JPH0636338A - 光ピックアップ - Google Patents
光ピックアップInfo
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- JPH0636338A JPH0636338A JP4215432A JP21543292A JPH0636338A JP H0636338 A JPH0636338 A JP H0636338A JP 4215432 A JP4215432 A JP 4215432A JP 21543292 A JP21543292 A JP 21543292A JP H0636338 A JPH0636338 A JP H0636338A
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- prism
- light
- light receiving
- optical pickup
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Abstract
(57)【要約】
【目的】プリズムを使用して受光素子及び発光素子を一
体化した光ピックアップにおいて、接着剤を使用しなく
ても、反射光ビームのみ選択的に効率よく受光素子に導
き得る光ピックアップを提供すること。 【構成】プリズム１８及び受光素子２２、２４間に所定
の空間を形成する。
体化した光ピックアップにおいて、接着剤を使用しなく
ても、反射光ビームのみ選択的に効率よく受光素子に導
き得る光ピックアップを提供すること。 【構成】プリズム１８及び受光素子２２、２４間に所定
の空間を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク装置の光ピ
ックアップに係り、光ピックアップの小型化に関するも
のである。
ックアップに係り、光ピックアップの小型化に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】従来、コンパクトディスクプレイヤ等の
光ディスク装置においては、発光素子及び受光素子を一
体化して光ピックアップを形成するようにされたものが
ある。
光ディスク装置においては、発光素子及び受光素子を一
体化して光ピックアップを形成するようにされたものが
ある。
【０００３】図２に示すように、この種の光ピックアッ
プ１においては、複合素子２で光ビームＬ１を形成し、
この光ビームＬ１を対物レンズ４で光ディスク６に集光
する。
プ１においては、複合素子２で光ビームＬ１を形成し、
この光ビームＬ１を対物レンズ４で光ディスク６に集光
する。
【０００４】さらに光ピックアップ１においては、光デ
ィスク６で反射した反射光ビームＬ２を対物レンズ４で
受光し、この反射光ビームＬ２を複合素子２に導く。
ィスク６で反射した反射光ビームＬ２を対物レンズ４で
受光し、この反射光ビームＬ２を複合素子２に導く。
【０００５】図３及び図４に示すように、複合素子２
は、発光素子及び受光素子を一体化して光学ブロック８
を形成し、この光学ブロック８を半導体パッケージに収
納して形成する。
は、発光素子及び受光素子を一体化して光学ブロック８
を形成し、この光学ブロック８を半導体パッケージに収
納して形成する。
【０００６】この光学ブロック８は、第１の半導体基板
１０上に第２の半導体基板１２を搭載し、この第２の半
導体基板１２上にレーザダイオードチップ１４を搭載す
る。
１０上に第２の半導体基板１２を搭載し、この第２の半
導体基板１２上にレーザダイオードチップ１４を搭載す
る。
【０００７】このうち光学ブロック８にあっては、第２
の半導体基板１２上に受光素子１６が形成され、この受
光素子１６でレーザーダイオードチップ１４の後方から
射出された光ビームを受光する。
の半導体基板１２上に受光素子１６が形成され、この受
光素子１６でレーザーダイオードチップ１４の後方から
射出された光ビームを受光する。
【０００８】これにより光学ブロック８は、この受光素
子１６の出力信号に基づいてレーザダイオード１４から
射出される光ビームＬ１の光量をモニタできるようにな
っている。
子１６の出力信号に基づいてレーザダイオード１４から
射出される光ビームＬ１の光量をモニタできるようにな
っている。
【０００９】そして、光学ブロック８は、レーザーダイ
オードチップ１４の前方、すなわち第１の半導体１０上
には、台形形状のプリズム１８を配置し、レーザーダイ
オードチップ１４の前方から射出した光ビームＬ１をこ
のプリズム１８の斜面で反射して上方向に射出する。
オードチップ１４の前方、すなわち第１の半導体１０上
には、台形形状のプリズム１８を配置し、レーザーダイ
オードチップ１４の前方から射出した光ビームＬ１をこ
のプリズム１８の斜面で反射して上方向に射出する。
