JPH0629411A - 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法Info
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- JPH0629411A JPH0629411A JP18063392A JP18063392A JPH0629411A JP H0629411 A JPH0629411 A JP H0629411A JP 18063392 A JP18063392 A JP 18063392A JP 18063392 A JP18063392 A JP 18063392A JP H0629411 A JPH0629411 A JP H0629411A
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- Japan
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- semiconductor substrate
- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体装置の配線層を形成する絶縁膜の脱ガ
ス装置及び脱ガス方法の改良に関し、個々の半導体基板
の脱ガス処理中の脱ガスチャンバ内の室内圧の変動率を
検知し、この変動率の極小時点で脱ガスを完了させるこ
とにより、個々の半導体基板の表面の吸着ガスのみを正
確に脱ガスすることが可能となる半導体装置の製造装置
及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 真空ポンプ及び真空計と接続され、半導体基
板を載置する載物台を備えた脱ガスチャンバが加熱手段
を具備し、この半導体基板の絶縁膜のガスを放出させる
脱ガス装置を用いて脱ガスを行い、この真空計により検
知した脱ガスチャンバの室内圧によりこの真空ポンプを
制御し、この半導体基板の表面から放出されるガスの脱
ガス終了時点で脱ガスを終了するように構成する。
ス装置及び脱ガス方法の改良に関し、個々の半導体基板
の脱ガス処理中の脱ガスチャンバ内の室内圧の変動率を
検知し、この変動率の極小時点で脱ガスを完了させるこ
とにより、個々の半導体基板の表面の吸着ガスのみを正
確に脱ガスすることが可能となる半導体装置の製造装置
及び半導体装置の製造方法の提供を目的とする。 【構成】 真空ポンプ及び真空計と接続され、半導体基
板を載置する載物台を備えた脱ガスチャンバが加熱手段
を具備し、この半導体基板の絶縁膜のガスを放出させる
脱ガス装置を用いて脱ガスを行い、この真空計により検
知した脱ガスチャンバの室内圧によりこの真空ポンプを
制御し、この半導体基板の表面から放出されるガスの脱
ガス終了時点で脱ガスを終了するように構成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の配線層を
形成する絶縁膜の脱ガス装置及び脱ガス方法の改良に関
するものである。
形成する絶縁膜の脱ガス装置及び脱ガス方法の改良に関
するものである。
【０００２】近年、絶縁膜の成膜工程の低温化に伴い、
絶縁膜の密度が低下しているので水分の吸着や、絶縁膜
原料の成分の残留が起こり易くなっている。このため、
配線層の成膜工程において下地の絶縁膜から発生するガ
スが、配線層と絶縁膜との接触不良や、配線層のコンタ
クト抵抗不良などの原因になっている。
絶縁膜の密度が低下しているので水分の吸着や、絶縁膜
原料の成分の残留が起こり易くなっている。このため、
配線層の成膜工程において下地の絶縁膜から発生するガ
スが、配線層と絶縁膜との接触不良や、配線層のコンタ
クト抵抗不良などの原因になっている。
【０００３】以上のような状況から、配線層の下地の絶
縁膜からの脱ガス処理を行うことが可能となる脱ガス装
置及び方法が要望されている。
縁膜からの脱ガス処理を行うことが可能となる脱ガス装
置及び方法が要望されている。
【０００４】
【従来の技術】従来の載置台に内蔵されているヒーター
と外部から供給するアシストガスにより半導体基板を加
熱する脱ガス装置及び脱ガス方法について図６により詳
細に説明する。
と外部から供給するアシストガスにより半導体基板を加
熱する脱ガス装置及び脱ガス方法について図６により詳
細に説明する。
【０００５】図６は従来の脱ガス装置の概略構造を示す
図である。図６に示すように、従来の脱ガス装置の脱ガ
スチャンバ26は真空ポンプ28及び真空計29と接続され、
半導体基板30を載置する載物台27を備えている。
図である。図６に示すように、従来の脱ガス装置の脱ガ
スチャンバ26は真空ポンプ28及び真空計29と接続され、
半導体基板30を載置する載物台27を備えている。
【０００６】この載物台27は内蔵するヒーター27a及び
この載物台27を貫通するガス流路27bを通して外部から
供給されるアシストガスにより加熱されており、その温
度は載置する半導体基板30の絶縁膜の表面に吸着されて
いるガスを放出する温度に設定している。
この載物台27を貫通するガス流路27bを通して外部から
供給されるアシストガスにより加熱されており、その温
度は載置する半導体基板30の絶縁膜の表面に吸着されて
いるガスを放出する温度に設定している。
