JPH06314814A - 光起電力装置および色センサ - Google Patents
光起電力装置および色センサInfo
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- JPH06314814A JPH06314814A JP5103876A JP10387693A JPH06314814A JP H06314814 A JPH06314814 A JP H06314814A JP 5103876 A JP5103876 A JP 5103876A JP 10387693 A JP10387693 A JP 10387693A JP H06314814 A JPH06314814 A JP H06314814A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 受光領域に入射した光に含まれる短い波長の
成分はその直下の光起電力半導体層１３で電気信号に変
換される。長い波長の成分は半導体層１３で散乱あるい
は反射を繰り返し面方向すなわち横方向に伝播され遮光
領域の半導体層１３において吸収される。したがって、
短い波長の光に応じた電気信号が裏面電極１５ａから取
り出され、長い波長の光に応じた電気信号が裏面電極１
５ｂから取り出される。 【効果】 カラーフィルタを用いることなく波長を選択
的に検出できる。
成分はその直下の光起電力半導体層１３で電気信号に変
換される。長い波長の成分は半導体層１３で散乱あるい
は反射を繰り返し面方向すなわち横方向に伝播され遮光
領域の半導体層１３において吸収される。したがって、
短い波長の光に応じた電気信号が裏面電極１５ａから取
り出され、長い波長の光に応じた電気信号が裏面電極１
５ｂから取り出される。 【効果】 カラーフィルタを用いることなく波長を選択
的に検出できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は光起電力装置およびそ
れを応用する色センサに関する。
れを応用する色センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の色センサでは、その波長選択のた
めにカラーフィルタを用いている。
めにカラーフィルタを用いている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】カラーフィルタを用い
て波長を選択する従来の色センサでは、コストが増加す
るだけでなく、そのフィルタのために素子が大型になっ
てしまうという問題があった。それゆえに、この発明の
主たる目的は、新規な光起電力装置を提供することであ
る。
て波長を選択する従来の色センサでは、コストが増加す
るだけでなく、そのフィルタのために素子が大型になっ
てしまうという問題があった。それゆえに、この発明の
主たる目的は、新規な光起電力装置を提供することであ
る。
【０００４】この発明の他の目的は、安価でかつ小型に
し得る、色センサを提供することである。
し得る、色センサを提供することである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、基板、基
板上に形成されかつ光閉じ込め効果を有する光起電力半
導体層、および光起電力半導体層上に形成される少なく
とも２つの互いに電気的に独立した電極を備え、少なく
とも２つの電極の少なくとも１つに相当する光起電力半
導体層の部分への光の入射が阻止される、光起電力装置
である。
板上に形成されかつ光閉じ込め効果を有する光起電力半
導体層、および光起電力半導体層上に形成される少なく
とも２つの互いに電気的に独立した電極を備え、少なく
とも２つの電極の少なくとも１つに相当する光起電力半
導体層の部分への光の入射が阻止される、光起電力装置
である。
【０００６】第２の発明は、このような光起電力装置を
用いる色センサである。
用いる色センサである。
【０００７】
【作用】光は、その波長と同程度の大きさの凹凸のある
界面に入射しあるいはそこで反射した場合、散乱を受
け、屈折率から計算されるよりも大きな角度で入射ある
いは反射され、結果的に横方向へ広がる。遮光されてい
ない領域すなわち受光領域から入射した光のうち、たと
えば４００〜６００ｎｍのような比較的短い波長の成分
