JPH06310333A - 積層型インダクタ - Google Patents
積層型インダクタInfo
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- JPH06310333A JPH06310333A JP5120361A JP12036193A JPH06310333A JP H06310333 A JPH06310333 A JP H06310333A JP 5120361 A JP5120361 A JP 5120361A JP 12036193 A JP12036193 A JP 12036193A JP H06310333 A JPH06310333 A JP H06310333A
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- coil
- conductor
- low
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 小ループ磁界を防止した構造のインダクタま
たはトランスにおいて、焼成歪みを抑制することを目的
とする。 【構成】磁性体と、らせんコイル上の導体パターンと、
隣接したコイルターンの間に充填された低透磁率材とよ
りなるインダクタにおいて、前記磁性体はＮｉ−Ｚｎ系
及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトより選択した一
種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェライト及びＣｕ
−Ｚｎ系フェライトより選択した一種である焼結型イン
ダクタ。
たはトランスにおいて、焼成歪みを抑制することを目的
とする。 【構成】磁性体と、らせんコイル上の導体パターンと、
隣接したコイルターンの間に充填された低透磁率材とよ
りなるインダクタにおいて、前記磁性体はＮｉ−Ｚｎ系
及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトより選択した一
種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェライト及びＣｕ
−Ｚｎ系フェライトより選択した一種である焼結型イン
ダクタ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は積層インダクタ及び積層
トランスに関する。
トランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来からフェライト等の複数の磁性体層
と１組以上の複数の導体パターンとを、各組ごとに導体
パターンの端部が接合されて全体的に１つ以上のコイル
導体を形成するようにして交互積層することにより積層
インダクタまたはトランスを形成することが広く行われ
ている。図１及び２を参照して従来の技術をコモンモー
ドチョーク型積層トランスに関連して説明する。なお、
コモンモードチョークとは２組のコイル導体がトランス
を形成して通常のトランスの作用をすると同時に、ノイ
ズ電流等の同一の電流がこれら２組のコイルに流れた時
に完全にそれらから生じる磁界を打ち消すようになって
いる構造のノイズ抑制型のトランスを言う。図１の従来
例では、電気絶縁性の磁性体層１、２、３、４、５が第
１コイル導体６と第２コイル導体７を形成する導体パタ
ーンと交互積層され一体化されている。コイル導体６、
７は間に磁性体層１〜５の中に埋め込まれており、また
導体パターン間に磁性体層２〜４が介在しているから、
各コイルに電流が流れる時に２種のコイルの全体を周回
する磁界の他に、矢印で示したように各コイル導体を周
回する小ループ磁界を生じる。この小ループ磁界はコイ
ル間の結合に役立たないので結合係数が小さくなる。
と１組以上の複数の導体パターンとを、各組ごとに導体
パターンの端部が接合されて全体的に１つ以上のコイル
導体を形成するようにして交互積層することにより積層
インダクタまたはトランスを形成することが広く行われ
ている。図１及び２を参照して従来の技術をコモンモー
ドチョーク型積層トランスに関連して説明する。なお、
コモンモードチョークとは２組のコイル導体がトランス
を形成して通常のトランスの作用をすると同時に、ノイ
ズ電流等の同一の電流がこれら２組のコイルに流れた時
に完全にそれらから生じる磁界を打ち消すようになって
いる構造のノイズ抑制型のトランスを言う。図１の従来
例では、電気絶縁性の磁性体層１、２、３、４、５が第
１コイル導体６と第２コイル導体７を形成する導体パタ
ーンと交互積層され一体化されている。コイル導体６、
