JPH06310074A - Scanning electron microscope - Google Patents
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- JPH06310074A JPH06310074A JP5094106A JP9410693A JPH06310074A JP H06310074 A JPH06310074 A JP H06310074A JP 5094106 A JP5094106 A JP 5094106A JP 9410693 A JP9410693 A JP 9410693A JP H06310074 A JPH06310074 A JP H06310074A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は半導体用走査電子顕微鏡
における半導体素子の高加速電圧の電子ビームによるダ
メージの防止に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to prevention of damage of a semiconductor device in a scanning electron microscope for semiconductors by an electron beam having a high acceleration voltage.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の装置は半導体ウェーハを観察する
場合、５００Ｖから１５００Ｖ位までの低加速電圧範囲
でのみ使用していた。これは、それ以上の加速電圧を使
用すると、半導体素子にダメージを及ぼしたり、チャー
ジアップにより像観察に適さないことを知っていたから
である。ところが、半導体ウェーハ上の異物をＸ線分析
したり、半導体パターンのスルーホールを観察する場合
は、半導体素子にダメージを与えても、高加速電圧で観
察したいという要求がある。このように、高加速電圧で
観察する場合、従来はウェーハ１枚を検査のために使用
して製品にしないか、高加速電圧の電子ビームを照射し
た位置を操作する人が記憶しておき、そのダイのみ不良
ダイとするなどしていたが、装置側には何ら考慮がなさ
れていなかった。2. Description of the Related Art When observing a semiconductor wafer, a conventional apparatus has been used only in a low acceleration voltage range of about 500V to 1500V. This is because it has been known that if an acceleration voltage higher than that is used, the semiconductor element is damaged or charge-up is not suitable for image observation. However, when performing X-ray analysis of foreign matters on a semiconductor wafer or observing through holes of a semiconductor pattern, there is a demand for observing at high acceleration voltage even if a semiconductor element is damaged. In this way, when observing with a high acceleration voltage, conventionally, one wafer is used for inspection and is not made into a product, or a person who operates the position irradiated with the electron beam of a high acceleration voltage remembers, Although only the die was considered as a defective die, no consideration was given to the device side.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、高加
速電圧の電子ビームを照射して、半導体素子上の異物分
析をする場合などには、半導体素子の保護については何
ら考慮されていなかった。そのため、本来高加速電圧の
電子ビームを照射する必要のない所まで、高加速電圧の
電子ビームを照射してしまったり、照射位置を操作者が
覚えておかなくてはならない為、照射位置を間違えたり
する場合があった。また、加速電圧によっては、電子ビ
ームの照射位置の周辺までダメージを受けてしまい、そ
のダメージを受ける領域も加速電圧によって変化する。
そのため、ますます操作者はどの領域まで、ダメージを
受けたか判断を間違えてしまうという問題があった。In the above-mentioned prior art, no consideration was given to the protection of the semiconductor element, for example, in the case of irradiating an electron beam of a high acceleration voltage to analyze foreign matter on the semiconductor element. . Therefore, it is necessary to irradiate the electron beam of high acceleration voltage to the place where it is not necessary to irradiate the electron beam of high accelerating voltage, and the operator must remember the irradiation position. There was a case. Further, depending on the accelerating voltage, the periphery of the irradiation position of the electron beam is also damaged, and the damaged area is also changed by the accelerating voltage.
Therefore, there is a problem that the operator is more likely to make a mistake in determining which area has been damaged.
【０００４】本発明の目的は、不必要な高加速電圧の電
子ビーム照射を防ぎ、さらに高加速電圧の電子ビーム照
射領域を自動的に記憶しておき、どの領域が電子ビーム
によりダメージを受けたかを表示できる機能を提供する
ことにある。また、予めダメージを受けてもよい領域を
設定した場合、その領域以外の場所に電子ビームを照射
しようとした場合のみ警告表示をすることにより、操作
性のよい走査電子顕微鏡を提供することにある。An object of the present invention is to prevent unnecessary irradiation of an electron beam having a high accelerating voltage and automatically store the area irradiated with an electron beam having a high accelerating voltage so that which area is damaged by the electron beam. It is to provide a function that can display. Another object is to provide a scanning electron microscope with good operability by setting a region that may be damaged in advance and displaying a warning only when an area other than the region is to be irradiated with an electron beam. .
