JPH0629353A - Manufacture of film chip carrier - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 43
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 157
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 abstract description 8
- 230000035699 permeability Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 151
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 92
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 65
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 description 29
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 16
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 15
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 14
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 12
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 12
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 12
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 8
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 8
- 229920003049 isoprene rubber Polymers 0.000 description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 8
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 150000002688 maleic acid derivatives Chemical class 0.000 description 6
- KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N prop-2-enoyloxy prop-2-eneperoxoate Chemical compound C=CC(=O)OOOC(=O)C=C KCTAWXVAICEBSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 5
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 5
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 5
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 5
- 239000010426 asphalt Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 4
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 1,1,1-trichloroethane Chemical compound CC(Cl)(Cl)Cl UOCLXMDMGBRAIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N Maleimide Chemical compound O=C1NC(=O)C=C1 PEEHTFAAVSWFBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229920006015 heat resistant resin Polymers 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 239000011271 tar pitch Substances 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000001010 compromised effect Effects 0.000 description 1
- DNHVXYDGZKWYNU-UHFFFAOYSA-N lead;hydrate Chemical compound O.[Pb] DNHVXYDGZKWYNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Manufacture Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
チップを基板等に実装する際に用いるフィルムチップキ
ャリアの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a film chip carrier used for mounting a semiconductor device chip on a substrate or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、フィルムチップキャリアの可撓性
フィルム部材は、耐熱性の高分子フィルム層からなるも
のが多く、このフィルム層には部分的な厚みの差異が設
けられているものがある。例えば、半導体デバイスチッ
プが搭載される部分にはデバイスホール等の貫通孔が設
けられたり、半導体デバイスチップをチップキャリアご
と基板等に実装する際に折り曲げた状態で使用するもの
の場合には、この折り曲げ部等のフィルム層が他の部分
より薄く形成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a flexible film member of a film chip carrier is often composed of a heat-resistant polymer film layer, and some film layers are provided with a partial difference in thickness. . For example, a through hole such as a device hole is provided in a portion where a semiconductor device chip is mounted, or when the semiconductor device chip is used in a bent state when it is mounted on a substrate together with a chip carrier, this bending A film layer such as a portion is formed thinner than other portions.
【０００３】これらのフィルム層の貫通孔や薄肉部は、
フィルム層をエッチング処理により部分的に除去するこ
とにより形成される。この際に、フィルム層の貫通孔と
薄肉部とは、互いにエッチング処理時におけるフィルム
層の除去量が異るため、夫々を別工程のエッチング処理
を行なうことにより形成していた。The through holes and thin portions of these film layers are
It is formed by partially removing the film layer by an etching process. At this time, the through-hole and the thin portion of the film layer are formed by performing the etching process in different steps, because the removal amounts of the film layer during the etching process are different from each other.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
ム層にエッチング処理するには、例えば、レジストの塗
布、乾燥、露光、現像、レジスト剥離等の工程を行なう
必要があり、フィルムチップキャリアに貫通孔と薄肉部
のように厚さの異る部分を形成する場合には、これらの
エッチング処理工程を複数回繰り返すことになる。この
ため、フィルムチップキャリアの製造工程が非常に多く
なり、生産性が悪く、且つ製造コストが高くなるという
問題があった。However, in order to perform etching treatment on the film layer, it is necessary to carry out steps such as resist coating, drying, exposure, development, and resist stripping. When forming a portion having a different thickness such as a thin portion, these etching treatment steps are repeated a plurality of times. For this reason, there are problems that the number of manufacturing steps of the film chip carrier becomes extremely large, the productivity is poor, and the manufacturing cost is high.
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、フィルムチップキャリアの製造工程を簡素化し、
生産性の向上並びに製造コストを低減化する製造方法を
提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above problems, and simplifies the manufacturing process of the film chip carrier,
It is an object of the present invention to provide a manufacturing method that improves productivity and reduces manufacturing cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本発
明では、可撓性フィルム部材の一方の面側に複数組の金
属配線が形成され、フィルム層の予め定められた部分に
貫通孔と薄肉部とが設けられたフィルムチップキャリア
の製造方法において、前記フィルム層をエッチングして
前記貫通孔と薄肉部とを設ける際に、前記フィルム層の
前記貫通孔形成領域と薄肉部形成領域とを除いた領域に
フィルム層のエッチング液に対して非溶解性または非透
過性の第一のレジスト層を形成し、前記フィルム層の前
記薄肉部形成領域にフィルム層のエッチング液に対して
可溶解性または半透過性の第二のレジスト層を形成し、
これら二層のレジスト層が形成された状態で一度のケミ
カルエッチング処理により前記貫通孔と薄肉部とを同時
に形成することを特徴とする。To achieve the above object, in the present invention, a plurality of sets of metal wirings are formed on one surface side of a flexible film member, and a through hole is formed in a predetermined portion of the film layer. In the method of manufacturing a film chip carrier provided with a thin portion, when providing the through hole and the thin portion by etching the film layer, the through hole forming region and the thin portion forming region of the film layer, A first resist layer that is insoluble or impermeable to the etching solution for the film layer is formed in the removed area, and is soluble in the etching solution for the film layer in the thin portion forming area of the film layer. Or forming a semi-transparent second resist layer,
It is characterized in that the through hole and the thin portion are simultaneously formed by one chemical etching treatment in a state where these two resist layers are formed.
【０００７】[0007]
【作用】本発明に係るフィルムチップキャリアの製造方
法によれば、フィルム層に貫通孔と薄肉部のような異な
る膜厚の部分を形成するフィルムエッチング処理を一度
のエッチング処理で行なうものとなる。According to the method of manufacturing the film chip carrier of the present invention, the film etching process for forming the through hole and the thin film portion such as the thin portion in the film layer is performed by one etching process.
【０００８】即ち、本発明では、フィルムチップキャリ
アのフィルム層上の貫通孔形成領域と薄肉部形成領域と
を除いた領域に、フィルム層のエッチング液に対して非
溶解性または非透過性の第一のレジスト層を形成してい
るため、貫通孔形成領域と薄肉部形成領域とのフィルム
層のみがエッチング処理により除去される。この際、薄
肉部形成領域にはフィルム層のエッチング液に対して可
溶解性または半透過性の第二のレジスト層が形成されて
いるため、薄肉部形成領域は、例えば第二のレジスト層
として可溶解性レジストを用いた場合には、フィルム層
のエッチング液により第二のレジスト層が除去された後
にエッチングが開始する。また、第二のレジスト層とし
て半透過性レジストを用いた場合には、エッチング液の
浸透が阻害されるため、フィルム層のエッチングの進行
が貫通孔形成領域に比べて遅くなる。That is, according to the present invention, in the area excluding the through hole forming area and the thin portion forming area on the film layer of the film chip carrier, a first layer which is insoluble or impermeable to the etching solution for the film layer is used. Since one resist layer is formed, only the film layer in the through hole forming region and the thin portion forming region is removed by the etching process. At this time, since the second resist layer which is soluble or semi-permeable to the etching liquid of the film layer is formed in the thin portion forming region, the thin portion forming region is, for example, a second resist layer. When a soluble resist is used, etching is started after the second resist layer is removed by the film layer etching solution. Further, when a semi-transparent resist is used as the second resist layer, the penetration of the etching solution is hindered, so that the progress of etching of the film layer becomes slower than that in the through hole formation region.
【０００９】ここで、エッチング液に対するフィルム層
除去の進行状態は、経過時間におおむね比例し、エッチ
ング液に直接接触する貫通孔形成領域では、エッチング
処理の開始と共にフィルム層の除去が進行するが、第二
のレジスト層に可溶解性レジストを用いた場合、薄肉部
形成領域でのエッチング開始時間には、第二のレジスト
層が除去されるまでの時間的遅れが生ずる。このため、
貫通孔形成領域のフィルム層が全部除去された時点で
は、薄肉部形成領域には、フィルム層が残存することと
なる。このように本発明では、この第二のレジスト層に
よる時間的遅れを利用して、薄肉部形成領域に薄肉化さ
れたフィルム層を残存させることができ、薄肉部を形成
できる。他方、第二のレジスト層に半透過性レジストを
用いた場合においても、第二のレジスト層によってエッ
チング液の浸透が阻害されるためエッチングの進行が遅
れ、貫通孔形成領域のフィルム層が全部除去された時点
では薄肉部形成領域にはフィルムが残存することとな
る。Here, the progress of the removal of the film layer with respect to the etching solution is roughly proportional to the elapsed time, and in the through-hole forming region which is in direct contact with the etching solution, the removal of the film layer proceeds with the start of the etching process. When a soluble resist is used for the second resist layer, the etching start time in the thin portion forming region has a time delay until the second resist layer is removed. For this reason,
When the film layer in the through hole formation region is completely removed, the film layer remains in the thin portion formation region. As described above, in the present invention, by utilizing the time delay due to the second resist layer, the thinned film layer can be left in the thin portion forming region, and the thin portion can be formed. On the other hand, even when a semi-transparent resist is used for the second resist layer, the progress of etching is delayed because the penetration of the etching solution is blocked by the second resist layer, and the film layer in the through hole formation region is completely removed. At the time when the film is formed, the film remains in the thin portion forming region.
【００１０】この際に、フィルム層の材質、エッチング
液の種類及び使用条件、第二のレジスト層の材質並びに
厚さ、並びに薄肉部の厚み等の条件を総合的に勘案して
各々を決定する必要がある。例えば、貫通孔形成領域の
フィルム層が全部除去された時点では、薄肉部形成領域
のフィルム層が希望する厚みより多く残存する場合に
は、更にエッチングを進行させるか、第二のレジスト層
をより薄く形成する又はよりエッチングの進行が速い材
質のものに変更する等の処理をすることで希望する膜厚
の薄肉部を形成することができる。At this time, the film layer material, the type and use condition of the etching solution, the material and thickness of the second resist layer, the thickness of the thin portion, etc. are comprehensively taken into consideration to determine each. There is a need. For example, when the film layer in the through-hole forming region is completely removed, if the film layer in the thin-walled portion forming region remains thicker than a desired thickness, further etching is performed or the second resist layer is removed. A thin portion having a desired film thickness can be formed by performing processing such as forming the material thin or changing to a material having a faster etching progress.
【００１１】ここで、フィルムチップキャリアに用いら
れる可撓性フィルム部材としては、例えば、ポリパラバ
ン酸樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂フィルムが挙
げられるが、望ましくはポリイミド樹脂が良い。Here, examples of the flexible film member used for the film chip carrier include heat-resistant resin films such as polyparabanic acid resin and polyimide resin, and the polyimide resin is preferable.
【００１２】ポリイミドエッチング液に非溶解性または
非透過性の第一のレジスト層としては、アスファルトピ
ッチ、タールピッチ、エポキシ系樹脂、環化イソプレン
ゴム等の液状レジストやドライフィルムが挙げられる
が、これらに限らず使用するエッチング液に侵されず処
理後の剥離が容易に行なえるものであれば問題はない。
また、銅箔等の金属層を第一のレジスト層としても良
い。なお、この第一のレジスト層は、使用するエッチン
グ液に対して全く侵されないものであることが好ましい
が、以下に述べる第二のレジスト層との関係で、侵食の
進行速度が極めて遅いものであれば同様に用いることが
でき、必ずしも全く侵食されないものに限定されるもの
ではない。Examples of the first resist layer that is insoluble or impermeable to the polyimide etching solution include liquid resists such as asphalt pitch, tar pitch, epoxy resin, and cyclized isoprene rubber, and dry films. However, there is no problem as long as it can be easily peeled off after the treatment without being affected by the etching liquid used.
Further, a metal layer such as copper foil may be used as the first resist layer. The first resist layer is preferably one that is not attacked at all by the etching solution used, but due to the relationship with the second resist layer described below, the rate of erosion is extremely slow. It can be used in the same manner as long as it is present, and is not necessarily limited to one that is not eroded at all.
【００１３】エッチング液に可溶なレジストとしては、
ロジン樹脂、特にロジン変性マレイン酸樹脂、エポキシ
系樹脂、アクリル系樹脂等、更には、ポリイミド、マレ
イミドなどの基材フィルムに近い樹脂の塗布が挙げられ
るが、これに限らず塗膜が均一に溶解し、且つ所望のエ
ッチング時間で溶解するものであれば問題ない。As the resist soluble in the etching solution,
Examples include rosin resin, particularly rosin-modified maleic acid resin, epoxy resin, acrylic resin and the like, and further coating of a resin similar to a base material film such as polyimide and maleimide, but not limited to this and the coating film is uniformly dissolved. However, there is no problem as long as it dissolves in a desired etching time.
