JPH06349030A - 磁気抵抗効果ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッドInfo
- Publication number
- JPH06349030A JPH06349030A JP5152598A JP15259893A JPH06349030A JP H06349030 A JPH06349030 A JP H06349030A JP 5152598 A JP5152598 A JP 5152598A JP 15259893 A JP15259893 A JP 15259893A JP H06349030 A JPH06349030 A JP H06349030A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laminated
- material layer
- nonmagnetic
- patterned
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＭＲ層と反強磁性体層との間で良好な磁気的
相互作用を有しておりかつパターニングによる反強磁性
体層の溶解、腐食の発生を防止できるＭＲヘッドを提供
する。 【構成】 一体的に連続した反強磁性体層１４と、パタ
ーニングされた非磁性層１２を介して反強磁性体層１４
と積層されているＭＲ層１３と、反強磁性体層１４のＭ
Ｒ層１３とは反対側の面に積層されている横バイアス磁
界付加層１１とを備えている。
相互作用を有しておりかつパターニングによる反強磁性
体層の溶解、腐食の発生を防止できるＭＲヘッドを提供
する。 【構成】 一体的に連続した反強磁性体層１４と、パタ
ーニングされた非磁性層１２を介して反強磁性体層１４
と積層されているＭＲ層１３と、反強磁性体層１４のＭ
Ｒ層１３とは反対側の面に積層されている横バイアス磁
界付加層１１とを備えている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク等の磁気
媒体からの再生を行う磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘ
ッドと称する）に関する。
媒体からの再生を行う磁気抵抗効果ヘッド（以下ＭＲヘ
ッドと称する）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気ディスク等の磁気媒体用の薄
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。ＭＲヘッドは、パーマロイ
等の強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用したものである
ため、磁気媒体との相対速度に依存することなく大きな
再生出力を得ることができる。しかしながら、この種の
材質によるＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを発生
し易いためこれを抑制する何らかの対策を施す必要があ
る。
膜磁気ヘッドとして、磁気抵抗効果を利用したＭＲヘッ
ドが実用化され始めている。ＭＲヘッドは、パーマロイ
等の強磁性体薄膜の磁気抵抗効果を利用したものである
ため、磁気媒体との相対速度に依存することなく大きな
再生出力を得ることができる。しかしながら、この種の
材質によるＭＲヘッドは、バルクハウゼンノイズを発生
し易いためこれを抑制する何らかの対策を施す必要があ
る。
【０００３】バルクハウゼンノイズの発生抑止には、磁
気媒体の面に平行でありかつＭＲ素子の縦方向に平行な
縦バイアス磁界を印加することによりＭＲ素子の単磁区
化を行うことが有効であり、ＦｅＭｎ等による反強磁性
体膜とＭＲ膜との磁気的相互作用を利用してこの種の縦
バイアス磁界を発生するようにした方法が、特開昭６２
−４０６１０号に開示されている。
気媒体の面に平行でありかつＭＲ素子の縦方向に平行な
縦バイアス磁界を印加することによりＭＲ素子の単磁区
化を行うことが有効であり、ＦｅＭｎ等による反強磁性
体膜とＭＲ膜との磁気的相互作用を利用してこの種の縦
バイアス磁界を発生するようにした方法が、特開昭６２
−４０６１０号に開示されている。
【０００４】図３は、この公知技術によるＭＲヘッドの
特にＭＲ素子部分の構成を、磁気媒体に対向する面（Ａ
ＢＳ面）側から見た概略断面図である。
特にＭＲ素子部分の構成を、磁気媒体に対向する面（Ａ
ＢＳ面）側から見た概略断面図である。
【０００５】絶縁層３０上に、軟磁性体層（ＳＡＬ、Ｓ
ｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）３１と、非磁
性層（ＭＳＬ、Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅｐａｒａｔｉｏ
ｎＬａｙｅｒ）３２と、ＭＲ層（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅ
ｓｉｓｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）３３とがこの順序で積層
されており、さらにその上にパターニングされたＦｅＭ
ｎ等の反強磁性体層３４と電極層３５とが積層されてい
る。
ｏｆｔ Ａｄｊａｃｅｎｔ Ｌａｙｅｒ）３１と、非磁
