JPH06302004A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH06302004A JPH06302004A JP5092985A JP9298593A JPH06302004A JP H06302004 A JPH06302004 A JP H06302004A JP 5092985 A JP5092985 A JP 5092985A JP 9298593 A JP9298593 A JP 9298593A JP H06302004 A JPH06302004 A JP H06302004A
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- semiconductor laser
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光ディスク等からの一次回折戻り光によるト
ラッキングエラー等を防止することのできる半導体レー
ザ装置を得る。 【構成】 半導体レーザ装置１０の出射側端面におい
て、一次回折戻り光を受ける部分に、表面の荒れた薄膜
１１を形成することを特徴としている。
ラッキングエラー等を防止することのできる半導体レー
ザ装置を得る。 【構成】 半導体レーザ装置１０の出射側端面におい
て、一次回折戻り光を受ける部分に、表面の荒れた薄膜
１１を形成することを特徴としている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体レーザ装置に関
するものであり、特に光ディスク等からの一次回折戻り
光を受けるＣＤ用レーザ等に適した半導体レーザ装置に
関するものである。
するものであり、特に光ディスク等からの一次回折戻り
光を受けるＣＤ用レーザ等に適した半導体レーザ装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】３ビーム方式の光ピックアップにおいて
は、３ビーム用のグレーティングの一次光がレーザの出
射側端面にあたり、光ピックアップの特性に悪影響を与
え、トラッキングエラーが生じるという問題があった。
このような一次光によるレーザの出射側端面での反射を
防止するため、一次光があたるレーザの出射側端面の部
分にカーボンブラック等を含有した黒色の樹脂を塗布す
る方法が採用されている。
は、３ビーム用のグレーティングの一次光がレーザの出
射側端面にあたり、光ピックアップの特性に悪影響を与
え、トラッキングエラーが生じるという問題があった。
このような一次光によるレーザの出射側端面での反射を
防止するため、一次光があたるレーザの出射側端面の部
分にカーボンブラック等を含有した黒色の樹脂を塗布す
る方法が採用されている。
【０００３】図６は、このような従来の方法を説明する
ための正面図である。半導体レーザ１は、サブマウンド
２の上に載せられており、半導体レーザ１の発光部１ａ
の下６０〜８０μｍの位置に、黒色塗料が塗布され黒色
樹脂部３が形成されている。このような黒色樹脂部３
は、半導体レーザ１の出射側端面において一次の回折光
を受ける部分をカバーするように形成されている。
ための正面図である。半導体レーザ１は、サブマウンド
２の上に載せられており、半導体レーザ１の発光部１ａ
の下６０〜８０μｍの位置に、黒色塗料が塗布され黒色
樹脂部３が形成されている。このような黒色樹脂部３
は、半導体レーザ１の出射側端面において一次の回折光
を受ける部分をカバーするように形成されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな黒色樹脂の塗布は、単体の半導体レーザごとに行う
必要があり、通常半導体レーザをサブマウンド等の上に
取り付けた後に溶剤を含んだ黒色樹脂を塗布しこれを乾
燥させることによって形成している。このため、量産性
に乏しく、作業が煩雑であるという問題があった。
うな黒色樹脂の塗布は、単体の半導体レーザごとに行う
必要があり、通常半導体レーザをサブマウンド等の上に
取り付けた後に溶剤を含んだ黒色樹脂を塗布しこれを乾
燥させることによって形成している。このため、量産性
に乏しく、作業が煩雑であるという問題があった。
【０００５】さらに、出射側端面において一次光を受け
