JPH06302912A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
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- JPH06302912A JPH06302912A JP776892A JP776892A JPH06302912A JP H06302912 A JPH06302912 A JP H06302912A JP 776892 A JP776892 A JP 776892A JP 776892 A JP776892 A JP 776892A JP H06302912 A JPH06302912 A JP H06302912A
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- semiconductor laser
- laser device
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- metal
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】金属製ブロック状のヒートシンクを金属ステム
に位置精度良く固定でき、またパッケージの放熱性を高
めることを目的とする。 【構成】鉄のような金属ステム６に貫通孔２０を形成
し、その貫通孔２０に金属ステム６の熱伝導率より高い
熱伝導率を有するブロック状の金属製ヒートシンク８を
嵌め込み、銀蝋で固定し、そのヒートシンク８の側面に
半導体レーザ素子７を装着した半導体レーザ装置１であ
る。 【効果】ヒートシンクの取付け位置精度を高めることが
でき、そして製造が容易になる。また、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗の低下し、金属ステムの裏側に
ヒートシンクが露出して、直接外部のヒートシンクに接
続できるため、放熱性の向上を計れる。
に位置精度良く固定でき、またパッケージの放熱性を高
めることを目的とする。 【構成】鉄のような金属ステム６に貫通孔２０を形成
し、その貫通孔２０に金属ステム６の熱伝導率より高い
熱伝導率を有するブロック状の金属製ヒートシンク８を
嵌め込み、銀蝋で固定し、そのヒートシンク８の側面に
半導体レーザ素子７を装着した半導体レーザ装置１であ
る。 【効果】ヒートシンクの取付け位置精度を高めることが
でき、そして製造が容易になる。また、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗の低下し、金属ステムの裏側に
ヒートシンクが露出して、直接外部のヒートシンクに接
続できるため、放熱性の向上を計れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置、
特に金属製ヒートシンクの金属ステムへの固定構造に関
するものである。
特に金属製ヒートシンクの金属ステムへの固定構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２及び図３を用いて、従来技術の半導
体レーザ装置を説明する。図２はその従来技術の半導体
レーザ装置の概略の構成を示した一部断面斜視図であ
り、図３は図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要
素の斜視図である。
体レーザ装置を説明する。図２はその従来技術の半導体
レーザ装置の概略の構成を示した一部断面斜視図であ
り、図３は図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要
素の斜視図である。
【０００３】先ず、図２を用いて、従来技術の半導体レ
ーザ装置の概略の構造を説明する。符号１は全体として
半導体レーザ装置を指す。この半導体レーザ装置１は、
通常、基体２と、この基体２に固着される、透明平板３
で構成された光透過用窓４を備えた筒状のキャップ５
と、前記基体２に装着された金属ステム６と、その表面
に固定され、側面に半導体レーザ素子７を装着したブロ
ック状の金属製のヒートシンク８と、この半導体レーザ
素子７の近傍で前記金属ステム６の表面に装着された受
光素子９と、前記半導体レーザ素子７用のリード端子１
０Ａ、前記受光素子９用のリード端子１０Ｂ及びグラン
ド用リード端子１０Ｃ等から構成されている。
ーザ装置の概略の構造を説明する。符号１は全体として
半導体レーザ装置を指す。この半導体レーザ装置１は、
通常、基体２と、この基体２に固着される、透明平板３
で構成された光透過用窓４を備えた筒状のキャップ５
と、前記基体２に装着された金属ステム６と、その表面
に固定され、側面に半導体レーザ素子７を装着したブロ
ック状の金属製のヒートシンク８と、この半導体レーザ
素子７の近傍で前記金属ステム６の表面に装着された受
光素子９と、前記半導体レーザ素子７用のリード端子１
０Ａ、前記受光素子９用のリード端子１０Ｂ及びグラン
ド用リード端子１０Ｃ等から構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体レー
ザ装置１では、ヒートシンクの材質は、通常、熱伝導率
の良い銅で構成され、金属ステムは、通常、鉄で構成さ
れている。半導体レーザ装置のパッケージの熱抵抗を下
げるためには、この金属ステムも含めた全体を銅で構成
した方が良いが、加工性、機械的精度、キャップとのハ
ーメチック性等に問題があり、ヒートシンクのみを銅で
構成している。従って、金属ステム６は銅よりも熱伝導
が劣る鉄製であるために、その熱抵抗を下げにくいとい