【０００７】この設定温度は標準的な半導体基板30に対
応した温度に設定されており、いずれの半導体基板も標
準的な処理時間で処理を行っている。
応した温度に設定されており、いずれの半導体基板も標
準的な処理時間で処理を行っている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体装置の製造装置を用いる半導体装置の製造方法にお
いては、標準的な半導体基板に対応した設定温度におい
て、いずれの半導体基板も標準的な処理時間で処理を行
っているので、半導体基板の表面の脱ガスが充分に行わ
れないという問題点があり、逆に過度に脱ガスが行われ
て半導体基板の絶縁膜の内部に含まれているガスまでが
放出されると、その後脱ガス装置から他の装置に移動す
る間に絶縁膜の内部に有害なガスが吸着されるという問
題点があった。
導体装置の製造装置を用いる半導体装置の製造方法にお
いては、標準的な半導体基板に対応した設定温度におい
て、いずれの半導体基板も標準的な処理時間で処理を行
っているので、半導体基板の表面の脱ガスが充分に行わ
れないという問題点があり、逆に過度に脱ガスが行われ
て半導体基板の絶縁膜の内部に含まれているガスまでが
放出されると、その後脱ガス装置から他の装置に移動す
る間に絶縁膜の内部に有害なガスが吸着されるという問
題点があった。
【０００９】本発明は以上のような状況から、個々の半
導体基板の脱ガス処理中の脱ガスチャンバ内の室内圧の
変動率を検知し、この変動率の極小時点で脱ガスを完了
させることにより、個々の半導体基板の表面の吸着ガス
のみを正確に脱ガスすることが可能となる半導体装置の
製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とした
ものである。
導体基板の脱ガス処理中の脱ガスチャンバ内の室内圧の
変動率を検知し、この変動率の極小時点で脱ガスを完了
させることにより、個々の半導体基板の表面の吸着ガス
のみを正確に脱ガスすることが可能となる半導体装置の
製造装置及び半導体装置の製造方法の提供を目的とした
ものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置の製
造装置の脱ガス装置は、真空ポンプ及び脱ガスチャンバ
の室内圧を測定する計器と接続された脱ガスチャンバ
が、半導体基板を載置する載物台を備えており、この脱
ガスチャンバの壁面或いは載物台に半導体基板を加熱す
る手段を具備するように構成する。
造装置の脱ガス装置は、真空ポンプ及び脱ガスチャンバ
の室内圧を測定する計器と接続された脱ガスチャンバ
が、半導体基板を載置する載物台を備えており、この脱
ガスチャンバの壁面或いは載物台に半導体基板を加熱す
る手段を具備するように構成する。
【００１１】
【作用】即ち本発明においては、脱ガスチャンバに真空
ポンプ及び脱ガスチャンバの室内圧を測定する計器を接
続し、この脱ガスチャンバ内に半導体基板を載置する載
物台を備えており、この脱ガスチャンバの壁面或いは載
物台に半導体基板を加熱する手段を具備しているので、
この加熱手段が脱ガスチャンバの壁面に設けた赤外線ラ
ンプの場合には、図５(a) に示すように赤外線ランプに
パワーを供給して半導体基板を加熱すると、半導体基板
の温度は図５(b) に示すように上昇し、設定温度に達す
ると赤外線ランプのパワーを低下させて設定温度に半導
体基板の温度を保持している。
ポンプ及び脱ガスチャンバの室内圧を測定する計器を接
続し、この脱ガスチャンバ内に半導体基板を載置する載
物台を備えており、この脱ガスチャンバの壁面或いは載
物台に半導体基板を加熱する手段を具備しているので、
この加熱手段が脱ガスチャンバの壁面に設けた赤外線ラ
ンプの場合には、図５(a) に示すように赤外線ランプに
パワーを供給して半導体基板を加熱すると、半導体基板
の温度は図５(b) に示すように上昇し、設定温度に達す
ると赤外線ランプのパワーを低下させて設定温度に半導
体基板の温度を保持している。
【００１２】この半導体基板の温度上昇過程において
は、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが
放出されるので、図４(a) に示すように脱ガスチャンバ
の室内圧が急激に増加するが、半導体基板の温度が設定
温度に到達する時点では、放出されるガス量よりも真空
ポンプの排気量の方が大きくなり室内圧は低下する。
は、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが
放出されるので、図４(a) に示すように脱ガスチャンバ
の室内圧が急激に増加するが、半導体基板の温度が設定
温度に到達する時点では、放出されるガス量よりも真空
ポンプの排気量の方が大きくなり室内圧は低下する。
【００１３】一方、半導体基板の酸化膜の内部に吸着さ
れていたガスは、徐々に放出され脱ガスチャンバの室内
圧を図４(b) に示すように高めてゆくようになる。した
がって室内圧は図４(a) 及び図４(b) を重ね合わせた図
４(c) に示すようになるから、この曲線がほぼ水平にな
る状態、即ち、室内圧の変動率がゼロからプラスに変化
する時点で脱ガス工程を終了させれば、半導体基板の酸
化膜の表面に吸着されていたガスがほぼ完全に放出さ