は光起電力半導体層の吸収係数が大きいために比較的速
く吸収されて電気エネルギに変換される。これに対し
て、７００ｎｍ以上の長い波長の成分は光起電力半導体
層の吸収係数が小さいために、その光起電力半導体層表
面あるいは裏面で反射されるうちにその一部が受光領域
から遮光された領域へ進み、そこで吸収されて電気エネ
ルギに変換される。受光領域で変換された電気エネルギ
はその部分に対応する電極によって、また遮光領域で変
換された電気エネルギはその部分に対応する電極によっ
て、それぞれ個別に取り出される。すなわち、少なくと
も２つの電極は互いに電気的に独立しているので、各波
長に対する電気信号として独立に取り出すことができ
る。
界面に入射しあるいはそこで反射した場合、散乱を受
け、屈折率から計算されるよりも大きな角度で入射ある
いは反射され、結果的に横方向へ広がる。遮光されてい
ない領域すなわち受光領域から入射した光のうち、たと
えば４００〜６００ｎｍのような比較的短い波長の成分
は光起電力半導体層の吸収係数が大きいために比較的速
く吸収されて電気エネルギに変換される。これに対し
て、７００ｎｍ以上の長い波長の成分は光起電力半導体
層の吸収係数が小さいために、その光起電力半導体層表
面あるいは裏面で反射されるうちにその一部が受光領域
から遮光された領域へ進み、そこで吸収されて電気エネ
ルギに変換される。受光領域で変換された電気エネルギ
はその部分に対応する電極によって、また遮光領域で変
換された電気エネルギはその部分に対応する電極によっ
て、それぞれ個別に取り出される。すなわち、少なくと
も２つの電極は互いに電気的に独立しているので、各波
長に対する電気信号として独立に取り出すことができ
る。
【０００８】
【発明の効果】この発明によれば、新規な光起電力装置
が得られる。また、この光起電力装置を応用した光セン
サにおいては、カラーフィルタを用いる必要がないの
で、低コストでかつ小型化できる。この発明の上述の目
的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して
行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
が得られる。また、この光起電力装置を応用した光セン
サにおいては、カラーフィルタを用いる必要がないの
で、低コストでかつ小型化できる。この発明の上述の目
的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して
行う以下の実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
【０００９】
【実施例】図１および図２に示す実施例の光起電力装置
１０は、ガラス基板１１を含み、このガラス基板１１上
にたとえば酸化錫のような透明電極１２を形成する。こ
のとき、透明電極１２の表面は、後述の光閉じ込め効果
が得られるように、たとえば化学的もしくはプラズマエ
ッチングによってやや粗面に形成される。そして、この
透明電極１２上に、ｐｉｎ接合を有するアモルファスシ
リコンあるいはその化合物からなる光起電力半導体層１
３を形成する。この光起電力半導体層１３はたとえば公
知のプラズマＣＶＤ法で形成される。
１０は、ガラス基板１１を含み、このガラス基板１１上
にたとえば酸化錫のような透明電極１２を形成する。こ
のとき、透明電極１２の表面は、後述の光閉じ込め効果
が得られるように、たとえば化学的もしくはプラズマエ
ッチングによってやや粗面に形成される。そして、この
透明電極１２上に、ｐｉｎ接合を有するアモルファスシ
リコンあるいはその化合物からなる光起電力半導体層１
３を形成する。この光起電力半導体層１３はたとえば公
知のプラズマＣＶＤ法で形成される。
【００１０】一方、ガラス基板１１の受光面側には、受
光領域と遮光領域とを形成するようにたとえば金属や合
成樹脂からなる遮光膜１５が形成される。そして、光起
電力半導体層１５上には、受光領域および遮光領域にそ
れぞれ対応する部分に、互いに電気的に独立した電極１
４ａおよび１４ｂを形成する。この電極１４ａおよび１
４ｂは、半導体層１３上に一様にたとえば銀の真空蒸着
によって電極膜を形成し、受光領域に対応する部分と遮
光領域に対応する部分とが電気的に絶縁されるように、