【００１４】エッチング液を半透過させるレジストとし
ては、ロジン変性マレイン酸とアスファルトピッチの混
合レジスト等が挙げられるが、塗膜が均一にエッチング
液を半透過させるものであれば他のものでも特に問題と
しない。Examples of the resist semipermeable to the etching liquid include a mixed resist of rosin-modified maleic acid and asphalt pitch, but any other one is particularly problematic as long as the coating film is semipermeable to the etching liquid. Not.
【００１５】エッチング液に可溶解性の第二のレジスト
層は、その溶解性が極めて高いものであると、その目的
としている貫通孔形成領域のエッチングとの時間差をつ
けるためにレジスト膜厚をかなり厚くしなければならな
くなり、印刷性、印刷精度、レジストのコスト、乾燥時
間の増加等の問題が生じる。逆に、溶解性の低いレジス
トでは、レジスト膜厚をかなり薄くしなければならず、
この場合はレジスト膜厚の管理が困難になる恐れがあ
る。このため、エッチング液に弱溶解性のレジストであ
ることが好ましく、一例を示せば、エッチング条件下に
於いて１〜５μｍ／ｍｉｎ程度の溶解性を持つレジスト
が望ましい。If the second resist layer, which is soluble in the etching solution, has a very high solubility, the resist film thickness is considerably increased in order to make a time difference from the intended etching of the through hole formation region. The thickness must be increased, which causes problems such as printability, printing accuracy, resist cost, and increase in drying time. On the other hand, if the resist has low solubility, the resist film thickness must be reduced considerably,
In this case, it may be difficult to control the resist film thickness. Therefore, it is preferable that the resist is weakly soluble in the etching liquid, and as an example, a resist having a solubility of about 1 to 5 μm / min under the etching conditions is desirable.
【００１６】半透過性のレジストにおいても、透過性の
高いレジストではその膜厚を厚くしなければならず、前
記可溶解性のレジストの場合と同様な問題が生じ、また
透過性の低いレジストでは膜厚の管理が困難になる。Even in the case of a semi-transmissive resist, the film thickness of the resist having high transparency must be increased, which causes the same problem as in the case of the above-mentioned soluble resist. It becomes difficult to control the film thickness.
【００１７】第一と第二のレジスト層は、そのレジスト
の耐アルカリ性により選択される。したがって、同一の
レジストにおいても、そのレジストを変質させることに
より第一のレジスト層から第二のレジスト層（あるいは
第二のレジスト層から第一のレジスト層）へ転化させて
目的を達成することも可能である。The first and second resist layers are selected according to the alkali resistance of the resist. Therefore, even if the same resist is used, it is possible to achieve the object by converting the first resist layer to the second resist layer (or the second resist layer to the first resist layer) by modifying the resist. It is possible.
【００１８】具体的には、光硬化（ネガ）型の感光性レ
ジストにおいては紫外線の露光量に比例してレジストの
硬化が進行するため、より耐アルカリ性を必要とする第
一のレジスト層については露光量を多くし、逆に第二の
レジスト層については露光量を少なくし、または露光し
ないようにする。これにより同一のレジストからなる層
を第一または第二の所望のレジスト層として機能させる
ことができる。Specifically, in a photo-curable (negative) type photosensitive resist, the curing of the resist progresses in proportion to the exposure amount of ultraviolet rays. Therefore, for the first resist layer requiring more alkali resistance, The exposure amount is increased, and conversely, the exposure amount of the second resist layer is decreased or the exposure is not performed. This allows the layers made of the same resist to function as the first or second desired resist layer.
【００１９】光分解（ポジ）型の感光性レジストにおい
ては、前述の光硬化（ネガ）型レジストの場合とは逆
に、露光量に応じてレジストの耐アルカリ性が低下する
ため、第一のレジスト層については露光量を少なくする
か或いは露光しないようにし、他方、第二のレジスト層
については適度な露光量で露光を行なうものとする。In the photodecomposition (positive) type photosensitive resist, contrary to the case of the photocurable (negative) type resist described above, the alkali resistance of the resist is lowered depending on the exposure amount, and therefore the first resist is used. The layer should be lightly exposed or not exposed, while the second resist layer should be lightly exposed.
【００２０】これらの場合、露光後に加熱処理を加える
ことによって露光部の反応を促し、第一と第二のレジス
ト層の特性の差を顕著にすることにより、更に好ましい
結果が得られることもある。In these cases, more preferable results may be obtained by adding a heat treatment after the exposure to promote the reaction in the exposed portion and to make the difference in the characteristics of the first and second resist layers noticeable. .
【００２１】また、熱硬化型レジストを使用した場合、
第一のレジスト層とするか第二のレジスト層にするか
は、加熱温度や加熱時間を選ぶことにより選択すること
ができる。When a thermosetting resist is used,
Whether to use the first resist layer or the second resist layer can be selected by selecting the heating temperature and the heating time.
【００２２】レジスト層の塗布膜厚については、前述し
たようにレジストの樹脂等の種類、レジストの硬化条
件、エッチング液の種類、エッチング温度、ハーフエッ
チングによる薄肉部の加工膜厚などにより決定するため
特にこれを限定しない。The coating thickness of the resist layer is determined by the type of resin of the resist, the curing conditions of the resist, the type of etching solution, the etching temperature, and the processed film thickness of the thin portion by half etching as described above. This is not particularly limited.
【００２３】ここで用いられるレジストの塗布方法とし
ては、ロールコーター、ディップコーター、カーテンコ
ーター、スクリーン印刷等が挙げられるが、所望の膜厚
に均一にレジストを塗布できるものであれば特にこれを
限定するものではなく、またパターン印刷の出来るもの
であれば、露光、現像工程も省略出来るので、より好ま
しい。以下、実施例を通じ本発明を更に詳しく説明す
る。Examples of the resist coating method used here include a roll coater, a dip coater, a curtain coater, and screen printing. However, the method is not particularly limited as long as the resist can be uniformly coated to a desired film thickness. However, it is more preferable if the pattern printing can be performed because the exposure and development steps can be omitted. Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples.
【００２４】[0024]
【実施例】（実施例１）本発明の第１の実施例に係るチ
ップキャリアの製造工程を図２に示す。まず、膜厚５０
μｍのポリイミドフィルム１上に、スパッタリングによ
り０．２μｍ厚の銅層を形成し、続いて電解メッキによ
りこれを１８μｍの銅箔層２とした二層ＴＡＢ原反を作
製した（図２Ａ）。EXAMPLE 1 FIG. 2 shows a manufacturing process of a chip carrier according to a first example of the present invention. First, the film thickness 50
A 0.2 μm-thick copper layer was formed on the polyimide film 1 having a thickness of μm by sputtering, and then electrolytic plating was performed to produce a two-layer TAB original fabric as a copper foil layer 2 having a thickness of 18 μm (FIG. 2A).
【００２５】次に、スクリーン印刷機を用い、この二層
ＴＡＢ原反のポリイミドフィルム１側の表面に、環化イ
ソプレンゴム系のレジスト３（商品名 ＺＰＮ−５００
日本ゼオン社製）を５μｍの厚さに塗布し、遠赤外線
ヒーターにより乾燥させ、非接触紫外線露光機を用いて
紫外線を１５０ｍｊ／ｃｍ2 で照射して硬化させ、第一
のレジスト層のパターンニングを行なった（図２Ｂ）。Next, using a screen printing machine, a cyclized isoprene rubber-based resist 3 (trade name: ZPN-500) was formed on the surface of the polyimide film 1 side of this two-layer TAB original fabric.
(Manufactured by Zeon Corporation) to a thickness of 5 μm, dried with a far-infrared heater, and irradiated with ultraviolet rays at 150 mj / cm 2 using a non-contact ultraviolet exposure machine to cure, and patterning of the first resist layer. Was performed (FIG. 2B).
【００２６】即ち、この第一のレジスト３は、後述する
ポリイミドフィルム１のエッチング液に対して非溶解性
であり、図１Ａに示すように、アウターリード孔部分１
１、スプロケットホール部分１２等の貫通孔形成領域、
並びに別の貫通孔及び薄肉部を形成すべきデバイスホー
ル部分１３の各領域を除いたパターンに塗布した。That is, the first resist 3 is insoluble in the etching solution for the polyimide film 1 described later, and as shown in FIG. 1A, the outer lead hole portion 1 is formed.
1. Through-hole forming area such as the sprocket hole portion 12
Further, it was applied in a pattern excluding each region of the device hole portion 13 where another through hole and a thin portion are to be formed.
【００２７】この第一のレジスト３が形成された面の上
に、第二のレジスト４としてエポキシアクリレート系樹
脂（商品名 ＲＥＲ−１０ 太陽インキ社製）をスクリ
ーン印刷機で１０μｍの厚さに塗布し、乾燥後に紫外線
を５０ｍｊ／ｃｍ2 で照射して硬化させ、第二のレジス
ト層のパターンニングを行なった（図２Ｃ）。On the surface on which the first resist 3 is formed, an epoxy acrylate resin (trade name RER-10 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) is applied as a second resist 4 to a thickness of 10 μm by a screen printing machine. Then, after drying, it was irradiated with ultraviolet rays at 50 mj / cm 2 to be cured, and the second resist layer was patterned (FIG. 2C).
【００２８】即ち、この第二のレジスト４は、後述する
ポリイミドフィルム１のエッチング液に対して可溶解性
であり、図１Ｂに示すように、アウターリード孔部分１
１よりも内側で、且つ貫通孔部分１４を含むデバイスホ
ール部分１３を包含し、但しデバイスホール貫通孔部分
１４を除いた領域をマスクするパターンに塗布した。こ
こで、デバイスホール部分１３内のデバイスホール貫通
孔部分１４を除いた領域が薄肉部形成領域１５である。That is, the second resist 4 is soluble in the etching solution for the polyimide film 1 described later, and as shown in FIG. 1B, the outer lead hole portion 1 is formed.
It was applied in a pattern that includes the device hole portion 13 including the through hole portion 14 inside 1 and masks the region excluding the device hole through hole portion 14. Here, the region excluding the device hole through hole portion 14 in the device hole portion 13 is the thin portion forming region 15.
【００２９】次に、これらのレジスト３及び４が形成さ
れた二層ＴＡＢ原反を、水酸化カリウム水溶液からなる
ポリイミドエッチング液に浸漬してポリイミドフィルム
１をエッチングした。このエッチングは４０℃で３０分
間行ったが、貫通孔形成領域であるデバイスホール貫通
孔部分１４、アウターリード孔部分１１、並びにスプロ
ケットホール部分１２におけるポリイミドフィルムが全
て除去された段階でエッチングを終了させた。Next, the two-layer TAB original fabric on which these resists 3 and 4 were formed was dipped in a polyimide etching solution consisting of an aqueous solution of potassium hydroxide to etch the polyimide film 1. This etching was performed at 40 ° C. for 30 minutes, but the etching was terminated when all the polyimide films in the device hole through hole portion 14, the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12 which are the through hole forming regions were removed. It was
【００３０】このエッチングの際に、第二のレジスト４
もエッチング液により浸食されて除去されるが、これに
よってフィルムのエッチングが開始されるまでにはレジ
ストパターンから露出した部分に対して時間差がある。
この時間差により、デバイスホール部分１３の第二のレ
ジスト形成領域（薄肉部形成領域１５）におけるポリイ
ミドフィルムのエッチング開始が遅れ、上記のエッチン
グを終了した時点では第二のレジスト４で覆われた部分
に薄肉のポリイミドフィルムが残存していた（図２
Ｄ）。During this etching, the second resist 4
Is also eroded and removed by the etching solution, but there is a time lag between the exposed portion of the resist pattern and the start of film etching.
Due to this time difference, the etching start of the polyimide film in the second resist forming region (thin portion forming region 15) of the device hole portion 13 is delayed, and when the above etching is completed, the portion covered with the second resist 4 is formed. A thin polyimide film remained (Fig. 2
D).