【００１０】これにより光学ブロック８は、半導体パッ
ケージの上面に配置された図示しない透明の封止部材を
透過させて光ビームＬ１を射出するようになっている。
ケージの上面に配置された図示しない透明の封止部材を
透過させて光ビームＬ１を射出するようになっている。
【００１１】さらに光学ブロック８は、光ディスク１８
で反射した反射光ビームＬ２をプリズム１８の斜面に入
射し、ここでプリズム１８の内部に反射光ビームＬ２を
導き、底面Ｌ及び上面Ｕでそれぞれ反射する。
で反射した反射光ビームＬ２をプリズム１８の斜面に入
射し、ここでプリズム１８の内部に反射光ビームＬ２を
導き、底面Ｌ及び上面Ｕでそれぞれ反射する。
【００１２】このときプリズム１８は、光ビームＬ１を
効率良く反射すると共に、反射光ビームＬ２を効率良く
内部に導くため、斜面に半透過膜Ｍ１を形成し、内部に
導いた反射光ビームＬ２を効率良く反射するため、上面
Ｕに全反射膜Ｍ２を形成するようになっている。
効率良く反射すると共に、反射光ビームＬ２を効率良く
内部に導くため、斜面に半透過膜Ｍ１を形成し、内部に
導いた反射光ビームＬ２を効率良く反射するため、上面
Ｕに全反射膜Ｍ２を形成するようになっている。
【００１３】さらにプリズム１８は、所定の接着剤層２
０を介して下面Ｌを半導体基板１０に接着し、この状態
で斜面から入射した反射光ビームＬ２が一旦下面Ｌで反
射した後、上面Ｕで反射し、続いて下面Ｌに到達するよ
うになっている。
０を介して下面Ｌを半導体基板１０に接着し、この状態
で斜面から入射した反射光ビームＬ２が一旦下面Ｌで反
射した後、上面Ｕで反射し、続いて下面Ｌに到達するよ
うになっている。
【００１４】このとき光学ブロック８は、対物レンズ４
を介して、この上面Ｕと光ディスク６の情報記録面に相
当する基準位置とが共役の関係になるように保持され、
これにより光ビームＬ１が光ディスク６の情報記録面に
正しく集光されているとき、斜面から入射した反射光ビ
ームＬ２により下面Ｌに形成される第１の光スポット径
と、下面Ｌで反射した後続いて上面Ｕで反射した反射光
ビームＬ２が下面Ｌに形成する第２の光スポット径とが
等しい大きさになるようになっている。
を介して、この上面Ｕと光ディスク６の情報記録面に相
当する基準位置とが共役の関係になるように保持され、
これにより光ビームＬ１が光ディスク６の情報記録面に
正しく集光されているとき、斜面から入射した反射光ビ
ームＬ２により下面Ｌに形成される第１の光スポット径
と、下面Ｌで反射した後続いて上面Ｕで反射した反射光
ビームＬ２が下面Ｌに形成する第２の光スポット径とが
等しい大きさになるようになっている。
【００１５】従って光ピックアップ１において、第１及
び第２の光スポットのビーム径が等しくなるように対物
レンズ４を可動すれば、光ビームＬ１のフォーカスを制
御することができる。
び第２の光スポットのビーム径が等しくなるように対物
レンズ４を可動すれば、光ビームＬ１のフォーカスを制
御することができる。
【００１６】このため第１の半導体基板１０は、この第
１及び第２の光スポットの形成位置に、第１及び第２の
受光素子２２及び２４を形成し、この第１及び第２の受
光素子２２及び２４は、受光面を所定の領域に分割し、
各領域から受光結果を出力するようになっている。
１及び第２の光スポットの形成位置に、第１及び第２の
受光素子２２及び２４を形成し、この第１及び第２の受
光素子２２及び２４は、受光面を所定の領域に分割し、
各領域から受光結果を出力するようになっている。
【００１７】これにより光学ブロック８は、第１及び第
２の受光素子２２及び２４について、各領域の出力信号
を加減算処理して光スポット径の差を検出し、これによ
りフォーカスエラー信号を検出できるようになってい
る。
２の受光素子２２及び２４について、各領域の出力信号
を加減算処理して光スポット径の差を検出し、これによ
りフォーカスエラー信号を検出できるようになってい
る。
【００１８】さらにこのように共役の関係に保持すれ
ば、受光素子２２及び２４に対する光スポットの形成位
置を検出してトラッキングエラーを検出できる。
ば、受光素子２２及び２４に対する光スポットの形成位
置を検出してトラッキングエラーを検出できる。
【００１９】これによりこの種の光ピックアップにおい
ては、受光素子２２及び２４の出力信号を別途加減算処
理することにより、トラッキングエラー信号を生成でき
るよになっている。
ては、受光素子２２及び２４の出力信号を別途加減算処
理することにより、トラッキングエラー信号を生成でき
るよになっている。
【００２０】これに対して再生信号においては、各受光
素子２２及び２４の出力信号を加算して生成できるよう
になっている。
素子２２及び２４の出力信号を加算して生成できるよう
になっている。
【００２１】このためプリズム１８においては、受光素
