JPH06310279A - エレクトロルミネセンスランプ - Google Patents
エレクトロルミネセンスランプInfo
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- JPH06310279A JPH06310279A JP5122056A JP12205693A JPH06310279A JP H06310279 A JPH06310279 A JP H06310279A JP 5122056 A JP5122056 A JP 5122056A JP 12205693 A JP12205693 A JP 12205693A JP H06310279 A JPH06310279 A JP H06310279A
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- light emitting
- insulating layer
- transparent conductive
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 輝度が低下しにくく、かつ長寿命の分散型エ
レクトロルミネセンスランプを提供する。 【構成】 背面電極上に少なくとも発光層/絶縁層/透
明導電層/透明基体の構成を有する分散型エレクトロル
ミネセンスランプ。絶縁層は水蒸気バリヤ性を有し、ケ
イ素化合物、マグネシウム化合物、アルミニウム化合
物、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、タン
タル酸バリウムから選択される少なくとも1種の化合物
よりなる。
レクトロルミネセンスランプを提供する。 【構成】 背面電極上に少なくとも発光層/絶縁層/透
明導電層/透明基体の構成を有する分散型エレクトロル
ミネセンスランプ。絶縁層は水蒸気バリヤ性を有し、ケ
イ素化合物、マグネシウム化合物、アルミニウム化合
物、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウ
ム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、タン
タル酸バリウムから選択される少なくとも1種の化合物
よりなる。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は分散型エレクトロルミネ
センスランプに関する。
センスランプに関する。
【0002】
【従来の技術およびその課題】分散型エレクトロルミネ
センスランプは、軽量薄層で面発光が可能なために各種
表示用素子および液晶表示素子のバックライトとして利
用されている。しかしながら、このようなエレクトロル
ミネセンスランプは、現在よりもさらに輝度特性の向上
が求められており、また、劣化開始時間が短いという問
題も有している。特に多湿下では劣化の速度が早い。こ
れは、発光層に通常用いられるZnS:Mnの粉体が水
分と反応して発光特性を著しく劣化させることに起因し
ている。
センスランプは、軽量薄層で面発光が可能なために各種
表示用素子および液晶表示素子のバックライトとして利
用されている。しかしながら、このようなエレクトロル
ミネセンスランプは、現在よりもさらに輝度特性の向上
が求められており、また、劣化開始時間が短いという問
題も有している。特に多湿下では劣化の速度が早い。こ
れは、発光層に通常用いられるZnS:Mnの粉体が水
分と反応して発光特性を著しく劣化させることに起因し
ている。
【0003】そこで、基体の透明導電層を設けたのと反
対側、すなわち外側に防湿特性の優れた、ポリビニリデ
ンクロライド、エチレン‐ビニルアルコール共重合体等
からなるシーラー層を設け、防湿効果の改善が図られて
いる。さらに、シーラー層の内側、すなわち基体とシー
ラー層の間にバリアー層を設け、より高い防湿効果を得
ようとすることも行われている。バリアー層としては、
防湿特性に優れたフッ素系樹脂フィルムを用いたり、ま
た逆に水分を吸収する特性を有するナイロン等の樹脂を
用いたりしている。フッ素系樹脂では、樹脂そのものの
防湿特性は大変優れているが、価格が高いという欠点を
有する上、基体に貼りつけて用いるために、端部から水
分が侵入して劣化を招くという問題があった。ナイロン
等の吸水物質をバリヤー層に用いた場合には、吸水層よ
り内側の層に侵入する水分を減少させることができる
が、十分満足できる防湿効果が得られるとはいえない。
対側、すなわち外側に防湿特性の優れた、ポリビニリデ
ンクロライド、エチレン‐ビニルアルコール共重合体等
からなるシーラー層を設け、防湿効果の改善が図られて
いる。さらに、シーラー層の内側、すなわち基体とシー