性層（ＭＳＬ、Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｓｅｐａｒａｔｉｏ
ｎＬａｙｅｒ）３２と、ＭＲ層（Ｍａｇｎｅｔｏ Ｒｅ
ｓｉｓｔｉｖｅ Ｌａｙｅｒ）３３とがこの順序で積層
されており、さらにその上にパターニングされたＦｅＭ
ｎ等の反強磁性体層３４と電極層３５とが積層されてい
る。
【０００６】また、本出願人は、反強磁性体膜とＭＲ膜
との磁気的相互作用を同様に利用して縦バイアス磁界を
発生するようにした他の構成のＭＲヘッドを提案してい
る（特願平４−３０７９２５号）。図４は、この先行出
願によるＭＲヘッドの特にＭＲ素子部分の構成をＡＢＳ
面側から見た概略断面図である。
との磁気的相互作用を同様に利用して縦バイアス磁界を
発生するようにした他の構成のＭＲヘッドを提案してい
る（特願平４−３０７９２５号）。図４は、この先行出
願によるＭＲヘッドの特にＭＲ素子部分の構成をＡＢＳ
面側から見た概略断面図である。
【０００７】絶縁層４０上に、パターニングされたＦｅ
Ｍｎ等の反強磁性体層４４が積層されており、その上に
ＭＲ層４３と、非磁性層（ＭＳＬ）４２と、軟磁性体層
（ＳＡＬ）４１とがこの順序で積層されている。軟磁性
体層４１の上には、パターニングされた電極層４５が積
層されている。
Ｍｎ等の反強磁性体層４４が積層されており、その上に
ＭＲ層４３と、非磁性層（ＭＳＬ）４２と、軟磁性体層
（ＳＡＬ）４１とがこの順序で積層されている。軟磁性
体層４１の上には、パターニングされた電極層４５が積
層されている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】このようなＭＲヘッド
構造によると、反強磁性体層３４又は４４が互いに分離
して非連続となるように、ＭＲ層３３又は４３のＭＲ素
子としての動作領域（トラック幅対応領域）の付近でこ
の反強磁性体層３４又は４４をパターニングする必要が
ある。しかしながら、反強磁性体層３４又は４４を構成
するＦｅＭｎは、純水やレジスト剥離剤等に対して非常
に弱く、この動作領域の付近で溶解や腐食され易いとい
う問題があった。溶解や腐食が起こると、この反強磁性
体層３４又は４４による磁気的相互作用が弱まってノイ
ズ抑制効果が大幅に低減する恐れがあり、さらに、反強
磁性体層３４又は４４自体がＭＲ層３３又は４３から剥
れてしまい、歩留が悪化する恐れがある。
構造によると、反強磁性体層３４又は４４が互いに分離
して非連続となるように、ＭＲ層３３又は４３のＭＲ素
子としての動作領域（トラック幅対応領域）の付近でこ
の反強磁性体層３４又は４４をパターニングする必要が
ある。しかしながら、反強磁性体層３４又は４４を構成
するＦｅＭｎは、純水やレジスト剥離剤等に対して非常
に弱く、この動作領域の付近で溶解や腐食され易いとい
う問題があった。溶解や腐食が起こると、この反強磁性
体層３４又は４４による磁気的相互作用が弱まってノイ
ズ抑制効果が大幅に低減する恐れがあり、さらに、反強
磁性体層３４又は４４自体がＭＲ層３３又は４３から剥
れてしまい、歩留が悪化する恐れがある。
【０００９】従って本発明は、ＭＲ層と反強磁性体層と
の間で良好な磁気的相互作用を有しておりかつパターニ
ングに伴う反強磁性体層の溶解、腐食の発生を防止でき
るＭＲヘッドを提供するものである。
の間で良好な磁気的相互作用を有しておりかつパターニ
ングに伴う反強磁性体層の溶解、腐食の発生を防止でき
るＭＲヘッドを提供するものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、一体的
に連続した反強磁性体層と、パターニングされた非磁性
層を介して反強磁性体層と積層されているＭＲ層と、反
強磁性体層のＭＲ層とは反対側の面に積層されている横
バイアス磁界付加層とを備えたＭＲヘッドが提供され
る。
に連続した反強磁性体層と、パターニングされた非磁性
層を介して反強磁性体層と積層されているＭＲ層と、反
強磁性体層のＭＲ層とは反対側の面に積層されている横
バイアス磁界付加層とを備えたＭＲヘッドが提供され
る。
【００１１】ＭＲ層が絶縁層上に積層されており横バイ
アス磁界付加層上に電極層が積層されているか、又は、
横バイアス磁界付加層が絶縁層上に積層されておりＭＲ
層上に電極層が積層されていることが好ましい。
アス磁界付加層上に電極層が積層されているか、又は、
横バイアス磁界付加層が絶縁層上に積層されておりＭＲ
層上に電極層が積層されていることが好ましい。
【００１２】
【作用】ＭＲ層のＭＲ素子としての動作領域付近におい
て、反強磁性体層はパターニングされておらず一体的に
連続した膜となっている。その代わり、非磁性層がその
動作領域以上の幅Ｕｗで残るようにパターニングされて
おり、ＭＲ層と反強磁性体層とが非磁性層を間に挟んで
積層されているので、反強磁性体層とＭＲ層との接触面
が非磁性層によって規定されることとなる。即ち、反強
磁性体層をパターニングしたのと同じ機能を得ることが
できる。
て、反強磁性体層はパターニングされておらず一体的に
連続した膜となっている。その代わり、非磁性層がその
動作領域以上の幅Ｕｗで残るようにパターニングされて
おり、ＭＲ層と反強磁性体層とが非磁性層を間に挟んで
積層されているので、反強磁性体層とＭＲ層との接触面
が非磁性層によって規定されることとなる。即ち、反強