【００３１】そして、これをジクロルベンゼンからなる
専用剥離液に浸漬して残存する第一のレジスト３をフィ
ルムから剥離し、図１Ｃに示すように、デバイスホール
部分１３内のインナーリード形成部領域（薄肉部形成領
域１５）に、ポリイミド膜厚１０μｍの薄肉部を備えた
ポリイミドフィルム層を有するチップキャリアを形成し
た（図２Ｅ）。Then, this is immersed in a dedicated stripping solution made of dichlorobenzene to strip off the remaining first resist 3 from the film, and as shown in FIG. 1C, the inner lead forming area in the device hole portion 13 is formed. A chip carrier having a polyimide film layer having a thin portion having a polyimide film thickness of 10 μm was formed in (thin portion forming region 15) (FIG. 2E).
【００３２】（実施例２）次に、図３及び図４を用い、
本発明の第２の実施例を説明する。まず、膜厚５０μｍ
のポリイミドフィルム３０１上に、スパッタリングによ
り０．２μｍの銅層を形成し、続いて電解メッキにより
これを１８μｍの銅箔層３０２とした二層ＴＡＢ原反を
作製した（図３Ａ）。(Embodiment 2) Next, referring to FIG. 3 and FIG.
A second embodiment of the present invention will be described. First, the film thickness is 50 μm
A copper layer having a thickness of 0.2 μm was formed on the polyimide film 301 by sputtering, and then a copper foil layer 302 having a thickness of 18 μm was formed into a two-layer TAB original sheet by electrolytic plating (FIG. 3A).
【００３３】次に、ロールコーターを用いて、この二層
ＴＡＢ原反のポリイミドフィルム３０１の表面にエポキ
シアクリレート系樹脂の感光性レジスト３０５（商品名
ＰＥＲ−１０ 太陽インキ社製）を３０μｍの厚さに
塗布し、遠赤外線ヒーターにより乾燥させた。Next, using a roll coater, a photosensitive resist 305 (trade name: PER-10, manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) made of an epoxy acrylate resin is formed on the surface of the polyimide film 301 of the two-layer TAB to a thickness of 30 μm. And then dried by a far infrared heater.
【００３４】その後、非接触型紫外線露光機を用い、図
４Ａに示すパターンで露光量２００ｍｊ／ｃｍ2 の露光
を行ない、更に、図４Ｂに示すパターンで露光量５０ｍ
ｊ／ｃｍ2 の露光を行なった。ここで、図４Ａに示すパ
ターンは、第一実施例における第一のレジストの塗布領
域のみを露光光で照射する（若しくは、塗布しなかった
領域を遮光する）形状となっている。また、図４Ｂに示
すパターンは、デバイスホール部分３１３以外の部分は
図４Ａに示すパターンと同様であるが、デバイスホール
部分３１３内で、デバイスホール貫通孔部分３１４のみ
を遮光し、薄肉部形成領域３１５に光が照射される形状
となっている。Then, using a non-contact type UV exposure machine, an exposure amount of 200 mj / cm 2 was applied in the pattern shown in FIG. 4A, and an exposure amount of 50 m was applied in the pattern shown in FIG. 4B.
An exposure of j / cm 2 was performed. Here, the pattern shown in FIG. 4A has a shape in which only the application area of the first resist in the first embodiment is irradiated with exposure light (or the area not applied is shielded). The pattern shown in FIG. 4B is the same as the pattern shown in FIG. 4A except for the device hole portion 313. However, in the device hole portion 313, only the device hole through hole portion 314 is shielded from light, and the thin portion forming region is formed. The light is emitted to 315.
【００３５】このエポキシアクリレート系樹脂感光性レ
ジストは、光硬化性であるため、露光量に比例して硬化
が進行する。このため、上記の露光を行なうことで図４
Ａ及びＢ相互のパターンで共に露光された領域（第１実
施例の第一レジスト塗布領域と同じ領域）のレジスト３
０５ａは完全に硬化し、また、図４Ｂのパターンのみで
露光された領域（薄肉部形成領域３１５）のレジスト３
０５ｂは半硬化状態となった。Since this epoxy acrylate resin photosensitive resist is photocurable, the curing proceeds in proportion to the exposure amount. Therefore, by performing the above-mentioned exposure,
Resist 3 in a region (the same region as the first resist coating region in the first embodiment) exposed by the patterns A and B together.
05a is completely cured, and the resist 3 in the region (thin portion forming region 315) exposed by only the pattern of FIG. 4B is used.
05b became semi-cured.
【００３６】この露光作業後に、これを1,1,1 トリクロ
ロエタンからなる専用現像液を用いて現像したところ、
露光により硬化された領域（半硬化領域を含む）を除い
た部分のレジスト３０５が除去された（図３Ｃ）。After this exposure operation, this was developed using a dedicated developer composed of 1,1,1 trichloroethane,
The resist 305 was removed in a portion other than the region cured by exposure (including the semi-cured region) (FIG. 3C).
【００３７】このようにして形成されたレジスト３０５
ａ，ｂを持つ二層ＴＡＢ原反を、水酸化カリウム水溶液
からなるポリイミドエッチング液に浸漬し、ポリイミド
フィルム３０１のエッチング処理を行なったが、この際
に半硬化状態のレジスト３０５ｂもこのエッチング液に
より徐々に浸食された。The resist 305 thus formed
The two-layer TAB raw material having a and b was immersed in a polyimide etching solution composed of an aqueous solution of potassium hydroxide to etch the polyimide film 301. At this time, the semi-cured resist 305b was also etched by this etching solution. It was gradually eroded.
【００３８】貫通孔形成領域であるデバイスホール貫通
孔部分３１５、アウターリード形成部領域３１１、並び
にスプロケットホール形成領域３１２におけるポリイミ
ドフィルム３０１が全て除去された段階（４０℃で３０
分）でエッチングを終了させたところ、デバイスホール
部分３１３内の薄肉部形成領域３１５には、第１実施例
と同様に先の半硬化レジスト３０５ｂの除去までの時間
差により薄肉のポリイミドフィルムが残存していた（図
３Ｄ）。A stage where all the polyimide film 301 in the device hole through hole portion 315 which is the through hole forming region, the outer lead forming region 311 and the sprocket hole forming region 312 is removed (30 at 40 ° C.).
When the etching is finished by (1), a thin polyimide film remains in the thin portion forming region 315 in the device hole portion 313 due to the time difference until the removal of the semi-cured resist 305b as in the first embodiment. (Fig. 3D).
【００３９】そして、これを塩化メチレンからなる専用
剥離液に浸漬して、残存する硬化されたレジスト３０５
ａを剥離し、図３Ｅに示すように、デバイスホール部分
３１３のインナーリード形成部領域にポリイミド膜厚１
０μｍの薄肉部３１５をもつポリイミド層を有するチッ
プキャリアが得られた。Then, this is immersed in a dedicated stripping solution consisting of methylene chloride to leave the remaining cured resist 305.
a is peeled off, and as shown in FIG. 3E, a polyimide film thickness 1 is formed on the inner lead formation region of the device hole portion 313.
A chip carrier having a polyimide layer having a thin portion 315 of 0 μm was obtained.
【００４０】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
を説明する。先ず、５０μｍポリイミドフィルム１上に
スパッタリングにより０．２μｍの銅層を形成し、続い
て電解メッキによりこれを１８μｍの銅箔層とした二層
ＴＡＢ原反を作製した。(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described. First, a 0.2 μm copper layer was formed on the 50 μm polyimide film 1 by sputtering, and then electrolytic plating was performed to form a 18 μm copper foil layer into a two-layer TAB original fabric.
【００４１】次に、スクリーン印刷機を用い、この二層
原反のポリイミドフィルム側の表面に環化イソプレンゴ
ム系のレジスト３を５μｍの厚さに塗布し、遠赤外線ヒ
ーターにより乾燥させ、非接触紫外線露光機を用いて露
光量１５０ｍｊ／ｃｍ2 で紫外線を照射して硬化させ
た。なお、この第一のレジスト３は、後述するポリイミ
ドフィルム１のエッチング液に対して非溶解性であり、
図１Ａに示すように、アウターリード孔部分１１、スプ
ロケットホール部分１２等の貫通孔形成領域、並びに貫
通孔および薄肉部形成領域であるデバイスホール部分１
３の各領域を除いたパターンに塗布した。Next, using a screen printer, a cyclized isoprene rubber-based resist 3 was applied to the surface of the polyimide film side of this two-layer original fabric to a thickness of 5 μm, dried by a far infrared heater, and non-contacted. It was cured by irradiating it with ultraviolet rays at an exposure dose of 150 mj / cm 2 using an ultraviolet exposure device. The first resist 3 is insoluble in the etching solution for the polyimide film 1 described later,
As shown in FIG. 1A, through hole forming regions such as the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12, and the device hole portion 1 that is a through hole and thin portion forming region.
It was applied in a pattern excluding each region of 3.
【００４２】更に、この第一のレジスト３が形成された
面の上に、第二のレジスト４としてロジン変性マレイン
酸樹脂からなるレジスト（商品名 Ｘ−７７ 太陽イン
キ社製）をスクリーン印刷法により１５μｍの厚さに塗
布し、クリーンオーブン中にて乾燥させた。この第二の
レジスト４は、後述するポリイミドフィルムのエッチン
グ液に対して溶解するものではないが、エッチング液を
浸透させるので、レジスト層の下地にあるポリイミドフ
ィルムをエッチングさせることができる。Further, on the surface on which the first resist 3 is formed, a resist (trade name: X-77 Taiyo Ink Co., Ltd.) made of a rosin-modified maleic acid resin is used as a second resist 4 by a screen printing method. It was applied to a thickness of 15 μm and dried in a clean oven. The second resist 4 does not dissolve in the etching solution for the polyimide film described below, but since the etching solution permeates, the polyimide film underlying the resist layer can be etched.
【００４３】図１Ｂに示すように、第二のレジスト４
は、アウターリード孔部分１１よりも内側で、且つ貫通
孔部分１４を含むデバイスホール部分１３を包含し、但
しデバイスホール貫通孔部分１４を除いた領域をマスク
するパターンに塗布した。ここで、デバイスホール部分
１３内のデバイスホール貫通孔部分１４を除いた領域が
薄肉部形成領域１５である。As shown in FIG. 1B, the second resist 4
Was applied to the inside of the outer lead hole portion 11 and including the device hole portion 13 including the through hole portion 14, but masking the region excluding the device hole through hole portion 14. Here, the region excluding the device hole through hole portion 14 in the device hole portion 13 is the thin portion forming region 15.
【００４４】次に、これらのレジスト３及び４が形成さ
れた二層ＴＡＢ原反を、水酸化カリウム水溶液からなる
ポリイミドエッチング液に浸漬してポリイミドフィルム
１をエッチングした。このエッチングは４０℃で３０分
間行ったが、貫通孔形成領域であるデバイスホール貫通
孔部分１４、アウターリード孔部分１１、並びにスプロ
ケットホール部分１２におけるポリイミドフィルムが全
て除去された段階でエッチングを終了させた。Next, the two-layer TAB original fabric on which the resists 3 and 4 were formed was dipped in a polyimide etching solution composed of an aqueous potassium hydroxide solution to etch the polyimide film 1. This etching was performed at 40 ° C. for 30 minutes, but the etching was terminated when all the polyimide films in the device hole through hole portion 14, the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12 which are the through hole forming regions were removed. It was
【００４５】このエッチングの際に、第二のレジスト層
４はエッチング液を浸透させて遂には下地のポリイミド
フィルム層のエッチングによる侵食を開始させるが、自
らは溶けずに残存している。エッチング液がこの第二の
レジスト層を透過して、下地のポリイミドフィルム層の
侵食が開始されるまでの時間差により、デバイスホール
部分１３の第二のレジスト形成領域（薄肉部形成領域１
５）におけるポリイミドフィルムのエッチング開始が遅
れ、上記のエッチングを終了した時点では第二のレジス
ト４で覆われた部分に薄肉のポリイミドフィルムが残存
していた。During this etching, the second resist layer 4 permeates the etching solution to finally start the erosion of the underlying polyimide film layer by etching, but the second resist layer 4 itself remains unmelted. Due to the time difference between the etching liquid permeating the second resist layer and the start of erosion of the underlying polyimide film layer, the second resist forming region (thin portion forming region 1
The start of etching the polyimide film in 5) was delayed, and when the above etching was completed, the thin polyimide film remained in the portion covered with the second resist 4.