る部分は、通常、上述のように発光部の下のおよそ６０
〜８０μｍの位置であるが、場合によっては黒色樹脂が
発光部の上に塗布されたり、あるいは一次光を受ける部
分に塗布されなかったりする場合も生じ得る。従って、
このような黒色樹脂の塗布は、不良品を生じやすいとい
う問題もあった。
る部分は、通常、上述のように発光部の下のおよそ６０
〜８０μｍの位置であるが、場合によっては黒色樹脂が
発光部の上に塗布されたり、あるいは一次光を受ける部
分に塗布されなかったりする場合も生じ得る。従って、
このような黒色樹脂の塗布は、不良品を生じやすいとい
う問題もあった。
【０００６】本発明の目的は、このような従来の問題点
を解消し、簡易な作業工程でかつ確実に一次回折戻り光
によるトラッキングエラーを防止することのできる半導
体レーザ装置を提供することにある。
を解消し、簡易な作業工程でかつ確実に一次回折戻り光
によるトラッキングエラーを防止することのできる半導
体レーザ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体レーザ装
置は、一次回折戻り光を受ける出射側端面の部分に、表
面の荒れた薄膜が形成されていることを特徴としてい
る。
置は、一次回折戻り光を受ける出射側端面の部分に、表
面の荒れた薄膜が形成されていることを特徴としてい
る。
【０００８】表面の荒れた薄膜を形成する方法として
は、荒れた表面を与える所定の条件下でスパッタリング
により薄膜を形成する方法や、あるいは逆スパッタリン
グ（スパッタエッチング）等のドライエッチングによ
り、すでに形成された薄膜の表面を荒らす方法等を挙げ
ることができる。また、その他の方法により表面の荒れ
た薄膜を形成してもよい。
は、荒れた表面を与える所定の条件下でスパッタリング
により薄膜を形成する方法や、あるいは逆スパッタリン
グ（スパッタエッチング）等のドライエッチングによ
り、すでに形成された薄膜の表面を荒らす方法等を挙げ
ることができる。また、その他の方法により表面の荒れ
た薄膜を形成してもよい。
【０００９】
【作用】本発明に従う半導体レーザ装置は、出射側端面
の一次回折戻り光を受ける部分に、表面の荒れた薄膜を
形成したことを特徴としている。従って、例えばマスク
等の遮蔽部材によって出射側端面の発光部を覆い、表面
の荒れた薄膜を形成することにより、出射側端面の所定
の位置に精度良く表面の荒れた薄膜を形成することがで
きる。
の一次回折戻り光を受ける部分に、表面の荒れた薄膜を
形成したことを特徴としている。従って、例えばマスク
等の遮蔽部材によって出射側端面の発光部を覆い、表面
の荒れた薄膜を形成することにより、出射側端面の所定
の位置に精度良く表面の荒れた薄膜を形成することがで
きる。
【００１０】また出射側端面に薄膜を形成する方法であ
るため、例えばマトリックス状に複数の半導体レーザ素
子部が構成されたマザーをへき開してバーにした後、こ
のバーの状態で複数並べられた半導体レーザ装置に薄膜
を形成し、複数の半導体レーザ装置に対し同時に表面の
荒れた薄膜を形成することができる。また、一般に半導
体レーザ装置の製造工程においては、バーにへき開した
後、端面にＡｌ2 Ｏ3等からなる反射率調整層を形成し
ている。従って、このような工程の際に本発明に従う表
面の荒れた薄膜を形成することにより、従来の製造工程
の中で表面の荒れた薄膜を出射側端面に形成させること
が可能である。
るため、例えばマトリックス状に複数の半導体レーザ素
子部が構成されたマザーをへき開してバーにした後、こ
のバーの状態で複数並べられた半導体レーザ装置に薄膜
を形成し、複数の半導体レーザ装置に対し同時に表面の
荒れた薄膜を形成することができる。また、一般に半導
体レーザ装置の製造工程においては、バーにへき開した
後、端面にＡｌ2 Ｏ3等からなる反射率調整層を形成し
ている。従って、このような工程の際に本発明に従う表
面の荒れた薄膜を形成することにより、従来の製造工程
の中で表面の荒れた薄膜を出射側端面に形成させること
が可能である。
【００１１】
【実施例】図１は、本発明に従う半導体レーザ装置の一
実施例を示す正面図である。図１は、半導体レーザ装置
１０の出射側端面を示しており、発光部１０ａより下方
の所定の領域に表面の荒れた薄膜１１が形成されてい
る。この薄膜１１は、一次の回折戻り光を受ける部分を