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、予めダメージを与えないと考えられる加速電圧の上
限値を設定できるような入力機能を有し、加速電圧変更
時、あるいは、電子ビームを試料に照射する時、設定し
た加速電圧の上限値と比較し、上限値を越えていた場
合、警告を表示できるような構成としたものである。ま
た、警告表示をしても電子ビームを照射した場合、倍率
より照射領域を計算し、照射領域を記憶しておくメモリ
を有し、必要なとき照射領域を表示できるような構成と
したものである。さらに、電子ビームの照射領域に対し
て、ダメージを与える領域を、加速電圧ごとに設定でき
るような入力機能を有し、前記電子ビームの照射領域に
対してダメージを受けた領域を表示できる構成としたも
のである。予めウェーハ上のダイの配列，ダイの大きさ
などの情報を入力する機能を有し、ダメージを受けた領
域を表示する際、ウェーハ上のダイ単位で領域を表示で
きる構成としたものである。In order to achieve the above-mentioned object, it has an input function capable of setting an upper limit value of an acceleration voltage which is considered not to cause damage in advance, and when the acceleration voltage is changed or when the electron beam is changed. When irradiating the sample with the sample, it is compared with the set upper limit value of the acceleration voltage, and if it exceeds the upper limit value, a warning can be displayed. Even if the warning is displayed, if the electron beam is emitted, the irradiation area is calculated from the magnification, and the memory has a memory to store the irradiation area, so that the irradiation area can be displayed when necessary. is there. Further, a structure having an input function for setting a region to be damaged with respect to the electron beam irradiation region for each accelerating voltage and capable of displaying a region damaged to the electron beam irradiation region is provided. It was done. It has a function of previously inputting information such as die arrangement and die size on the wafer, and when the damaged area is displayed, the area can be displayed for each die on the wafer.
【０００６】また、予めダメージを受けてもよい領域を
設定できるような入力機能を有し、その領域に対し電子
ビームの照射領域あるいはダメージを受ける領域が範囲
を越えたとき、警告表示できる構成としたものである。Further, there is provided an input function for setting an area which may be damaged in advance, and a warning can be displayed when the area irradiated with the electron beam or the area damaged is out of the range. It was done.
【０００７】[0007]
【作用】予めキーボードより入力したダメージを与えな
い加速電圧の上限値を不揮発のメモリに格納しておき、
該上限値と加速電圧とを、加速電圧の変化時あるいは電
子ビームを試料に照射時に比較する。照射する加速電圧
が上限値を越えていたならば、警告表示をするように動
作する。それによって、誤って試料に高加速電圧の電子
ビームを照射することがなくなる。[Operation] The upper limit value of the acceleration voltage, which is input from the keyboard in advance and does not cause damage, is stored in the nonvolatile memory,
The upper limit value and the acceleration voltage are compared when the acceleration voltage changes or when the electron beam is applied to the sample. If the applied accelerating voltage exceeds the upper limit value, it operates so as to display a warning. This prevents the sample from being accidentally irradiated with the electron beam having a high acceleration voltage.