う欠点があった。
ザ装置１では、ヒートシンクの材質は、通常、熱伝導率
の良い銅で構成され、金属ステムは、通常、鉄で構成さ
れている。半導体レーザ装置のパッケージの熱抵抗を下
げるためには、この金属ステムも含めた全体を銅で構成
した方が良いが、加工性、機械的精度、キャップとのハ
ーメチック性等に問題があり、ヒートシンクのみを銅で
構成している。従って、金属ステム６は銅よりも熱伝導
が劣る鉄製であるために、その熱抵抗を下げにくいとい
う欠点があった。
【０００５】そしてこのようなヒートシンク８は、通
常、図３に示したように金属ステム６の平坦な表面１１
に銀蝋付けされているが、このような固定方法ではヒー
トシンク８の位置精度を出すことが難しい。この発明は
このような欠点を除去しようとするものである。
常、図３に示したように金属ステム６の平坦な表面１１
に銀蝋付けされているが、このような固定方法ではヒー
トシンク８の位置精度を出すことが難しい。この発明は
このような欠点を除去しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
金属ステムに貫通孔を形成し、その貫通孔にその金属ス
テムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の
金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、この金属製ヒ
ートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着する構造に
構成した。
金属ステムに貫通孔を形成し、その貫通孔にその金属ス
テムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の
金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、この金属製ヒ
ートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着する構造に
構成した。
【０００７】
【作用】従って、金属ステムに前記貫通孔を予め精度良
く開けておけば、ヒートシンクの位置精度を高めること
ができ、またヒートシンクが金属ステムの下面まで貫通
しているので高い放熱効果が得られる。
く開けておけば、ヒートシンクの位置精度を高めること
ができ、またヒートシンクが金属ステムの下面まで貫通
しているので高い放熱効果が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１を用いて説明
する。図１は図３に対応したこの発明の半導体レーザ装
置の一部構成要素の斜視図である。なお、図３に示した
半導体レーザ装置の一部構成要素と同一の部分には同一
の符号を付した。
する。図１は図３に対応したこの発明の半導体レーザ装
置の一部構成要素の斜視図である。なお、図３に示した
半導体レーザ装置の一部構成要素と同一の部分には同一
の符号を付した。
【０００９】図１において、この発明では、金属ステム
６の表面１１から裏面にまで貫通した貫通孔２０を開け
る。この貫通孔２０は位置精度良く開けることが肝要で
ある。またその開口部の大きさはヒートシンク８の輪郭
よりはやや大きい。このような貫通孔２０にヒートシン
ク８の下端部が金属ステム６の裏面と面一なるまでその
ヒートシンク８を嵌め込み、銀蝋付けで固定した。
６の表面１１から裏面にまで貫通した貫通孔２０を開け
る。この貫通孔２０は位置精度良く開けることが肝要で
ある。またその開口部の大きさはヒートシンク８の輪郭
よりはやや大きい。このような貫通孔２０にヒートシン
ク８の下端部が金属ステム６の裏面と面一なるまでその
ヒートシンク８を嵌め込み、銀蝋付けで固定した。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、金属ス
テムに前記貫通孔を予め精度良く開けておけば、ブロッ
ク状ヒートシンクの取付け位置精度を高めることがで
き、そして製造が容易にできる。また、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗も低下し、金属ステムの裏側に
ブロック状ヒートシンクが露出して、直接外部のヒート
シンクに接続できるため、放熱性の向上を計ることがで
きるという優れた効果がえられる。
テムに前記貫通孔を予め精度良く開けておけば、ブロッ
ク状ヒートシンクの取付け位置精度を高めることがで
き、そして製造が容易にできる。また、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗も低下し、金属ステムの裏側に
ブロック状ヒートシンクが露出して、直接外部のヒート
シンクに接続できるため、放熱性の向上を計ることがで
きるという優れた効果がえられる。
【図１】この発明の半導体レーザ装置の一部構造要素の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】従来技術の半導体レーザ装置の概略の構成を示
した一部断面斜視図である。
した一部断面斜視図である。
【図３】図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要素
の斜視図である。
の斜視図である。
１ 半導体レーザ装置 ２ 基体 ５ キャップ ６ 金属ステム ７ 半導体レーザ素子 ８ 金属製ヒートシンク ９ 受光素子 １１ 表面 ２０ 貫通孔
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成４年３月１３日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正内容】