ラー層の間にバリアー層を設け、より高い防湿効果を得
ようとすることも行われている。バリアー層としては、
防湿特性に優れたフッ素系樹脂フィルムを用いたり、ま
た逆に水分を吸収する特性を有するナイロン等の樹脂を
用いたりしている。フッ素系樹脂では、樹脂そのものの
防湿特性は大変優れているが、価格が高いという欠点を
有する上、基体に貼りつけて用いるために、端部から水
分が侵入して劣化を招くという問題があった。ナイロン
等の吸水物質をバリヤー層に用いた場合には、吸水層よ
り内側の層に侵入する水分を減少させることができる
が、十分満足できる防湿効果が得られるとはいえない。
【0004】そこで本発明は、エレクトロルミネセンス
ランプの防湿特性を向上させ、輝度が低下しにくく、か
つ長寿命の分散型エレクトロルミネセンスランプを提供
することを目的とする。
ランプの防湿特性を向上させ、輝度が低下しにくく、か
つ長寿命の分散型エレクトロルミネセンスランプを提供
することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、分散型エ
レクトロルミネセンスランプの防湿特性について検討を
重ねた結果、発光層と透明導電層との間に特定の物質か
らなる絶縁層を設けることにより、防湿特性を大幅に改
善できるので、輝度の低下を抑制し、ランプの寿命を延
ばすことができることを見出し、本発明に到達した。
レクトロルミネセンスランプの防湿特性について検討を
重ねた結果、発光層と透明導電層との間に特定の物質か
らなる絶縁層を設けることにより、防湿特性を大幅に改
善できるので、輝度の低下を抑制し、ランプの寿命を延
ばすことができることを見出し、本発明に到達した。
【0006】すなわち本発明は、背面電極上の発光側に
おける層構成が、少なくとも発光層/透明導電層/透明
基体よりなる分散型エレクトロルミネセンスランプにお
いて、少なくとも発光層と透明導電層の間に水蒸気バリ
ヤ性を有する絶縁層が設けられ、該絶縁層が、ケイ素化
合物、マグネシウム化合物、アルミニウム化合物、酸化
チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、チタン
酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、タンタル酸バリ
ウムから選択される少なくとも1種の化合物よりなるこ
とを特徴とするエレクトロルミネセンスランプを提供す
るものである。
おける層構成が、少なくとも発光層/透明導電層/透明
基体よりなる分散型エレクトロルミネセンスランプにお
いて、少なくとも発光層と透明導電層の間に水蒸気バリ
ヤ性を有する絶縁層が設けられ、該絶縁層が、ケイ素化
合物、マグネシウム化合物、アルミニウム化合物、酸化
チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、チタン
酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、タンタル酸バリ
ウムから選択される少なくとも1種の化合物よりなるこ
とを特徴とするエレクトロルミネセンスランプを提供す
るものである。
【0007】本発明のエレクトロルミネセンスランプ
は、背面電極上の発光側における層構成が、少なくとも
発光層/絶縁層/透明導電層/透明基体よりなるもので
ある。さらに、発光層/絶縁層/透明導電層/透明基体
/絶縁層であることもできる。さらに、任意的に、基体
の外側にシーラー層、バリアー層等を設けることも可能
である。
は、背面電極上の発光側における層構成が、少なくとも
発光層/絶縁層/透明導電層/透明基体よりなるもので
ある。さらに、発光層/絶縁層/透明導電層/透明基体
/絶縁層であることもできる。さらに、任意的に、基体
の外側にシーラー層、バリアー層等を設けることも可能
である。
【0008】発光層における発光物質としては、分散型
エレクトロルミネセンスランプに通常用いられる材料を
使用でき、例えばZnSにMn、Cu等が含有された材
料等が挙げられる。このような材料を、好ましくは有機
バインダーとして、シアノ樹脂例えばシアノエチルセル
ロース、シアノポリビニルアルコール、シアノエチレン
‐ビニルアルコール共重合体、シアノエチルプルラン等
を添加して用いる。これらのシアノ樹脂は適宜混合した
ものを用いることができる。これを背面電極上に、好ま
しくはスクリーン印刷によって塗布し、発光層を設け
る。発光層をスクリーン印刷する前にあらかじめ、背面
電極に、シアノエチルセルロースをはじめとする上記し
たシアノ樹脂の誘電体物質を塗布しておくことも可能で
ある。発光層の層厚は20〜80μmの範囲が好まし