磁性体層をパターニングしたのと同じ機能を得ることが
できる。
【００１３】
【実施例】以下実施例により本発明を詳細に説明する。
【００１４】図１は、本発明の一実施例におけるＭＲヘ
ッドの特にＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表し
た断面図である。
ッドの特にＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表し
た断面図である。
【００１５】同図に示すように、本実施例のＭＲヘッド
は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等による絶縁層１０上にＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）等による膜厚２００〜５００ のＭ
Ｒ層１３が積層されており、その上にＴｉ、Ｔａ等によ
る膜厚１００〜３００ の非磁性層１２が積層されてい
る。この非磁性層１２は、ＭＲ層１３のＭＲ素子として
の動作領域（トラック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設
定される幅Ｕｗとなるようにパターニングされている。
は、ＳｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等による絶縁層１０上にＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）等による膜厚２００〜５００ のＭ
Ｒ層１３が積層されており、その上にＴｉ、Ｔａ等によ
る膜厚１００〜３００ の非磁性層１２が積層されてい
る。この非磁性層１２は、ＭＲ層１３のＭＲ素子として
の動作領域（トラック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設
定される幅Ｕｗとなるようにパターニングされている。
【００１６】その上に、ＦｅＭｎによる膜厚５０〜３０
０ の反強磁性体層１４と、ＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒＭ
ｏ等による膜厚１５０〜６００ の軟磁性体層（ＳＡ
Ｌ）１１とが下側からこの順序で積層されている。反強
磁性体層１４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパ
ターニングされず、従って一体的に連続する膜として形
成されている。軟磁性体層１１上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層１５が積層及びパターニングされている。こ
の電極層１５の間の領域が、トラック幅Ｔｗに対応する
領域であることは周知の通りである。
０ の反強磁性体層１４と、ＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒＭ
ｏ等による膜厚１５０〜６００ の軟磁性体層（ＳＡ
Ｌ）１１とが下側からこの順序で積層されている。反強
磁性体層１４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパ
ターニングされず、従って一体的に連続する膜として形
成されている。軟磁性体層１１上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層１５が積層及びパターニングされている。こ
の電極層１５の間の領域が、トラック幅Ｔｗに対応する
領域であることは周知の通りである。
【００１７】軟磁性体層１１は、ＭＲ素子に横バイアス
磁界を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を
図るための層である。この横バイアス磁界付加層として
は、軟磁性体層の代わりに永久磁石層等を用いてもよ
い。
磁界を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を
図るための層である。この横バイアス磁界付加層として
は、軟磁性体層の代わりに永久磁石層等を用いてもよ
い。
【００１８】このような構成によれば、反強磁性体膜１
４とＭＲ膜１３との磁気的相互作用によって縦バイアス
磁界が発生するのでＭＲ素子の単磁区化を行うことがで
きる。その結果、バルクハウゼンノイズの発生抑止を行
えることは、前述した従来技術の場合と同様である。
４とＭＲ膜１３との磁気的相互作用によって縦バイアス
磁界が発生するのでＭＲ素子の単磁区化を行うことがで
きる。その結果、バルクハウゼンノイズの発生抑止を行
えることは、前述した従来技術の場合と同様である。
【００１９】さらに本実施例では、ＭＲ層１３のＭＲ素
子としての動作領域付近において、反強磁性体層１４は
パターニングされずに分離のない連続した膜となってお
り、その代わりに、非磁性層１２がその動作領域以上の
幅Ｕｗで残るようにパターニングされ、ＭＲ層１３と反
強磁性体層１４とが非磁性層１２を間に挟んで積層され
ている。従って、反強磁性体層１４とＭＲ層１３との接
触面が非磁性層１２によって規定されることとなって、
反強磁性体層をパターニングしたのと同様の機能が得ら
れる。反強磁性体層をこの部分でパターニングしないの
で、ＦｅＭｎがＭＲ素子としての動作領域付近で溶解、
腐食することを防止できる。