【書類名】 明細書
【発明の名称】 半導体レーザ装置
【特許請求の範囲】
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザ装置、
特に金属製ヒートシンクの金属ステムへの固定構造に関
するものである。
特に金属製ヒートシンクの金属ステムへの固定構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２及び図３を用いて、従来技術の半導
体レーザ装置を説明する。図２はその従来技術の半導体
レーザ装置の概略の構成を示した一部断面斜視図であ
り、図３は図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要
素の斜視図である。
体レーザ装置を説明する。図２はその従来技術の半導体
レーザ装置の概略の構成を示した一部断面斜視図であ
り、図３は図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要
素の斜視図である。
【０００３】先ず、図２を用いて、従来技術の半導体レ
ーザ装置の概略の構造を説明する。符号１は全体として
半導体レーザ装置を指す。この半導体レーザ装置１は、
通常、基体２と、この基体２に固着される、透明平板３
で構成された光透過用窓４を備えた筒状のキャップ５
と、前記基体２に装着された金属ステム６と、その表面
に固定され、側面に半導体レーザ素子７を装着したブロ
ック状の金属製のヒートシンク８と、この半導体レーザ
素子７の近傍で前記金属ステム６の表面に装着された受
光素子９と、前記半導体レーザ素子７用のリード端子１
０Ａ、前記受光素子９用のリード端子１０Ｂ及びグラン
ド用リード端子１０Ｃ等から構成されている。
ーザ装置の概略の構造を説明する。符号１は全体として
半導体レーザ装置を指す。この半導体レーザ装置１は、
通常、基体２と、この基体２に固着される、透明平板３
で構成された光透過用窓４を備えた筒状のキャップ５
と、前記基体２に装着された金属ステム６と、その表面
に固定され、側面に半導体レーザ素子７を装着したブロ
ック状の金属製のヒートシンク８と、この半導体レーザ
素子７の近傍で前記金属ステム６の表面に装着された受
光素子９と、前記半導体レーザ素子７用のリード端子１
０Ａ、前記受光素子９用のリード端子１０Ｂ及びグラン
ド用リード端子１０Ｃ等から構成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような半導体レー
ザ装置１では、ヒートシンクの材質は、通常、熱伝導率
の良い銅で構成され、金属ステムは、通常、鉄で構成さ
れている。半導体レーザ装置のパッケージの熱抵抗を下
げるためには、この金属ステムも含めた全体を銅で構成
した方が良いが、加工性、機械的精度、キャップとのハ
ーメチック性等に問題があり、ヒートシンクのみを銅で
構成している。従って、金属ステム６は銅よりも熱伝導
が劣る鉄製であるために、その熱抵抗を下げにくいとい
う欠点があった。
ザ装置１では、ヒートシンクの材質は、通常、熱伝導率
の良い銅で構成され、金属ステムは、通常、鉄で構成さ
れている。半導体レーザ装置のパッケージの熱抵抗を下
げるためには、この金属ステムも含めた全体を銅で構成
した方が良いが、加工性、機械的精度、キャップとのハ
ーメチック性等に問題があり、ヒートシンクのみを銅で
構成している。従って、金属ステム６は銅よりも熱伝導
が劣る鉄製であるために、その熱抵抗を下げにくいとい
う欠点があった。
【０００５】そしてこのようなヒートシンク８は、通
常、図３に示したように金属ステム６の平坦な表面１１
に銀蝋付けされているが、このような固定方法ではヒー
トシンク８の位置精度を出すことが難しい。この発明は
このような欠点を除去しようとするものである。
常、図３に示したように金属ステム６の平坦な表面１１
に銀蝋付けされているが、このような固定方法ではヒー
トシンク８の位置精度を出すことが難しい。この発明は
このような欠点を除去しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】それ故、この発明では、
金属ステムに貫通孔を形成し、その貫通孔にその金属ス
テムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の
金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、この金属製ヒ
ートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着する構造に
構成した。
金属ステムに貫通孔を形成し、その貫通孔にその金属ス
テムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロック状の
金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、この金属製ヒ
ートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着する構造に
構成した。
【０００７】
【作用】従って、金属ステムに前記凹部または貫通孔を
予め精度良く開けておけば、ヒートシンク位置精度を高
めることができ、また凹部にヒートシンクを嵌め込むと
その嵌まり込んだヒートシンクのボリュームが大きい分
だけ熱抵抗を逓減することができ、更に貫通孔にヒート
シンクを嵌め込むとヒートシンクのボリュームを一層大
きくでき、しかもヒートシンクが金属ステムの下面まで