【０００８】[0008]
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１により説明す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【０００９】電子源１から引出電圧印加回路１０で所要
電圧に設定した引出電極２により引出した電子ビーム４
を、加速電圧印加回路１１で或る任意の電圧に設定した
加速電極３により加速し、コンデンサレンズ電源１２に
より励磁されたコンデンサレンズ５により細く絞る。対
物レンズ電源１５により励磁された対物レンズ７により
更に細く絞り、試料８上に照射する。また、偏向信号発
生回路１４で発生した偏向信号を偏向増幅回路１３によ
って偏向コイル６を励磁し、電子ビーム４を試料８上で
二次元的に走査する。コンピュータ２１は、キーボード
２３より入力された倍率により、偏向信号発生回路１４
に試料上の走査領域を指示する。試料８に照射した電子
ビーム４により発生した二次電子信号を、二次電子検出
器１６によって検出しビデオ信号増幅回路１７で増幅
し、画像表示用ＣＲＴ１８に表示する。このとき、画像
表示用ＣＲＴの偏向信号は、試料上を走査する信号と同
期をとるために偏向信号発生回路１４よりもらう。一
方、試料８の載っている試料ステージ１９は、コンピュ
ータ２１の指令によりステージ制御回路２０で制御す
る。コンピュータ２１の指令により引出電圧，加速電圧
の値が高電圧制御回路１１に設定され、各々引出電圧印
加回路１０，加速電圧印加回路１１に供給される。コン
ピュータ２１は、不揮発メモリを有しキーボード２３か
ら入力された、試料にダメージを与えない加速電圧の上
限値などを記憶しておくことができる。また、画像表示
用ＣＲＴ１８あるいはモニタＣＲＴ２３には、警告表示
などのメッセージを表示することができる構成とする。
操作者は、殆どの操作をキーボード２３より行う。例え
ば、加速電圧の変更，電子ビームの照射開始指令，倍率
の設定，試料ステージの移動，図２のような半導体ウェ
ーハ上のダイマップ情報入力，ダメージを受けてよい領
域の設定やダメージを受けてよいダイの設定などであ
る。An electron beam 4 extracted from an electron source 1 by an extraction electrode 2 set to a required voltage by an extraction voltage application circuit 10.
Is accelerated by the accelerating electrode 3 set to an arbitrary voltage by the accelerating voltage application circuit 11, and is narrowed down by the condenser lens 5 excited by the condenser lens power supply 12. The objective lens 7 excited by the objective lens power supply 15 further narrows the aperture and illuminates the sample 8. Further, the deflection signal generated by the deflection signal generation circuit 14 is excited by the deflection amplification circuit 13 to excite the deflection coil 6, and the electron beam 4 is two-dimensionally scanned on the sample 8. The computer 21 changes the deflection signal generation circuit 14 according to the magnification input from the keyboard 23.
Indicate the scanning area on the sample. The secondary electron signal generated by the electron beam 4 with which the sample 8 is irradiated is detected by the secondary electron detector 16, amplified by the video signal amplifier circuit 17, and displayed on the image display CRT 18. At this time, the deflection signal of the image display CRT is received from the deflection signal generation circuit 14 in order to synchronize with the signal for scanning the sample. On the other hand, the sample stage 19 on which the sample 8 is mounted is controlled by the stage control circuit 20 according to a command from the computer 21. The values of the extraction voltage and the acceleration voltage are set in the high voltage control circuit 11 by the command of the computer 21, and are supplied to the extraction voltage application circuit 10 and the acceleration voltage application circuit 11, respectively. The computer 21 has a non-volatile memory and can store the upper limit value of the acceleration voltage that is input from the keyboard 23 and does not damage the sample. Further, the image display CRT 18 or the monitor CRT 23 is configured to be able to display a message such as a warning display.
The operator performs most of the operations using the keyboard 23. For example, changing the accelerating voltage, commanding the start of electron beam irradiation, setting the magnification, moving the sample stage, entering the die map information on the semiconductor wafer as shown in FIG. 2, setting the area that may be damaged, and receiving damage Good die settings etc.
【００１０】このような構成としたシステムにおいて、
予めキーボード２３より試料８にダメージを与えない加
速電圧の上限値を入力し、コンピュータ２１の不揮発メ
モリに記憶しておく。操作者がキーボード２３を使用し
て加速電圧を変更する場合、あるいは、電子ビーム４を
試料８に照射しようとした場合、上限値と比較し、照射
する加速電圧が上限値を越えていたときには、警告表示
を画像表示用ＣＲＴ18あるいはモニタＣＲＴ２２に表示
するだけで、試料８には高加速電圧の電子ビームを照射
しないようにする。こうすれば、誤って試料８を破壊す
ることを避けることができる。In the system having such a configuration,
The upper limit value of the acceleration voltage that does not damage the sample 8 is input in advance from the keyboard 23 and stored in the nonvolatile memory of the computer 21. When the operator changes the accelerating voltage using the keyboard 23 or tries to irradiate the sample 8 with the electron beam 4, it is compared with the upper limit value, and when the accelerating voltage to be irradiated exceeds the upper limit value, Only by displaying the warning display on the image display CRT 18 or the monitor CRT 22, the sample 8 is prevented from being irradiated with the electron beam of high acceleration voltage. By doing so, it is possible to avoid accidentally destroying the sample 8.