い。なお、背面電極は、分散型エレクトロルミネセンス
ランプに慣用の背面電極がいずれも使用でき、特に限定
されない。例えばAlの薄膜が挙げられる。
エレクトロルミネセンスランプに通常用いられる材料を
使用でき、例えばZnSにMn、Cu等が含有された材
料等が挙げられる。このような材料を、好ましくは有機
バインダーとして、シアノ樹脂例えばシアノエチルセル
ロース、シアノポリビニルアルコール、シアノエチレン
‐ビニルアルコール共重合体、シアノエチルプルラン等
を添加して用いる。これらのシアノ樹脂は適宜混合した
ものを用いることができる。これを背面電極上に、好ま
しくはスクリーン印刷によって塗布し、発光層を設け
る。発光層をスクリーン印刷する前にあらかじめ、背面
電極に、シアノエチルセルロースをはじめとする上記し
たシアノ樹脂の誘電体物質を塗布しておくことも可能で
ある。発光層の層厚は20〜80μmの範囲が好まし
い。なお、背面電極は、分散型エレクトロルミネセンス
ランプに慣用の背面電極がいずれも使用でき、特に限定
されない。例えばAlの薄膜が挙げられる。
【0009】本発明においては、少なくとも発光層と透
明導電層の間に絶縁層を設けることを特徴とする。さら
に基体の外側に絶縁層を設けることも可能である。絶縁
層は、ケイ素化合物、マグネシウム化合物、アルミニウ
ム化合物、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコ
ニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、
タンタル酸バリウムから選択される少なくとも1種の化
合物よりなる。ケイ素化合物としては、例えばSiOx
(x=0.8〜2.0が好ましく、特に好ましくはx=
1.3〜2.0)で示されるケイ素酸化物(特に好まし
くは二酸化ケイ素)、ケイ素窒化物(例えばSiN、S
i2 N3 、Si3 N4 等)、ケイ素窒化酸化物(例えば
Si3 N2 O3 等)、ケイ素炭化物(SiC)などが挙
げられる。マグネシウム化合物としては、例えばMg
O、MgF2 等が挙げられる。アルミニウム化合物とし
ては、例えばAlOx (x=0.5〜1.5が好まし
く、特に好ましくはx=1.0〜1.5)、AlN等が
挙げられる。
明導電層の間に絶縁層を設けることを特徴とする。さら
に基体の外側に絶縁層を設けることも可能である。絶縁
層は、ケイ素化合物、マグネシウム化合物、アルミニウ
ム化合物、酸化チタン、酸化イットリウム、酸化ジルコ
ニウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、
タンタル酸バリウムから選択される少なくとも1種の化
合物よりなる。ケイ素化合物としては、例えばSiOx
(x=0.8〜2.0が好ましく、特に好ましくはx=
1.3〜2.0)で示されるケイ素酸化物(特に好まし
くは二酸化ケイ素)、ケイ素窒化物(例えばSiN、S
i2 N3 、Si3 N4 等)、ケイ素窒化酸化物(例えば
Si3 N2 O3 等)、ケイ素炭化物(SiC)などが挙
げられる。マグネシウム化合物としては、例えばMg
O、MgF2 等が挙げられる。アルミニウム化合物とし
ては、例えばAlOx (x=0.5〜1.5が好まし
く、特に好ましくはx=1.0〜1.5)、AlN等が
挙げられる。
【0010】絶縁層は、層厚200〜4000オングス
トロームが好ましく、特に好ましくは300〜3000
オングストロームである。また絶縁層は、水蒸気バリヤ
性を有するものであり、透明基体と積層した場合に、そ
の透湿率が1g/m2 ・日以下であり、可視光透過率が
80%以上であるのが好ましい。
トロームが好ましく、特に好ましくは300〜3000
オングストロームである。また絶縁層は、水蒸気バリヤ
性を有するものであり、透明基体と積層した場合に、そ
の透湿率が1g/m2 ・日以下であり、可視光透過率が
80%以上であるのが好ましい。
【0011】透明導電層としては、慣用の透明導電層の
材料、例えば金属酸化物を用いることができる。具体的
には例えばBi2 O3 、TiO2 、SnO2 、CdO、
ZnO、ZrO2 、CTO系(CdSnO3 、Cd2 S
nO4 、CdSnO4 )、In2 O3 、CdIn
2 O4 、In2 TeO6 、WO系、MoO3 系、NiO
系、IrO系等が挙げられる。好ましくは上記の金属酸
化物に、Sn、Sb、W、Mo、F、AsおよびAlか
ら選ばれる1種または2種以上を添加した複合(ドー
プ)相である。その中でも好ましいものは、Snを添加
したIn2 O3 (ITO)、Sbを添加したSnO2 、
Fを添加したSnO2 等である。透明導電層はこれらの
層を単層または多層で使用することができる。層厚は、