貫通しているので高い放熱効果が得られる。
予め精度良く開けておけば、ヒートシンク位置精度を高
めることができ、また凹部にヒートシンクを嵌め込むと
その嵌まり込んだヒートシンクのボリュームが大きい分
だけ熱抵抗を逓減することができ、更に貫通孔にヒート
シンクを嵌め込むとヒートシンクのボリュームを一層大
きくでき、しかもヒートシンクが金属ステムの下面まで
貫通しているので高い放熱効果が得られる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を図１を用いて説明
する。図１は図３に対応したこの発明の半導体レーザ装
置の一部構成要素の斜視図である。なお、図３に示した
半導体レーザ装置の一部構成要素と同一の部分には同一
の符号を付した。
する。図１は図３に対応したこの発明の半導体レーザ装
置の一部構成要素の斜視図である。なお、図３に示した
半導体レーザ装置の一部構成要素と同一の部分には同一
の符号を付した。
【０００９】図１において、この発明では、金属ステム
６の表面１１から裏面にまで貫通した貫通孔２０または
凹部を開ける。この実施例では貫通孔２０で図示し、説
明する。この貫通孔２０は位置精度良く開けることが肝
要である。またその開口部の大きさはヒートシンク８の
輪郭よりはやや大きい。このような貫通孔２０にヒート
シンク８の下端部が金属ステム６の裏面と面一なるまで
そのヒートシンク８を嵌め込み、金錫共晶半田のような
低融点半田で固定した。
６の表面１１から裏面にまで貫通した貫通孔２０または
凹部を開ける。この実施例では貫通孔２０で図示し、説
明する。この貫通孔２０は位置精度良く開けることが肝
要である。またその開口部の大きさはヒートシンク８の
輪郭よりはやや大きい。このような貫通孔２０にヒート
シンク８の下端部が金属ステム６の裏面と面一なるまで
そのヒートシンク８を嵌め込み、金錫共晶半田のような
低融点半田で固定した。
【００１０】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、金属ス
テムに前記凹部または貫通孔を予め精度良く開けておけ
ば、ブロック状ヒートシンクの取付け位置精度を高める
ことができ、そして製造が容易にできる。また、このヒ
ートシンクを金属ステムに固定する半田として金錫共晶
半田のような低融点半田を使用すると、低温で半田付け
できるので、ヒートシンクの熱膨張が少なく、一層精度
良く製造することができる。更にまた、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗も低下し、金属ステムの裏側に
ブロック状ヒートシンクが露出して、直接外部のヒート
シンクに接続できるため、放熱性の向上を計ることがで
きるという優れた効果がえられる。
テムに前記凹部または貫通孔を予め精度良く開けておけ
ば、ブロック状ヒートシンクの取付け位置精度を高める
ことができ、そして製造が容易にできる。また、このヒ
ートシンクを金属ステムに固定する半田として金錫共晶
半田のような低融点半田を使用すると、低温で半田付け
できるので、ヒートシンクの熱膨張が少なく、一層精度
良く製造することができる。更にまた、ヒートシンクの
ボリュームが金属ステムの厚み分大きく取れるので、パ
ッケージとしての熱抵抗も低下し、金属ステムの裏側に
ブロック状ヒートシンクが露出して、直接外部のヒート
シンクに接続できるため、放熱性の向上を計ることがで
きるという優れた効果がえられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の半導体レーザ装置の一部構造要素の
斜視図である。
斜視図である。
【図２】従来技術の半導体レーザ装置の概略の構成を示
した一部断面斜視図である。
した一部断面斜視図である。
【図３】図２に示した半導体レーザ装置の一部構造要素
の斜視図である。
の斜視図である。
【符号の説明】 １ 半導体レーザ装置 ２ 基体 ５ キャップ ６ 金属ステム ７ 半導体レーザ素子 ８ 金属製ヒートシンク ９ 受光素子 １１ 表面 ２０ 貫通孔
Claims (1)
- 【請求項１】金属ステムに貫通孔を形成し、該貫通孔に
該金属ステムの熱伝導率より高い熱伝導率を有するブロ
ック状の金属製ヒートシンクを嵌め込み、固定し、該金
属製ヒートシンクの側面に半導体レーザ素子を装着した
ことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP776892A JPH06302912A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP776892A JPH06302912A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302912A true JPH06302912A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=11674861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP776892A Pending JPH06302912A (ja) | 1992-01-20 | 1992-01-20 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302912A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100534201B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2005-12-07 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지용 스템 및 그 제조방법 |