カバーするように形成され、一般には、発光部１０ａの
下５０μｍより下方の部分を覆うように形成される。
実施例を示す正面図である。図１は、半導体レーザ装置
１０の出射側端面を示しており、発光部１０ａより下方
の所定の領域に表面の荒れた薄膜１１が形成されてい
る。この薄膜１１は、一次の回折戻り光を受ける部分を
カバーするように形成され、一般には、発光部１０ａの
下５０μｍより下方の部分を覆うように形成される。
【００１２】本発明において、表面の荒れた薄膜の形成
方法は、凹凸の表面を有するの薄膜を形成し得る方法で
あれば、特に限定されるものではないが、例えば、スパ
ッタリング法や逆スパッタリング法により形成すること
ができる。また薄膜の材質は、特に限定されるものでは
なく、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＭｇＦ2、ＴｉＯ
2等の誘電体光学薄膜等から形成することができる。半
導体レーザの出射側端面上に形成する反射率調整層の形
成工程において本発明の表面の荒れた薄膜を形成する場
合には、反射率調整層と同じ材質であることが好まし
い。一般には、反射率調整層としてＡｌ2 Ｏ3 が用いら
れているので、本発明における表面の荒れた薄膜の材質
としても、Ａｌ2 Ｏ3 が好ましい。 図２は、半導体レ
ーザの出射側端面上の反射率調整層の上に表面の荒れた
薄膜を形成した状態を示す断面図である。図２を参照し
て、半導体レーザ２０の出射側端面上には、Ａｌ2 Ｏ3
からなる反射率調整層２１が形成されている。この反射
率調整層２１は、Ａｌ又はＡｌ2 Ｏ3 をターゲット材と
してスパッタリング法により、下記の条件で膜厚０．１
〜０．３μｍとなるように形成されている。
方法は、凹凸の表面を有するの薄膜を形成し得る方法で
あれば、特に限定されるものではないが、例えば、スパ
ッタリング法や逆スパッタリング法により形成すること
ができる。また薄膜の材質は、特に限定されるものでは
なく、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、ＭｇＦ2、ＴｉＯ
2等の誘電体光学薄膜等から形成することができる。半
導体レーザの出射側端面上に形成する反射率調整層の形
成工程において本発明の表面の荒れた薄膜を形成する場
合には、反射率調整層と同じ材質であることが好まし
い。一般には、反射率調整層としてＡｌ2 Ｏ3 が用いら
れているので、本発明における表面の荒れた薄膜の材質
としても、Ａｌ2 Ｏ3 が好ましい。 図２は、半導体レ
ーザの出射側端面上の反射率調整層の上に表面の荒れた
薄膜を形成した状態を示す断面図である。図２を参照し
て、半導体レーザ２０の出射側端面上には、Ａｌ2 Ｏ3
からなる反射率調整層２１が形成されている。この反射
率調整層２１は、Ａｌ又はＡｌ2 Ｏ3 をターゲット材と
してスパッタリング法により、下記の条件で膜厚０．１
〜０．３μｍとなるように形成されている。
【００１３】スパッタリング雰囲気圧力（Ａｒガス雰囲
気中）：２×１０-2〜３×１０-2Ｔｏｒｒ 膜付着速度：１００Å／分 基板温度：１００〜１５０℃ 反射率調整層２１の上には、発光部２０ａから所定の距
離隔てた位置に表面の荒れた薄膜２２（膜厚１μｍ）が
形成されている。この薄膜２２は、反射率調整層２１の
略中央から下方を覆うように形成されている。この薄膜
２２も、ターゲット材としてＡｌ又はＡｌ2 Ｏ3 を用い
てスパッタリング法により形成されている。なお、この
スパッタリングの際、発光部２０ａの部分に薄膜２２が
形成されないように、発光部２０ａ近傍を含む端面の上
方部分をマスクで覆い薄膜２２を形成している。なお、
この薄膜２２の形成条件は、表面に凹凸が形成される薄
膜形成条件であり、下記に示す条件である。
気中）：２×１０-2〜３×１０-2Ｔｏｒｒ 膜付着速度：１００Å／分 基板温度：１００〜１５０℃ 反射率調整層２１の上には、発光部２０ａから所定の距
離隔てた位置に表面の荒れた薄膜２２（膜厚１μｍ）が
形成されている。この薄膜２２は、反射率調整層２１の
略中央から下方を覆うように形成されている。この薄膜
２２も、ターゲット材としてＡｌ又はＡｌ2 Ｏ3 を用い
てスパッタリング法により形成されている。なお、この
スパッタリングの際、発光部２０ａの部分に薄膜２２が