子２２側の接着面に半透過膜Ｍ３が形成され、これによ
り受光素子２２及び２４で反射光ビームＬ２を受光でき
るようになっている。
子２２側の接着面に半透過膜Ｍ３が形成され、これによ
り受光素子２２及び２４で反射光ビームＬ２を受光でき
るようになっている。
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】ところでこのようにプ
リズム１８の斜面で反射光ビームＬ２を屈折させてプリ
ズム１８の内部に導く場合、光ビームＬ１においては、
斜面で正反射することにより、この反射光ビームＬ２と
等しい入射角でこの斜面に入射することになる。
リズム１８の斜面で反射光ビームＬ２を屈折させてプリ
ズム１８の内部に導く場合、光ビームＬ１においては、
斜面で正反射することにより、この反射光ビームＬ２と
等しい入射角でこの斜面に入射することになる。
【００２３】このため光ビームＬ１においては、一部が
斜面を透過してプリズム１８の内部に進入することを避
け得ず、この光（以下妨害光と呼ぶ）が受光素子２２及
び２４に入射すると、光ピックアップ１においては、正
確にトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号を
検出できなくなる恐れがある。
斜面を透過してプリズム１８の内部に進入することを避
け得ず、この光（以下妨害光と呼ぶ）が受光素子２２及
び２４に入射すると、光ピックアップ１においては、正
確にトラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号を
検出できなくなる恐れがある。
【００２４】このため従来の光学ブロック８において
は、この斜面を透過した妨害光と反射光ビームＬ２が底
面Ｌに異なる入射角で入射することを利用して、反射光
ビームＬ２のみ選択的に受光素子２２及び２４に導くよ
うになっている。
は、この斜面を透過した妨害光と反射光ビームＬ２が底
面Ｌに異なる入射角で入射することを利用して、反射光
ビームＬ２のみ選択的に受光素子２２及び２４に導くよ
うになっている。
【００２５】すなわちこの種の光学ブロック８において
は、プリズム１８及び接着剤層２０の屈折率を選定する
ことにより、プリズム１８及び接着剤２０の境界面にお
ける臨界角を所定の値に選定し、これにより反射光ビー
ムＬ２のみ選択的に境界面を透過するようにされてい
た。
は、プリズム１８及び接着剤層２０の屈折率を選定する
ことにより、プリズム１８及び接着剤２０の境界面にお
ける臨界角を所定の値に選定し、これにより反射光ビー
ムＬ２のみ選択的に境界面を透過するようにされてい
た。
【００２６】ところがこのような条件に臨界角を設定す
るためには接着剤層２０の屈折率をあまり小さくできな
いことから、これと差をつけるためプリズム１８の屈折
率を大きな値に選定せざるを得ない。このため特別の材
質を選定しなければならないことから、プラスチック等
の一般的な材料を用いてプリズムを形成することができ
ないという欠点があった。
るためには接着剤層２０の屈折率をあまり小さくできな
いことから、これと差をつけるためプリズム１８の屈折
率を大きな値に選定せざるを得ない。このため特別の材
質を選定しなければならないことから、プラスチック等
の一般的な材料を用いてプリズムを形成することができ
ないという欠点があった。
【００２７】また、対してこのように接着剤層２０の屈
折率を利用して反射光ビームＬ２のみ選択的に透過する
場合、接着剤層２０の膜厚が薄くなると、反射光ビーム
が接着剤層２０で多重反射し、これにより受光素子２２
及び２４に反射光ビームを入射できない場合も発生する
という欠点もある。
折率を利用して反射光ビームＬ２のみ選択的に透過する
場合、接着剤層２０の膜厚が薄くなると、反射光ビーム
が接着剤層２０で多重反射し、これにより受光素子２２
及び２４に反射光ビームを入射できない場合も発生する
という欠点もある。
【００２８】さらに接着剤層２０と半導体基板１０との
間で線膨張係数が大きく異なることにより、温度が変化
すると、この部分に歪みの発生を避け得ないという問題
もあった。
間で線膨張係数が大きく異なることにより、温度が変化
すると、この部分に歪みの発生を避け得ないという問題
もあった。
【００２９】本発明は上記課題に鑑みてされたもので、
プリズムを使用して受光素子及び発光素子を一体化した
光ピックアップにおいて、接着剤を使用しなくても、反
射光ビームのみ選択的に受光素子に効率よく導き得る光
ピックアップを提供することを目的とする。
プリズムを使用して受光素子及び発光素子を一体化した
光ピックアップにおいて、接着剤を使用しなくても、反
射光ビームのみ選択的に受光素子に効率よく導き得る光
ピックアップを提供することを目的とする。
【００３０】
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項１の