７は間に磁性体層１〜５の中に埋め込まれており、また
導体パターン間に磁性体層２〜４が介在しているから、
各コイルに電流が流れる時に２種のコイルの全体を周回
する磁界の他に、矢印で示したように各コイル導体を周
回する小ループ磁界を生じる。この小ループ磁界はコイ
ル間の結合に役立たないので結合係数が小さくなる。
【０００３】図２の従来例では、電気絶縁性の磁性体層
１、２、３、４、５が第１コイル導体６と第２コイル導
体７を形成する導体パターンと交互積層され一体化され
ている。この場合に第１コイル導体と第２コイル導体の
ための導体パターンは交互になっている。しかしこの例
でもコイル導体６、７は間に磁性体層１〜５の中に埋め
込まれており、また導体パターン間に磁性体層２〜４が
介在しているから、各コイルに電流が流れる時に２種の
コイルの全体を周回する磁界の他に、矢印で示したよう
に各導体を周回する小ループ磁界を生じる。この小ルー
プ磁界はコイル間の結合に役立たないので結合係数が小
さくなる。こうした小ループは単一コイルによるインダ
クタの場合には導体間にできる小ループ磁界の方向が互
いに逆方向になるので相殺されて軽減されるが、なおコ
イル全体を周回しない磁束も生じてインダクタンスを低
下させる。
１、２、３、４、５が第１コイル導体６と第２コイル導
体７を形成する導体パターンと交互積層され一体化され
ている。この場合に第１コイル導体と第２コイル導体の
ための導体パターンは交互になっている。しかしこの例
でもコイル導体６、７は間に磁性体層１〜５の中に埋め
込まれており、また導体パターン間に磁性体層２〜４が
介在しているから、各コイルに電流が流れる時に２種の
コイルの全体を周回する磁界の他に、矢印で示したよう
に各導体を周回する小ループ磁界を生じる。この小ルー
プ磁界はコイル間の結合に役立たないので結合係数が小
さくなる。こうした小ループは単一コイルによるインダ
クタの場合には導体間にできる小ループ磁界の方向が互
いに逆方向になるので相殺されて軽減されるが、なおコ
イル全体を周回しない磁束も生じてインダクタンスを低
下させる。
【０００４】この問題は例えば特開昭５７−１７３９１
８号に記載されているように、磁性体の内部を周回する
導体コイルの隣接ターンの間に低透磁率材層（非磁性、
又は弱磁性を有するもの）を介在させることにより解決
できる。しかしながら、低磁性層の材料は記載されてい
ない。ところが、インダクタまたはトランスが焼結によ
り製作される場合には、磁性体と低透磁率材と導体の材
料の組合せに依存して焼成時の収縮に差異が生じてひび
割れまたは反りを生じ、特性を不均一にし或いは不良を
発生した。また、導体がＡｇ−Ｐｄ等の様に比較的低温
度で溶融し易い場合には断線短絡が発生する可能性があ
るので、比較的低温度で焼成できることが望ましい。
８号に記載されているように、磁性体の内部を周回する
導体コイルの隣接ターンの間に低透磁率材層（非磁性、
又は弱磁性を有するもの）を介在させることにより解決
できる。しかしながら、低磁性層の材料は記載されてい
ない。ところが、インダクタまたはトランスが焼結によ
り製作される場合には、磁性体と低透磁率材と導体の材
料の組合せに依存して焼成時の収縮に差異が生じてひび
割れまたは反りを生じ、特性を不均一にし或いは不良を
発生した。また、導体がＡｇ−Ｐｄ等の様に比較的低温
度で溶融し易い場合には断線短絡が発生する可能性があ
るので、比較的低温度で焼成できることが望ましい。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上の説明から明らかな
ように、本発明は、従来の積層型インダクタあるいは積
層トランスの小ループ磁界を防止した構造のインダクタ
またはトランスにおいて、焼成歪みを抑制することを目
的とする。本発明の他の目的は低温焼結が可能な材料の
組合せを提供することにある。
ように、本発明は、従来の積層型インダクタあるいは積
層トランスの小ループ磁界を防止した構造のインダクタ
またはトランスにおいて、焼成歪みを抑制することを目
的とする。本発明の他の目的は低温焼結が可能な材料の
組合せを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、磁性体と、そ
の内部に１つの軸線の周りに周回するコイル状の導体で
あって該コイルのターンが該軸線の方向に重畳するよう
にして形成した導体パターンと、隣接した前記ターンの
間に充填された低透磁率材とよりなるインダクタにおい
て、前記磁性体はＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
磁性フェライトより選択した一種であり、前記低透磁率
材はＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより
選択した一種である焼結型インダクタにより、従来の問
題を解決する。ここに、低透磁率材とは前記磁性体の１
０分の１以下の透磁率を有する磁性体のことを意味す
る。なお本書でコイルは完全な周回形でなくても良くＵ
字形または円弧形も含む。
の内部に１つの軸線の周りに周回するコイル状の導体で
あって該コイルのターンが該軸線の方向に重畳するよう
にして形成した導体パターンと、隣接した前記ターンの
間に充填された低透磁率材とよりなるインダクタにおい
て、前記磁性体はＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
磁性フェライトより選択した一種であり、前記低透磁率
材はＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより
選択した一種である焼結型インダクタにより、従来の問
題を解決する。ここに、低透磁率材とは前記磁性体の１
０分の１以下の透磁率を有する磁性体のことを意味す
る。なお本書でコイルは完全な周回形でなくても良くＵ
字形または円弧形も含む。
【０００７】本発明の別の態様では、本発明は、磁性体
と、その内部にそれぞれの軸線の周りに周回する２本の
コイル状の導体であって該コイルのターンが該軸線の方
向に重畳するようにして形成した導体パターンと、前記
各コイルにおける隣接した前記ターンの間に充填された
低透磁率材とよりなるトランスにおいて、前記磁性体は
Ｎｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトよ
り選択した一種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェラ
イト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した一種であ
る焼結型トランスにより、従来の問題を解決する。
と、その内部にそれぞれの軸線の周りに周回する２本の
コイル状の導体であって該コイルのターンが該軸線の方
向に重畳するようにして形成した導体パターンと、前記
各コイルにおける隣接した前記ターンの間に充填された
低透磁率材とよりなるトランスにおいて、前記磁性体は
Ｎｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトよ
り選択した一種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェラ
イト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した一種であ
る焼結型トランスにより、従来の問題を解決する。
【０００８】
【作用】本発明の構成によると、コイルを形成する導体
パターンはそれらの間に非磁性体層または低透磁率層を
介在しているから、それらの間を通る小ループ磁界が著
しく減少し、インダクタンスまたは相互インダクタンス
（相互結合係数）が大幅に向上する利益を保持しなが
ら、焼成歪みによる特性のばらつきや、ひび割れにより
不良の発生を回避できる。。
パターンはそれらの間に非磁性体層または低透磁率層を
介在しているから、それらの間を通る小ループ磁界が著
しく減少し、インダクタンスまたは相互インダクタンス
（相互結合係数）が大幅に向上する利益を保持しなが
ら、焼成歪みによる特性のばらつきや、ひび割れにより
不良の発生を回避できる。。
【０００９】本発明の積層インダクタ（以下単一インダ
クタ及びトランスを含めた意味で使用する）は、従来周
知の積層技術で容易に製造できる。例えば、電気絶縁性
の軟磁性フェライトであるＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ系磁性フェライトより選択した粉末を、バインダ
と混練りしてペーストを作り、得られた磁性体ペースト
と、耐熱性導電粉末であるＡｇ−Ｐｄ合金等の粉末を合
成樹脂バインダと混練りした導体ペーストと、低透磁率
材であるＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライト
より選択した粉末をバインダと混練りした低透磁率材ペ
ーストを使用して、スクリーン印刷等の印刷法により積
層し、焼成して焼結し、周辺に露出する引出し導体に導
体ペーストを焼きつけて外部端子とする。本発明で磁性
体フェライトとしてＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ
系磁性フェライトより選択した粉末を使用するのは、透
磁率が高いだけでなく比較的低温度で焼成可能だからで
ある。Ｃｕは温度低下剤としての作用がある。例えば、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは１１００℃程度の焼成温度を
必要とするのに対し、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライ
トは添加量によりそれ以下ないし９００℃程度での焼結
が可能となる。また低磁性フェライトとしてはＺｎ系磁
性フェライトは１１００℃程度の温度で焼成可能であ
り、Ｃｕを添加することによりそれ以下ないし９００℃
程度での焼結が可能となる。またこれらのフェライトの
組合せにより焼結歪みが最低限度に抑制されて割れや歪
みが防止される。以下実施例を参照して本発明を詳しく
説明する。
クタ及びトランスを含めた意味で使用する）は、従来周
知の積層技術で容易に製造できる。例えば、電気絶縁性
の軟磁性フェライトであるＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ
−Ｃｕ系磁性フェライトより選択した粉末を、バインダ
と混練りしてペーストを作り、得られた磁性体ペースト
と、耐熱性導電粉末であるＡｇ−Ｐｄ合金等の粉末を合
成樹脂バインダと混練りした導体ペーストと、低透磁率
材であるＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライト
より選択した粉末をバインダと混練りした低透磁率材ペ
ーストを使用して、スクリーン印刷等の印刷法により積
層し、焼成して焼結し、周辺に露出する引出し導体に導
体ペーストを焼きつけて外部端子とする。本発明で磁性
体フェライトとしてＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ
系磁性フェライトより選択した粉末を使用するのは、透
磁率が高いだけでなく比較的低温度で焼成可能だからで
ある。Ｃｕは温度低下剤としての作用がある。例えば、
Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトは１１００℃程度の焼成温度を
必要とするのに対し、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライ
トは添加量によりそれ以下ないし９００℃程度での焼結
が可能となる。また低磁性フェライトとしてはＺｎ系磁
性フェライトは１１００℃程度の温度で焼成可能であ
り、Ｃｕを添加することによりそれ以下ないし９００℃
程度での焼結が可能となる。またこれらのフェライトの
組合せにより焼結歪みが最低限度に抑制されて割れや歪
みが防止される。以下実施例を参照して本発明を詳しく
説明する。
【００１０】
【実施例の説明】実施例１ 図３はコモンモードチョークに本発明の原理を適用した
実施例を示す。この例の積層型インダクタではＮｉ−Ｚ
ｎ系の高透磁率の軟磁性フェライトの磁性体層１１、１
２、１３、１４及び１５と、第１コイル導体１６のため
のＡｇ−Ｐｄ合金粉末ペーストから得た導体パターン
と、第２コイル導体１７のためのＡｇ−Ｐｄ合金粉末ペ
ーストから得た導体パターンが導体コイルを形成するよ
うに端部を接続しながら交互に積層されているほか、導
体コイル１６、１７のための導体パターンの各ターンの
間にはＺｎ系磁性フェライト製の低透磁率材層１８が介
在している。なお、最下層及び最上層の磁性体層１１、
１５は全体が磁性体層である。以上の構成であるから、
導体パターンの間の磁気抵抗は大きいので、小ループ磁
界はできにくく、磁束は矢印で示したようにほとんどが
第１及び第２コイル導体の全体を周回する磁束となり、
第１及び第２コイルの結合が非常に大きくなる。上記の
材料の組合せによると焼成温度１１００℃において割れ
も反りも生じなかった。
実施例を示す。この例の積層型インダクタではＮｉ−Ｚ
ｎ系の高透磁率の軟磁性フェライトの磁性体層１１、１
２、１３、１４及び１５と、第１コイル導体１６のため
のＡｇ−Ｐｄ合金粉末ペーストから得た導体パターン
と、第２コイル導体１７のためのＡｇ−Ｐｄ合金粉末ペ
ーストから得た導体パターンが導体コイルを形成するよ
うに端部を接続しながら交互に積層されているほか、導
体コイル１６、１７のための導体パターンの各ターンの
間にはＺｎ系磁性フェライト製の低透磁率材層１８が介
在している。なお、最下層及び最上層の磁性体層１１、
１５は全体が磁性体層である。以上の構成であるから、
導体パターンの間の磁気抵抗は大きいので、小ループ磁
界はできにくく、磁束は矢印で示したようにほとんどが