たとえばレーザビームによってパターニングを施すこと
によって形成することができる。
光領域と遮光領域とを形成するようにたとえば金属や合
成樹脂からなる遮光膜１５が形成される。そして、光起
電力半導体層１５上には、受光領域および遮光領域にそ
れぞれ対応する部分に、互いに電気的に独立した電極１
４ａおよび１４ｂを形成する。この電極１４ａおよび１
４ｂは、半導体層１３上に一様にたとえば銀の真空蒸着
によって電極膜を形成し、受光領域に対応する部分と遮
光領域に対応する部分とが電気的に絶縁されるように、
たとえばレーザビームによってパターニングを施すこと
によって形成することができる。
【００１１】この図１に示す光起電力装置１０において
は、光が受光領域に入射すると、それがガラス基板１１
を透過し、透明電極１２に入射する。このとき、透明電
極１２は上述のように１μｍ以下の大きさの凹凸表面を
有するため、たとえば数１００ｎｍの波長を持つ光は、
この透明電極１２の凹凸表面によって散乱され、四方に
広がるように光起電力半導体層１３に進む。
は、光が受光領域に入射すると、それがガラス基板１１
を透過し、透明電極１２に入射する。このとき、透明電
極１２は上述のように１μｍ以下の大きさの凹凸表面を
有するため、たとえば数１００ｎｍの波長を持つ光は、
この透明電極１２の凹凸表面によって散乱され、四方に
広がるように光起電力半導体層１３に進む。
【００１２】光起電力半導体層１３の膜厚はたとえば１
５００Åであり、電極１４ａおよび１４ｂとして銀を用
いて高反射率を実現している。したがって、半導体層１
３の裏面にまで到達した光はほとんど損失されることな
く反射されこの半導体層１３の表面側すなわち光入射側
に向かう。このようにして裏面で反射されさらに表面ま
で達した光は半導体層１３と透明電極１２との界面で散
乱しあるいは反射され、再び半導体層１３中に進む。し
たがって、光はこの半導体層１３中に閉じ込められ、電
気エネルギに変換されるまで、散乱あるいは反射を繰り
返す。
５００Åであり、電極１４ａおよび１４ｂとして銀を用
いて高反射率を実現している。したがって、半導体層１
３の裏面にまで到達した光はほとんど損失されることな
く反射されこの半導体層１３の表面側すなわち光入射側
に向かう。このようにして裏面で反射されさらに表面ま
で達した光は半導体層１３と透明電極１２との界面で散
乱しあるいは反射され、再び半導体層１３中に進む。し
たがって、光はこの半導体層１３中に閉じ込められ、電
気エネルギに変換されるまで、散乱あるいは反射を繰り
返す。
【００１３】入射面から入射した光のうち、たとえば４
００ｎｍ〜６００ｎｍのような比較的短い波長の成分は
半導体層１３の裏面で反射される前かあるいは１、２回
反射された時点で半導体層１３で吸収されて電気エネル
ギに変換される。一方、７００ｎｍ以上の長い波長の成
分は半導体層１３で十分に吸収されるまでにはより多く
の回数反射され、結果的に光は面方向（横方向）に１μ
ｍ以上伝播される。したがって、電極１４ａおよび１４
ｂの間隔を１μｍ程度とすると、短い波長成分によって
得られる電気エネルギは電極１４ａすなわち出力端Ｏ１
から取り出され、長い波長成分によって得られる電気エ
ネルギは電極１４ｂすなわち出力端Ｏ２から取り出せる
ことになる。したがって、このような光起電力装置１０
に２種類以上の波長の光を含む合成光が入射すると、電
極１４ａおよび１４ｂから取り出される信号によって、
結果的にその波長を識別することができる。
００ｎｍ〜６００ｎｍのような比較的短い波長の成分は
半導体層１３の裏面で反射される前かあるいは１、２回
反射された時点で半導体層１３で吸収されて電気エネル
ギに変換される。一方、７００ｎｍ以上の長い波長の成
分は半導体層１３で十分に吸収されるまでにはより多く
の回数反射され、結果的に光は面方向（横方向）に１μ
ｍ以上伝播される。したがって、電極１４ａおよび１４
ｂの間隔を１μｍ程度とすると、短い波長成分によって
得られる電気エネルギは電極１４ａすなわち出力端Ｏ１
から取り出され、長い波長成分によって得られる電気エ
ネルギは電極１４ｂすなわち出力端Ｏ２から取り出せる
ことになる。したがって、このような光起電力装置１０
に２種類以上の波長の光を含む合成光が入射すると、電
極１４ａおよび１４ｂから取り出される信号によって、