発明にあつては、基板上に受光素子及び発光素子を形成
し、この発光素子から射出した光ビームをプリズムの斜
面で反射して光ディスクに射出すると共に、この光ディ
スクで反射した反射光ビームを上記斜面を介して上記プ
リズム内に導いた後射出して上記受光素子で受光する光
ピックアップにおいて、上記プリズム及び上記受光素子
間に所定の空隙を形成した光ピックアップにより、達成
される。
発明にあつては、基板上に受光素子及び発光素子を形成
し、この発光素子から射出した光ビームをプリズムの斜
面で反射して光ディスクに射出すると共に、この光ディ
スクで反射した反射光ビームを上記斜面を介して上記プ
リズム内に導いた後射出して上記受光素子で受光する光
ピックアップにおいて、上記プリズム及び上記受光素子
間に所定の空隙を形成した光ピックアップにより、達成
される。
【００３１】好ましくは前記プリズムを、受光素子に対
して取り付け位置を可変して位置調整して保持し得るよ
うに構成される。
して取り付け位置を可変して位置調整して保持し得るよ
うに構成される。
【００３２】特にこの場合、基板及びプリズムを所定の
収納ケースに収納して透明封止部材で封止し、プリズム
をこの透明封止部材に接着してプリズムと受光素子との
間に所定の空間を形成し、かつ透明封止部材の封止位置
を可変して受光素子に対して所定位置に保持するように
構成できる。
収納ケースに収納して透明封止部材で封止し、プリズム
をこの透明封止部材に接着してプリズムと受光素子との
間に所定の空間を形成し、かつ透明封止部材の封止位置
を可変して受光素子に対して所定位置に保持するように
構成できる。
【００３３】さらに受光素子の受光面に反射防止膜を形
成し、このとき受光素子を半導体基板に形成し、半導体
基板の保護膜でこの反射防止膜を形成できる。また受光
素子の受光面以外の所定の表面を遮光部材で遮光するよ
うに構成できる。
成し、このとき受光素子を半導体基板に形成し、半導体
基板の保護膜でこの反射防止膜を形成できる。また受光
素子の受光面以外の所定の表面を遮光部材で遮光するよ
うに構成できる。
【００３４】
【作用】上述した構成によれば、プリズム及び受光素子
間に所定の空隙を形成することにより、プリズムと屈折
率の小さい空間との境界を形成でき、かくしてこの小さ
な屈折率に対してプリズムの屈折率を選定してこの境界
の臨界角を設定できる。
間に所定の空隙を形成することにより、プリズムと屈折
率の小さい空間との境界を形成でき、かくしてこの小さ
な屈折率に対してプリズムの屈折率を選定してこの境界
の臨界角を設定できる。
【００３５】このとき受光素子に対して取り付け位置を
可変して所定位置に保持することにより、受光素子に対
して確実に反射光ビームを入射でき、特に基板及びプリ
ズムを所定の収納ケースに収納して透明封止部材で封止
する場合に、好ましくはプリズムをこの透明封止部材に
接着してプリズムと受光素子との間に所定の空隙を形成
し、かつ透明封止部材の封止位置を可変することによ
り、受光素子に対して所定位置に保持することができ
る。
可変して所定位置に保持することにより、受光素子に対
して確実に反射光ビームを入射でき、特に基板及びプリ
ズムを所定の収納ケースに収納して透明封止部材で封止
する場合に、好ましくはプリズムをこの透明封止部材に
接着してプリズムと受光素子との間に所定の空隙を形成
し、かつ透明封止部材の封止位置を可変することによ
り、受光素子に対して所定位置に保持することができ
る。
【００３６】さらに受光素子の受光面に反射防止膜を形
成し、このとき受光素子を半導体基板に形成し、半導体
基板の保護膜でこの反射防止膜を形成することにより、
受光面での反射光ビームの反射を防止でき、また受光素
子の受光面以外の所定の表面を遮光部材で遮光すること
によつても、受光面以外の部分への妨害光の入射を防止
できる。
成し、このとき受光素子を半導体基板に形成し、半導体
基板の保護膜でこの反射防止膜を形成することにより、
受光面での反射光ビームの反射を防止でき、また受光素
子の受光面以外の所定の表面を遮光部材で遮光すること
によつても、受光面以外の部分への妨害光の入射を防止
できる。
【００３７】
【実施例】以下、本発明の好適な一実施例を添付図面に
基づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様の限られるものではない。
基づいて詳細に説明する。尚、以下に述べる実施例は、
本発明の好適な具体例であるから、技術的に好ましい種
々の限定が付されているが、本発明の範囲は、以下の説
明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、
これらの態様の限られるものではない。
【００３８】図１は、本発明に係る光ピックアップの複