【００１１】警告表示されていても、操作者が試料８に
高加速の電子ビームを照射した場合、コンピュータ２１
はステージ制御回路２０と偏向信号発生回路１４を管理
しているため、照射位置と領域は容易に計算でき、モニ
タＣＲＴ２２に表示できる。上限値を越えたまま試料ス
テージ１９を移動して、電子ビームの照射位置を動かし
た場合、その照射位置を計算しモニタＣＲＴ２２に表示
する。Even if a warning is displayed, if the operator irradiates the sample 8 with a highly accelerated electron beam, the computer 21
Manages the stage control circuit 20 and the deflection signal generation circuit 14, the irradiation position and area can be easily calculated and displayed on the monitor CRT 22. When the sample stage 19 is moved while the upper limit is exceeded and the irradiation position of the electron beam is moved, the irradiation position is calculated and displayed on the monitor CRT 22.
【００１２】高加速電圧での照射時間を測定するには、
通常コンピュータ内にあるタイマーを利用し、照射位置
とともに記憶し、必要なときモニターＣＲＴに表示す
る。これは、同じ加速電圧でも照射時間が長くなったと
きに初めてダメージを受ける恐れがある場合、有効な機
能である。To measure the irradiation time at high accelerating voltage,
Normally, a timer in the computer is used to store together with the irradiation position and display it on the monitor CRT when necessary. This is an effective function when the same acceleration voltage may cause damage only when the irradiation time becomes long.
【００１３】加速電圧が高くなると、電子ビーム４を照
射した領域だけでなく、周辺にもダメージを与える。そ
こで、加速電圧ごとにダメージを与える領域を指定でき
るようにする。ダメージ領域は、電子ビームの照射点に
対して等方的な円状と考えられる。具体的には、電子ビ
ームの照射点に対してどの位の領域にダメージを与える
かキーボード２３より、半径値を入力すればよい。該半
径値より、ダメージを受けた領域を照射領域より広げ、
モニタＣＲＴ２２に表示する。これにより、加速電圧が
高くなって照射領域の周辺までダメージを受ける場合に
おいても、ダメージを受けた領域を確認できる特長があ
る。When the accelerating voltage is increased, not only the area irradiated with the electron beam 4 but also the surrounding area is damaged. Therefore, the area to be damaged can be specified for each acceleration voltage. The damaged area is considered to be an isotropic circular shape with respect to the electron beam irradiation point. Specifically, the radius value may be input from the keyboard 23 to indicate how much area is damaged by the irradiation point of the electron beam. From the radius value, expand the damaged area from the irradiation area,
It is displayed on the monitor CRT 22. As a result, even if the accelerating voltage becomes high and damage is caused to the periphery of the irradiation area, the damaged area can be confirmed.
【００１４】試料が半導体ウェーハの場合、１枚のウェ
ーハ上には、通常図２のように複数のダイを形成する。
高加速電圧の電子ビーム４の照射領域がたとえ或るダイ
の内部の一部分のみだとしても、該ダイは不良品となっ
てしまう。そこで、ダイ単位でのダメージを受けた領域
の管理が必要になる。ダイの大きさや個数を事前にキー
ボード２３より入力しておく。また、ウェーハ上のダイ
の位置とそのときのステージ１９との位置関係を合わせ
るため、ウェーハアライメントという作業をする。これ
は、ウェーハ上の２点の位置とそのときのステージ座標
を読み取ることにより、ウェーハ座標系とのアライメン
トをするものである。このアライメント作業は、通常低
加速電圧でやれば、試料にダメージを与えないで済む。
また、アライメント作業をするとき、自動で低加速電圧
に切り替えることにより、試料ダメージを防止すること
ができる。アライメント作業が終わると、ステージ座標
の値よりどのダイのどの位置に電子ビーム４を照射して
いるのかコンピュータ２１が判りモニタＣＲＴにどのダ
イがダメージを受けたか表示できる。When the sample is a semiconductor wafer, a plurality of dies are usually formed on one wafer as shown in FIG.