結果的にその波長を識別することができる。
【００１４】図３に示す実施例の光起電力装置２０は、
図１の順タイプ構造の光起電力装置１０とは異なり、逆
タイプ構造のものである。この光起電力装置２０はたと
えばステンレスのような基板２１を含み、その基板２１
上にたとえば銀の真空蒸着によって反射電極２２を形成
する。この反射電極２２もまた、図１実施例の透明電極
１１と同様に１μｍ以下の大きさの凹凸表面を有する。
そして、反射電極２２上にたとえばｐｉｎ接合を有する
アモルファスシリコンあるいはその化合物からなる光起
電力半導体層２３を形成する。この半導体層２３上にた
とえば酸化インジウム錫からなる透明電極２４を形成す
る。透明電極２４の上には受光領域および遮光領域にそ
れぞれ独立して集電極２５ａおよび２５ｂを形成する。
なお、この集電極２５ｂによって遮光領域が形成される
が、さらに必要に応じて遮光部材２６をその集電極２５
ｂ上に形成するようにしてもよい。
図１の順タイプ構造の光起電力装置１０とは異なり、逆
タイプ構造のものである。この光起電力装置２０はたと
えばステンレスのような基板２１を含み、その基板２１
上にたとえば銀の真空蒸着によって反射電極２２を形成
する。この反射電極２２もまた、図１実施例の透明電極
１１と同様に１μｍ以下の大きさの凹凸表面を有する。
そして、反射電極２２上にたとえばｐｉｎ接合を有する
アモルファスシリコンあるいはその化合物からなる光起
電力半導体層２３を形成する。この半導体層２３上にた
とえば酸化インジウム錫からなる透明電極２４を形成す
る。透明電極２４の上には受光領域および遮光領域にそ
れぞれ独立して集電極２５ａおよび２５ｂを形成する。
なお、この集電極２５ｂによって遮光領域が形成される
が、さらに必要に応じて遮光部材２６をその集電極２５
ｂ上に形成するようにしてもよい。
【００１５】この実施例の光起電力装置２０において
は、光は基板２１とは反対側から入射するが、図１実施
例と同様にして、光は光起電力半導体層２３内に閉じ込
められ、その波長に応じて、異なる集電極２５ａおよび
２５ｂすなわち出力端Ｏ１およびＯ２から電気信号とし
て取り出される。なお、図３実施例において、半導体層
２３の裏面における反射率を大きくするために、酸化錫
の上に酸化亜鉛／銀／酸化亜鉛を積層した電極を用いて
もよい。
は、光は基板２１とは反対側から入射するが、図１実施
例と同様にして、光は光起電力半導体層２３内に閉じ込
められ、その波長に応じて、異なる集電極２５ａおよび
２５ｂすなわち出力端Ｏ１およびＯ２から電気信号とし
て取り出される。なお、図３実施例において、半導体層
２３の裏面における反射率を大きくするために、酸化錫
の上に酸化亜鉛／銀／酸化亜鉛を積層した電極を用いて
もよい。
【００１６】図４に示す実施例の光起電力装置３０は、
図３実施例と同様にいわゆる逆タイプのものであるが、
この実施例においては基板３１として石英を用い、その
上に金属電極３２を形成した。金属電極は、たとえばチ
タンの真空蒸着によって形成した。なお、この電極とし
てはチタン／銀／チタンの３層構造としてより大きい導
電性のものが用いられてもよい。
図３実施例と同様にいわゆる逆タイプのものであるが、
この実施例においては基板３１として石英を用い、その
上に金属電極３２を形成した。金属電極は、たとえばチ
タンの真空蒸着によって形成した。なお、この電極とし
てはチタン／銀／チタンの３層構造としてより大きい導
電性のものが用いられてもよい。
【００１７】その後、この金属電極をたとえばレーザビ
ームでパターニングすることによって、受光領域に対応
する部分には電極３２ａが存在し、遮光領域に対応する
部分には電極３２ｂが存在し、かつ互いに電気的に絶縁
される。その後、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いてア
モルファスシリコン膜を形成し、その後真空中において
５００〜７００℃で熱アニールを施すことによって、１
μｍ程度の粒径を持つ多結晶シリコンからなる光起電力
半導体層３３を形成する。このとき、本件出願人の出願
に係る特開昭６２−１９３２８７号〔Ｈ０１Ｌ３１／０
４〕に示すような条件で多結晶シリコンからなる光起電
力半導体層３３を形成することによって、その表面に１
μｍ以下の大きさの凹凸表面が形成される。このときの
