JPH0637386A - 半導体レーザ - Google Patents
半導体レーザInfo
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- JPH0637386A JPH0637386A JP18679192A JP18679192A JPH0637386A JP H0637386 A JPH0637386 A JP H0637386A JP 18679192 A JP18679192 A JP 18679192A JP 18679192 A JP18679192 A JP 18679192A JP H0637386 A JPH0637386 A JP H0637386A
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- Japan
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 高出力かつ長寿命の半導体レーザを提供す
る。 【構成】 半導体基板上に電流阻止層２を形成し、端面
近傍４で電流が流れず中央近傍５で電流が流れる様にス
トライプ層を形成する。電流層阻止層上にクラッド層６
と活性層７と表面電極１０を形成する。表面電極とし
て、活性層の巾全体に広がる中央部電極１２、及びスト
ライプ溝３の上方に位置しかつストライプ溝の巾より大
きく中央部電極の巾より小さい巾を有する端部電極１１
を形成する。
る。 【構成】 半導体基板上に電流阻止層２を形成し、端面
近傍４で電流が流れず中央近傍５で電流が流れる様にス
トライプ層を形成する。電流層阻止層上にクラッド層６
と活性層７と表面電極１０を形成する。表面電極とし
て、活性層の巾全体に広がる中央部電極１２、及びスト
ライプ溝３の上方に位置しかつストライプ溝の巾より大
きく中央部電極の巾より小さい巾を有する端部電極１１
を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は高出力と長寿命を有する
半導体レーザに関する。
半導体レーザに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、高出力を有するダブルヘテロ接合
構造の半導体レーザの改良が数多くなされている。その
中で例えば特開平２−２２４２８８号公報で開示された
半導体レーザを図７に示す。図７はその半導体レーザの
斜視図である。この図に於て、半導体基板３１上に電流
阻止層３２が形成され、その表面にストライプ溝３３が
形成されている。ストライプ溝３３は端面近傍３４に於
て電流阻止層３２より浅く中央近傍３５に於て電流阻止
層３２より深く形成されている。電流阻止層３２の上に
順次、クラッド層３６と活性層３７と他のクラッド層３
８とキャップ層３９と表面電極４０が形成されている。
構造の半導体レーザの改良が数多くなされている。その
中で例えば特開平２−２２４２８８号公報で開示された
半導体レーザを図７に示す。図７はその半導体レーザの
斜視図である。この図に於て、半導体基板３１上に電流
阻止層３２が形成され、その表面にストライプ溝３３が
形成されている。ストライプ溝３３は端面近傍３４に於
て電流阻止層３２より浅く中央近傍３５に於て電流阻止
層３２より深く形成されている。電流阻止層３２の上に
順次、クラッド層３６と活性層３７と他のクラッド層３
８とキャップ層３９と表面電極４０が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかして上述の半導体
レーザでは、端面４１が劈開にて分割され易くするため
表面電極４０は端面４１から少し離れた位置に形成され
ている。そして低出力（１０〜５０ｍＷ）の半導体レー
ザでは上述の構成で問題ない。しかし１５０ｍＷ位の高
出力では、寿命が短くなるという欠点が生じる。本発明
者がこの原因を究明したところ、端面近傍３４の活性層
３７の温度上昇に起因することが判った。この活性層３
７の温度上昇の特性を図４の破線で示す。これらの図４
と図７に於て端面４１から約２０μｍまでの活性層３７
の温度上昇が比較的高い。その理由は端面近傍３４のス
トライプ溝３３の上方に表面電極４０がないので、この
部分での放熱が悪いためである事が判った。