合素子の一実施例を示す断面図である。
合素子の一実施例を示す断面図である。
【００３９】図において、複合素子３０の構成中、従来
例と同一の符号を付した箇所はこれと同様な構成でなる
ことから、重複する説明は省略する。
例と同一の符号を付した箇所はこれと同様な構成でなる
ことから、重複する説明は省略する。
【００４０】光ピックアップ３０は、半導体パッケージ
３２に光学ブロック３４を収納して形成され、光学ブロ
ック３４は、所定のギャップを介して、プリズム１８及
び第１の半導体基板１０を別体に保持するようになって
いる。
３２に光学ブロック３４を収納して形成され、光学ブロ
ック３４は、所定のギャップを介して、プリズム１８及
び第１の半導体基板１０を別体に保持するようになって
いる。
【００４１】すなわち半導体パッケージ３２は、ベース
３６の周囲に壁面３８が形成され、このベース３６に第
１の半導体基板１０を保持する。
３６の周囲に壁面３８が形成され、このベース３６に第
１の半導体基板１０を保持する。
【００４２】さらに半導体パッケージ３２は、壁面３８
の内側上端部が略階段状に形成され、この階段状の端部
に第１及び第２のカバーガラス４０及び４２を２層に重
ね合わせて搭載し後、接着することにより、上端部を封
止するようになっている。
の内側上端部が略階段状に形成され、この階段状の端部
に第１及び第２のカバーガラス４０及び４２を２層に重
ね合わせて搭載し後、接着することにより、上端部を封
止するようになっている。
【００４３】このうち下側のカバーガラス４０において
は、その下面にプリズム１８を接着して保持し、これに
より複合素子３０においては、接着剤層２０（図４）に
代えて所定間隔の空間を間に挟んで受光素子２２及び２
４の上部にプリズム１８を配置するようになっている。
は、その下面にプリズム１８を接着して保持し、これに
より複合素子３０においては、接着剤層２０（図４）に
代えて所定間隔の空間を間に挟んで受光素子２２及び２
４の上部にプリズム１８を配置するようになっている。
【００４４】ここで、このような空間においては、屈折
率がほぼ１でなることにより、複合素子３０において
は、屈折率の低い適当な光学部材でプリズム１８を形成
して妨害光を反射する臨界角を得ることができる。
率がほぼ１でなることにより、複合素子３０において
は、屈折率の低い適当な光学部材でプリズム１８を形成
して妨害光を反射する臨界角を得ることができる。
【００４５】すなわち、複合素子３０においては、プリ
ズム１８の材料として種々の光学部材を選定得、例えば
プラスチックを選定して射出成形の手法を適用してプリ
ズム１８を生成でき、その分光ピックアップの生産工程
を簡略化することができる。
ズム１８の材料として種々の光学部材を選定得、例えば
プラスチックを選定して射出成形の手法を適用してプリ
ズム１８を生成でき、その分光ピックアップの生産工程
を簡略化することができる。
【００４６】また第１の半導体基板１０及びプリズム１
８間に接着剤層が介在しないことにより、歪みの発生も
未然に防止することができる。
８間に接着剤層が介在しないことにより、歪みの発生も
未然に防止することができる。
【００４７】さらにパッケージ３６及びカバーガラス４
０の寸法精度を管理するだけでギャップの間隔も管理で
きることにより、プリズム１８と半導体基板１０との間
の多重反射も容易に防止することができる。
０の寸法精度を管理するだけでギャップの間隔も管理で
きることにより、プリズム１８と半導体基板１０との間
の多重反射も容易に防止することができる。
【００４８】さらにこの実施例では、半導体基板１０に
おいては、受光素子２２及び２４の表面に所定膜厚の酸
化膜４４が形成され、この酸化膜４４で反射光ビームＬ
２の反射防止膜を形成するようになっている。
おいては、受光素子２２及び２４の表面に所定膜厚の酸
化膜４４が形成され、この酸化膜４４で反射光ビームＬ
２の反射防止膜を形成するようになっている。
【００４９】これにより複合素子３０においては、受光
素子２２及び２４の受光面における反射光ビームＬ２の
反射を未然に防止し、確実に反射光ビームＬ２を受光で
きる。
素子２２及び２４の受光面における反射光ビームＬ２の
反射を未然に防止し、確実に反射光ビームＬ２を受光で
きる。
【００５０】さらに半導体基板１０においては、この酸
化膜４４の表面に、受光素子２２及び２４の受光面を避
けるように、黒色取塗料が塗布され、これにより受光素
子２２及び２４の受光面以外の部分から入射する光を遮
光するようになっている。
化膜４４の表面に、受光素子２２及び２４の受光面を避
けるように、黒色取塗料が塗布され、これにより受光素
子２２及び２４の受光面以外の部分から入射する光を遮
光するようになっている。
【００５１】すなわちこの種の半導体基板１０において
は、このような目的外の光が受光面以外の部分に入射す