半導体層３３の膜厚は約２０００Åである。
ームでパターニングすることによって、受光領域に対応
する部分には電極３２ａが存在し、遮光領域に対応する
部分には電極３２ｂが存在し、かつ互いに電気的に絶縁
される。その後、たとえばプラズマＣＶＤ法を用いてア
モルファスシリコン膜を形成し、その後真空中において
５００〜７００℃で熱アニールを施すことによって、１
μｍ程度の粒径を持つ多結晶シリコンからなる光起電力
半導体層３３を形成する。このとき、本件出願人の出願
に係る特開昭６２−１９３２８７号〔Ｈ０１Ｌ３１／０
４〕に示すような条件で多結晶シリコンからなる光起電
力半導体層３３を形成することによって、その表面に１
μｍ以下の大きさの凹凸表面が形成される。このときの
半導体層３３の膜厚は約２０００Åである。
【００１８】その後、たとえば酸化錫からなる透明電極
３４を形成し、その上に集電極３５を形成する。集電極
３５で覆われない部分が受光領域となり、集電極３５で
覆われた部分が遮光領域となる。さらに、集電極３５に
よる遮光をより確実にするために、遮光部材３６が用い
られてもよい。この実施例の光起電力装置３０において
は、光起電力半導体層３３に多結晶シリコンを用いてい
るため、光の吸収係数や導電率の関係から、受光領域と
その周辺の遮光領域との電気絶縁部分の間隔をアモルフ
ァスシリコンを用いる場合より大きくできるので、設計
上有利である。ただし、この実施例においてはアモルフ
ァスシリコンから多結晶シリコンへの結晶成長は熱アニ
ールによって実現したが、これはエキシマレーザなどを
用いた周知のレーザ再結晶化技術を用いてもよいことは
いうまでもない。
３４を形成し、その上に集電極３５を形成する。集電極
３５で覆われない部分が受光領域となり、集電極３５で
覆われた部分が遮光領域となる。さらに、集電極３５に
よる遮光をより確実にするために、遮光部材３６が用い
られてもよい。この実施例の光起電力装置３０において
は、光起電力半導体層３３に多結晶シリコンを用いてい
るため、光の吸収係数や導電率の関係から、受光領域と
その周辺の遮光領域との電気絶縁部分の間隔をアモルフ
ァスシリコンを用いる場合より大きくできるので、設計
上有利である。ただし、この実施例においてはアモルフ
ァスシリコンから多結晶シリコンへの結晶成長は熱アニ
ールによって実現したが、これはエキシマレーザなどを
用いた周知のレーザ再結晶化技術を用いてもよいことは
いうまでもない。
【００１９】さらに、金属電極３２ａおよび３２ｂとし
てはチタンのほかにタングステンなどの高融点金属材料
を蒸着したものでもよい。図４に示す光起電力装置３０
においては、受光領域から入射された光は透明電極３４
を通して多結晶シリコンからなる光起電力半導体層３４
に入射され、波長の短い成分は散乱を生じる前にこの半
導体層３３の受光領域の部分で吸収されるが、波長の長
い成分は散乱ないし反射を繰り返しその受光領域の周辺
の遮光領域に到達しそこで半導体層３３に吸収される。
したがって、金属電極３２ａと透明電極３４との間すな
わち出力端Ｏ１で短波長成分に応じた電気信号が取り出
され、金属電極３２ｂと透明電極３４との間すなわち出
力端Ｏ２で長波長成分の電気信号が得られる。
てはチタンのほかにタングステンなどの高融点金属材料
を蒸着したものでもよい。図４に示す光起電力装置３０
においては、受光領域から入射された光は透明電極３４
を通して多結晶シリコンからなる光起電力半導体層３４
に入射され、波長の短い成分は散乱を生じる前にこの半
導体層３３の受光領域の部分で吸収されるが、波長の長
い成分は散乱ないし反射を繰り返しその受光領域の周辺
の遮光領域に到達しそこで半導体層３３に吸収される。
したがって、金属電極３２ａと透明電極３４との間すな
わち出力端Ｏ１で短波長成分に応じた電気信号が取り出
され、金属電極３２ｂと透明電極３４との間すなわち出
力端Ｏ２で長波長成分の電気信号が得られる。
【００２０】図５に示す光起電力装置４０は、図１実施
例と同様に順タイプ構造のものである。この実施例は、
以下の点において図１実施例と異なる。すなわち、図１
実施例の光起電力半導体層１３に代えて微結晶シリコン
からなる光起電力半導体層４３を用い、さらにその上に
ｉｐ接合を有するアモルファスシリコンあるいは微結晶
シリコンからなる半導体層４４を、たとえばプラズマＣ