400〜6000オングストロームが好ましく、より好
ましくは600〜3000オングストロームである。
材料、例えば金属酸化物を用いることができる。具体的
には例えばBi2 O3 、TiO2 、SnO2 、CdO、
ZnO、ZrO2 、CTO系(CdSnO3 、Cd2 S
nO4 、CdSnO4 )、In2 O3 、CdIn
2 O4 、In2 TeO6 、WO系、MoO3 系、NiO
系、IrO系等が挙げられる。好ましくは上記の金属酸
化物に、Sn、Sb、W、Mo、F、AsおよびAlか
ら選ばれる1種または2種以上を添加した複合(ドー
プ)相である。その中でも好ましいものは、Snを添加
したIn2 O3 (ITO)、Sbを添加したSnO2 、
Fを添加したSnO2 等である。透明導電層はこれらの
層を単層または多層で使用することができる。層厚は、
400〜6000オングストロームが好ましく、より好
ましくは600〜3000オングストロームである。
【0012】透明基体としては、例えばポリエチレンテ
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエ
ステル、ポリカーボネート、ナイロン等のポリアミド、
ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン等(単独
重合体の他に共重合体も含む)の基体が挙げられる。ま
た、基体はこれらを2種以上含む積層体であっても良
い。基体の厚さは通常1.0〜1000μmである。
レフタレート、ポリブチレンテレフタレート等のポリエ
ステル、ポリカーボネート、ナイロン等のポリアミド、
ポリスチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン等(単独
重合体の他に共重合体も含む)の基体が挙げられる。ま
た、基体はこれらを2種以上含む積層体であっても良
い。基体の厚さは通常1.0〜1000μmである。
【0013】本発明の分散型エレクトロルミネセンスラ
ンプは例えば次のようにして製造することができる。す
なわち、まず透明基体上に順次、透明導電層、絶縁層を
公知の製膜法、例えば蒸着法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法、CVD法、スプレー法等により設ける。
所望により、基体の透明導電層と反対側に絶縁層を同様
にして設ける。かくして得られた積層体を、前述した背
面電極上に設けた発光層に、透明導電層上に積層された
絶縁層を発光層に対峙させて、慣用の手段、例えば接着
剤による接着、圧着等の手段により貼り合わせる。かく
して得られたパネルは、さらに防湿効果を高めるため
に、全体をフッ素樹脂等の防湿フィルムで覆ってしまう
ことも可能である。
ンプは例えば次のようにして製造することができる。す
なわち、まず透明基体上に順次、透明導電層、絶縁層を
公知の製膜法、例えば蒸着法、スパッタ法、イオンプレ
ーティング法、CVD法、スプレー法等により設ける。
所望により、基体の透明導電層と反対側に絶縁層を同様
にして設ける。かくして得られた積層体を、前述した背
面電極上に設けた発光層に、透明導電層上に積層された
絶縁層を発光層に対峙させて、慣用の手段、例えば接着
剤による接着、圧着等の手段により貼り合わせる。かく
して得られたパネルは、さらに防湿効果を高めるため
に、全体をフッ素樹脂等の防湿フィルムで覆ってしまう
ことも可能である。
【0014】
【作用】本発明の分散型エレクトロルミネセンスランプ
では、発光層と透明導電層との間に絶縁層が形成されて
いるので、基体外部より侵入してくる水分をそこで遮断
でき、ランプの輝度の低下を防ぐことができ、寿命が改
善される。また、透明導電層の成分と、発光層に含まれ
る誘電体材料である有機バインダーに包含されている発
光粒子とが局所的に直接接触して短絡することによる短
寿命化を防止できる効果も有している。またさらに、絶
縁層が有効な誘電体層として機能するために、ランプの
発光効率が向上する効果も認められる。
では、発光層と透明導電層との間に絶縁層が形成されて
いるので、基体外部より侵入してくる水分をそこで遮断
でき、ランプの輝度の低下を防ぐことができ、寿命が改
善される。また、透明導電層の成分と、発光層に含まれ
る誘電体材料である有機バインダーに包含されている発
光粒子とが局所的に直接接触して短絡することによる短
寿命化を防止できる効果も有している。またさらに、絶
縁層が有効な誘電体層として機能するために、ランプの
発光効率が向上する効果も認められる。
【0015】
【実施例】以下の実施例により、本発明をさらに詳しく
説明する。実施例1 (1) 発光層の製造 Al背面電極上に、スクリーン印刷によってシアノエチ