第１及び第２コイル導体の全体を周回する磁束となり、
第１及び第２コイルの結合が非常に大きくなる。上記の
材料の組合せによると焼成温度１１００℃において割れ
も反りも生じなかった。
【００１１】実施例２ 図４は一本の導体コイルを用いる積層型インダクタの構
成を示す。まず、同図（ａ）に示したように、図示しな
い剥離性基板に、長方形または正方形の磁性体層２１を
印刷し乾燥し、その面に導体パターン２３を印刷し乾燥
する。このパターンは導体コイル形成部２５と引出し部
２７とからなる。次いで、同図（ｂ）のように、導体コ
イル形成部２５の幅よりも広い幅の低透磁率材層２９を
コイル形成部２５の上に印刷し乾燥する。次いで同図
（ｃ）のように低透磁率材層４９の上に重ねて且つ導体
パターン２３の端部に接続させて導体パターン３１を印
刷し乾燥する。このパターンは導体コイル形成部３３と
引出し部３５とからなる。更に同図（ｄ）のように全体
を覆う磁性体層３７を印刷し乾燥する。更に引出部２
５、３５にそれぞれ接続する外部端子膜３８、３９を焼
きつけて積層インダクタを完成する。なお、同図（ｂ）
と（ｃ）の間に所望数のコイル形成用の導体パターンと
低磁性層を所定回数交互に印刷積層しても良い。また、
中間の層では図３のように低透磁率材層の周りに磁性体
層が形成されるような他の磁性体層を交互に印刷積層す
る。この例では、磁性層にＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライ
トを使用し、低透磁率材層にＺｎ−Ｃｕ系フェライトを
使用した。その結果、約９００℃以上の焼成温度で充分
に焼結した割れも歪みもない積層インダクタが得られ
た。
成を示す。まず、同図（ａ）に示したように、図示しな
い剥離性基板に、長方形または正方形の磁性体層２１を
印刷し乾燥し、その面に導体パターン２３を印刷し乾燥
する。このパターンは導体コイル形成部２５と引出し部
２７とからなる。次いで、同図（ｂ）のように、導体コ
イル形成部２５の幅よりも広い幅の低透磁率材層２９を
コイル形成部２５の上に印刷し乾燥する。次いで同図
（ｃ）のように低透磁率材層４９の上に重ねて且つ導体
パターン２３の端部に接続させて導体パターン３１を印
刷し乾燥する。このパターンは導体コイル形成部３３と
引出し部３５とからなる。更に同図（ｄ）のように全体
を覆う磁性体層３７を印刷し乾燥する。更に引出部２
５、３５にそれぞれ接続する外部端子膜３８、３９を焼
きつけて積層インダクタを完成する。なお、同図（ｂ）
と（ｃ）の間に所望数のコイル形成用の導体パターンと
低磁性層を所定回数交互に印刷積層しても良い。また、
中間の層では図３のように低透磁率材層の周りに磁性体
層が形成されるような他の磁性体層を交互に印刷積層す
る。この例では、磁性層にＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライ
トを使用し、低透磁率材層にＺｎ−Ｃｕ系フェライトを
使用した。その結果、約９００℃以上の焼成温度で充分
に焼結した割れも歪みもない積層インダクタが得られ
た。
【００１２】実施例３ 図５は２本の導体コイルを用いるコモンモードチョーク
用積層型インダクタの構成を示す。この例は図３の例を
具体化するための方法及び構造の詳細を示す。まず、同
図（ａ）に示したように、図示しない剥離性基板に、長
方形または正方形の磁性体層４１を印刷し乾燥し、その
面に導体パターン４３を印刷し乾燥する。このパターン
は導体コイル形成部４５と引出し部４７とからなる。次
いで、導体コイル形成部４５の幅よりも広い幅の低透磁
率材層４９をコイル形成部４５の上に印刷し乾燥する。
次いで導体パターン５１を導体パターン４３の端部に重
畳させて低透磁率材層４９の上に重ねて印刷し乾燥す
る。このパターンは導体コイル形成部５３と引出し部５
５とからなる。更に同図（ｂ）のように導体コイル形成
部５３を覆う同様な低透磁率材層５７を印刷乾燥して第
１コイルの部分を完成する。次に、同図（ｃ）のように
低透磁率材層４９、５７の上に導体パターン５９を印刷
する。この導体パターンは導体コイル形成部６３と引出
し部６１とからなる。次いで同図（ｄ）のように低透磁
率材層６５をコイル形成部６３を覆うように印刷し、そ
して同図（ｅ）のようにその上に導体パターン６３の端
部に接続する導体パターン６７を印刷する。この導体パ
ターンはコイル形成部６９と引出部７１からなる。以上
で第２コイル部が形成される。最後に、同図（ｆ）のよ
うに磁性体層７３を全体に印刷した後、膜状外部端子７
５、７７を焼きつける。なお、上記の工程の間で、所望
数のコイル形成用の導体パターンと低磁性層を所定回数
交互に印刷積層しても良い。また、中間の層では図３の