子としての動作領域付近において、反強磁性体層１４は
パターニングされずに分離のない連続した膜となってお
り、その代わりに、非磁性層１２がその動作領域以上の
幅Ｕｗで残るようにパターニングされ、ＭＲ層１３と反
強磁性体層１４とが非磁性層１２を間に挟んで積層され
ている。従って、反強磁性体層１４とＭＲ層１３との接
触面が非磁性層１２によって規定されることとなって、
反強磁性体層をパターニングしたのと同様の機能が得ら
れる。反強磁性体層をこの部分でパターニングしないの
で、ＦｅＭｎがＭＲ素子としての動作領域付近で溶解、
腐食することを防止できる。
【００２０】また、反強磁性体層１４が軟磁性体層１１
に接しているため、軟磁性体層１１に対しても磁気的相
互作用により縦バイアス磁界を発生させることができ
る。
に接しているため、軟磁性体層１１に対しても磁気的相
互作用により縦バイアス磁界を発生させることができ
る。
【００２１】図２は、本発明の他の実施例におけるＭＲ
ヘッドの特にＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表
した断面図である。
ヘッドの特にＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表
した断面図である。
【００２２】本実施例のＭＲヘッドは、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 等による絶縁層２０上にＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒ
Ｍｏ等による膜厚約３００ の軟磁性体層（ＳＡＬ）２
１とＦｅＭｎ等による膜厚約２００ の反強磁性体層２
４とが下側からこの順序で積層されている。反強磁性体
層２４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパターニ
ングされず、従って一体的に連続する膜として形成され
ている。軟磁性体層２１は、ＭＲ素子に横バイアス磁界
を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を図る
ための層であり、この横バイアス磁界付加層として永久
磁石層等を用いてもよいことは図１の実施例の場合と同
じである。
2 Ｏ3 等による絶縁層２０上にＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒ
Ｍｏ等による膜厚約３００ の軟磁性体層（ＳＡＬ）２
１とＦｅＭｎ等による膜厚約２００ の反強磁性体層２
４とが下側からこの順序で積層されている。反強磁性体
層２４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパターニ
ングされず、従って一体的に連続する膜として形成され
ている。軟磁性体層２１は、ＭＲ素子に横バイアス磁界
を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を図る
ための層であり、この横バイアス磁界付加層として永久
磁石層等を用いてもよいことは図１の実施例の場合と同
じである。
【００２３】反強磁性体層２４上には、Ｔｉ、Ｔａ等に
よる膜厚約２００ の非磁性層２２が積層されている。
この非磁性層２２は、ＭＲ素子としての動作領域（トラ
ック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設定される幅Ｕｗで
残るようにパターニングされている。その上に、ＮｉＦ
ｅ（パーマロイ）等による膜厚約３００ のＭＲ層２３
が積層されている。ＭＲ層２３上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層２５が積層及びパターニングされている。
よる膜厚約２００ の非磁性層２２が積層されている。
この非磁性層２２は、ＭＲ素子としての動作領域（トラ
ック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設定される幅Ｕｗで
残るようにパターニングされている。その上に、ＮｉＦ
ｅ（パーマロイ）等による膜厚約３００ のＭＲ層２３
が積層されている。ＭＲ層２３上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層２５が積層及びパターニングされている。
【００２４】本実施例の作用効果は図１の実施例の場合
と同じであるため説明を省略する。
と同じであるため説明を省略する。
【００２５】上述した実施例においては、非磁性層１２
及び２２の幅Ｕｗが電極層１５及び２５間の距離で規定
されるトラック幅Ｔｗにほぼ等しく設定されているが、
これは、Ｕｗ＞Ｔｗであってもよい。
及び２２の幅Ｕｗが電極層１５及び２５間の距離で規定
されるトラック幅Ｔｗにほぼ等しく設定されているが、
これは、Ｕｗ＞Ｔｗであってもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明のＭＲ
ヘッドは、一体的に連続した反強磁性体層と、パターニ
ングされた非磁性層を介して反強磁性体層と積層されて
いるＭＲ層と、反強磁性体層のＭＲ層とは反対側の面に
積層されている横バイアス磁界付加層とを備えている。
即ち、ＭＲ層のＭＲ素子としての動作領域付近におい