ＶＤ法を用いて形成する。そして、裏面電極４５ａおよ
び４５ｂをたとえば銀の真空蒸着によって形成する。な
お、この実施例においては、参照番号４６が遮光部材を
示す。
例と同様に順タイプ構造のものである。この実施例は、
以下の点において図１実施例と異なる。すなわち、図１
実施例の光起電力半導体層１３に代えて微結晶シリコン
からなる光起電力半導体層４３を用い、さらにその上に
ｉｐ接合を有するアモルファスシリコンあるいは微結晶
シリコンからなる半導体層４４を、たとえばプラズマＣ
ＶＤ法を用いて形成する。そして、裏面電極４５ａおよ
び４５ｂをたとえば銀の真空蒸着によって形成する。な
お、この実施例においては、参照番号４６が遮光部材を
示す。
【００２１】この実施例においては、ｐｉｎｉｐからな
るトランジスタ構造が形成され、したがって光起電力半
導体層４３と透明電極４２との間あるいは光起電力半導
体層４３と裏面電極４５ｂとの間に適当なバイアス電圧
Ｂ１あるいはＢ２を印加すると、より微少な光が入射し
た場合においてもそれを検出することができ、より高感
度の光センサが実現できる。
るトランジスタ構造が形成され、したがって光起電力半
導体層４３と透明電極４２との間あるいは光起電力半導
体層４３と裏面電極４５ｂとの間に適当なバイアス電圧
Ｂ１あるいはＢ２を印加すると、より微少な光が入射し
た場合においてもそれを検出することができ、より高感
度の光センサが実現できる。
【００２２】ただし、同じようなトランジスタ構造を図
４実施例の光起電力装置３０中に形成してもよい。図６
に示す光起電力装置５０は、図５実施例の変形である。
すなわち、図５実施例における受光領域においてはｐｉ
ｎ構造とし、遮光領域においては上述のトランジスタ構
造を採用する。
４実施例の光起電力装置３０中に形成してもよい。図６
に示す光起電力装置５０は、図５実施例の変形である。
すなわち、図５実施例における受光領域においてはｐｉ
ｎ構造とし、遮光領域においては上述のトランジスタ構
造を採用する。
【００２３】この実施例によれば、受光領域においては
光電変換によって駆動電力を得て、遮光領域においては
制御信号を取り出すことができる。このように、駆動電
力の供給と制御信号の伝達とを同じ光によって同時に達
成することができる。したがって、この図５実施例によ
れば、小型の機械装置における動力供給とそれの操作と
を１つのデバイスで制御することができる。
光電変換によって駆動電力を得て、遮光領域においては
制御信号を取り出すことができる。このように、駆動電
力の供給と制御信号の伝達とを同じ光によって同時に達
成することができる。したがって、この図５実施例によ
れば、小型の機械装置における動力供給とそれの操作と
を１つのデバイスで制御することができる。
【００２４】なお、上述のいずれの実施例においても、
光起電力半導体層においては基板側からｐｉｎ構造とし
ているが、この逆の導電形式の積層構造のものであって
も同様のプロセスで形成できかつ同様の効果が得られる
のはいうまでもない。また、多結晶半導体層を用いる場
合にはｐｎ構造であってもよい。
光起電力半導体層においては基板側からｐｉｎ構造とし
ているが、この逆の導電形式の積層構造のものであって
も同様のプロセスで形成できかつ同様の効果が得られる
のはいうまでもない。また、多結晶半導体層を用いる場
合にはｐｎ構造であってもよい。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図解図である。
【図２】図１実施例を平面的に表す図解図である。
【図３】この発明の他の実施例を示す断面図解図であ
る。
る。
【図４】この発明のさらに他の実施例を示す断面図解図
である。
である。
【図５】この発明のなおも他の実施例を示す断面図解図
である。
である。
【図６】この発明のその他の実施例を示す断面図解図で
ある。
ある。
１０，２０，３０，４０，５０ …光起電力装置 １１，２１，３１，４１，５１ …基板 １２，２４，３４，４２，５２ …透明電極 １３，２３，３３，４３，５３ …光起電力半導体層 ４４，５４ …半導体層 １４ａ，１４ｂ，３２ａ，３２ｂ，４５ａ，４５ｂ，５
５ａ，５５ｂ …裏面電極 １５，２６，３６，４６，５６ …遮光部材 ２５ａ，２５ｂ，３５ …集電極
５ａ，５５ｂ …裏面電極 １５，２６，３６，４６，５６ …遮光部材 ２５ａ，２５ｂ，３５ …集電極
Claims (3)
- 【請求項１】基板、 前記基板上に形成されかつ光閉じ込め効果を有する光起
電力半導体層、および前記光起電力半導体層上に形成さ
れる少なくとも２つの互いに電気的に独立した電極を備
え、 前記少なくとも２つの電極の少なくとも１つに相当する
前記光起電力半導体層の部分への光の入射が阻止され
る、光起電力装置。 - 【請求項２】基板、 前記基板上に形成されかつ光閉じ込め効果を有する光起
電力半導体層、および前記光起電力半導体層上に形成さ
れる少なくとも２つの互いに電気的に独立した電極を備
え、および前記少なくとも２つの電極の少なくとも１つ
に相当する前記光起電力半導体層の部分への光の入射が
阻止される、色センサ。 - 【請求項３】少なくとも、前記光起電力半導体層の遮光
領域がトランジスタ構造である、請求項１または２記載
の光起電力装置または色センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103876A JPH06314814A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 光起電力装置および色センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5103876A JPH06314814A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 光起電力装置および色センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314814A true JPH06314814A (ja) | 1994-11-08 |
Family
ID=14365644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5103876A Withdrawn JPH06314814A (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | 光起電力装置および色センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06314814A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019186482A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型半導体光検出素子 |
| JP2019186481A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP5103876A patent/JPH06314814A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019186482A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型半導体光検出素子 |
| JP2019186481A (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体光検出素子 |
| WO2019203128A1 (ja) * | 2018-04-16 | 2019-10-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 裏面入射型半導体光検出素子 |
| CN111989788A (zh) * | 2018-04-16 | 2020-11-24 | 浜松光子学株式会社 | 背面入射型半导体光检测元件 |
| US11239266B2 (en) | 2018-04-16 | 2022-02-01 | Hamamatsu Photonics K.K. | Back-illuminated semiconductor photodetection element |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
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