ルセルロースを塗布した。次いで、シアノエチルセルロ
ースを有機バインダーとして用いたZnS:Mn発光層
を、さらにこの上にスクリーン印刷により塗布した。発
光層の厚さは50μmであった。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下、
PETということがある)基体上に、直流プレーナー型
マグネトロンスパッタ装置(基板自公転型、ULVAC
社製)を使用して、In2 O3 とSnO2 の粉末焼結体
(重量比90:10)をターゲットとして、厚さ100
0オングストロームのITO層(透明導電層)を成膜し
た。さらにこのITO層の上に、同じスパッタ装置を用
いて、SiO2 をターゲットとして、厚さ1800オン
グストロームのSiO2 層(絶縁層)を成膜した。かく
して基体/透明導電層/絶縁層の構成を有する積層体を
得た。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 (1) で製造した発光層と(2) で製造した積層体とを、発
光層と絶縁層が対峙するようにして加熱ロールラミネー
ターによって貼り合わせ、パネルを製造した。次にパネ
ル全体をポリ三フッ化一塩化エチレンフィルムで密封し
た。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、60℃90%RHの雰囲気
下に3週間放置した。試験後の輝度は試験前の輝度と比
較して、3%の劣化が認められただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 別に、PET基体上に、上記(2) と同様にして直接絶縁
層を設けた積層体について、その透湿率および可視光透
過率を調べたところ、透湿率は0.5g/m2・日であ
り、可視光透過率は83%であった。透湿率はリッシー
社製水蒸気透過率測定装置を用いて測定し、可視光透過
率はヘイズメーターで測定した。
説明する。実施例1 (1) 発光層の製造 Al背面電極上に、スクリーン印刷によってシアノエチ
ルセルロースを塗布した。次いで、シアノエチルセルロ
ースを有機バインダーとして用いたZnS:Mn発光層
を、さらにこの上にスクリーン印刷により塗布した。発
光層の厚さは50μmであった。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 厚さ100μmのポリエチレンテレフタレート(以下、
PETということがある)基体上に、直流プレーナー型
マグネトロンスパッタ装置(基板自公転型、ULVAC
社製)を使用して、In2 O3 とSnO2 の粉末焼結体
(重量比90:10)をターゲットとして、厚さ100
0オングストロームのITO層(透明導電層)を成膜し
た。さらにこのITO層の上に、同じスパッタ装置を用
いて、SiO2 をターゲットとして、厚さ1800オン
グストロームのSiO2 層(絶縁層)を成膜した。かく
して基体/透明導電層/絶縁層の構成を有する積層体を
得た。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 (1) で製造した発光層と(2) で製造した積層体とを、発
光層と絶縁層が対峙するようにして加熱ロールラミネー
ターによって貼り合わせ、パネルを製造した。次にパネ
ル全体をポリ三フッ化一塩化エチレンフィルムで密封し
た。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、60℃90%RHの雰囲気
下に3週間放置した。試験後の輝度は試験前の輝度と比
較して、3%の劣化が認められただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 別に、PET基体上に、上記(2) と同様にして直接絶縁
層を設けた積層体について、その透湿率および可視光透
過率を調べたところ、透湿率は0.5g/m2・日であ
り、可視光透過率は83%であった。透湿率はリッシー
社製水蒸気透過率測定装置を用いて測定し、可視光透過
率はヘイズメーターで測定した。
【0016】なお、以下の実施例においてはいずれも、
絶縁層の透湿率および可視光透過率は、基体+絶縁層の
積層体として、上記のようにして測定した。実施例2 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにTiO2 をターゲットとして用いて、厚さ1
500オングストロームのTiO2 層(絶縁層)をIT
O層上に設けた以外は実施例1と同様にして積層体を製
造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.8g/m2 ・