れ、酸化膜の内部に吸着されていたガスは放出しないよ
うにすることが可能となる。
れていたガスは、徐々に放出され脱ガスチャンバの室内
圧を図４(b) に示すように高めてゆくようになる。した
がって室内圧は図４(a) 及び図４(b) を重ね合わせた図
４(c) に示すようになるから、この曲線がほぼ水平にな
る状態、即ち、室内圧の変動率がゼロからプラスに変化
する時点で脱ガス工程を終了させれば、半導体基板の酸
化膜の表面に吸着されていたガスがほぼ完全に放出さ
れ、酸化膜の内部に吸着されていたガスは放出しないよ
うにすることが可能となる。
【００１４】
【実施例】以下図１〜図３及び図５により本発明の一実
施例について詳細に説明する。図１は本発明による一実
施例の半導体装置の製造装置の概略構成を示す図、図２
は本発明による一実施例の半導体装置の製造装置の第１
の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、図３は本発
明による一実施例の半導体装置の製造装置の第２の実施
例の脱ガス装置の概略構造を示す図、図５は本発明によ
る一実施例の半導体装置の製造方法を示すタイムチャー
トである。
施例について詳細に説明する。図１は本発明による一実
施例の半導体装置の製造装置の概略構成を示す図、図２
は本発明による一実施例の半導体装置の製造装置の第１
の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、図３は本発
明による一実施例の半導体装置の製造装置の第２の実施
例の脱ガス装置の概略構造を示す図、図５は本発明によ
る一実施例の半導体装置の製造方法を示すタイムチャー
トである。
【００１５】図１に示すように、本発明による一実施例
の半導体装置の製造装置は、半導体基板の絶縁膜の脱ガ
ス処理を行う脱ガス装置１と、この半導体基板のスパッ
タ処理を行うスパッタ装置２と、この半導体基板30のエ
ッチング処理を行うエッチング装置３と、この半導体基
板30を真空雰囲気内に収容するロードロック室４とをこ
の半導体基板の搬送機構を真空雰囲気内に収容する搬送
機構室５の周囲に、それぞれ複数のゲートバルブ1a,2a,
3a,4a を介して設けている。
の半導体装置の製造装置は、半導体基板の絶縁膜の脱ガ
ス処理を行う脱ガス装置１と、この半導体基板のスパッ
タ処理を行うスパッタ装置２と、この半導体基板30のエ
ッチング処理を行うエッチング装置３と、この半導体基
板30を真空雰囲気内に収容するロードロック室４とをこ
の半導体基板の搬送機構を真空雰囲気内に収容する搬送
機構室５の周囲に、それぞれ複数のゲートバルブ1a,2a,
3a,4a を介して設けている。
【００１６】本発明による第１の実施例の脱ガス装置の
脱ガスチャンバ６は、図に示すように真空ポンプ８及び
真空計９と接続され、半導体基板30を載置する載物台７
を備えている。
脱ガスチャンバ６は、図に示すように真空ポンプ８及び
真空計９と接続され、半導体基板30を載置する載物台７
を備えている。
【００１７】脱ガスチャンバ６の上面の壁面には赤外線
ランプ10が設けられており、この壁面に設けられている
石英窓11を透過した赤外線を半導体基板30に照射して加
熱している。
ランプ10が設けられており、この壁面に設けられている
石英窓11を透過した赤外線を半導体基板30に照射して加
熱している。
【００１８】このような脱ガス装置を用いて行う半導体
装置の製造方法を示すタイムチャートは図５に示すよう
なものであり、図５(a) に示すように赤外線ランプにパ
ワーを供給して半導体基板を加熱すると、半導体基板の
温度は図５(b) に示すように上昇するので、設定温度に
達すると赤外線ランプのパワーを低下させて設定温度に
半導体基板の温度を保持している。
装置の製造方法を示すタイムチャートは図５に示すよう
なものであり、図５(a) に示すように赤外線ランプにパ
ワーを供給して半導体基板を加熱すると、半導体基板の
温度は図５(b) に示すように上昇するので、設定温度に
達すると赤外線ランプのパワーを低下させて設定温度に
半導体基板の温度を保持している。
【００１９】このように半導体基板を加熱すると、半導
体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが放出され
るので、図５(c) に示すように上昇過程においては室内
圧が急激に増加するが、半導体基板の温度が設定温度に
到達する時点では、放出されるガス量よりも真空ポンプ
の排気量の方が大きくなり室内圧は低下する。
体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが放出され
るので、図５(c) に示すように上昇過程においては室内
圧が急激に増加するが、半導体基板の温度が設定温度に
到達する時点では、放出されるガス量よりも真空ポンプ
の排気量の方が大きくなり室内圧は低下する。
【００２０】一方、半導体基板の酸化膜の内部に吸着さ
れていたガスは、徐々に放出され脱ガスチャンバの室内
圧を高めてゆくようになり、上記の室内圧の低下と相殺
されると図示するように室内圧がほぼ一定になり、この
曲線がほぼ水平になる状態、即ち、室内圧の変動率がゼ
ロからプラスに変化する時点で脱ガス工程を終了させれ