【００４６】そして、これをジクロルベンゼンからなる
専用剥離液に浸漬して残存する第一のレジスト３および
第二のレジスト４をフィルムから剥離し、図１Ｃに示す
ように、デバイスホール部分１３内のインナーリード形
成部領域（薄肉部形成領域１５）に、ポリイミド膜厚１
０μｍの薄肉部を備えたポリイミドフィルム層を有する
チップキャリアを形成した。Then, the first resist 3 and the second resist 4 which remain by immersing this in a dedicated stripping solution made of dichlorobenzene are stripped from the film, and inside the device hole portion 13 as shown in FIG. 1C. In the inner lead forming portion area (thin portion forming area 15) of
A chip carrier having a polyimide film layer having a thin portion of 0 μm was formed.
【００４７】（参考例）次に、本発明の参考例について
図５を用いて説明する。この例では、前述の各実施例と
同様に、膜厚５０μｍのポリイミドフィルム５０１上
に、スパッタリングにより０．２μｍの銅層を形成し、
続いてこれを電解メッキにより１８μｍの銅箔層５０２
とした二層ＴＡＢ原反を作製した（図５Ａ）。(Reference Example) Next, a reference example of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, similarly to each of the above-described Examples, a 0.2 μm copper layer was formed by sputtering on a polyimide film 501 having a film thickness of 50 μm,
Then, this is electroplated to form a copper foil layer 502 having a thickness of 18 μm.
A two-layer TAB original fabric was prepared (FIG. 5A).
【００４８】次に、ロールコーターを用いて、二層ＴＡ
Ｂ原反のポリイミドフィルム面に環化イソプレンゴム系
のレジスト（商品名 ＺＰＮ−１００ 日本ゼオン社
製）を１０μｍの厚さで塗布し、遠赤外線ヒーターによ
り乾燥させた。続いて、非接触型紫外線露光機を用い
て、図４Ｂのパターンを露光量２００ｍｊ／ｃｍ2 で露
光し、これを専用現像液によって現像して、予備のレジ
スト５０７を作成した（図５Ｂ）。Next, using a roll coater, a two-layer TA
A cyclized isoprene rubber-based resist (trade name: ZPN-100 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied on the surface of the polyimide film of the B original fabric to a thickness of 10 μm and dried by a far infrared heater. Subsequently, the pattern of FIG. 4B was exposed with an exposure amount of 200 mj / cm 2 using a non-contact type UV exposure machine, and this was developed with a dedicated developer to prepare a preliminary resist 507 (FIG. 5B).
【００４９】これを、水酸化カリウム水溶液からなるポ
リイミドエッチング液に４０℃で５分間浸漬してポリイ
ミドフィルム５０１層の膜厚１０μｍ分をエッチング除
去した（図５Ｃ）。その後、ジクロルベンゼンからなる
剥離液を用いて予備のレジスト５０７を剥離した（図５
Ｄ）。This was immersed in a polyimide etching solution composed of an aqueous potassium hydroxide solution at 40 ° C. for 5 minutes to remove the polyimide film 501 layer having a thickness of 10 μm by etching (FIG. 5C). After that, the preliminary resist 507 was stripped using a stripping solution made of dichlorobenzene (FIG. 5).
D).
【００５０】この状態では、貫通孔形成領域に１０μｍ
の深さを持つ穴５０８が形成されている状態であるが、
再度、同様の工程を繰り返して、この穴を含めて全面に
レジスト５０９を設け（図５Ｅ）、図４Ａに示すパター
ンを露光量２００ｊ／ｃｍ2で露光し、これを専用現像
液にて現像した（図５Ｆ）。In this state, 10 μm is formed in the through hole forming region.
Although the hole 508 having the depth of is formed,
The same process was repeated again to form a resist 509 on the entire surface including this hole (FIG. 5E), and the pattern shown in FIG. 4A was exposed at an exposure amount of 200 j / cm 2 , and was developed with a dedicated developer. (FIG. 5F).
【００５１】この状態では、本来的にエッチングにより
除去されない部分、即ちデバイスホール部分５１３、ア
ウターリード形成部５１１並びにスプロケットホール形
成部５１２の各領域を除いた部分にレジスト５０９が形
成されている。そして、デバイスホール部分５１３の領
域内では、薄肉部形成領域５１５は本来のフィルム表面
が露出した状態となっており、デバイスホール貫通孔部
分５１４には、先の１０μｍの深さを持つ穴が形成され
ている。In this state, the resist 509 is formed on the portions that are not originally removed by etching, that is, the portions other than the device hole portion 513, the outer lead forming portion 511 and the sprocket hole forming portion 512. Then, in the area of the device hole portion 513, the original film surface is exposed in the thin portion forming area 515, and the hole having the depth of 10 μm is formed in the device hole through hole portion 514. Has been done.
【００５２】ここで、残存するレジスト５０９を本発明
における第一のレジストと考え、デバイスホール部分５
１３内の段差部、即ち薄肉部形成領域５１５の本来的な
フィルム表面から１０μｍの深さ位置までのフィルム層
を第二のレジストと考えることができる。そして、この
状態でポリイミドフィルム５０１をエッチングすること
で上記の各実施例と同様にフィルムチップキャリアを作
成できる。Here, the remaining resist 509 is considered as the first resist in the present invention, and the device hole portion 5
The step portion in 13, that is, the film layer from the original film surface of the thin portion forming region 515 to a depth position of 10 μm can be considered as the second resist. Then, by etching the polyimide film 501 in this state, a film chip carrier can be prepared in the same manner as each of the above-described embodiments.
【００５３】即ち、図５Ｆに示す状態で、水酸化カリウ
ム水溶液からなるポリイミドエッチング液に浸漬し、デ
バイスホール貫通孔部分５１４等の貫通孔形成領域に残
存する膜厚４０μｍ分のポリイミドフィルム層をエッチ
ングにより除去すれば、その時点でインナーリード部と
なる薄肉部形成領域５１５には膜厚１０μｍの薄肉ポリ
イミドフィルム層が残存することになる（図５Ｇ）。That is, in the state shown in FIG. 5F, the polyimide film layer having a film thickness of 40 μm which remains in the through hole forming region such as the device hole through hole portion 514 is etched by immersing in a polyimide etching solution consisting of an aqueous potassium hydroxide solution. If removed by, the thin polyimide film layer having a film thickness of 10 μm remains in the thin portion forming region 515 which becomes the inner lead portion at that time (FIG. 5G).
【００５４】この状態で、エッチングを終了し、その
後、ジクロルベンゼンからなる剥離液を用いてレジスト
を剥離すれば、図５Ｈに示すように、先の実施例と同様
にインナーリード部に膜厚１０μｍの薄肉部を持つポリ
イミドフィルム層を有するチップキャリアを形成でき
る。In this state, etching is completed, and then the resist is stripped using a stripping solution made of dichlorobenzene. As shown in FIG. 5H, as in the previous embodiment, the film thickness is formed on the inner lead portion. A chip carrier having a polyimide film layer having a thin portion of 10 μm can be formed.
【００５５】尚、ここで説明したチップキャリアの製造
方法は、チップキャリアが一枚一枚のバッチタイプのも
のでも良いし、テープキャリアのように連続したもので
も応用できるものである。The chip carrier manufacturing method described here may be applied to a batch type in which the chip carriers are one by one, or a continuous type such as a tape carrier.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プキャリアの製造方法によれば、フィルム層に貫通孔と
薄肉部のように異なる膜厚の部分を形成するフィルムエ
ッチング処理を一度のエッチング処理で行なうことがで
きるため、従来、各々別工程でエッチングしていた場合
に比べて、レジストの乾燥、硬化、剥離等の重複工程が
省略できる。As described above, according to the method of manufacturing a chip carrier of the present invention, a film etching process for forming a through hole and a portion having a different thickness such as a thin portion in a film layer is performed once. Since it can be performed by processing, it is possible to omit overlapping steps such as drying, curing, and peeling of the resist, as compared with the case where etching is conventionally performed in separate steps.
【００５７】このため、チップキャリアの製造工程が大
幅に簡素化されるので、生産性が高まり、製作コストの
低減化が図れ、かつ比較的容易にチップキャリアが生産
できる利点がある。Therefore, since the manufacturing process of the chip carrier is greatly simplified, the productivity is increased, the manufacturing cost can be reduced, and the chip carrier can be relatively easily manufactured.
【図１】本発明の第１と第３の実施例にかかるフィルム
チップキャリアの製造方法のレジスト形成状態を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a resist forming state in a method of manufacturing a film chip carrier according to first and third embodiments of the present invention.
【図２】上記各実施例における製造工程を示す説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process in each of the embodiments.
【図３】本発明の第２の実施例にかかるフィルムチップ
キャリアの製造方法における製造工程を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing process in a method of manufacturing a film chip carrier according to a second embodiment of the present invention.
【図４】上記実施例におけるレジスト形成の際の露光状
態を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an exposure state at the time of resist formation in the above example.
【図５】本発明の参考例にかかるフィルムチップキャリ
アの製造方法における製造工程を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a manufacturing process in a method of manufacturing a film chip carrier according to a reference example of the present invention.
１…ポリイミドフィルム ２…銅箔層 ３，４，３０５，５０７，５０９…レジスト 1 ... Polyimide film 2 ... Copper foil layer 3, 4, 305, 507, 509 ... Resist
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成５年４月２２日[Submission date] April 22, 1993
【手続補正１】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】全文[Correction target item name] Full text
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【書類名】 明細書[Document name] Statement
【発明の名称】 フィルムチップキャリアの製造方法Title: Method for manufacturing film chip carrier
【特許請求の範囲】[Claims]
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体デバイス
チップを基板等に実装する際に用いるフィルムチップキ
ャリアの製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a film chip carrier used for mounting a semiconductor device chip on a substrate or the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、フィルムチップキャリアの可撓性
フィルム部材は、耐熱性の高分子フィルム層からなるも
のが多く、このフィルム層には部分的な厚みの差異が設
けられているものがある。例えば、半導体デバイスチッ
プが搭載される部分にはデバイスホール等の貫通孔や薄
肉部が設けられたり、半導体デバイスチップをチップキ
ャリアごと基板等に実装する際に折り曲げた状態で使用
するものの場合には、この折り曲げ部等のフィルム層が
他の部分より薄く形成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, a flexible film member of a film chip carrier is often composed of a heat-resistant polymer film layer, and some film layers are provided with a partial difference in thickness. . For example, in parts where semiconductor device chips are mounted, through holes such as device holes and thin
When the semiconductor device chip is provided with a flesh portion or is used in a bent state when the semiconductor device chip is mounted on a substrate or the like together with the chip carrier, the film layer such as the bent portion is formed thinner than other portions.
【０００３】これらのフィルム層の貫通孔や薄肉部は、
フィルム層をエッチング処理により部分的に除去するこ
とにより形成される。この際に、フィルム層の貫通孔と
薄肉部とは、互いにエッチング処理時におけるフィルム
層の除去量が異るため、夫々を別工程のエッチング処理
を行なうことにより形成していた。The through holes and thin portions of these film layers are
It is formed by partially removing the film layer by an etching process. At this time, the through-hole and the thin portion of the film layer are formed by performing the etching process in different steps, because the removal amounts of the film layer during the etching process are different from each other.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、フィル
ム層にエッチング処理するには、例えば、レジストの塗
布、乾燥、露光、現像、レジスト剥離等の工程を行なう
必要があり、フィルムチップキャリアに貫通孔と薄肉部
のように厚さの異る部分を形成する場合には、これらの
エッチング処理工程を複数回繰り返すことになる。この
ため、フィルムチップキャリアの製造工程が非常に多く
なり、生産性が悪く、且つ製造コストが高くなるという
問題があった。However, in order to perform etching treatment on the film layer, it is necessary to carry out steps such as resist coating, drying, exposure, development, and resist stripping. When forming a portion having a different thickness such as a thin portion, these etching treatment steps are repeated a plurality of times. For this reason, there are problems that the number of manufacturing steps of the film chip carrier becomes extremely large, the productivity is poor, and the manufacturing cost is high.