日であり、可視光透過率は85%であった。実施例3 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにSi3 N4をターゲットとして用い、かつス
パッタガスのArに反応ガスとして酸素を加えて、A
r:O2 =4:1(分圧比)のガスを用いて、厚さ10
00オングストロームのSiNx Oy (x=0.7、y
=1)層(絶縁層)をITO層上に設けた以外は実施例
1と同様にして積層体を製造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.6g/m2 ・
日であり、可視光透過率は80%であった。実施例4 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにBaTiO3 をターゲットとして用いて、厚
さ2300オングストロームのBaTiO3 層(絶縁
層)をITO層上に設けた以外は実施例1と同様にして
積層体を製造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.6g/m2 ・
日であり、可視光透過率は80%であった。比較例1 実施例1の(1) と同様にして製造した発光層と、絶縁層
の代わりにITO層の上にシアノエチルセルロースを塗
布した以外は実施例1の(2) と同様にして製造した積層
体とを、発光層とシアノエチルセルロース層が対峙する
ようにして加熱ロールラミネーターによって貼り合わ
せ、パネルを製造した。次にパネル全体をポリ三フッ化
一塩化エチレンフィルムで密封した。
絶縁層の透湿率および可視光透過率は、基体+絶縁層の
積層体として、上記のようにして測定した。実施例2 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにTiO2 をターゲットとして用いて、厚さ1
500オングストロームのTiO2 層(絶縁層)をIT
O層上に設けた以外は実施例1と同様にして積層体を製
造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.8g/m2 ・
日であり、可視光透過率は85%であった。実施例3 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにSi3 N4をターゲットとして用い、かつス
パッタガスのArに反応ガスとして酸素を加えて、A
r:O2 =4:1(分圧比)のガスを用いて、厚さ10
00オングストロームのSiNx Oy (x=0.7、y
=1)層(絶縁層)をITO層上に設けた以外は実施例
1と同様にして積層体を製造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.6g/m2 ・
日であり、可視光透過率は80%であった。実施例4 (1) 発光層の製造 実施例1の(1) と同様にして発光層を製造した。 (2) 基体/透明導電層/絶縁層からなる積層体の製造 実施例1の(2) において、絶縁層の成膜の際、SiO2
の代わりにBaTiO3 をターゲットとして用いて、厚
さ2300オングストロームのBaTiO3 層(絶縁
層)をITO層上に設けた以外は実施例1と同様にして
積層体を製造した。 (3) エレクトロルミネセンスランプのパネルの製造 上記(1) および(2) で製造した発光層および積層体を実
施例1の(3) と同様にして張り合わせてパネルを製造
し、パネル全体はポリ三フッ化一塩化エチレンフィルム
で密封した。 (4) 輝度の経時変化試験 かくして得られたパネルを、実施例1の(4) と同一条件
にて輝度の経時変化を調べたところ、3%の劣化が認め
られただけだった。 (5) 透湿率および可視光透過率 実施例1の(5) と同様にして絶縁層の透湿率および可視
光透過率を測定したところ、透湿率は0.6g/m2 ・
日であり、可視光透過率は80%であった。比較例1 実施例1の(1) と同様にして製造した発光層と、絶縁層
の代わりにITO層の上にシアノエチルセルロースを塗
布した以外は実施例1の(2) と同様にして製造した積層
体とを、発光層とシアノエチルセルロース層が対峙する
ようにして加熱ロールラミネーターによって貼り合わ
せ、パネルを製造した。次にパネル全体をポリ三フッ化
一塩化エチレンフィルムで密封した。
【0017】かくして得られたパネルについて、実施例
1の(4) と同様にして輝度の経時変化を調べたところ、
16%の劣化が認められた。
1の(4) と同様にして輝度の経時変化を調べたところ、
16%の劣化が認められた。
【0018】なお、PET基体上にシアノエチルセルロ
ースを塗布した積層体の透湿率は23g/m2 ・日であ