ると、本来の出力信号にノイズが混入する場合がある。
この実施例においては、この目的外の光を遮光すること
により、出力信号のＳＮ比を改善するようになってい
る。
は、このような目的外の光が受光面以外の部分に入射す
ると、本来の出力信号にノイズが混入する場合がある。
この実施例においては、この目的外の光を遮光すること
により、出力信号のＳＮ比を改善するようになってい
る。
【００５２】これにより複合素子においては、さらに一
段とトラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号
の検出感度を向上することができる。
段とトラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号
の検出感度を向上することができる。
【００５３】さらに下側のカバーガラス４０は、壁３８
の内側壁面に対して前後左右に所定距離だけ移動できる
ように形成され、これにり複合素子３０においては、カ
バーガラス４０にプリズム１８を接着した後、カバーガ
ラス４０を壁３８に接着する際に、接着位置を調整して
プリズム１８の配置位置を調整できるようになってい
る。
の内側壁面に対して前後左右に所定距離だけ移動できる
ように形成され、これにり複合素子３０においては、カ
バーガラス４０にプリズム１８を接着した後、カバーガ
ラス４０を壁３８に接着する際に、接着位置を調整して
プリズム１８の配置位置を調整できるようになってい
る。
【００５４】すなわち受光素子２２及び２４の連続する
方向にカバーガラス１８を移動させることにより、受光
素子２２及び２４に入射する反射光ビームＬ２の位置を
この方向に調整できる。
方向にカバーガラス１８を移動させることにより、受光
素子２２及び２４に入射する反射光ビームＬ２の位置を
この方向に調整できる。
【００５５】これに対して半導体基板１０と平行に保持
した状態でカバーガラス１８を回動させることにより、
受光素子２２及び２４の双方に正しく反射光ビームＬ２
を入射させることができる。
した状態でカバーガラス１８を回動させることにより、
受光素子２２及び２４の双方に正しく反射光ビームＬ２
を入射させることができる。
【００５６】これにより複合素子３０においては、組み
立て時、反射光ビームＬ２を受光して受光素子２２及び
２４の出力信号をモニタしながらカバーガラス１８の位
置を調整した後、接着剤で固定し、続いて第２のガバー
ガラス４２で全体を封止するようになっている。
立て時、反射光ビームＬ２を受光して受光素子２２及び
２４の出力信号をモニタしながらカバーガラス１８の位
置を調整した後、接着剤で固定し、続いて第２のガバー
ガラス４２で全体を封止するようになっている。
【００５７】これにより光ピックアップにおいては、簡
単に取り付け位置を調整することができ、これにより組
み立て作業を簡略化することができる。
単に取り付け位置を調整することができ、これにより組
み立て作業を簡略化することができる。
【００５８】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、接
着剤を使用しなくても、反射光ビームのみを選択的に効
率よく受光素子に導き得る光ピックアップを提供するこ
とができる。
着剤を使用しなくても、反射光ビームのみを選択的に効
率よく受光素子に導き得る光ピックアップを提供するこ
とができる。
【図１】本発明の光ピックアップの複合素子の一実施例
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】従来の光ピックアップを示す側面図である。
【図３】その光学ブロックを示す斜視図である。
【図４】図２の光ピックアップの側面図である。
１ 光ピックアップ ８、３０ 複合素子 １０、１２ 半導体基板 １４ レーザダイオードチップ １６、２２、２４ 受光素子 １８ プリズム ４０、４２ カバーガラス
Claims (6)
- 【請求項１】 基板上に受光素子及び発光素子を形成
し、この発光素子から射出した光ビームをプリズムの斜
面で反射して光ディスクに射出すると共に、この光ディ
スクで反射した反射光ビームを上記斜面を介して上記プ
リズム内に導いた後射出して上記受光素子で受光する光
ピックアップにおいて、 上記プリズム及び上記受光素子間に所定の空隙を形成す
ることを特徴とする、光ピックアップ。 - 【請求項２】 前記プリズムは、前記受光素子に対して
取り付け位置を可変し、位置調整して保持されるように
構成したことを特徴とする、請求項１に記載の光ピック
アップ。 - 【請求項３】 前記基板及び前記プリズムは、収納ケー
スに収納され、この収納ケースの上端を透明封止部材で
封止されており、 前記プリズムは、上記透明封止部材に接着されて前記受
光素子との間に所定の空間を形成し、 かつ上記透明封止部材は、上記収納ケースに対して封止