【０００５】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、フィルムチップキャリアの製造工程を簡素化し、
生産性の向上並びに製造コストを低減化する製造方法を
提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above problems, and simplifies the manufacturing process of the film chip carrier,
It is an object of the present invention to provide a manufacturing method that improves productivity and reduces manufacturing cost.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的達成のため本発
明では、可撓性フィルム部材の少なくとも一方の面側に
複数組の金属配線が形成され、前記フィルム部材のフィ
ルム層に貫通孔または薄肉部からなる第１部分とこの第
１部分よりも大なる厚さに減肉された薄肉部からなる第
２部分とが設けられたフィルムチップキャリアの製造方
法において、前記フィルム層をエッチングして前記第１
部分と第２部分とを設ける際に、前記フィルム層の前記
第１部分形成領域と前記第２部分形成領域とを除いた領
域に、エッチング液に対してフィルム層がエッチングさ
れるのを防止する能力の高い第一のレジスト層を形成
し、前記フィルム層の前記第２部分形成領域に、前記第
一のレジスト層よりフィルム層がエッチングされるのを
防止する能力の低い第二のレジスト層を形成し、少なく
ともこれら二層のレジスト層が形成された状態で一度の
ケミカルエッチング処理により前記第１部分と第２部分
とを形成することを特徴とする。In the present invention for the above purpose achieve [SUMMARY OF], a plurality of sets of metal wires on at least one side of the flexible film member is formed, Fi of the film member
The first part consisting of a through hole or a thin part in the rum layer and this first part
No. 1 consisting of a thin-walled part that has been thinned to a thickness greater than one part
In a method for manufacturing a film chip carrier having two parts , the film layer is etched to form the first film chip carrier .
In providing a portion and a second portion, wherein the film layer
The film layer is etched with an etching solution in a region excluding the first partial formation region and the second partial formation region.
Forming a first resist layer having a high ability to prevent the second layer forming region of the film layer from forming the first resist layer .
The film layer is etched more than one resist layer.
Forming a second resist layer having low ability to prevent, reduce
Both and forming once the first portion by a chemical etching process and the second portion <br/> in a state in which the resist layer is formed of these two layers.
【０００７】[0007]
【作用】本発明に係るフィルムチップキャリアの製造方
法によれば、フィルム層に第１部分と第２部分のような
異なる膜厚の部分を形成するフィルムエッチング処理を
一度のエッチング処理で行える。According to the method of manufacturing the film chip carrier of the present invention, the film etching process for forming the portions having different film thicknesses such as the first portion and the second portion on the film layer can be performed by one etching treatment.
【０００８】即ち、本発明では、フィルムチップキャリ
アのフィルム層上の第１部分形成領域と第２部分形成領
域とを除いた領域に、エッチング液に対してフィルム層
がエッチングされるのを防止する能力の高い第一のレジ
スト層を形成しているため、第１部分形成領域と第２部
分形成領域とのフィルム層のみがエッチング処理により
除去される。この際、第２部分形成領域には前記第一の
レジスト層よりフィルム層がエッチングされるのを防止
する能力の低い第二のレジスト層が形成されているた
め、第２部分形成領域は、例えば第二のレジスト層とし
て可溶解性レジストを用いた場合には、フィルム層のエ
ッチング液により第二のレジスト層が除去された後にエ
ッチングが開始する。また、第二のレジスト層として半
透過性レジストを用いた場合には、エッチング液の浸透
が阻害されるため、フィルム層のエッチングの進行が第
１部分形成領域に比べて遅くなる。That is, according to the present invention, the film layer is exposed to the etching solution in the area excluding the first partial formation area and the second partial formation area on the film layer of the film chip carrier.
Since the first resist layer having a high ability to prevent the etching is formed, the first partial formation region and the second portion are formed.
Only the film layer with the minute formation region is removed by the etching process. At this time, the first portion is formed in the second partial formation region .
Prevents the film layer from being etched by the resist layer
Since the second resist layer having a low ability to perform etching is formed, the second partial formation region is formed into a second resist layer by an etching solution for the film layer when a soluble resist is used as the second resist layer. Etching starts after the resist layer is removed. Further, when a semi-transmissive resist is used as the second resist layer, the penetration of the etching solution is hindered, so that the progress of the etching of the film layer is
It is slower than the one-part formation region.
【０００９】ここで、エッチング液に対するフィルム層
除去の進行状態は、経過時間におおむね比例し、エッチ
ング液に直接接触する第１部分形成領域では、エッチン
グ処理の開始と共にフィルム層の除去が進行するが、第
二のレジスト層に可溶解性レジストを用いた場合、第２
部分形成領域でのエッチング開始時間には、第二のレジ
スト層が除去されるまでの時間的遅れが生ずる。このた
め、第１部分形成領域のほうが第２部分形成領域よりも
深くエッチングされることになり、第１部分形成領域の
フィルム層が全部除去された時点でも、第２部分形成領
域には、フィルム層が残存することとなる。このように
本発明では、この第二のレジスト層による時間的遅れを
利用して、第２部分形成領域に薄肉化されたフィルム層
を残存させることができ、第２部分に薄肉部を形成でき
る。他方、第二のレジスト層に半透過性レジストを用い
た場合においても、第二のレジスト層によってエッチン
グ液の浸透が阻害されるためエッチングの進行が遅れ、
第１部分形成領域のほうが第２部分形成領域よりも深く
エッチングされる。従って、上記可溶解性レジストを用
いた場合と同様に、第１部分形成領域のフィルム層が全
部除去された時点でも第２部分形成領域にはフィルムが
残存することとなる。The progress of the removal of the film layer with respect to the etching solution is roughly proportional to the elapsed time, and the removal of the film layer proceeds with the start of the etching process in the first portion forming region which is in direct contact with the etching solution. When a soluble resist is used for the second resist layer, the second
The etching start time in the partial formation region has a time delay until the second resist layer is removed. For this reason, the first partial formation region is larger than the second partial formation region.
Since the film is deeply etched , the film layer remains in the second partial formation region even when the film layer in the first partial formation region is completely removed. As described above, in the present invention, by utilizing the time delay due to the second resist layer, the thinned film layer can be left in the second portion forming region, and the thin portion can be formed in the second portion. . On the other hand, even when a semi-transparent resist is used for the second resist layer, the progress of etching is delayed because the penetration of the etching solution is obstructed by the second resist layer,
The first partial formation region is deeper than the second partial formation region
Is etched. Therefore, use the above soluble resist
As in the case of the above, even when the film layer in the first partial formation region is completely removed, the film remains in the second partial formation region.
【００１０】この際に、フィルム層の材質、エッチング
液の種類及び使用条件、第二のレジスト層の材質並びに
厚さ、並びに第１及び第２部分の目標厚み等の条件を総
合的に勘案して各々を決定する必要がある。例えば、第
１部分形成領域のフィルム層が目標厚みになった時点
で、第２部分形成領域のフィルム層が希望する厚みより
多く残存する場合には、更にエッチングを進行させる
か、第二のレジスト層をより薄く形成するか、又はより
エッチングの進行が速い材質のものに変更する等の処理
をすることで第２部分を所望の膜厚の薄肉部に形成する
ことができる。At this time, the conditions such as the material of the film layer, the kind and use condition of the etching solution, the material and thickness of the second resist layer, and the target thickness of the first and second portions are comprehensively taken into consideration. It is necessary to decide each. For example, the
When the film layer in the 1-part formation area reaches the target thickness
If the film layer in the second portion forming region remains thicker than the desired thickness, the etching is further advanced, the second resist layer is formed thinner , or a material having a faster etching progresses. The second portion can be formed into a thin portion having a desired film thickness by performing processing such as changing to a different material.
【００１１】ここで、フィルムチップキャリアに用いら
れる可撓性フィルム部材としては、例えば、ポリパラバ
ン酸樹脂、ポリイミド樹脂等の耐熱性樹脂フィルムが挙
げられるが、望ましくはポリイミド樹脂が良い。Here, examples of the flexible film member used for the film chip carrier include heat-resistant resin films such as polyparabanic acid resin and polyimide resin, and the polyimide resin is preferable.
【００１２】ポリイミド樹脂用エッチング液に対して用
いられるエッチング防止能力の高い第一のレジスト層と
しては、エッチング液に対して非溶解性・非透過性のも
の、アスファルトピッチ、タールピッチ、エポキシ系樹
脂、環化イソプレンゴム等の液状レジストやドライフィ
ルムからなるものが挙げられるが、これらに限らず使用
するエッチング液に侵されず処理後の剥離が容易に行な
えるものであれば問題はない。また、銅箔等の金属層を
第一のレジスト層としても良い。なお、この第一のレジ
スト層は、使用するエッチング液に対して全く侵されな
いものであることが好ましいが、以下に述べる第二のレ
ジスト層との関係で、侵食の進行速度が極めて遅いもの
であれば同様に用いることができ、必ずしも全く侵食さ
れないものに限定されるものではない。[0012] use for for the polyimide resin etching solution
As the first resist layer with high etching prevention ability, it is insoluble and non-permeable to the etching solution.
Of asphalt pitch, tar pitch, epoxy resin, include those made of a liquid resist or a dry film such as cyclized isoprene rubber, used etching solution a compromised without treatment after peeling easily be not limited to these There is no problem if it can be done. Further, a metal layer such as copper foil may be used as the first resist layer. The first resist layer is preferably one that is not attacked at all by the etching solution used, but due to the relationship with the second resist layer described below, the rate of erosion is extremely slow. It can be used in the same manner as long as it is present, and is not necessarily limited to one that is not eroded at all.
【００１３】前記第一のレジスト層よりもエッチング防
止能力の低い第二のレジスト層としては、第一のレジス
ト層よりもエッチング液に対して溶解し易いものや、エ
ッチング液が透過し易いものを用いることができる。エ
ッチング液により比較的溶解され易いレジストとして
は、ロジン樹脂、特にロジン変性マレイン酸樹脂、エポ
キシ系樹脂、アクリル系樹脂等、更には、ポリイミド、
マレイミドなどの基材フィルムに近い樹脂の塗布が挙げ
られるが、これに限らず塗膜が均一に溶解し、且つ所望
のエッチング時間で溶解するものであれば問題ない。 Etching protection is better than that of the first resist layer.
As the second resist layer with low stopping ability, the first resist layer
Layer that is more soluble in the etching solution than the
It is possible to use a material that allows the etching liquid to easily pass therethrough. D
As the resist which is relatively easily dissolved by the etching solution , a rosin resin, particularly a rosin-modified maleic acid resin, an epoxy resin, an acrylic resin, etc., further, a polyimide,
Examples include application of a resin similar to a base film such as maleimide, but not limited to this, there is no problem as long as the coating film dissolves uniformly and dissolves in a desired etching time.
【００１４】エッチング液を比較的透過させ易いレジス
トとしては、ロジン変性マレイン酸とアスファルトピッ
チの混合レジスト等が挙げられるが、塗膜が均一にエッ
チング液を半透過させるものであれば他のものでも特に
問題としない。Examples of resists that allow an etchant to pass through relatively easily include a mixed resist of rosin-modified maleic acid and asphalt pitch. Others do not matter in particular.
【００１５】エッチング液に可溶解性の第二のレジスト
層は、その溶解性が極めて高いものであると、その目的
としている第１部分形成領域のエッチングとの時間差を
つけるためにレジスト膜厚をかなり厚くしなければなら
なくなり、印刷性、印刷精度、レジストのコスト、乾燥
時間の増加等の問題が生じる。逆に、溶解性の低いレジ
ストでは、レジスト膜厚をかなり薄くしなければなら
ず、この場合はレジスト膜厚の管理が困難になる恐れが
ある。このため、エッチング液に弱溶解性のレジストで
あることが好ましく、一例を示せば、エッチング条件下
に於いて１〜５μｍ／ｍｉｎ程度の溶解性を持つレジス
トが望ましい。If the second resist layer, which is soluble in the etching solution, has a very high solubility, the resist film thickness is changed in order to make a time difference from the intended etching of the first partial formation region. The thickness must be considerably increased, which causes problems such as printability, printing accuracy, resist cost, and increase in drying time. On the contrary, in the case of a resist having a low solubility, it is necessary to make the resist film thickness considerably thin, and in this case, it may be difficult to control the resist film thickness. Therefore, it is preferable that the resist is weakly soluble in the etching liquid, and as an example, a resist having a solubility of about 1 to 5 μm / min under the etching conditions is desirable.
【００１６】透過性に差をつけたレジストにおいても、
透過性の高すぎるレジストではその膜厚を厚くしなけれ
ばならず、前記可溶解性のレジストの場合と同様な問題
が生じ、また透過性の低いレジストでは膜厚の管理が困
難になる。Even in resists having different transmittances ,
If the resist is too transparent, the film thickness must be increased, which causes the same problems as in the case of the soluble resist described above, and the resist having low transparency makes it difficult to control the film thickness.