Even if the irradiation area of the electron beam 4 having a high acceleration voltage is only a part of the inside of a certain die, the die becomes a defective product. Therefore, it is necessary to manage the damaged area in die units. The size and the number of dies are input from the keyboard 23 in advance. Further, in order to match the positional relationship between the position of the die on the wafer and the stage 19 at that time, a work called wafer alignment is performed. This is to perform alignment with the wafer coordinate system by reading the positions of two points on the wafer and the stage coordinates at that time. If this alignment work is normally performed at a low acceleration voltage, the sample is not damaged.
Further, when performing the alignment work, the sample damage can be prevented by automatically switching to the low acceleration voltage. When the alignment work is completed, the computer 21 can know which position of which die is irradiated with the electron beam 4 from the value of the stage coordinates, and the monitor CRT can display which die has been damaged.
【００１５】また、予め高加速電圧でテストするダイが
決められている場合は、事前にそのダイを指定してお
く。該指定されたダイ以外のダイに上限を越える電子ビ
ーム４を照射しようとした場合、警告表示をモニタＣＲ
Ｔ２２に表示する。これにより誤ってテストするための
ダイ以外に高加速電圧の電子ビーム４を照射しなくてよ
い特長がある。If a die to be tested with a high acceleration voltage is determined in advance, the die is designated in advance. When an attempt is made to irradiate a die other than the designated die with the electron beam 4 exceeding the upper limit, a warning is displayed on the monitor CR.
Display at T22. This has the advantage that it is not necessary to irradiate the electron beam 4 with a high acceleration voltage except for the die for erroneous testing.
【００１６】また、同じ加速電圧でも、試料の材質によ
ってダメージを受ける領域が異なる場合は、試料ごとに
加速電圧に対するダメージの領域を設定できるようにす
る。本実施例では、電子ビーム４を試料８に照射するか
の制御は、引出電圧，加速電圧を印加するかどうかで決
まるが、電子ビーム４の通路に静電偏向板などを配置
し、電子ビームをオン／オフすることもできる。このよ
うにすれば、容易に電子ビームをオン／オフできる特長
がある。Further, even if the same accelerating voltage causes different regions to be damaged depending on the material of the sample, the region of damage to the accelerating voltage can be set for each sample. In this embodiment, the control of whether the sample 8 is irradiated with the electron beam 4 is determined by whether the extraction voltage or the acceleration voltage is applied. Can also be turned on / off. This has the advantage that the electron beam can be easily turned on / off.
【００１７】また、本実施例では、電界放出形の電子銃
を例にとって説明したが、その他の電子銃でも同等であ
る。Further, although the field emission type electron gun has been described as an example in the present embodiment, the same applies to other electron guns.
【００１８】[0018]
【発明の効果】本発明によれば、誤って試料にダメージ
を与えるような高加速の電子ビームを照射しないように
できるので、半導体素子の破壊を未然に防ぐ効果があ
る。警告表示しても、高加速の電子ビームで試料に照射
した場合、ダメージを受けた領域を容易に知ることがで
き、操作性を良くする効果がある。According to the present invention, it is possible to prevent irradiation of a high-acceleration electron beam that would accidentally damage a sample, so that the semiconductor element can be prevented from being destroyed. Even if a warning is displayed, when the sample is irradiated with a highly accelerated electron beam, the damaged region can be easily known, and the operability is improved.
【図１】本発明の一実施例のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of an embodiment of the present invention.
【図２】ウェーハ上のダイマップ図である。FIG. 2 is a die map diagram on a wafer.
４…電子ビーム、１４…偏向信号発生回路、１８…画像
表示用ＣＲＴ、２０…ステージ制御回路、２１…コンピ
ュータ、２２…モニタＣＲＴ、２３…キーボード。4 ... Electron beam, 14 ... Deflection signal generating circuit, 18 ... Image display CRT, 20 ... Stage control circuit, 21 ... Computer, 22 ... Monitor CRT, 23 ... Keyboard.
Claims (8)
り発生する二次電子，反射電子等の像信号を表示する手
段を有し、半導体ウェーハを観察する走査電子顕微鏡に
おいて、予め設定した電圧を越える加速電圧の電子ビー
ムを試料に照射しようとすると、操作する人に対して事
前に警告表示をすることを特徴とする走査電子顕微鏡。1. A scanning electron microscope for observing a semiconductor wafer, comprising a means for displaying an image signal of secondary electrons, reflected electrons, etc. generated from a sample by two-dimensionally scanning an electron beam. A scanning electron microscope characterized in that when a sample is irradiated with an electron beam having an acceleration voltage exceeding the specified voltage, a warning is displayed in advance to an operator.