| EP1626298A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | Agilent Technologies Inc. a Delaware Corporation | Opto-electronic housing and optical assembly |
| JP4609818B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| EP2621033A2 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| WO2017010026A1 (ja) * | 2015-07-16 | 2017-01-19 | 三菱電機株式会社 | レーザ光源モジュール |
| US9559489B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device |
| JP2017162965A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | フォトンリサーチ株式会社 | マルチ波長レーザ光源モジュール、合波器付きマルチ波長レーザ光源モジュール、及び半導体レーザ光源ユニットの冷却方法 |
| JP2020113695A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ |
-
1992
- 1992-01-20 JP JP776892A patent/JPH06302912A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4609818B2 (ja) * | 2000-03-31 | 2011-01-12 | 古河電気工業株式会社 | 半導体レーザモジュール |
| KR100534201B1 (ko) * | 2004-02-04 | 2005-12-07 | 주식회사 코스텍시스 | 반도체 레이저 다이오드 패키지용 스템 및 그 제조방법 |
| EP1626298A1 (en) * | 2004-08-09 | 2006-02-15 | Agilent Technologies Inc. a Delaware Corporation | Opto-electronic housing and optical assembly |
| US7246954B2 (en) | 2004-08-09 | 2007-07-24 | Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Ltd. Pte. | Opto-electronic housing and optical assembly |
| JP2013153092A (ja) * | 2012-01-26 | 2013-08-08 | Nichia Chem Ind Ltd | 半導体レーザ装置 |
| CN103227410A (zh) * | 2012-01-26 | 2013-07-31 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光装置 |
| EP2621033A2 (en) | 2012-01-26 | 2013-07-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| US9077138B2 (en) | 2012-01-26 | 2015-07-07 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| EP2621033A3 (en) * | 2012-01-26 | 2016-09-07 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device |
| CN108847571A (zh) * | 2012-01-26 | 2018-11-20 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光装置 |
| CN108847571B (zh) * | 2012-01-26 | 2021-03-19 | 日亚化学工业株式会社 | 半导体激光装置 |
| US9559489B2 (en) | 2014-12-26 | 2017-01-31 | Nichia Corporation | Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device |
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| JP2017162965A (ja) * | 2016-03-09 | 2017-09-14 | フォトンリサーチ株式会社 | マルチ波長レーザ光源モジュール、合波器付きマルチ波長レーザ光源モジュール、及び半導体レーザ光源ユニットの冷却方法 |
| JP2020113695A (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-27 | 新光電気工業株式会社 | 半導体パッケージ用ステム、半導体パッケージ |
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