ように低透磁率材層の周りに磁性体層が形成されるよう
な他の磁性体層を交互に印刷積層する。この例では、磁
性層にＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを使用し、低磁性
層にＺｎ−Ｃｕ系フェライトを使用した。その結果、約
９００℃以上の焼成温度で充分に焼結した割れも歪みも
ない積層インダクタが得られた。本例の作用効果は図２
に関連して説明した通りである。
用積層型インダクタの構成を示す。この例は図３の例を
具体化するための方法及び構造の詳細を示す。まず、同
図（ａ）に示したように、図示しない剥離性基板に、長
方形または正方形の磁性体層４１を印刷し乾燥し、その
面に導体パターン４３を印刷し乾燥する。このパターン
は導体コイル形成部４５と引出し部４７とからなる。次
いで、導体コイル形成部４５の幅よりも広い幅の低透磁
率材層４９をコイル形成部４５の上に印刷し乾燥する。
次いで導体パターン５１を導体パターン４３の端部に重
畳させて低透磁率材層４９の上に重ねて印刷し乾燥す
る。このパターンは導体コイル形成部５３と引出し部５
５とからなる。更に同図（ｂ）のように導体コイル形成
部５３を覆う同様な低透磁率材層５７を印刷乾燥して第
１コイルの部分を完成する。次に、同図（ｃ）のように
低透磁率材層４９、５７の上に導体パターン５９を印刷
する。この導体パターンは導体コイル形成部６３と引出
し部６１とからなる。次いで同図（ｄ）のように低透磁
率材層６５をコイル形成部６３を覆うように印刷し、そ
して同図（ｅ）のようにその上に導体パターン６３の端
部に接続する導体パターン６７を印刷する。この導体パ
ターンはコイル形成部６９と引出部７１からなる。以上
で第２コイル部が形成される。最後に、同図（ｆ）のよ
うに磁性体層７３を全体に印刷した後、膜状外部端子７
５、７７を焼きつける。なお、上記の工程の間で、所望
数のコイル形成用の導体パターンと低磁性層を所定回数
交互に印刷積層しても良い。また、中間の層では図３の
ように低透磁率材層の周りに磁性体層が形成されるよう
な他の磁性体層を交互に印刷積層する。この例では、磁
性層にＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系フェライトを使用し、低磁性
層にＺｎ−Ｃｕ系フェライトを使用した。その結果、約
９００℃以上の焼成温度で充分に焼結した割れも歪みも
ない積層インダクタが得られた。本例の作用効果は図２
に関連して説明した通りである。
【００１３】
【発明の効果】以上のように、本発明によると、小ルー
プ磁界の形成は最小限度に抑制されるので、インダクタ
ンスの向上、結合係数の増大等の利益が得られ、またそ
の分だけ小型化が可能となるだけでなく、焼成歪みの小
さいインダクタ又はトランスが得られる。更に、比較的
低温度の焼成温度で所望の製品が得られる。
プ磁界の形成は最小限度に抑制されるので、インダクタ
ンスの向上、結合係数の増大等の利益が得られ、またそ
の分だけ小型化が可能となるだけでなく、焼成歪みの小
さいインダクタ又はトランスが得られる。更に、比較的
低温度の焼成温度で所望の製品が得られる。
【図１】従来の積層型インダクタの構成を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】従来のトランス型積層型インダクタの構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図３】本発明の実施例１の積層型インダクタを示す断
面図である。
面図である。
【図４】本発明の実施例２の積層型インダクタの製造法
及び構成を示す斜視図である。
及び構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の実施例３の積層型インダクタの製造法
及び構成を示す斜視図である。
及び構成を示す斜視図である。
１１、１２、１３、１４、１５：磁性体層 １６：第１コイル導体 １７：第２コイル導体 １８：低透磁率材層または低透磁率の磁性体層 ２１、３７：磁性体層 ２３、３１：導体パターン ２５、３３：コイル形成部 ２７、３５：引出部 ２９、４９：低透磁率材層 ３８、３９：外部端子 ４１、７３：磁性体層 ４３、５１、５９、６７：導体パターン ４５、５３、６３、６９：導体コイル形成部 ４７、５５、６１、７１：引出し部 ４９、５７、６５：低磁性層 ５９、６７：導体パターン ７５、７７：外部端子
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性体と、その内部に１つの軸線の周り