レーザでは、端面４１が劈開にて分割され易くするため
表面電極４０は端面４１から少し離れた位置に形成され
ている。そして低出力（１０〜５０ｍＷ）の半導体レー
ザでは上述の構成で問題ない。しかし１５０ｍＷ位の高
出力では、寿命が短くなるという欠点が生じる。本発明
者がこの原因を究明したところ、端面近傍３４の活性層
３７の温度上昇に起因することが判った。この活性層３
７の温度上昇の特性を図４の破線で示す。これらの図４
と図７に於て端面４１から約２０μｍまでの活性層３７
の温度上昇が比較的高い。その理由は端面近傍３４のス
トライプ溝３３の上方に表面電極４０がないので、この
部分での放熱が悪いためである事が判った。
【０００４】更に従来、ストライプ溝３３の長手長さは
６００μｍ位であるが、この位の長さの半導体レーザを
高出力で発光させると寿命が短くなる。本発明者がこの
原因を究明したところ、活性層の動作電流密度（半導体
レーザを流れる電流値を活性層の面積で割った値）が比
較的大きいため、発光に寄与しない電流が熱エネルギー
に変わる割合が大きくなり端面破壊を起こす事が判っ
た。以上の２つの欠点により、この半導体レーザを出力
１５０ｍＷにて雰囲気温度５０°Ｃで連続運転すると、
約４００時間後に著しく出力が低下する。故に本発明は
上述の欠点に鑑みてなされたもので、端面近傍の活性層
の温度上昇を抑えかつストライプ溝の長さを最適化する
ことにより、高出力かつ長寿命の半導体レーザを提供す
るものである。
６００μｍ位であるが、この位の長さの半導体レーザを
高出力で発光させると寿命が短くなる。本発明者がこの
原因を究明したところ、活性層の動作電流密度（半導体
レーザを流れる電流値を活性層の面積で割った値）が比
較的大きいため、発光に寄与しない電流が熱エネルギー
に変わる割合が大きくなり端面破壊を起こす事が判っ
た。以上の２つの欠点により、この半導体レーザを出力
１５０ｍＷにて雰囲気温度５０°Ｃで連続運転すると、
約４００時間後に著しく出力が低下する。故に本発明は
上述の欠点に鑑みてなされたもので、端面近傍の活性層
の温度上昇を抑えかつストライプ溝の長さを最適化する
ことにより、高出力かつ長寿命の半導体レーザを提供す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の課題を解
決するために、半導体基板上に電流阻止層を形成し、端
面近傍で電流が流れず中央近傍で電流が流れる様にスト
ライプ層を形成する。電流阻止層上にクラッド層と活性
層と表面電極を形成する。表面電極として、活性層の巾
全体に広がる中央部電極、およびストライプ溝の上方に
位置しかつストライプ溝の巾より大きく中央部電極の巾
より小さい巾を有する端部電極を形成する。本発明は更
に望しくは、ストライプ溝の長手長さを９５０乃至１４
００μｍとするものである。
決するために、半導体基板上に電流阻止層を形成し、端
面近傍で電流が流れず中央近傍で電流が流れる様にスト
ライプ層を形成する。電流阻止層上にクラッド層と活性
層と表面電極を形成する。表面電極として、活性層の巾
全体に広がる中央部電極、およびストライプ溝の上方に
位置しかつストライプ溝の巾より大きく中央部電極の巾
より小さい巾を有する端部電極を形成する。本発明は更
に望しくは、ストライプ溝の長手長さを９５０乃至１４
００μｍとするものである。
【０００６】
【作用】本発明は上述の様に、ストライプ溝の上方に位
置しかつストライプ溝の巾より大きい端部電極を設け
る。故に端面近傍で温度上昇した活性層はこの端部電極
を通じて放熱し易い。更に望しくはストライプ溝の長手
長さを９５０乃至１４００μｍにする事により、活性層
の動作電流密度が小さくなるので、発光エネルギー以外
に変換される熱エネルギーの割合が減るから寿命が長く
なる。
置しかつストライプ溝の巾より大きい端部電極を設け
る。故に端面近傍で温度上昇した活性層はこの端部電極
を通じて放熱し易い。更に望しくはストライプ溝の長手
長さを９５０乃至１４００μｍにする事により、活性層
の動作電流密度が小さくなるので、発光エネルギー以外
に変換される熱エネルギーの割合が減るから寿命が長く
なる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明の実施例を図１乃至図３に従っ