形成されないように、発光部２０ａ近傍を含む端面の上
方部分をマスクで覆い薄膜２２を形成している。なお、
この薄膜２２の形成条件は、表面に凹凸が形成される薄
膜形成条件であり、下記に示す条件である。
【００１４】スパッタリング雰囲気圧力（Ａｒガス雰囲
気中）：２×１０-3Ｔｏｒｒ 膜付着速度：５００Å／分 基板温度：２００℃ Ｎ2 （不純物として）：１×１０-3Ｔｏｒｒリットル／
秒 以上の条件でスパッタリングすることにより、表面の荒
れたＡｌ2 Ｏ3 の薄膜２２を形成している。
気中）：２×１０-3Ｔｏｒｒ 膜付着速度：５００Å／分 基板温度：２００℃ Ｎ2 （不純物として）：１×１０-3Ｔｏｒｒリットル／
秒 以上の条件でスパッタリングすることにより、表面の荒
れたＡｌ2 Ｏ3 の薄膜２２を形成している。
【００１５】図３は、半導体レーザの出射側端面上に形
成した反射率調整層を部分的に逆スパッタリングするこ
とにより、表面の荒れた薄膜を形成した他の実施例を示
す断面図である。図３を参照して、半導体レーザ３０の
出射側端面上に反射率調整層３１が形成されている。こ
の反射率調整層３１は、上記図２に示す反射率調整層２
１と同様の条件で形成することができる。
成した反射率調整層を部分的に逆スパッタリングするこ
とにより、表面の荒れた薄膜を形成した他の実施例を示
す断面図である。図３を参照して、半導体レーザ３０の
出射側端面上に反射率調整層３１が形成されている。こ
の反射率調整層３１は、上記図２に示す反射率調整層２
１と同様の条件で形成することができる。
【００１６】次に、発光部３０ａ近傍の上方部分をマス
ク等で覆い、以下の条件で逆スパッタリングし、凹凸面
３１ａを形成する。逆スパッタリングの条件は、下記の
通りである。
ク等で覆い、以下の条件で逆スパッタリングし、凹凸面
３１ａを形成する。逆スパッタリングの条件は、下記の
通りである。
【００１７】スパッタリング雰囲気圧力（Ａｒガス雰囲
気中）：１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ スパッタリング速度：数十Å／分 到達深さ：数百Å なお、この逆スパッタリングにより薄膜に凹凸面を形成
する際には、レーザ素子を痛めないように、かなり低速
度でスパッタリングを行うことが好ましい。
気中）：１０-2〜１０-3Ｔｏｒｒ スパッタリング速度：数十Å／分 到達深さ：数百Å なお、この逆スパッタリングにより薄膜に凹凸面を形成
する際には、レーザ素子を痛めないように、かなり低速
度でスパッタリングを行うことが好ましい。
【００１８】本発明に従う半導体レーザ装置は、上述の
ように、複数のレーザ素子部が構成されているマザーを
へき開した後のバーの状態で表面の荒れた薄膜を形成す
ることができる。図４は、このようなバーの状態で表面
の荒れた薄膜を形成する方法の一例を説明するための断
面図である。バーの状態にへき開した後、例えばスパッ
タリング法により半導体レーザの端面に、例えばＡｌ2
Ｏ3 からなる反射率調整層を形成し、次に、図４に示す
ように、半導体レーザのバー４０の出射側端面４１の約
半分を覆うような治具４２を用いて固定する。
ように、複数のレーザ素子部が構成されているマザーを
へき開した後のバーの状態で表面の荒れた薄膜を形成す
ることができる。図４は、このようなバーの状態で表面
の荒れた薄膜を形成する方法の一例を説明するための断
面図である。バーの状態にへき開した後、例えばスパッ
タリング法により半導体レーザの端面に、例えばＡｌ2
Ｏ3 からなる反射率調整層を形成し、次に、図４に示す
ように、半導体レーザのバー４０の出射側端面４１の約
半分を覆うような治具４２を用いて固定する。
【００１９】図５は、このような治具で固定された状態
の半導体レーザのバーを示す平面図である。図５を参照
して、出射側端面４１の発光部４０ａの部分が治具４２
によって覆われており、発光部を含む領域以外の部分が
露出された状態になっている。この露出された領域に、
図２を参照して説明したスパッタリング法、あるいは図
３を参照して説明した逆スパッタリング法等により、表
面の荒れた薄膜を形成することができる。このような薄
膜を形成する際、反射率を測定しながら形成することも
可能であり、反射率が所定の値に達するまでこのような
方法で薄膜を形成することができる。