て、反強磁性体層はパターニングされておらず一体的に
連続した膜となっている。その代わり、非磁性層がその
動作領域以上の幅で残るようにパターニングされてお
り、ＭＲ層と反強磁性体層とが非磁性層を間に挟んで積
層されているので、反強磁性体層とＭＲ層との接触面が
非磁性層によって規定されることとなる。このように、
反強磁性体層をパターニングしたのと同じ機能をパター
ニングなしで得ているから、パターニングに伴う反強磁
性体層の溶解、腐食の発生を防止でき、かつＭＲ層と反
強磁性体層との間で良好な磁気的相互作用を得ることが
できるからバルクハウゼンノイズを効果的に抑制するこ
とができる。
ヘッドは、一体的に連続した反強磁性体層と、パターニ
ングされた非磁性層を介して反強磁性体層と積層されて
いるＭＲ層と、反強磁性体層のＭＲ層とは反対側の面に
積層されている横バイアス磁界付加層とを備えている。
即ち、ＭＲ層のＭＲ素子としての動作領域付近におい
て、反強磁性体層はパターニングされておらず一体的に
連続した膜となっている。その代わり、非磁性層がその
動作領域以上の幅で残るようにパターニングされてお
り、ＭＲ層と反強磁性体層とが非磁性層を間に挟んで積
層されているので、反強磁性体層とＭＲ層との接触面が
非磁性層によって規定されることとなる。このように、
反強磁性体層をパターニングしたのと同じ機能をパター
ニングなしで得ているから、パターニングに伴う反強磁
性体層の溶解、腐食の発生を防止でき、かつＭＲ層と反
強磁性体層との間で良好な磁気的相互作用を得ることが
できるからバルクハウゼンノイズを効果的に抑制するこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例におけるＭＲヘッドの特にＭ
Ｒ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表した断面図であ
る。
Ｒ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表した断面図であ
る。
【図２】本発明の他の実施例におけるＭＲヘッドの特に
ＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表した断面図で
ある。
ＭＲ素子部分をＡＢＳ面側から概略的に表した断面図で
ある。
【図３】公知技術によるＭＲヘッドの特にＭＲ素子部分
の構成をＡＢＳ面側から見た概略断面図である。
の構成をＡＢＳ面側から見た概略断面図である。
【図４】本出願人の先行技術によるＭＲヘッドの特にＭ
Ｒ素子部分の構成をＡＢＳ面側から見た概略断面図であ
る。
Ｒ素子部分の構成をＡＢＳ面側から見た概略断面図であ
る。
１０、２０ 絶縁層 １１、２１ 軟磁性体層 １２、２２ 非磁性層 １３、２３ ＭＲ層 １４、２４ 反強磁性体層 １５、２５ 電極層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年６月８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１５】同図に示すように、本実施例のＭＲヘッド
は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等による絶縁層１０上にＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）等による膜厚２００〜５００ÅのＭ
Ｒ層１３が積層されており、その上にＴｉ、Ｔａ等によ
る膜厚１００〜３００Åの非磁性層１２が積層されてい
る。この非磁性層１２は、ＭＲ層１３のＭＲ素子として
の動作領域（トラック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設
定される幅Ｕｗとなるようにパターニングされている。
は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等による絶縁層１０上にＮｉ
Ｆｅ（パーマロイ）等による膜厚２００〜５００ÅのＭ
Ｒ層１３が積層されており、その上にＴｉ、Ｔａ等によ
る膜厚１００〜３００Åの非磁性層１２が積層されてい
る。この非磁性層１２は、ＭＲ層１３のＭＲ素子として
の動作領域（トラック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設
定される幅Ｕｗとなるようにパターニングされている。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１６】その上に、ＦｅＭｎによる膜厚５０〜３０
０Åの反強磁性体層１４と、ＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒＭ
ｏ等による膜厚１５０〜６００Åの軟磁性体層（ＳＡ
Ｌ）１１とが下側からこの順序で積層されている。反強
磁性体層１４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパ
ターニングされず、従って一体的に連続する膜として形
成されている。軟磁性体層１１上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層１５が積層及びパターニングされている。こ
の電極層１５の間の領域が、トラック幅Ｔｗに対応する
領域であることは周知の通りである。