【００１７】第一と第二のレジスト層は、例えばそのレ
ジストの耐アルカリ性により選択される。したがって、
同一のレジストにおいても、そのレジストを変質させる
ことにより第一のレジスト層から第二のレジスト層（あ
るいは第二のレジスト層から第一のレジスト層）へ転化
させて目的を達成することも可能である。The first and second resist layers are selected, for example , by the alkali resistance of the resist. Therefore,
Even with the same resist, it is possible to transform the resist to convert it from the first resist layer to the second resist layer (or from the second resist layer to the first resist layer) to achieve the purpose. is there.
【００１８】具体的には、光硬化（ネガ）型の感光性レ
ジストにおいては紫外線の露光量に比例してレジストの
硬化が進行するため、より耐アルカリ性を必要とする第
一のレジスト層については露光量を多くし、逆に第二の
レジスト層については露光量を少なくし、または露光し
ないようにする。これにより同一のレジストからなる層
を第一または第二の所望のレジスト層として機能させる
ことができる。Specifically, in a photo-curable (negative) type photosensitive resist, the curing of the resist progresses in proportion to the exposure amount of ultraviolet rays. Therefore, for the first resist layer requiring more alkali resistance, The exposure amount is increased, and conversely, the exposure amount of the second resist layer is decreased or the exposure is not performed. This allows the layers made of the same resist to function as the first or second desired resist layer.
【００１９】光分解（ポジ）型の感光性レジストにおい
ては、前述の光硬化（ネガ）型レジストの場合とは逆
に、露光量に応じてレジストの耐アルカリ性が低下する
ため、第一のレジスト層については露光量を少なくする
か或いは露光しないようにし、他方、第二のレジスト層
については適度な露光量で露光を行なうものとする。In the photodecomposition (positive) type photosensitive resist, contrary to the case of the photocurable (negative) type resist described above, the alkali resistance of the resist is lowered depending on the exposure amount, and therefore the first resist is used. The layer should be lightly exposed or not exposed, while the second resist layer should be lightly exposed.
【００２０】これらの場合、露光後に加熱処理を加える
ことによって露光部の反応を促し、第一と第二のレジス
ト層の特性の差を顕著にすることにより、更に好ましい
結果が得られることもある。In these cases, more preferable results may be obtained by adding a heat treatment after the exposure to promote the reaction in the exposed portion and to make the difference in the characteristics of the first and second resist layers noticeable. .
【００２１】また、熱硬化型レジストを使用した場合、
第一のレジスト層とするか第二のレジスト層にするか
は、加熱温度や加熱時間を選ぶことにより選択すること
ができる。When a thermosetting resist is used,
Whether to use the first resist layer or the second resist layer can be selected by selecting the heating temperature and the heating time.
【００２２】各レジスト層の塗布膜厚については、前述
したようにレジスト樹脂等の種類、レジストの硬化条
件、エッチング液の種類、エッチング温度、ハーフエッ
チングによる各薄肉部の加工膜厚などにより決定するた
め特にこれを限定しない。The coating thickness of each resist layer is determined by the type of resist resin, the curing conditions of the resist, the type of etching solution, the etching temperature, and the processed film thickness of each thin portion by half etching as described above. Therefore, this is not particularly limited.
【００２３】ここで用いられるレジストの塗布方法とし
ては、ロールコーター、ディップコーター、カーテンコ
ーター、スクリーン印刷等が挙げられるが、所望の膜厚
に均一にレジストを塗布できるものであれば特にこれを
限定するものではなく、またパターン印刷の出来るもの
であれば、露光、現像工程も省略出来るので、より好ま
しい。以下、実施例を通じ本発明を更に詳しく説明す
る。Examples of the resist coating method used here include a roll coater, a dip coater, a curtain coater, and screen printing. However, the method is not particularly limited as long as the resist can be uniformly coated to a desired film thickness. However, it is more preferable if the pattern printing can be performed because the exposure and development steps can be omitted. Hereinafter, the present invention will be described in more detail through examples.
【００２４】[0024]
【実施例】（実施例１）本発明の第１の実施例に係るチ
ップキャリアの製造工程を図２に示す。まず、膜厚５０
μｍのポリイミドフィルム１上に、スパッタリングによ
り０．２μｍ厚の銅層を形成し、続いて電解メッキによ
りこれを１８μｍの銅箔層２とした二層ＴＡＢ原反を作
製した（図２Ａ）。EXAMPLE 1 FIG. 2 shows a manufacturing process of a chip carrier according to a first example of the present invention. First, the film thickness 50
A 0.2 μm-thick copper layer was formed on the polyimide film 1 having a thickness of μm by sputtering, and then electrolytic plating was performed to produce a two-layer TAB original fabric as a copper foil layer 2 having a thickness of 18 μm (FIG. 2A).
【００２５】次に、スクリーン印刷機を用い、この二層
ＴＡＢ原反のポリイミドフィルム１側の表面に、環化イ
ソプレンゴム系のレジスト（商品名 ＺＰＮ−５００
日本ゼオン社製）を５μｍの塗布厚さでパターニング
し、遠赤外線ヒーターにより乾燥させ、非接触紫外線露
光機を用いて紫外線を１５０ｍｊ／ｃｍ2 で照射して硬
化させ、第一のレジスト層３を形成した（図２Ｂ）。Then, using a screen printing machine, a cyclized isoprene rubber-based resist (trade name: ZPN-500) was formed on the surface of the polyimide film 1 side of this two-layer TAB raw material.
Patterned by Nippon Zeon Co., Ltd. with a coating thickness of 5 μm
Then, it was dried by a far-infrared heater and irradiated with ultraviolet rays at 150 mj / cm 2 using a non-contact ultraviolet exposure machine to be cured to form a first resist layer 3 (FIG. 2B).
【００２６】即ち、この第一のレジスト層３は、後述す
るポリイミドフィルム１のエッチング液に対して非溶解
性であり、図１Ａに示すように、アウターリード孔部分
１１やスプロケットホール部分１２等の貫通孔形成領域
と、デバイスホールとなる別の貫通孔及び薄肉部を形成
すべきデバイスチップ搭載部１３の各領域とを除いたパ
ターンに塗布した。That is, the first resist layer 3 is insoluble in the etching solution for the polyimide film 1 which will be described later, and as shown in FIG. 1A, the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12 and the like are formed. Through hole formation area
When, it was applied in a pattern excluding the respective regions of the device chip mounting portion 13 to be formed another through holes and the thin portion serving as a device hole.
【００２７】この第一のレジスト層３が形成された面の
上に、エポキシアクリレート系樹脂（商品名 ＲＥＲ−
１０ 太陽インキ社製）からなるレジストをスクリーン
印刷機で１０μｍの塗布厚さにパターニングし、乾燥後
に紫外線を５０ｍｊ／ｃｍ2で照射して硬化させ、第二
のレジスト層４を形成した（図２Ｃ）。On the surface on which the first resist layer 3 is formed, an epoxy acrylate resin (trade name RER-
A resist composed of 10 Taiyo Ink Co., Ltd.) was patterned with a screen printer to a coating thickness of 10 μm, and after drying, it was irradiated with ultraviolet rays at 50 mj / cm 2 to be cured to form a second resist layer 4 (FIG. 2C). ).
【００２８】即ち、この第二のレジスト層４は、後述す
るポリイミドフィルム１のエッチング液に対して可溶解
性であり、図１Ｂに示すように、アウターリード孔部分
１１よりも内側で、且つデバイスホールとなる貫通孔部
分１４を含むデバイスチップ搭載部１３を包含し、但し
デバイスホール貫通孔部分１４を除いた領域をマスクす
るパターンに塗布した。ここで、アウターリード孔部分
１１、スプロケットホール部分１２、およびデバイスホ
ール貫通孔部分１４からなる貫通孔形成領域が第１部分
形成領域であり、また、デバイスチップ搭載部１３内の
デバイスホール貫通孔部分１４を除いた薄肉部形成領域
が第２部分形成領域１５である。That is, the second resist layer 4 is soluble in the etching solution for the polyimide film 1 described later, and as shown in FIG. 1B, is located inside the outer lead hole portion 11 and in the device. The device chip mounting portion 13 including the through hole portion 14 to be a hole was included, but the region excluding the device hole through hole portion 14 was applied in a mask pattern. Where the outer lead hole
11, sprocket hole portion 12, and device ho
The first portion is the through-hole forming region including the hole through-hole portion 14.
The thin portion forming region, which is the forming region and in which the device hole through hole portion 14 in the device chip mounting portion 13 is removed, is the second partial forming region 15.
【００２９】次に、これらの第１のレジスト層３及び第
２のレジスト層４が形成された二層ＴＡＢ原反を、水酸
化カリウム水溶液からなるポリイミドエッチング液に浸
漬してポリイミドフィルム１をエッチングした。このエ
ッチングは４０℃で３０分間行ったが、貫通孔形成領域
であるデバイスホール貫通孔部分１４、アウターリード
孔部分１１、並びにスプロケットホール部分１２におけ
るポリイミドフィルムが全て除去された段階でエッチン
グを終了させた。Next, these first resist layer 3 and the
The two- layer TAB original fabric on which the resist layer 4 of No. 2 was formed was dipped in a polyimide etching solution composed of an aqueous potassium hydroxide solution to etch the polyimide film 1. This etching was performed at 40 ° C. for 30 minutes, but the etching was terminated when all the polyimide films in the device hole through hole portion 14, the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12 which are the through hole forming regions were removed. It was
【００３０】このエッチングの際に、第二のレジスト層
４もエッチング液により浸食されて除去されるが、これ
によってフィルムのエッチングが開始されるまでにはレ
ジストパターンから露出した部分に対して時間差があ
る。この時間差により、デバイスチップ搭載部１３内の
第二のレジスト層形成領域（第２部分形成領域１５）に
おけるポリイミドフィルムのエッチング開始が遅れ、上
記のエッチングを終了した時点では第二のレジスト層４
で覆われた部分に薄肉のポリイミドフィルムが残存して
いた（図２Ｄ）。At the time of this etching, the second resist layer 4 is also eroded and removed by the etching solution, and by this, there is a time difference with respect to the portion exposed from the resist pattern before the etching of the film is started. is there. This time difference, delay the start of etching of the polyimide film in the second resist layer formation region of the device chip mounting portion 13 (second part forming region 15), the second resist layer after completing the etching of the 4
A thin polyimide film remained in the portion covered with (Fig. 2D).
【００３１】そして、これをジクロルベンゼンからなる
専用剥離液に浸漬して残存する第一のレジスト層３をフ
ィルムから剥離し、図１Ｃに示すように、デバイスチッ
プ搭載部１３内のインナーリード形成部領域（第２部分
形成領域１５）に、ポリイミド膜厚１０μｍの薄肉部を
備えたポリイミドフィルム層を有するチップキャリアを
形成した（図２Ｅ）。[0031] Then, this first resist layer 3 remaining immersed in dedicated stripping solution consisting of dichlorobenzene was peeled from the film, as shown in FIG. 1C, the device chip
A chip carrier having a polyimide film layer having a thin portion having a polyimide film thickness of 10 μm was formed in the inner lead forming portion area ( second portion forming area 15) in the mounting portion 13 (FIG. 2E).
【００３２】（実施例２）次に、図３及び図４を用い、
本発明の第２の実施例を説明する。まず、膜厚５０μｍ
のポリイミドフィルム３０１上に、スパッタリングによ
り０．２μｍの銅層を形成し、続いて電解メッキにより
これを１８μｍの銅箔層３０２とした二層ＴＡＢ原反を
作製した（図３Ａ）。(Embodiment 2) Next, referring to FIG. 3 and FIG.
A second embodiment of the present invention will be described. First, the film thickness is 50 μm
A copper layer having a thickness of 0.2 μm was formed on the polyimide film 301 by sputtering, and then a copper foil layer 302 having a thickness of 18 μm was formed into a two-layer TAB original sheet by electrolytic plating (FIG. 3A).
【００３３】次に、ロールコーターを用いて、この二層
ＴＡＢ原反のポリイミドフィルム３０１の表面にエポキ
シアクリレート系樹脂の感光性レジスト３０５（商品名
ＰＥＲ−１０ 太陽インキ社製）を３０μｍの厚さに
塗布し、遠赤外線ヒーターにより乾燥させた。Next, using a roll coater, a photosensitive resist 305 (trade name: PER-10, manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) made of an epoxy acrylate resin is formed on the surface of the polyimide film 301 of the two-layer TAB to a thickness of 30 μm. And then dried by a far infrared heater.
【００３４】その後、非接触型紫外線露光機を用い、図
４Ａに示すパターンで露光量２００ｍｊ／ｃｍ2 の露光
を行ない、更に、図４Ｂに示すパターンで露光量５０ｍ
ｊ／ｃｍ2 の露光を行なった。ここで、図４Ａに示すパ
ターンは、第一実施例における第一のレジスト層３の塗
布領域のみを露光光で照射する（若しくは、塗布しなか
った領域を遮光する）形状となっている。また、図４Ｂ
に示すパターンは、デバイスチップ搭載部３１３以外の
部分は図４Ａに示すパターンと同様であるが、デバイス
チップ搭載部３１３内で、デバイスホール貫通孔部分３
１４のみを遮光し、第２部分形成領域３１５に光が照射
される形状となっている。Then, using a non-contact type UV exposure machine, an exposure amount of 200 mj / cm 2 was applied in the pattern shown in FIG. 4A, and an exposure amount of 50 m was applied in the pattern shown in FIG. 4B.
An exposure of j / cm 2 was performed. Here, the pattern shown in FIG. 4A has a shape in which only the application area of the first resist layer 3 in the first embodiment is irradiated with exposure light (or the area not applied is shielded). Also, FIG. 4B
4A is similar to the pattern shown in FIG. 4A except for the device chip mounting portion 313.
In the chip mounting portion 313, the device hole through hole portion 3
Only 14 is shielded, and the second portion forming region 315 is irradiated with light.
【００３５】このエポキシアクリレート系樹脂感光性レ
ジストは、光硬化性であるため、露光量に比例して硬化
が進行する。このため、上記の露光を行なうことで図４
Ａ及びＢ相互のパターンで共に露光された領域（第１実
施例の第一レジスト層塗布領域と同じ領域）のレジスト
層３０５ａは完全に硬化し、また、図４Ｂのパターンの
みで露光された領域（第２部分形成領域３１５）のレジ
スト層３０５ｂは半硬化状態となった。Since this epoxy acrylate resin photosensitive resist is photocurable, the curing proceeds in proportion to the exposure amount. Therefore, by performing the above-mentioned exposure,
A resist in a region (the same region as the first resist layer coating region of the first embodiment) exposed by both the patterns A and B.
The layer 305a was completely cured, and the resist layer 305b in the region exposed only with the pattern of FIG. 4B ( second partial formation region 315) was in a semi-cured state.
【００３６】この露光作業後に、これを1,1,1 トリクロ
ロエタンからなる専用現像液を用いて現像したところ、
露光により硬化された領域（半硬化領域を含む）を除い
た部分のレジスト３０５が除去された（図３Ｃ）。After this exposure operation, this was developed using a dedicated developer composed of 1,1,1 trichloroethane,
The resist 305 was removed in a portion other than the region cured by exposure (including the semi-cured region) (FIG. 3C).
【００３７】このようにして形成されたレジスト層３０
５ａ，ｂを持つ二層ＴＡＢ原反を、水酸化カリウム水溶
液からなるポリイミドエッチング液に浸漬し、ポリイミ
ドフィルム３０１のエッチング処理を行なったが、この
際に半硬化状態のレジスト層３０５ｂもこのエッチング
液により徐々に浸食された。The resist layer 30 thus formed
The two-layer TAB raw material having 5a and 5b was immersed in a polyimide etching solution composed of an aqueous potassium hydroxide solution to perform an etching treatment on the polyimide film 301. At this time, the semi-cured resist layer 305b was also etched with this etching solution. Was gradually eroded by.
【００３８】第１部分形成領域であるデバイスホール貫
通孔部分３１５、アウターリード形成部領域３１１、並
びにスプロケットホール形成領域３１２におけるポリイ
ミドフィルム３０１が全て除去された段階（４０℃で３
０分）でエッチングを終了させたところ、デバイスチッ
プ搭載部３１３内の第２部分形成領域３１５には、第１
実施例と同様に先の半硬化レジスト層３０５ｂの除去ま
での時間差により薄肉のポリイミドフィルムが残存して
いた（図３Ｄ）。The stage where all the polyimide film 301 in the device hole through hole portion 315 which is the first portion forming area, the outer lead forming portion area 311, and the sprocket hole forming area 312 is removed (3 at 40 ° C.).
When the etching was completed in 0 minutes, the device chip
In the second partial formation area 315 in the mounting portion 313, the first
Similar to the example, a thin polyimide film remained due to the time difference until the removal of the semi-cured resist layer 305b (FIG. 3D).
【００３９】そして、これを塩化メチレンからなる専用
剥離液に浸漬して、残存する硬化されたレジスト層３０
５ａを剥離し、図３Ｅに示すように、デバイスチップ搭
載部３１３内のインナーリード形成部領域にポリイミド
膜厚１０μｍの薄肉部３１５をもつポリイミド層を有す
るチップキャリアが得られた。Then, this is immersed in a dedicated stripping solution composed of methylene chloride to leave the remaining cured resist layer 30.
5a is peeled off, and the device chip is mounted as shown in FIG. 3E.
A chip carrier having a polyimide layer having a thin-walled portion 315 with a polyimide film thickness of 10 μm in the inner lead forming portion region in the mounting portion 313 was obtained.
【００４０】（実施例３）次に、本発明の第３の実施例
を説明する。先ず、５０μｍポリイミドフィルム１上に
スパッタリングにより０．２μｍの銅層を形成し、続い
て電解メッキによりこれを１８μｍの銅箔層とした二層
ＴＡＢ原反を作製した。(Embodiment 3) Next, a third embodiment of the present invention will be described. First, a 0.2 μm copper layer was formed on the 50 μm polyimide film 1 by sputtering, and then electrolytic plating was performed to form a 18 μm copper foil layer into a two-layer TAB original fabric.
【００４１】次に、スクリーン印刷機を用い、この二層
原反のポリイミドフィルム側の表面に環化イソプレンゴ
ム系のレジストを５μｍの厚さに塗布し、遠赤外線ヒー
ターにより乾燥させ、非接触紫外線露光機を用いて露光
量１５０ｍｊ／ｃｍ2 で紫外線を照射して硬化させた。
なお、この第一のレジスト層３は、後述するポリイミド
フィルム１のエッチング液に対して非溶解性であり、図
１Ａに示すように、アウターリード孔部分１１やスプロ
ケットホール部分１２等の貫通孔形成領域と、デバイス
ホールとなる貫通孔および薄肉部形成領域であるデバイ
スチップ搭載部１３の各領域とを除いたパターンに塗布
した。Then, using a screen printing machine, a cyclized isoprene rubber-based resist was applied to the surface of the polyimide film side of the two-layer original fabric to a thickness of 5 μm, dried by a far infrared heater, and non-contact ultraviolet rays were applied. It was cured by irradiating it with ultraviolet rays at an exposure dose of 150 mj / cm 2 using an exposure machine.
The first resist layer 3 is insoluble in the etching solution for the polyimide film 1 described later, and as shown in FIG. 1A, the outer lead hole portion 11 and the sprocket hole portion 12 are formed. a through hole forming region etc., the device
Was coated in a pattern excluding the respective regions of the device chip mounting portion 13 is a through-hole and the thin section forming area becomes a hole.
【００４２】更に、この第一のレジスト層３が形成され
た面の上に、第二のレジスト層４としてロジン変性マレ
イン酸樹脂からなるレジスト（商品名 Ｘ−７７ 太陽
インキ社製）をスクリーン印刷法により１５μｍの厚さ
に塗布し、クリーンオーブン中にて乾燥させた。この第
二のレジスト層４は、後述するポリイミドフィルムのエ
ッチング液に対して溶解するものではないが、該エッチ
ング液を浸透させるので、レジスト層の下地にあるポリ
イミドフィルムをエッチングさせることができる。Further, a resist (trade name: X-77 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) made of a rosin-modified maleic acid resin is screen printed as a second resist layer 4 on the surface on which the first resist layer 3 is formed. It was applied to a thickness of 15 μm by the method and dried in a clean oven. The second resist layer 4 include, but are not soluble in an etchant of the polyimide film to be described later, since the penetration of the said etching <br/> ring solution, to etch the polyimide film in the underlying resist layer be able to.
【００４３】図１Ｂに示すように、第二のレジスト層４
は、アウターリード孔部分１１よりも内側で、且つデバ
イスホール貫通孔部分１４を含むデバイスチップ搭載部
１３を包含し、但しデバイスホール貫通孔部分１４を除
いた領域をマスクするパターンに塗布した。ここで、ア
ウターリード孔部分１１、スプロケットホール部分１
２、およびデバイスホール貫通孔部分１４からなる貫通
孔形成領域が第１部分形成領域であり、また、デバイス
チップ搭載部１３内のデバイスホール貫通孔部分１４を
除いた薄肉部形成領域が第２部分形成領域１５である。As shown in FIG. 1B, the second resist layer 4
Is the inner side than the outer lead hole portion 11, and Device
It was applied in a pattern including the device chip mounting portion 13 including the through hole portion 14 of the device, but masking the region excluding the portion 14 of the through hole portion of the device hole. Here, A
Water lead hole 11 and sprocket hole 1
2 and a through hole consisting of a device hole through hole portion 14
The hole formation region is the first partial formation region, and the device
The thin portion forming region except the device hole through hole portion 14 in the chip mounting portion 13 is the second portion forming region 15.
【００４４】次に、これらの第１及び第２のレジスト層
３及び４が形成された二層ＴＡＢ原反を、水酸化カリウ
ム水溶液からなるポリイミドエッチング液に浸漬してポ
リイミドフィルム１をエッチングした。このエッチング
は４０℃で３０分間行ったが、貫通孔形成領域であるデ
バイスホール貫通孔部分１４、アウターリード孔部分１
１、並びにスプロケットホール部分１２におけるポリイ
ミドフィルムが全て除去された段階でエッチングを終了
させた。Next, the two-layer TAB original fabric on which the first and second resist layers 3 and 4 were formed was immersed in a polyimide etching solution containing an aqueous solution of potassium hydroxide to etch the polyimide film 1. This etching was performed at 40 ° C. for 30 minutes, but the device hole through hole portion 14 and the outer lead hole portion 1 which are the through hole forming regions are formed.
The etching was terminated when the polyimide film in 1 and the sprocket hole portion 12 was completely removed.
【００４５】このエッチングの際に、第二のレジスト層
４はエッチング液を浸透させて遂には下地のポリイミド
フィルム層のエッチングによる侵食を開始させるが、自
らは溶けずに残存している。エッチング液がこの第二の
レジスト層４を透過して、下地のポリイミドフィルム層
の侵食が開始されるまでの時間差により、デバイスチッ
プ搭載部１３の第二のレジスト層形成領域（第２部分形
成領域１５）におけるポリイミドフィルムのエッチング
開始が遅れ、上記のエッチングを終了した時点では第二
のレジスト層４で覆われた部分に薄肉のポリイミドフィ
ルムが残存していた。そして、これをジクロルベンゼン
からなる専用剥離液に浸漬して残存する第一のレジスト
層３および第二のレジスト４層をフィルムから剥離し、
図１Ｃに示すように、デバイスホール部分１３内のイン
ナーリード形成部領域（第２部分形成領域１５）に、ポ
リイミド膜厚１０μｍの薄肉部を備えたポリイミドフィ
ルム層を有するチップキャリアを形成した。 During this etching, the second resist layer 4 permeates the etching solution to finally start the erosion of the underlying polyimide film layer by etching, but the second resist layer 4 itself remains unmelted. Due to the time difference until the etching liquid permeates the second resist layer 4 and starts to erode the underlying polyimide film layer, the second resist layer forming region ( second partial shape < The start of etching the polyimide film in the formed region 15) was delayed, and when the above etching was completed, the thin polyimide film remained in the portion covered with the second resist layer 4. And this is dichlorobenzene
The first resist that remains after being dipped in a dedicated stripping solution consisting of
Peeling layer 3 and the second resist 4 layer from the film,
As shown in FIG. 1C, the inside of the device hole portion 13 is
In the nap lead forming area (second partial forming area 15),
Polyimide film with thin wall thickness of 10 μm
A chip carrier having a rum layer was formed.