て説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザの斜視
図、図２は図１のＡＡ断面図、図３は図１のＢＢ断面図
である。これらの図に於て、半導体基板１はＺｎをＰ型
不純物として添加されたＧａＡｓからなり層厚７０μｍ
である。電流阻止層２はＮ型不純物を添加されたＧａＡ
ｓからなり層厚は約１μｍであり、半導体基板１上に形
成されている。
て説明する。図１は本実施例に係る半導体レーザの斜視
図、図２は図１のＡＡ断面図、図３は図１のＢＢ断面図
である。これらの図に於て、半導体基板１はＺｎをＰ型
不純物として添加されたＧａＡｓからなり層厚７０μｍ
である。電流阻止層２はＮ型不純物を添加されたＧａＡ
ｓからなり層厚は約１μｍであり、半導体基板１上に形
成されている。
【０００８】ストライプ溝３は電流阻止層２の表面上に
形成され、端面近傍４に於て電流阻止層２より浅く電流
阻止層２の底面に到らない。ストライプ溝３は中央近傍
５に於て電流阻止層２より深く半導体基板１の中に達っ
している。端面近傍４のストライプ溝３の長手長さは約
２０μｍであり、ストライプ溝３の全体の長手長さは９
５０〜１４００μｍに形成されている。ストライプ溝３
の巾Ｃは３〜７μｍであり、端面近傍４に於ける巾Ｃが
中央近傍５に於ける巾Ｃより少し広く形成されている。
形成され、端面近傍４に於て電流阻止層２より浅く電流
阻止層２の底面に到らない。ストライプ溝３は中央近傍
５に於て電流阻止層２より深く半導体基板１の中に達っ
している。端面近傍４のストライプ溝３の長手長さは約
２０μｍであり、ストライプ溝３の全体の長手長さは９
５０〜１４００μｍに形成されている。ストライプ溝３
の巾Ｃは３〜７μｍであり、端面近傍４に於ける巾Ｃが
中央近傍５に於ける巾Ｃより少し広く形成されている。
【０００９】クラッド層６はＺｎをＰ型不純物として添
加され、アルミ混晶比０．４のＧａＡｌＡｓからなり層
厚０．５〜０．８μｍであり、ストライプ溝３上および
電流阻止層２上に形成されている。
加され、アルミ混晶比０．４のＧａＡｌＡｓからなり層
厚０．５〜０．８μｍであり、ストライプ溝３上および
電流阻止層２上に形成されている。
【００１０】活性層７はアルミ混晶比０．０５のＧａＡ
ｌＡｓからなり層厚０．１μｍであり、発光波長８３０
ｎｍであり、クラッド層６上に形成されている。他のク
ラッド層８はアルミ混晶比０．４のＮ型ＧａＡｌＡｓか
らなり層厚４μｍであり、活性層７上に形成されてい
る。キャップ層９はＮ型不純物を添加されたＧａＡｓか
らなり層厚７μｍであり、他のクラッド層８上に形成さ
れている。
ｌＡｓからなり層厚０．１μｍであり、発光波長８３０
ｎｍであり、クラッド層６上に形成されている。他のク
ラッド層８はアルミ混晶比０．４のＮ型ＧａＡｌＡｓか
らなり層厚４μｍであり、活性層７上に形成されてい
る。キャップ層９はＮ型不純物を添加されたＧａＡｓか
らなり層厚７μｍであり、他のクラッド層８上に形成さ
れている。
【００１１】表面電極１０は金等からなりキャップ層９
上に形成されている。表面電極１０は巾狭の端部電極１
１と巾広の中央部電極１２から構成されている。中央部
電極１２は活性層７の巾全体に広がる様に、すなわちキ
ャップ層９の端から１０〜２０μｍを残してキャップ層
９上に形成されている。端部電極１１はストライプ溝３
の略真上のキャップ層９上に形成されている。端部電極
１１の巾Ｄはストライプ溝３の巾Ｃよりも大きく中央部
電極１２の巾よりも小さく設けられている。望しくは端
部電極１１の巾Ｄは８〜１００μｍに設けると良い。ス
トライプ溝３のストライプ方向に沿う端部電極１１の長
さＥは２０μｍ位が望しい。何故ならば端部電極１１の
長さＥが２０μｍより十分長ければ、中央部電極１２の
長さが短かくなり、サブマウント等とダイボンディング
した時に取付が不安定となる。そして通常、端面を劈開
する時に劈開面の位置が長手方向でばらつくが、端部電
極１１の長さＥが２０μｍより十分短ければ、中央部電
極１２を劈開する恐れがあるからである。
上に形成されている。表面電極１０は巾狭の端部電極１
１と巾広の中央部電極１２から構成されている。中央部
電極１２は活性層７の巾全体に広がる様に、すなわちキ
ャップ層９の端から１０〜２０μｍを残してキャップ層
９上に形成されている。端部電極１１はストライプ溝３
の略真上のキャップ層９上に形成されている。端部電極
１１の巾Ｄはストライプ溝３の巾Ｃよりも大きく中央部
電極１２の巾よりも小さく設けられている。望しくは端
部電極１１の巾Ｄは８〜１００μｍに設けると良い。ス
トライプ溝３のストライプ方向に沿う端部電極１１の長
さＥは２０μｍ位が望しい。何故ならば端部電極１１の
長さＥが２０μｍより十分長ければ、中央部電極１２の
長さが短かくなり、サブマウント等とダイボンディング
した時に取付が不安定となる。そして通常、端面を劈開
する時に劈開面の位置が長手方向でばらつくが、端部電
極１１の長さＥが２０μｍより十分短ければ、中央部電
極１２を劈開する恐れがあるからである。
【００１２】前面端面１３と後面端面１４にはそれぞれ
反射率が５〜３０％、５０〜９５％となる様にコーティ
ングが施こされている。そして表面電極１０には所定の
場所に孔１５が設けられ、自動ダイボンダー機が前面端
面１３と後面端面１４を区別して認識できる様になって
いる。半導体基板１の裏面には、金等からなる裏面電極
１６が形成されている。これらの各層により半導体レー
ザ１７は構成されている。
反射率が５〜３０％、５０〜９５％となる様にコーティ
ングが施こされている。そして表面電極１０には所定の
場所に孔１５が設けられ、自動ダイボンダー機が前面端
面１３と後面端面１４を区別して認識できる様になって
いる。半導体基板１の裏面には、金等からなる裏面電極
１６が形成されている。これらの各層により半導体レー
ザ１７は構成されている。
【００１３】サブマウント１８が半導体レーザ１７と接
続して設けられている。サブマウント１８はＳｉ層１９
の裏面に金層２０と白金層２１と金層２２とインジュウ
ム層２３が順次形成されたものである。半導体レーザ１
７の上にサブマウント１８を載置し、その載置面を重点
的に加熱する事によって表面電極１０とインジュウム層
２３が合金化されている。また逆にサブマウント１８の
上に半導体レーザ１７を載置しても良い。
続して設けられている。サブマウント１８はＳｉ層１９
の裏面に金層２０と白金層２１と金層２２とインジュウ
ム層２３が順次形成されたものである。半導体レーザ１
７の上にサブマウント１８を載置し、その載置面を重点
的に加熱する事によって表面電極１０とインジュウム層
２３が合金化されている。また逆にサブマウント１８の
上に半導体レーザ１７を載置しても良い。
【００１４】尚、本実施例の半導体レーザ１７では、端
面近傍４で電流阻止層２より浅くかつ中央近傍５で電流
阻止層２より深いストライプ溝３が形成されている。そ
の他にストライプ溝として端面近傍と中央近傍にて一様
に電流阻止層より浅く形成され、端面近傍の活性層上に
高抵抗層が形成されても良い。上述の様に、本発明のス
トライプ層は端面近傍で電流が流れず中央近傍で電流が
流れる様に形成されたものである。
面近傍４で電流阻止層２より浅くかつ中央近傍５で電流
阻止層２より深いストライプ溝３が形成されている。そ
の他にストライプ溝として端面近傍と中央近傍にて一様
に電流阻止層より浅く形成され、端面近傍の活性層上に
高抵抗層が形成されても良い。上述の様に、本発明のス
トライプ層は端面近傍で電流が流れず中央近傍で電流が
流れる様に形成されたものである。
【００１５】次に本実施例の半導体レーザに於ける活性
層の温度上昇特性図を図４の実線２４にて示す。実線２
４の特性図は端部電極１１の巾Ｄが８μｍの場合の測定
値である。実験の結果、この活性層の温度上昇特性は端
部電極１１の巾Ｄのみに依存し、端部電極１１の長さＥ
やストライプ溝３の長さには依存しない事が判った。ま
た端部電極１１の巾Ｄを８μｍより大きくする程、端面
近傍４の活性層７の温度上昇は低くなり、寿命が長くな
る。しかし端部電極１１の巾Ｄを大きくし過ぎて中央部
電極１２と同じにすると、劈開が困難となり、前面端面
１３と後面端面１４に段差とか傷が発生し実用に供しな
い。本発明者の実験に依れば、端部電極１１の巾Ｄは最
大１００μｍまでなら端面は正常であるが、１００μｍ
を越えると端面に傷が発生する事が判った。
層の温度上昇特性図を図４の実線２４にて示す。実線２
４の特性図は端部電極１１の巾Ｄが８μｍの場合の測定
値である。実験の結果、この活性層の温度上昇特性は端
部電極１１の巾Ｄのみに依存し、端部電極１１の長さＥ
やストライプ溝３の長さには依存しない事が判った。ま
た端部電極１１の巾Ｄを８μｍより大きくする程、端面
近傍４の活性層７の温度上昇は低くなり、寿命が長くな
る。しかし端部電極１１の巾Ｄを大きくし過ぎて中央部
電極１２と同じにすると、劈開が困難となり、前面端面
１３と後面端面１４に段差とか傷が発生し実用に供しな
い。本発明者の実験に依れば、端部電極１１の巾Ｄは最
大１００μｍまでなら端面は正常であるが、１００μｍ
を越えると端面に傷が発生する事が判った。
【００１６】次に本実施例の半導体レーザに於ける最大
光出力の特性を図５に従って説明する。横軸は共振器
長、すなわちストライプ溝３の長さ（μｍ）である。縦
軸は最大光出力（ｍｗ）である。実験の結果、この特性
は端部電極１１の巾Ｄや長さＥには依存しない事が判っ
た。この図より共振器長が９５０μｍ以上になると最大
光出力はほとんど飽和する事が判った。
光出力の特性を図５に従って説明する。横軸は共振器
長、すなわちストライプ溝３の長さ（μｍ）である。縦
軸は最大光出力（ｍｗ）である。実験の結果、この特性
は端部電極１１の巾Ｄや長さＥには依存しない事が判っ
た。この図より共振器長が９５０μｍ以上になると最大
光出力はほとんど飽和する事が判った。
【００１７】更に本実施例の半導体レーザに於ける動作
電流密度の特性を示す。横軸は共振器長（μｍ）で、縦
軸は動作電流密度（ｋＡ／ｃｍ2）（半導体レーザを流
れる電流値を電流が流れている活性層の面積で割った
値）を示す。この図に於て、共振器長が９５０〜１４０
０μｍの場合、動作電流密度が６ｋＡ／ｃｍ2より小さ
い事が判かる。そして共振器長が９５０μｍ未満又は１
４００μｍを越えると動作電流密度が大きくなり、発光
に寄与しない電流が熱エネルギーに変わる。この熱エネ
ルギーは端面近傍４のストライプ溝３の下の電流阻止層
２の温度上昇を招き、端面破壊を起こし、寿命が短かく
なる。これに対し、共振器長が９５０〜１４００μｍな
らば、出力１５０ｍｗ、雰囲気温度５０°Ｃで連続発振
２０００時間を達成することができる。
電流密度の特性を示す。横軸は共振器長（μｍ）で、縦
軸は動作電流密度（ｋＡ／ｃｍ2）（半導体レーザを流
れる電流値を電流が流れている活性層の面積で割った
値）を示す。この図に於て、共振器長が９５０〜１４０
０μｍの場合、動作電流密度が６ｋＡ／ｃｍ2より小さ
い事が判かる。そして共振器長が９５０μｍ未満又は１
４００μｍを越えると動作電流密度が大きくなり、発光
に寄与しない電流が熱エネルギーに変わる。この熱エネ
ルギーは端面近傍４のストライプ溝３の下の電流阻止層
２の温度上昇を招き、端面破壊を起こし、寿命が短かく
なる。これに対し、共振器長が９５０〜１４００μｍな
らば、出力１５０ｍｗ、雰囲気温度５０°Ｃで連続発振
２０００時間を達成することができる。
【００１８】
【発明の効果】本発明は上述の様に、ストライプ溝の上
方に位置しかつストライプ溝の巾より大きい端部電極を
設ける。故に端面近傍で温度上昇した活性層はこの端部
電極を通じて放熱し易いので端面破壊を防止できる。そ
して端部電極の巾を中央部電極の巾より小さく設けてい
るので、端面の劈開が容易となるから端面に段差とか傷
が発生しない。
方に位置しかつストライプ溝の巾より大きい端部電極を
設ける。故に端面近傍で温度上昇した活性層はこの端部
電極を通じて放熱し易いので端面破壊を防止できる。そ
して端部電極の巾を中央部電極の巾より小さく設けてい
るので、端面の劈開が容易となるから端面に段差とか傷
が発生しない。
【００１９】本発明は更に望しくは、ストライプ溝の長
手長さを９５０乃至１４００μｍに設ける事により、活
性層の動作電流密度が小さくなるので、発光に寄与しな
い電流が変換されて熱エネルギーになる割合が小さくな
る。故に端面近傍のストライプ溝の下の電流阻止層の温
度上昇が小さくなり、端面破壊を防止できるので寿命が
長くなる。
手長さを９５０乃至１４００μｍに設ける事により、活
性層の動作電流密度が小さくなるので、発光に寄与しな
い電流が変換されて熱エネルギーになる割合が小さくな
る。故に端面近傍のストライプ溝の下の電流阻止層の温
度上昇が小さくなり、端面破壊を防止できるので寿命が
長くなる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例に係る半導体レーザの斜視図で
ある。
ある。
【図２】図１のＡＡ断面図である。
【図３】図１のＢＢ断面図である。
【図４】活性層の温度上昇の特性図である。
【図５】本発明の実施例に係る半導体レーザに於ける最
大光出力の特性図である。
大光出力の特性図である。
【図６】本発明の実施例に係る半導体レーザに於ける動
作電流密度の特性図である。
作電流密度の特性図である。
【図７】従来の半導体レーザの斜視図である。
【符号の説明】 １ 半導体基板 ２ 電流阻止層 ３ ストライプ溝 ４ 端面近傍 ５ 中央近傍 ６ クラッド層 ７ 活性層 １０ 表面電極 １１ 端部電極 １２ 中央部電極
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体基板と、その上に形成された電流
阻止層と、中央近傍で電流が流れ端面近傍で電流が流れ
ない様に前記電流阻止層に形成されたストライプ溝と、
前記電流阻止層上に形成されたクラッド層と、そのクラ
ッド層上に形成された活性層と表面電極を具備し、その
表面電極が前記活性層の巾全体に広がる中央部電極及び
前記ストライプ溝の上方に位置しかつ前記ストライプ溝
の巾より大きく前記中央部電極の巾より小さい巾を有す
る端部電極からなる事を特徴とする半導体レーザ。 - 【請求項２】 前記ストライプ溝の長手長さが９５０乃
至１４００μｍである事を特徴とする請求項１の半導体
レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18679192A JPH0637386A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体レーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18679192A JPH0637386A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体レーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0637386A true JPH0637386A (ja) | 1994-02-10 |
Family
ID=16194653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18679192A Pending JPH0637386A (ja) | 1992-07-14 | 1992-07-14 | 半導体レーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0637386A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007173402A (ja) * | 2005-12-20 | 2007-07-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2008141039A (ja) * | 2006-12-04 | 2008-06-19 | Rohm Co Ltd | 端面発光型半導体レーザ |
| US7643527B2 (en) | 2005-04-13 | 2010-01-05 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| JP2013225667A (ja) * | 2012-03-22 | 2013-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| JP2016026410A (ja) * | 2010-04-06 | 2016-02-12 | トゥー−シックス レイザー エンタープライズ ゲーエムベーハー | 半導体レーザーダイオード |
-
1992
- 1992-07-14 JP JP18679192A patent/JPH0637386A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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