０Åの反強磁性体層１４と、ＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒＭ
ｏ等による膜厚１５０〜６００Åの軟磁性体層（ＳＡ
Ｌ）１１とが下側からこの順序で積層されている。反強
磁性体層１４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパ
ターニングされず、従って一体的に連続する膜として形
成されている。軟磁性体層１１上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層１５が積層及びパターニングされている。こ
の電極層１５の間の領域が、トラック幅Ｔｗに対応する
領域であることは周知の通りである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】本実施例のＭＲヘッドは、ＳｉＯ２、Ａｌ
２Ｏ３等による絶縁層２０上にＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒ
Ｍｏ等による膜厚約３００Åの軟磁性体層（ＳＡＬ）２
１とＦｅＭｎ等による膜厚約２００Åの反強磁性体層２
４とが下側からこの順序で積層されている。反強磁性体
層２４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパターニ
ングされず、従って一体的に連続する膜として形成され
ている。軟磁性体層２１は、ＭＲ素子に横バイアス磁界
を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を図る
ための層であり、この横バイアス磁界付加層として永久
磁石層等を用いてもよいことは図１の実施例の場合と同
じである。
２Ｏ３等による絶縁層２０上にＮｉＦｅＲｈ、ＣｏＺｒ
Ｍｏ等による膜厚約３００Åの軟磁性体層（ＳＡＬ）２
１とＦｅＭｎ等による膜厚約２００Åの反強磁性体層２
４とが下側からこの順序で積層されている。反強磁性体
層２４は、ＭＲ素子としての動作領域付近ではパターニ
ングされず、従って一体的に連続する膜として形成され
ている。軟磁性体層２１は、ＭＲ素子に横バイアス磁界
を付加してその出力波形の線形化及び出力増大化を図る
ための層であり、この横バイアス磁界付加層として永久
磁石層等を用いてもよいことは図１の実施例の場合と同
じである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２３】反強磁性体層２４上には、Ｔｉ、Ｔａ等に
よる膜厚約２００Åの非磁性層２２が積層されている。
この非磁性層２２は、ＭＲ素子としての動作領域（トラ
ック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設定される幅Ｕｗで
残るようにパターニングされている。その上に、ＮｉＦ
ｅ（パーマロイ）等による膜厚約３００ÅのＭＲ層２３
が積層されている。ＭＲ層２３上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層２５が積層及びパターニングされている。
よる膜厚約２００Åの非磁性層２２が積層されている。
この非磁性層２２は、ＭＲ素子としての動作領域（トラ
ック幅Ｔｗに対応する領域）以上に設定される幅Ｕｗで
残るようにパターニングされている。その上に、ＮｉＦ
ｅ（パーマロイ）等による膜厚約３００ÅのＭＲ層２３
が積層されている。ＭＲ層２３上には、Ｃｕ、Ａｕ、Ｗ
等の電極層２５が積層及びパターニングされている。
Claims (3)
- 【請求項１】 一体的に連続した反強磁性体層と、パタ
ーニングされた非磁性層を間に挟んで前記反強磁性体層
と積層されている磁気抵抗効果層と、前記反強磁性体層
の前記磁気抵抗効果層とは反対側の面に積層されている
横バイアス磁界付加層とを備えたことを特徴とする磁気
抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 前記磁気抵抗効果層が絶縁層上に積層さ
れており、前記横バイアス磁界付加層上に電極層が積層
されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
効果ヘッド。 - 【請求項３】 前記横バイアス磁界付加層が絶縁層上に
積層されており、前記磁気抵抗効果層上に電極層が積層
されていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗
効果ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5152598A JPH06349030A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5152598A JPH06349030A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06349030A true JPH06349030A (ja) | 1994-12-22 |
Family