ば、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが
ほぼ完全に放出され、酸化膜の内部に吸着されていたガ
スは放出しないようにすることが可能となる。
れていたガスは、徐々に放出され脱ガスチャンバの室内
圧を高めてゆくようになり、上記の室内圧の低下と相殺
されると図示するように室内圧がほぼ一定になり、この
曲線がほぼ水平になる状態、即ち、室内圧の変動率がゼ
ロからプラスに変化する時点で脱ガス工程を終了させれ
ば、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されていたガスが
ほぼ完全に放出され、酸化膜の内部に吸着されていたガ
スは放出しないようにすることが可能となる。
【００２１】本発明による第２の実施例の脱ガス装置の
脱ガスチャンバ16は、真空ポンプ18及び差動排気室20を
介して質量分析計19と接続され、半導体基板30を載置す
る載物台17を備えている。
脱ガスチャンバ16は、真空ポンプ18及び差動排気室20を
介して質量分析計19と接続され、半導体基板30を載置す
る載物台17を備えている。
【００２２】この載物台17は内蔵するヒーター17a及び
この載物台17を貫通するガス流路17bを通して外部から
供給されるアシストガスにより加熱されており、その温
度は載置する半導体基板30の絶縁膜の表面に吸着されて
いるガスを放出する温度に設定している。
この載物台17を貫通するガス流路17bを通して外部から
供給されるアシストガスにより加熱されており、その温
度は載置する半導体基板30の絶縁膜の表面に吸着されて
いるガスを放出する温度に設定している。
【００２３】この設定温度は標準的な半導体基板30に対
応した温度に設定しているが、個々の半導体基板30の処
理時間を、作用の欄にて述べたように脱ガスチャンバ16
の室内圧の変動率がゼロからプラスに変化するまでの時
間にすれば、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されてい
たガスをほぼ完全に放出し、酸化膜の内部に吸着されて
いたガスは放出しないようにすることが可能となる。
応した温度に設定しているが、個々の半導体基板30の処
理時間を、作用の欄にて述べたように脱ガスチャンバ16
の室内圧の変動率がゼロからプラスに変化するまでの時
間にすれば、半導体基板の酸化膜の表面に吸着されてい
たガスをほぼ完全に放出し、酸化膜の内部に吸着されて
いたガスは放出しないようにすることが可能となる。
【００２４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば極めて簡単な構成の脱ガス装置を用いることによ
り、半導体基板の表面に吸着されているガスを過不足な
く脱ガスすることが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の製
造装置及び半導体装置の製造方法の提供が可能である。
よれば極めて簡単な構成の脱ガス装置を用いることによ
り、半導体基板の表面に吸着されているガスを過不足な
く脱ガスすることが可能となる利点があり、著しい経済
的及び、信頼性向上の効果が期待できる半導体装置の製
造装置及び半導体装置の製造方法の提供が可能である。
【図１】 本発明による一実施例の半導体装置の製造装
置の概略構成を示す図、
置の概略構成を示す図、
【図２】 本発明による一実施例の半導体装置の製造装
置の第１の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、
置の第１の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、
【図３】 本発明による一実施例の半導体装置の製造装
置の第２の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、
置の第２の実施例の脱ガス装置の概略構造を示す図、
【図４】 半導体基板の酸化膜の脱ガス特性を示す図、
【図５】 本発明による一実施例の半導体装置の製造方
法を示すタイムチャート、
法を示すタイムチャート、
【図６】 従来の脱ガス装置の概略構造を示す図、
１は脱ガス装置、1aはゲートバルブ、２はスパッタ装
置、2aはゲートバルブ、３はエッチング装置、3aはゲー
トバルブ、４はロードロック室、4aはゲートバルブ、５
は搬送機構室、6,16は脱ガスチャンバ、7,17は載物台、
17aはヒーター、17bはガス流路、8,18は真空ポンプ、９
は真空計、19は質量分析計、10は赤外線ランプ、11は石
英窓、20は差動排気室、30は半導体基板、
置、2aはゲートバルブ、３はエッチング装置、3aはゲー
トバルブ、４はロードロック室、4aはゲートバルブ、５
は搬送機構室、6,16は脱ガスチャンバ、7,17は載物台、
17aはヒーター、17bはガス流路、8,18は真空ポンプ、９
は真空計、19は質量分析計、10は赤外線ランプ、11は石
英窓、20は差動排気室、30は半導体基板、
Claims (5)
- 【請求項１】 真空ポンプ(8) 及び真空計(9) と接続さ
れ、半導体基板(30)を載置する載物台(7) を備えた脱ガ
スチャンバ(6) が、該脱ガスチャンバ(6) の壁面に設け