り発生する二次電子，反射電子等の像信号を表示する手
段を有し、半導体ウェーハを観察する走査電子顕微鏡に
おいて、予め設定した電圧を越える加速電圧の電子ビー
ムを試料に照射した場合、半導体ウェーハ上の照射領域
を記憶し、記憶した該領域を表示できるようにしたこと
を特徴とする走査電子顕微鏡。2. A scanning electron microscope for observing a semiconductor wafer, comprising means for displaying an image signal of secondary electrons, reflected electrons, etc. generated from a sample by two-dimensionally scanning an electron beam. A scanning electron microscope characterized in that when a sample is irradiated with an electron beam having an acceleration voltage exceeding the above voltage, the irradiation area on the semiconductor wafer is stored and the stored area can be displayed.
ハ上の領域だけでなく照射した時間も記憶し、記憶した
該領域，該時間を表示できるようにしたことを特徴とす
る走査電子顕微鏡。3. A scanning electron microscope according to claim 2, wherein not only the area on the irradiated semiconductor wafer but also the irradiation time is stored, and the stored area and time can be displayed.
り発生する二次電子，反射電子等の像信号を表示する手
段を有し、半導体ウェーハを観察する走査電子顕微鏡に
おいて、加速電圧ごとに、該加速電圧の電子ビーム照射
に対して、ダメージを受ける領域を予め設定しておくこ
とができることを特徴とする走査電子顕微鏡。4. An accelerating voltage in a scanning electron microscope for observing a semiconductor wafer, comprising means for displaying an image signal of secondary electrons, reflected electrons, etc. generated from a sample by two-dimensionally scanning an electron beam. A scanning electron microscope characterized in that a region to be damaged can be set in advance for each electron beam irradiation of the acceleration voltage.
ージを受けた領域も同時に表示可能としたことを特徴と
する走査電子顕微鏡。5. A scanning electron microscope according to claim 2 or 3, wherein the damaged region of claim 4 can be displayed at the same time.
のダイがダメージを受けたかを表示可能としたことを特
徴とする走査電子顕微鏡。6. A scanning electron microscope according to claim 5, wherein which die on the semiconductor wafer has been damaged can be displayed.
り発生する二次電子，反射電子等の像信号を表示する手
段を有し、半導体ウェーハを観察する走査電子顕微鏡に
おいて、予め設定した電圧を越える加速電圧の電子ビー
ムを照射してよい半導体ウェーハ上の領域を予め設定で
き、該領域外に電子ビームを照射する場合のみ、請求項
１の警告表示をすることを特徴とする走査電子顕微鏡。7. A scanning electron microscope for observing a semiconductor wafer, comprising a means for displaying an image signal of secondary electrons, reflected electrons, etc. generated from a sample by two-dimensionally scanning an electron beam, and presetting. An area on the semiconductor wafer that may be irradiated with an electron beam having an acceleration voltage exceeding the specified voltage can be set in advance, and the warning display according to claim 1 is performed only when the area outside the area is irradiated with the electron beam. electronic microscope.
ウェーハ上の領域を請求項４のダメージを受ける領域で
設定できることを特徴とする走査電子顕微鏡。8. A scanning electron microscope according to claim 7, wherein a preset area on the semiconductor wafer can be set as a damaged area according to claim 4.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5094106A JPH06310074A (en) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | Scanning electron microscope |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5094106A JPH06310074A (en) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | Scanning electron microscope |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06310074A true JPH06310074A (en) | 1994-11-04 |
Family
ID=14101193
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5094106A Pending JPH06310074A (en) | 1993-04-21 | 1993-04-21 | Scanning electron microscope |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06310074A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5498849A (en) * | 1990-09-17 | 1996-03-12 | Hitachi, Ltd. | Structure of metal container having trunk pipe and branch pipe, and manufacturing method and apparatus therefor |
| US6348690B1 (en) | 1997-08-07 | 2002-02-19 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
-
1993
- 1993-04-21 JP JP5094106A patent/JPH06310074A/en active Pending
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