ID=15543927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5152598A Withdrawn JPH06349030A (ja) | 1993-06-01 | 1993-06-01 | 磁気抵抗効果ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06349030A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850323A (en) * | 1995-06-29 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording drive |
| US6046892A (en) * | 1997-10-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with improved underlayer |
-
1993
- 1993-06-01 JP JP5152598A patent/JPH06349030A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5850323A (en) * | 1995-06-29 | 1998-12-15 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head and magnetic recording drive |
| US6046892A (en) * | 1997-10-01 | 2000-04-04 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head with improved underlayer |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3090254B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド | |
| JPH06349030A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH10149513A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッド | |
| JP2000306218A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JP3475868B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP2806305B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0877517A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造法 | |
| JPH11175928A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置 | |
| JPH10269533A (ja) | 垂直磁気記録用複合型ヘッド | |
| JP2800555B2 (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3407995B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH09305922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2004006494A (ja) | 巨大磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JPH1049829A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JPH0729125A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP2002367118A (ja) | 磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH1011719A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2003263708A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JP2853675B2 (ja) | 磁気抵抗効果型読み取り変換器及びその製造方法 | |
| JPH07201019A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH11134619A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH07296335A (ja) | 磁気抵抗型薄膜磁気ヘッド | |
| JPH08203034A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH03189914A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘツド | |
| JPH06139526A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20000801 |