た石英窓(11)を介して前記脱ガスチャンバ(6) を加熱す
る赤外線ランプ(10)を具備することを特徴とする脱ガス
装置。 - 【請求項２】 真空ポンプ(18)及び差動排気室(20)を介
して質量分析計(19)と接続された脱ガスチャンバ(16)
が、前記半導体基板(30)を載物する載物台(17)を備えて
おり、該載物台(17)がヒーター(17a) を内蔵し、外部か
らアシストガスを供給する前記載物台(17)を貫通するガ
ス流路(17b) を具備することを特徴とする脱ガス装置。 - 【請求項３】 半導体基板の絶縁膜の脱ガス処理を行う
請求項１或いは請求項２記載の脱ガス装置(1) と、 前記半導体基板のスパッタ処理を行うスパッタ装置(2)
と、 前記半導体基板のエッチング処理を行うエッチング装置
(3) と、 前記半導体基板を真空雰囲気内に収容するロードロック
室(4) と、 を前記半導体基板の搬送機構を真空雰囲気内に収容する
搬送機構室(5) の周囲に、それぞれ複数のゲートバルブ
(1a,2a,3a,4a) を介して具備することを特徴とする半導
体装置の製造装置。 - 【請求項４】 前記半導体基板(30)の絶縁膜の脱ガス
を、請求項１記載の脱ガス装置の前記真空計(9) により
検知した前記脱ガスチャンバ(6) の室内圧により前記真
空ポンプ(8) を制御し、前記半導体基板(30)の表面から
放出されるガスの脱ガス終了時点で脱ガスを終了するこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 前記半導体基板(30)の絶縁膜の脱ガス
を、請求項２記載の脱ガス装置の前記質量分析計(19)に
より検知した前記脱ガスチャンバ(16)の室内圧により前
記真空ポンプ(18)を制御し、前記半導体基板(30)の表面
から放出されるガスの脱ガス終了時点で脱ガスを終了す
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18063392A JPH0629411A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18063392A JPH0629411A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629411A true JPH0629411A (ja) | 1994-02-04 |
Family
ID=16086613
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18063392A Withdrawn JPH0629411A (ja) | 1992-07-08 | 1992-07-08 | 半導体装置の製造装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629411A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008057048A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-03-13 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜形成方法 |
| CN105977148A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 绝缘层的制造方法、阵列的制造方法及阵列基板 |
| CN113506768A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-10-15 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 后端结构的形成方法 |
-
1992
- 1992-07-08 JP JP18063392A patent/JPH0629411A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008057048A (ja) * | 2007-11-02 | 2008-03-13 | Ulvac Japan Ltd | バリア膜形成方法 |
| CN105977148A (zh) * | 2016-07-01 | 2016-09-28 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 绝缘层的制造方法、阵列的制造方法及阵列基板 |
| US10147598B2 (en) | 2016-07-01 | 2018-12-04 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd | Manufacturing method for insulation layer, manufacturing method for array substrate and array substrate |
| CN113506768A (zh) * | 2021-06-22 | 2021-10-15 | 华虹半导体(无锡)有限公司 | 后端结构的形成方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19991005 |