の半導体レーザのバーを示す平面図である。図５を参照
して、出射側端面４１の発光部４０ａの部分が治具４２
によって覆われており、発光部を含む領域以外の部分が
露出された状態になっている。この露出された領域に、
図２を参照して説明したスパッタリング法、あるいは図
３を参照して説明した逆スパッタリング法等により、表
面の荒れた薄膜を形成することができる。このような薄
膜を形成する際、反射率を測定しながら形成することも
可能であり、反射率が所定の値に達するまでこのような
方法で薄膜を形成することができる。
【００２０】以上のように、本発明に従う半導体レーザ
装置は、へき開したバーの状態で複数の半導体レーザ装
置に対して一度に表面の荒れた薄膜を形成させることが
できる。従って、本発明に従う半導体レーザ装置は、生
産性良く製造することができる。
装置は、へき開したバーの状態で複数の半導体レーザ装
置に対して一度に表面の荒れた薄膜を形成させることが
できる。従って、本発明に従う半導体レーザ装置は、生
産性良く製造することができる。
【００２１】また、上述のようにマスクや治具等を用い
て所定の位置に表面の荒れた薄膜を精度良く形成するこ
とができるので、確実に一次回折戻り光によるトラッキ
ングエラーを防止することができる。
て所定の位置に表面の荒れた薄膜を精度良く形成するこ
とができるので、確実に一次回折戻り光によるトラッキ
ングエラーを防止することができる。
【００２２】なお、上記実施例では、治具によって半導
体レーザの出射側端面を覆っているが、本発明の製造方
法はこれに限定されるものではなく、その他の方法によ
り所定の領域に表面の荒れた薄膜を形成させることがで
きる。
体レーザの出射側端面を覆っているが、本発明の製造方
法はこれに限定されるものではなく、その他の方法によ
り所定の領域に表面の荒れた薄膜を形成させることがで
きる。
【００２３】また、すでに形成された薄膜の表面を荒ら
す方法としては、ＲＩＥ（反応性イオンビームエッチン
グ）等のドライエッチングを採用してもよい。
す方法としては、ＲＩＥ（反応性イオンビームエッチン
グ）等のドライエッチングを採用してもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明に従えば、半導体レーザ装置の出
射側端面の一次回折戻り光を受ける部分に表面の荒れた
薄膜が形成される。この薄膜により、半導体レーザ素子
の端面に戻ってきた一次回折戻り光を乱反射させ、反射
率を小さくすることによって、一次回折戻り光によるト
ラッキングエラー等を防止することができる。
射側端面の一次回折戻り光を受ける部分に表面の荒れた
薄膜が形成される。この薄膜により、半導体レーザ素子
の端面に戻ってきた一次回折戻り光を乱反射させ、反射
率を小さくすることによって、一次回折戻り光によるト
ラッキングエラー等を防止することができる。
【００２５】本発明は、薄膜形成による方法であるの
で、例えば、複数の半導体レーザ素子部が並んだバーの
状態で各レーザ素子部の出射側端面に表面の荒れた薄膜
を形成することができ、生産性良く製造することができ
る。また薄膜形成によるものであるため、半導体レーザ
の出射側端面に反射率調整層を形成する工程において、
表面の荒れた薄膜を形成することができ、所定の位置に
精度良く薄膜を形成し、かつ生産性良く製造することが
できる。
で、例えば、複数の半導体レーザ素子部が並んだバーの
状態で各レーザ素子部の出射側端面に表面の荒れた薄膜
を形成することができ、生産性良く製造することができ
る。また薄膜形成によるものであるため、半導体レーザ
の出射側端面に反射率調整層を形成する工程において、
表面の荒れた薄膜を形成することができ、所定の位置に
精度良く薄膜を形成し、かつ生産性良く製造することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従う一実施例の出射側端面を示す正面
図。
図。
【図２】本発明に従う一実施例における出射側端面を示
す断面図。
す断面図。
【図３】本発明に従う他の実施例の出射側端面を示す断
面図。
面図。
【図４】本発明に従う半導体レーザ装置を製造する工程
であって、出射側端面にスパッタリング又は逆スパッタ
リングにより表面の荒れた薄膜を形成する工程を示す断
面図。