位置を可変でき、 上記プリズムは、透明封止部材の封止位置を可変して上
記受光素子に対して所定位置に保持される構成としたこ
とを特徴とする、請求項２に記載の光ピックアップ。 - 【請求項４】 前記受光素子は、受光面の表面に反射防
止膜を形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の光ピックアップ。 - 【請求項５】 前記基板は、半導体基板で、 前記受光素子は、この半導体基板に形成され、しかもこ
の半導体基板の保護膜で前記反射防止膜を形成したこと
を特徴とする、請求項４に記載の光ピックアップ。 - 【請求項６】前記基板は、半導体基板で、 前記受光素子は、この半導体基板に形成され、 しかもこの半導体基板は、前記受光素子の受光面以外の
所定の表面を遮光部材で遮光したことを特徴とする、請
求項１乃至５のいずれかに記載の光ピックアップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21543292A JP3163605B2 (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 光ピックアップ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21543292A JP3163605B2 (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 光ピックアップ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0636338A true JPH0636338A (ja) | 1994-02-10 |
| JP3163605B2 JP3163605B2 (ja) | 2001-05-08 |
Family
ID=16672246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21543292A Expired - Fee Related JP3163605B2 (ja) | 1992-07-21 | 1992-07-21 | 光ピックアップ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3163605B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO1999023645A1 (de) * | 1997-10-31 | 1999-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches sensormodul |
| US7042819B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus |
| US7808863B2 (en) | 2004-04-26 | 2010-10-05 | Wai-Hon Lee | Laser/detector device for optical recording with adjustable detector position |
-
1992
- 1992-07-21 JP JP21543292A patent/JP3163605B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10321961A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置 |
| WO1999023645A1 (de) * | 1997-10-31 | 1999-05-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Optoelektronisches sensormodul |
| US7042819B2 (en) | 2001-06-29 | 2006-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Optical pickup apparatus |
| US7808863B2 (en) | 2004-04-26 | 2010-10-05 | Wai-Hon Lee | Laser/detector device for optical recording with adjustable detector position |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3163605B2 (ja) | 2001-05-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |