第１８図
に示す高速メッキ装置により高速メッキを施すので、従
来のメッキ技術の１０〜２００倍という高能率で銅膜を
電解析出することができ、生産効率が極めて高く、又メ
ッキ液速度、電流密度等を所定の条件に設定することに
より、電解析出した銅膜の表面粗度や、堆積する結晶粒
子径を所望の値に調整することができる。
尚、本発明方法を実施する高速メッキ装置としては上述
の装置に限定されることはなく、陰極表面近傍でレイノ
ズル数Ｒｅが約２３００以上の乱流状態が実現出来るメ
ッキ装置であればよい。
（実施例） 次に、本発明の実施例を説明する。
第１表は、本発明方法及び比較方法により作製された銅
張積層板の評価試験結果を示し、導電基材２の表面粗
度、高純度金属膜５の電解条件、銅箔６の電解条件、銅
箔６の粗面化処理条件を種々に変え、転写性、銅箔６と
絶縁基材１０間のピーリング強度、銅箔６の伸び率等の
評価試験を行ったものであり、第１表に示す試験条件以
外の条件は、総ての供試回路板で同じであり、それらは
以下の通りである。尚、レジストマスクは銅箔の粗面化
処理後に溶解除去した。
導電基材： 材質：ハードニング処理を施したステンレススチール単
板（SUS630）、 表面処理：オシレーション付ロータリ羽布研磨装置を使
用して第１表に示す粗度に研磨 高純度金属膜： 材質：銅薄膜（実施例２、４及び比較例１〜４は導電基
材表面に３μｍの膜厚、実施例３は７０μｍの膜厚で堆
積した） 電解条件：電極間距離１１mm、硫酸180g／の硫酸銅メ
ッキ液使用 銅箔電鋳 電解条件：電極間距離１１mm、硫酸180g／の硫酸銅メ
ッキ液使用、堆積膜厚35μｍ（但し、比較例３は９μ
ｍ）、 粗面化処理：メジュラメッキ、 電解条件：硫酸銅100g／、硫酸50g／、硝酸カリウ
ム30g／よりなる混合溶液使用、堆積膜厚３μｍ。
絶縁基材： 材質：ガラスエポキシＧ−１０ 第１表において、本発明方法を適用した実施例１〜４は
いずれも、高純度金属膜５の電解条件、銅箔６の電解条
件、及び銅箔６の粗面化処理条件がいずれも本発明の規
定する条件範囲内にあり、銅箔の堆積に要した時間が極
めて短時間であり、且つ、転写性、銅箔６と絶縁基材１
０間のピーリング強度、銅箔６の伸び率がいずれも良好
であり、総合評価も良（○）である。
銅箔６の電解時に電流密度が本発明方法の規定する上限
値を超えると、ノジュラ状メッキ、所謂「メッキ焼け」
が発生し、形成された銅箔６の伸び率も８％と低く、フ
レキシブル基板用回路に使用することが出来ない（比較
例１）電解液の接液スピードが本発明方法の規定する上
限値を超えると銅箔メッキ層の早い剥がれが生じる（比
較例２）。
銅箔６表面の粗面化処理における電解メッキ時の電流密
度が本発明方法の規定する下限値を下回ると光沢のある
メッキ表面となり、粗面化メッキが形成されない（比較
例３）。粗面化が不充分な銅箔６を絶縁基材１０に転写
すると、銅箔６と絶縁基材１０間のピーリング値は0.7k
g/cmとなり、密着強度が不足する。
一方、導電基材（単板）の表面粗度が小さい比較例５で
は、高純度金属膜５もしくは銅箔６がその形成工程中に
おいて導電基材２より剥離（早い剥がれ）が生じ、上限
値を外れる比較例４では、転写工程時に導電基材２と高
純度金属膜５もしくは銅箔６との密着強度が過渡に大き
く、部分的に高純度金属膜５もしくは銅箔６が導電基材
２側に残留してしまう。又、導電基材２の表面粗度が大
きいと高純度金属膜５もしくは銅箔６に多数のピンホー
ルが発生し、絶縁基材１０の積層時にこのピンホール内
に入り込んだ絶縁基材１０の接着剤が導電基材２の表面
に付着するため、絶縁基材１０と導電基材２とが強く密
着してしまい、転写性が阻害される。尚、１００μｍ以
下の径のピンホールが１dm2当たりに１個以上存在する
とき、多数のピンホールが発生していると判定した。
導電基材２の表面粗度、銅箔６の電解条件、及び銅箔６
の粗面化処理条件のいずれかが本発明の規定する条件範
囲をはずれる比較例１〜５は上述の通りの不都合を有
し、総合評価はいずれも不可（×）である。
（発明の効果） 以上詳述したように、第１の本発明の銅張積層板の製造
方法に依れば、平板状導電基材を陰極として、該陰極と
平板状陽極を電極間距離３〜３０mmだけ離間させ、これ
らの電極に対する電解液の接液スピードが2.6〜20.0m/s
ecとなるように電解液を強制的に供給し、電流密度0.15
〜4.0Ａ／cm2の条件で電解メッキを施して前記導電基材
表面に数μｍ以上の膜厚を有する銅箔を形成する工程
と、この銅箔表面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成
させた銅箔を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積層して
一体に加熱圧着する工程と、前記銅箔と絶縁基材とを前
記導電基材から一体に剥離する工程とから構成したの
で、銅箔のメッキ形成時間が従来のメッキ方法に比較し
て著しく短縮され、生産性が高く、工程も簡略化される
ので本発明方法を実施する銅張積層板の製造装置に必要
な設備及びその設置面積が少なくて済む。
第２の本発明の銅張積層板の製造方法に依れば、表面に
厚さ0.1〜３μｍの高純度金属膜が形成された平板状導
電基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間距離
３〜30mmだけ離間させ、これらの電極に対する電解液の
接液スピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強
制的に供給し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件で電解
メッキを施して前記高純度金属膜上に前記陰極とこの高
純度金属膜との間の密着力より強い密着力で高純度金属
膜と密着するような数μｍ以上の膜厚を有する銅箔を形
成する工程と、この銅箔表面に粗面化処理を施す工程
と、斯く形成させた銅箔を挟んで前記導電基材に絶縁基
材を積層して一体に加熱圧着する工程と、前記高純度金
属膜及び前記銅箔を前記絶縁基材と一体に前記導電基材
から剥離する工程とから構成したので、上記した銅箔の
メッキ形成時間の短縮化、設備の縮小化の効果に加え
て、銅箔と導電基材間に高純度金属膜を介在させるの
で、メッキ形成される導体回路にピンホール等の欠陥が
生じ難く、しかも、転写時の転写が容易で寸法安定性に
優れ、微細な回路パターンも安定して製造出来るので歩
留まりが向上して品質も向上するという種々の優れた効
果を奏する。
第３の本発明の銅張積層板の製造方法に依れば、表面に
厚さ７０〜２５０μｍの高純度金属膜が形成された平板
状導電基材を陰極として、該陰極と平板状陽極を電極間
距離３〜３０mmだけ離間させ、これらの電極に対する電
解液の接液スピードが2.6〜20.0m/secとなるように電解
液を強制的に供給し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件
で電解メッキを施して前記高純度金属膜上に前記陰極と
この高純度金属膜との間の密着力より弱い密着力で高純
度金属膜と密着するような数μｍ以上の膜厚を有する銅
箔を形成する工程と、この銅箔表面に粗面化処理を施す
工程と、斯く形成させた銅箔を挟んで前記導電基材に絶
縁基材を積層して一体に加熱圧着する工程と、前記銅箔
と前記絶縁基材のみを一体に前記導電基材から剥離し、
前記高純度金属膜は前記導電基材表面に残留せしめる工
程とから構成したので、上記第２の本発明方法と同様の
優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図は、夫々第１乃至第３の本発明に係る
銅張積層板の製造方法の製造手順を示す工程フローチャ
ート、第４図乃至第１０図は、第１図乃至第３図に示す
工程における銅張積層板の断面構成図、第１１図はホリ
ゾンタル型の高速メッキ装置の構成を示す正面断面図、
第１２図は同高速メッキ装置の側面図、第１３図は、第
１２図に示すＸIII−ＸIII矢線に沿う断面図、第１４図
は、第１３図に示すＸIV−ＸIV矢線に沿う断面図、第１
５図はバーチカル型の高速メッキ装置の構成を示す正面
断面図、第１６図は回転式高速メッキ装置の構成を示
す、一部切欠正面図、第１７図は第１６図のハウジング
の上面図、第１８図は第１６図のハウジングの底面図、
第１９図は、従来の導体回路板の製造方法の製造手順を
示す工程フローチャートである。 １…陰極、２…導電基材、５…高純度金属膜、６…銅
箔、１０，１０ａ…絶縁基板、１１…ホリゾンタル型高
速メッキ装置、１４…不溶性陽極、２４…オーバレイ、
２５…バーチカル型４高速メッキ装置、４１…回転式高
速メッキ装置。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山本 輝昭 神奈川県綾瀬市大上５丁目14番15号 名幸 電子工業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−147192（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−24080（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (20)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】平板状導電基材を陰極として、該陰極と平
    板状陽極を電極間距離３〜３０mmだけ離間させ、これら
    の電極に対する電解液の接液スピードが2.6〜20.0m/sec
    となるように電解液を強制的に供給し、電流密度0.15〜
    4.0Ａ／cm2の条件で電解メッキを施して前記導電基材表
    面に数μｍ以上の膜厚を有する銅箔を形成する工程と、
    この銅箔表面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成させ
    た銅箔を挟んで前記導電基材に絶縁基材を積層して一体
    に加熱圧着する工程と、前記銅箔と絶縁基材とを前記導
    電基材から一体に剥離する工程とからなることを特徴と
    する銅張積層板の製造方法。
  2. 【請求項２】前記粗面化処理工程は、前記導体回路表面
    に、銅イオンと硝酸イオンとを含有する酸性電解液を用
    い、電流密度0.25〜0.85Ａ／cm2、前記電極に対する前
    記酸性電解液の接液スピードが0.1〜0.8m/sec、電極間
    距離26〜50mmの条件で、堆積膜厚が２〜５μｍになるま
    で粗面化メッキを施す工程であることを特徴とする特許
    請求の範囲第１項記載の銅張積層板の製造方法。
  3. 【請求項３】前記粗面化メッキを施した後、更に前記銅
    箔表面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許請
    求の範囲第２項記載の銅張積層板の製造方法。
  4. 【請求項４】前記陰極及び陽極を共に固定して、これら
    の電極間に前記電解液を強制的に供給することを特徴と
    する特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の
    銅張積層板の製造方法。
  5. 【請求項５】前記陰極を、前記電解液の接液スピードが
    得られるように回転させることを特徴とする特許請求の
    範囲第１項乃至第３項のいずれか記載の銅張積層板の製
    造方法。
  6. 【請求項６】表面に厚さ0.1〜３μｍの高純度金属膜が
    形成された平板状導電基材を陰極として、該陰極と平板
    状陽極を電極間距離３〜３０mmだけ離間させ、これらの
    電極に対する電解液の接液スピードが2.6〜20.0m/secと
    なるように電解液を強制的に供給し、電流密度0.15〜4.
    0Ａ／cm2の条件で電解メッキを施して前記高純度金属膜
    上に前記陰極とこの高純度金属膜との間の密着力より強
    い密着力で高純度金属膜と密着するような数μｍ以上の
    膜厚を有する銅箔を形成する工程と、この銅箔表面に粗
    面化処理を施す工程と、斯く形成させた銅箔を挟んで前
    記導電基材に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着する工
    程と、前記高純度金属膜及び前記銅箔を前記絶縁基材と
    一体に前記導電基材から剥離する工程とからなることを
    特徴とする銅張積層板の製造方法。
  7. 【請求項７】前記高純度金属膜は、銅薄膜であることを
    特徴とする特許請求の範囲第６項記載の銅張積層板の製
    造方法。
  8. 【請求項８】前記銅薄膜は、前記平板状導電基材を陰極
    として、該陰極と平板状陽極を電極間距離３〜３０mmだ
    け離間させ、これらの電極に対する電解液の接液スピー
    ドが2.6〜20.0m/secとなるように電解液を強制的に供給
    し、電流密度0.15〜4.0Ａ／cm2の条件で電解メッキを施
    すことにより形成されることを特徴とする特許請求の範
    囲第７項記載の銅張積層板の製造方法。
  9. 【請求項９】前記高純度金属膜は、銅以外の金属薄膜で
    あり、導電基材から剥離された後に除去されることを特
    徴とする特許請求の範囲第６項記載の銅張積層板の製造
    方法。
  10. 【請求項１０】前記粗面化処理工程は、前記導体回路表
    面に、銅イオンと硝酸イオンとを含有する酸性電解液を
    用い、電流密度0.25〜0.85Ａ／cm2、前記電極に対する
    前記酸性電解液の接液スピードが0.1〜0.8m/sec、電極
    間距離26〜50mmの条件で、堆積膜厚が２〜５μｍになる
    まで粗面化メッキを施す工程であることを特徴とする特
    許請求の範囲第６項乃至第９項記載の銅張積層板の製造
    方法。
  11. 【請求項１１】前記粗面化メッキを施した後、更に前記
    銅箔表面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許
    請求の範囲第１０項記載の銅張積層板の製造方法。
  12. 【請求項１２】前記陰極及び陽極を共に固定して、これ
    らの電極間に前記電解液を強制的に供給することを特徴
    とする特許請求の範囲第６項乃至第１１項のいずれか記
    載の銅張積層板の製造方法。
  13. 【請求項１３】前記陰極を、前記電解液の接液スピード
    が得られるように回転させることを特徴とする特許請求
    の範囲第６項乃至第１１項のいずれか記載の銅張積層板
    の製造方法。
  14. 【請求項１４】表面に厚さ７０〜２５０μｍの高純度金
    属膜が形成された平板状導電基材を陰極として、該陰極
    と平板状陽極を電極間距離３〜３０mmだけ離間させ、こ
    れらの電極に対する電解液の接液スピードが2.6〜20.0m
    /secとなるように電解液を強制的に供給し、電流密度0.
    15〜4.0Ａ／cm2の条件で電解メッキを施して前記高純度
    金属膜上に前記陰極とこの高純度金属膜との間の密着力
    より弱い密着力で高純度金属膜と密着するような数μｍ
    以上の膜厚を有する銅箔を形成する工程と、この銅箔表
    面に粗面化処理を施す工程と、斯く形成させた銅箔を挟
    んで前記導電基材に絶縁基材を積層して一体に加熱圧着
    する工程と、前記銅箔と前記絶縁基材のみを一体に前記
    導電基材から剥離し、前記高純度金属膜は前記導電基材
    表面に残留せしめる工程とからなることを特徴とする銅
    張積層板の製造方法。
  15. 【請求項１５】前記高純度金属膜は、脱ガス処理もしく
    は圧延処理により金属中の気孔或いは偏析が低減され、
    電気化学的に一様な面を有する箔状又は板状であること
    を特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の銅張積層板
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】前記高純度金属膜は、電気メッキにより
    形成されたものであることを特徴とする特許請求の範囲
    第１４項記載の銅張積層板の製造方法。
  17. 【請求項１７】前記粗面化処理工程は、前記導体回路表
    面に、銅イオンと硝酸イオンとを含有する酸性電解液を
    用い、電流密度0.25〜0.85Ａ／cm2、前記電極に対する
    前記酸性電解液の接液スピードが0.1〜0.8m/sec、電極
    間距離26〜50mmの条件で、堆積膜厚が２〜５μｍになる
    まで粗面化メッキを施す工程であることを特徴とする特
    許請求の範囲第１４項乃至第１６項記載の銅張積層板の
    製造方法。
  18. 【請求項１８】前記粗面化メッキを施した後、更に前記
    銅箔表面にクロメート処理を施すことを特徴とする特許
    請求の範囲第１７項記載の銅張積層板の製造方法。
  19. 【請求項１９】前記陰極及び陽極を共に固定して、これ
    らの電極間に前記電解液を強制的に供給することを特徴
    とする特許請求の範囲第１４項乃至第１８項のいずれか
    記載の銅張積層板の製造方法。
  20. 【請求項２０】前記陰極を、前記電解液の接液スピード
    が得られるように回転させることを特徴とする特許請求
    の範囲第１４項乃至第１８項のいずれか記載の銅張積層
    板の製造方法。
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