であって、出射側端面にスパッタリング又は逆スパッタ
リングにより表面の荒れた薄膜を形成する工程を示す断
面図。
【図５】図４に示す状態における半導体レーザ装置のバ
ーを示す正面図。
ーを示す正面図。
【図６】従来の半導体レーザ装置を示す正面図。
１０，２０，３０，４０…半導体レーザ装置 １１…表面の荒れた薄膜 ２１，３１…反射率調整層 ２２…表面の荒れたＡｌ2 Ｏ3 薄膜 ３１ａ…凹凸面部 ４２…治具 １０ａ，２０ａ，３０ａ，４０ａ…発光部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 靖之 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 一次回折戻り光を受ける出射側端面の部
分に、表面の荒れた薄膜が形成されていることを特徴と
する、半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092985A JPH06302004A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5092985A JPH06302004A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06302004A true JPH06302004A (ja) | 1994-10-28 |
Family
ID=14069677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5092985A Pending JPH06302004A (ja) | 1993-04-20 | 1993-04-20 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06302004A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| JP2002100830A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系発光素子 |
| US6678298B2 (en) | 2000-05-19 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser chip and optical pickup using the same |
| JP2005136080A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ピックアップ素子 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-20 JP JP5092985A patent/JPH06302004A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000133871A (ja) * | 1998-10-27 | 2000-05-12 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| US6678298B2 (en) | 2000-05-19 | 2004-01-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser chip and optical pickup using the same |
| JP2002100830A (ja) * | 2000-07-18 | 2002-04-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化ガリウム系発光素子 |
| JP2005136080A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子、その製造方法及び光ピックアップ素子 |
| JP2016189391A (ja) * | 2015-03-30 | 2016-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子の製造方法 |
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