り、可視光透過率は78%であった。
ースを塗布した積層体の透湿率は23g/m2 ・日であ
り、可視光透過率は78%であった。
【0019】
【発明の効果】本発明のエレクトロルミネセンスランプ
は、防湿特性に優れているので輝度の低下が少なく、寿
命が長い。
は、防湿特性に優れているので輝度の低下が少なく、寿
命が長い。
Claims (1)
- 【請求項1】 背面電極上の発光側における層構成が、
少なくとも発光層/透明導電層/透明基体よりなる分散
型エレクトロルミネセンスランプにおいて、少なくとも
発光層と透明導電層の間に水蒸気バリヤ性を有する絶縁
層が設けられ、該絶縁層が、ケイ素化合物、マグネシウ
ム化合物、アルミニウム化合物、酸化チタン、酸化イッ
トリウム、酸化ジルコニウム、チタン酸ストロンチウ
ム、チタン酸バリウム、タンタル酸バリウムから選択さ
れる少なくとも1種の化合物よりなることを特徴とする
エレクトロルミネセンスランプ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5122056A JPH06310279A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | エレクトロルミネセンスランプ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP5122056A JPH06310279A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | エレクトロルミネセンスランプ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06310279A true JPH06310279A (ja) | 1994-11-04 |
Family
ID=14826531
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP5122056A Pending JPH06310279A (ja) | 1993-04-27 | 1993-04-27 | エレクトロルミネセンスランプ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH06310279A (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005048281A (ja) * | 2003-03-31 | 2005-02-24 | Dainippon Printing Co Ltd | 保護膜およびその製造方法 |
JP2006032977A (ja) * | 1999-06-04 | 2006-02-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置 |
JP2007048758A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-02-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2007066912A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-03-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2007188890A (ja) * | 1999-06-04 | 2007-07-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置の作製方法 |
JP2007317536A (ja) * | 2006-05-26 | 2007-12-06 | Mitsubishi Materials Corp | 無機エレクトロルミネッセンス素子用酸化ジルコニウム系バリア膜 |
US8890172B2 (en) | 1999-06-04 | 2014-11-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
-
1993
- 1993-04-27 JP JP5122056A patent/JPH06310279A/ja active Pending
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JP4515469B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置の作製方法 |
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