に周回するコイル状の導体であって該コイルのターンが
該軸線の方向に重畳するようにして形成した導体パター
ンと、隣接した前記ターンの間に充填された低透磁率材
とよりなるインダクタにおいて、前記磁性体はＮｉ−Ｚ
ｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトより選択し
た一種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェライト及び
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した一種である焼結型
インダクタ。 - 【請求項２】 複数の磁性体層と複数の導体パターンと
の交互積層体であって前記導体パターンがそれらの端部
を接合してコイルを形成している積層型インダクタにお
いて、前記導体パターンは低透磁率材層を介在して重畳
し、また前記低透磁率材層は前記磁性体層中に埋設され
ておりいる積層型インダクタにおいて、前記磁性体はＮ
ｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトより
選択した一種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェライ
ト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した一種である
焼結型インダクタ。 - 【請求項３】 磁性体と、その内部にそれぞれの軸線の
周りに周回する２本のコイル状の導体であって該コイル
のターンが該軸線の方向に重畳するようにして形成した
導体パターンと、前記各コイルにおける隣接した前記タ
ーンの間に充填された低透磁率材とよりなるトランスに
おいて、前記磁性体はＮｉ−Ｚｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕ系磁性フェライトより選択した一種であり、前記低透
磁率材はＺｎ系フェライト及びＣｕ−Ｚｎ系フェライト
より選択した一種である焼結型トランス。 - 【請求項４】 複数の磁性体層と２組の複数の導体パタ
ーンとの交互積層体であって各組の前記導体パターンが
それらの端部を接合して各コイルを形成している積層型
トランスにおいて、前記２組の前記導体パターンは低透
磁率材層を介在して重畳し、また前記低透磁率材層は前
記磁性体層中に埋設されており、前記磁性体はＮｉ−Ｚ
ｎ系及びＮｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系磁性フェライトより選択し
た一種であり、前記低透磁率材はＺｎ系フェライト及び
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトより選択した一種である焼結型
トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120361A JPH06310333A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 積層型インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5120361A JPH06310333A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 積層型インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310333A true JPH06310333A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14784299
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5120361A Pending JPH06310333A (ja) | 1993-04-26 | 1993-04-26 | 積層型インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310333A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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-
1993
- 1993-04-26 JP JP5120361A patent/JPH06310333A/ja active Pending
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