【００４６】（実施例４）第１および第２のレジスト層
３，４を形成した後のエッチング時間を２０分にした点
を除き実施例２と同様の手順でチップキャリアを作成し
た。得られたチップキャリアには、デバイスホール貫通
孔となるべき部分３１４に厚さ５μｍの薄肉部が形成さ
れ、デバイスチップ搭載部３１３内のインナーリード形
成部領域に厚さ２５μｍの薄肉部３１５が形成されてい
た。 Example 4 First and Second Resist Layers
The point that the etching time after forming 3 and 4 was 20 minutes
A chip carrier was prepared by the same procedure as in Example 2 except for
It was The resulting chip carrier has a device hole
A thin portion having a thickness of 5 μm is formed in the portion 314 to be the hole.
Inner lead type inside the device chip mounting part 313
A thin portion 315 having a thickness of 25 μm is formed in the grown region.
It was
【００４７】（参考例）次に、本発明の参考例について
図５を用いて説明する。この例では、前述の各実施例と
同様に、膜厚５０μｍのポリイミドフィルム５０１上
に、スパッタリングにより０．２μｍの銅層を形成し、
続いてこれを電解メッキにより１８μｍの銅箔層５０２
とした二層ＴＡＢ原反を作製した（図５Ａ）。(Reference Example) Next, a reference example of the present invention will be described with reference to FIG. In this example, similarly to each of the above-described Examples, a 0.2 μm copper layer was formed by sputtering on a polyimide film 501 having a film thickness of 50 μm,
Then, this is electroplated to form a copper foil layer 502 having a thickness of 18 μm.
A two-layer TAB original fabric was prepared (FIG. 5A).
【００４８】次に、ロールコーターを用いて、二層ＴＡ
Ｂ原反のポリイミドフィルム面に環化イソプレンゴム系
のレジスト（商品名 ＺＰＮ−１００ 日本ゼオン社
製）を１０μｍの厚さで塗布し、遠赤外線ヒーターによ
り乾燥させた。続いて、非接触型紫外線露光機を用い
て、図４Ｂのパターンを露光量２００ｍｊ／ｃｍ2 で露
光し、これを専用現像液によって現像して予備のレジス
ト層５０７を作成した（図５Ｂ）。Next, using a roll coater, a two-layer TA
A cyclized isoprene rubber-based resist (trade name: ZPN-100 manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd.) was applied on the surface of the polyimide film of the B original fabric to a thickness of 10 μm and dried by a far infrared heater. Subsequently, the pattern of FIG. 4B was exposed at an exposure dose of 200 mj / cm 2 using a non-contact type UV exposure machine, and this was developed with a dedicated developer to prepare a preliminary resist.
Layer 507 was created (FIG. 5B).
【００４９】これを、水酸化カリウム水溶液からなるポ
リイミドエッチング液に４０℃で５分間浸漬してポリイ
ミドフィルム５０１層の膜厚１０μｍ分をエッチング除
去した（図５Ｃ）。その後、ジクロルベンゼンからなる
剥離液を用いて予備のレジスト５０７を剥離した（図５
Ｄ）。This was immersed in a polyimide etching solution composed of an aqueous potassium hydroxide solution at 40 ° C. for 5 minutes to remove the polyimide film 501 layer having a thickness of 10 μm by etching (FIG. 5C). After that, the preliminary resist 507 was stripped using a stripping solution made of dichlorobenzene (FIG. 5).
D).
【００５０】この状態では、貫通孔形成領域に１０μｍ
の深さを持つ穴５０８が形成されている状態であるが、
再度、同様の工程を繰り返して、この穴５０８を含めて
全面にレジスト５０９層を設け（図５Ｅ）、図４Ａに示
すパターンを露光量２００ｊ／ｃｍ2 で露光し、これを
専用現像液にて現像した（図５Ｆ）。In this state, 10 μm is formed in the through hole forming region.
Although the hole 508 having the depth of is formed,
The same steps are repeated again to form a resist 509 layer on the entire surface including the hole 508 (FIG. 5E), and the pattern shown in FIG. 4A is exposed with an exposure amount of 200 j / cm 2 , and this is exposed with a dedicated developer. It was developed (Fig. 5F).
【００５１】この状態では、本来的にエッチングにより
除去されない部分、即ちデバイスチップ搭載部５１３、
アウターリード形成部５１１並びにスプロケットホール
形成部５１２の各領域を除いた部分にレジスト層５０９
が形成されている。そして、デバイスチップ搭載部５１
３の領域内では、薄肉部形成領域５１５は本来のフィル
ム表面が露出した状態となっており、デバイスホール貫
通孔部分５１４には、先の１０μｍの深さを持つ穴が形
成されている。In this state, the portion which is not originally removed by etching, that is, the device chip mounting portion 513,
The resist layer 509 is formed on the outer lead forming portion 511 and the sprocket hole forming portion 512 except the respective regions.
Are formed. Then, the device chip mounting portion 51
In the region of No. 3, the thin film forming region 515 is in a state where the original film surface is exposed, and the device hole through hole portion 514 is formed with a hole having a depth of 10 μm.
【００５２】ここで、残存するレジスト層５０９を本発
明における第一のレジスト層と考えると共に、デバイス
チップ搭載部５１３内の段差部、即ち薄肉部形成領域５
１５の本来的なフィルム表面から１０μｍの深さ位置ま
でのフィルム層を第二のレジスト層と考えることができ
る。そして、この状態でポリイミドフィルム５０１をエ
ッチングすることで上記の各実施例と同様にフィルムチ
ップキャリアを作成できる。Here, the remaining resist layer 509 is considered as the first resist layer in the present invention, and the device
Step portion in the chip mounting portion 513, that is, the thin portion forming region 5
The film layer from the original film surface of 15 to a depth of 10 μm can be considered as the second resist layer . Then, by etching the polyimide film 501 in this state, a film chip carrier can be prepared in the same manner as each of the above-described embodiments.
【００５３】即ち、図５Ｆに示す状態で、水酸化カリウ
ム水溶液からなるポリイミドエッチング液に浸漬し、デ
バイスホール貫通孔部分５１４等の貫通孔形成領域に残
存する膜厚４０μｍ分のポリイミドフィルム層をエッチ
ングにより除去すれば、その時点でインナーリード部と
なる薄肉部形成領域５１５には膜厚１０μｍの薄肉ポリ
イミドフィルム層が残存することになる（図５Ｇ）。That is, in the state shown in FIG. 5F, the polyimide film layer having a film thickness of 40 μm which remains in the through hole forming region such as the device hole through hole portion 514 is etched by immersing in a polyimide etching solution consisting of an aqueous potassium hydroxide solution. If removed by, the thin polyimide film layer having a film thickness of 10 μm remains in the thin portion forming region 515 which becomes the inner lead portion at that time (FIG. 5G).
【００５４】この状態で、エッチングを終了し、その
後、ジクロルベンゼンからなる剥離液を用いてレジスト
を剥離すれば、図５Ｈに示すように、先の実施例と同様
にインナーリード部に膜厚１０μｍの薄肉部を持つポリ
イミドフィルム層を有するチップキャリアを形成でき
る。In this state, etching is completed, and then the resist is stripped using a stripping solution made of dichlorobenzene. As shown in FIG. 5H, as in the previous embodiment, the film thickness is formed on the inner lead portion. A chip carrier having a polyimide film layer having a thin portion of 10 μm can be formed.
【００５５】尚、ここで説明したチップキャリアの製造
方法は、チップキャリアが一枚一枚のバッチタイプのも
のでも良いし、テープキャリアのように連続したもので
も応用できるものである。The chip carrier manufacturing method described here may be applied to a batch type in which the chip carriers are one by one, or a continuous type such as a tape carrier.
【００５６】[0056]
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プキャリアの製造方法によれば、フィルム層に貫通孔や
異なる膜厚の複数の薄肉部を形成するフィルムエッチン
グ処理を一度のエッチング処理で行なうことができるた
め、従来、各々別工程でエッチングしていた場合に比べ
て、レジストの乾燥、硬化、剥離等の重複工程が省略で
きる。As described above, according to the method of manufacturing a chip carrier of the present invention, a through hole or a hole is formed in the film layer.
Since the film etching process for forming a plurality of thin portions having different film thicknesses can be performed by one etching process, it is possible to dry, cure, peel off the resist, etc., as compared with the case where etching is conventionally performed in different steps. The overlapping process can be omitted.
【００５７】このため、チップキャリアの製造工程が大
幅に簡素化されるので、生産性が高まり、製作コストの
低減化が図れ、かつ比較的容易にチップキャリアが生産
できる利点がある。Therefore, since the manufacturing process of the chip carrier is greatly simplified, the productivity is increased, the manufacturing cost can be reduced, and the chip carrier can be relatively easily manufactured.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明の第１と第３の実施例にかかるフィルム
チップキャリアの製造方法のレジスト形成状態を示す説
明図である。FIG. 1 is an explanatory view showing a resist forming state in a method of manufacturing a film chip carrier according to first and third embodiments of the present invention.
【図２】上記各実施例における製造工程を示す説明図で
ある。FIG. 2 is an explanatory diagram showing a manufacturing process in each of the embodiments.
【図３】本発明の第２の実施例にかかるフィルムチップ
キャリアの製造方法における製造工程を示す説明図であ
る。FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing process in a method of manufacturing a film chip carrier according to a second embodiment of the present invention.
【図４】上記実施例におけるレジスト層形成の際の露光
状態を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory diagram showing an exposure state at the time of forming a resist layer in the above example.
【図５】本発明の参考例にかかるフィルムチップキャリ
アの製造方法における製造工程を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a manufacturing process in a method of manufacturing a film chip carrier according to a reference example of the present invention.
【符号の説明】 １…ポリイミドフィルム ２…銅箔層 ３，４，３０５，５０７，５０９…レジスト層[Explanation of Codes] 1 ... Polyimide film 2 ... Copper foil layer 3, 4, 305, 507, 509 ... Resist layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大谷 健一 東京都千代田区丸の内二丁目６番１号 古 河電気工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── --Continued front page (72) Inventor Kenichi Otani 2-6-1 Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd.
Claims (1)
組の金属配線が形成され、フィルム層の予め定められた
部分に貫通孔と薄肉部とが設けられたフィルムチップキ
ャリアの製造方法において、 前記フィルム層をエッチングして前記貫通孔と薄肉部と
を設ける際に、 前記フィルム層の前記貫通孔形成領域と薄肉部形成領域
とを除いた領域に、フィルム層のエッチング液に対して
非溶解性または非透過性の第一のレジスト層を形成し、 前記フィルム層の前記薄肉部形成領域に、フィルム層の
エッチング液に対して可溶解性または半透過性の第二の
レジスト層を形成し、 これら二層のレジスト層が形成された状態で一度のケミ
カルエッチング処理により前記貫通孔と薄肉部とを同時
に形成することを特徴とするフィルムチップキャリアの
製造方法。1. A method of manufacturing a film chip carrier in which a plurality of sets of metal wirings are formed on one surface side of a flexible film member, and a through hole and a thin portion are provided in a predetermined portion of the film layer. In, in providing the through hole and the thin portion by etching the film layer, in the region excluding the through hole forming region and the thin portion forming region of the film layer, for the etching solution of the film layer Forming a non-soluble or non-permeable first resist layer, in the thin portion forming region of the film layer, a second resist layer soluble or semi-permeable to the etching solution of the film layer A film chip carrier, characterized in that the through-hole and the thin portion are simultaneously formed by a single chemical etching treatment in a state where these two resist layers are formed. Law.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2960393A JPH0629353A (en) | 1992-01-28 | 1993-01-27 | Manufacture of film chip carrier |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-38538 | 1992-01-28 | ||
| JP3853892 | 1992-01-28 | ||
| JP2960393A JPH0629353A (en) | 1992-01-28 | 1993-01-27 | Manufacture of film chip carrier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0629353A true JPH0629353A (en) | 1994-02-04 |
Family
ID=26367819
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2960393A Pending JPH0629353A (en) | 1992-01-28 | 1993-01-27 | Manufacture of film chip carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0629353A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8274182B2 (en) | 2007-10-04 | 2012-09-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Linear motor including extended tooth tips |
| US9843231B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Denso Corporation | Rotating electric machine including rotor, annular stator core and multi-phase stator coil |
-
1993
- 1993-01-27 JP JP2960393A patent/JPH0629353A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8274182B2 (en) | 2007-10-04 | 2012-09-25 | Mitsubishi Electric Corporation | Linear motor including extended tooth tips |
| US9843231B2 (en) | 2014-01-10 | 2017-12-12 | Denso Corporation | Rotating electric machine including rotor, annular stator core and multi-phase stator coil |
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