JPH06290423A - Method for trimming pole of thin film magnetic head - Google Patents
Method for trimming pole of thin film magnetic headInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドのポー
ルトリミング方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pole trimming method for a thin film magnetic head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】薄膜磁気ヘッドは近年の高密度磁気記録
装置には必要不可欠な部品となっており、より一層の高
密度化を達成するためその特性の改善が急務となってい
る。2. Description of the Related Art A thin-film magnetic head has become an indispensable component in recent high-density magnetic recording devices, and there is an urgent need to improve its characteristics in order to achieve higher density.
【０００３】薄膜磁気ヘッドは、磁気コア自体が薄膜磁
性材料であるため高周波特性に対する特性劣化が少な
く、また、記録時のヘッド磁界の変化が急峻なため高分
解能な記録ができ、さらに、同一基板内に大量に一括し
て形成されるため特性の均一性、並びに量産性に富む等
の特徴を有している。In the thin film magnetic head, since the magnetic core itself is a thin film magnetic material, characteristic deterioration with respect to high frequency characteristics is small, and since the head magnetic field changes sharply during recording, high resolution recording is possible, and further, the same substrate is used. Since it is formed in a large amount at once, it has characteristics such as uniformity of characteristics and high mass productivity.
【０００４】この薄膜磁気ヘッドは、図３に示したよう
に、上部、下部の磁性層１，２と、コイル層３と、磁性
層１，２とコイル層３を絶縁する絶縁層４とで構成され
ており、磁性層１，２で形成されるポールピース部５で
信号を記録再生しコイル層３から導出された端子パッド
６により電磁変換特性を得るようになっている。As shown in FIG. 3, this thin film magnetic head includes upper and lower magnetic layers 1 and 2, a coil layer 3, and an insulating layer 4 for insulating the magnetic layers 1 and 2 from each other. The pole piece portion 5 formed of the magnetic layers 1 and 2 records and reproduces a signal, and the terminal pad 6 derived from the coil layer 3 obtains electromagnetic conversion characteristics.
【０００５】薄膜磁気ヘッドの製作においては、フォト
リソグラフィー技術、プレーティングおよびスパッタ等
の成膜技術、エッチング技術など、様々な微細加工技術
が使用されており、これらの技術により磁気記録の高密
度化に対応しうるヘッド形状に加工されている。そし
て、近年、より一層の高密度記録に対応すべく薄膜磁気
ヘッドの狭トラック化が進んでいる。In the manufacture of a thin film magnetic head, various fine processing techniques such as photolithography technique, film forming technique such as plating and sputtering, etching technique and the like are used. With these techniques, high density of magnetic recording can be achieved. It is processed into a head shape that can handle. In recent years, thin-film magnetic heads have been made narrower in order to cope with higher density recording.
【０００６】次に、このような薄膜磁気ヘッドの製造方
法の一例を図４により説明する。 （ａ）工程でＡｌ2 Ｏ3 −ＴｉＣ等のセラミック基板７
の磁気ヘッド形成面を鏡面研磨する。次に、（ｂ）工程
で基板７上にスパッタリング法によりＳｉＯ2、Ａｌ2
Ｏ3 等の無機絶縁層８を数十μｍ付着させ、（ｃ）工程
でその表面に下部磁性層９を電気メッキにより形成させ
る。次に、（ｄ）工程でギャップ層１０をスパッタリン
グ法により形成する。このギャップ層１０はＡｌ
2 Ｏ3 、ＳｉＯ 2 等により形成される。次に、（ｅ）工
程で第１絶縁層１１を形成する。この第１絶縁層１１
は、通常、ポジ型フォトレジストが用いられ、露光、現
像してパターンを形成した後、高温熱処理によって安定
に硬化させて形成される。次に、（ｆ）工程で第１絶縁
層１１の表面に第１コイル層１２をＣｕなどの導電体を
数μｍの厚さに電気メッキにより形成する。次に、
（ｇ）工程で第２絶縁層１３を第１絶縁層１１と同様に
形成し、（ｈ）工程で第２絶縁層１３の表面に第２コイ
ル層１４をＣｕなどの導電体を数μｍの厚さに電気メッ
キして形成する。次に、（ｉ）工程で第３絶縁層１５を
第１および第２絶縁層１１，１３と同様に形成させ、
（ｊ）工程でギャップ層１０の表面を含んだ表面に上部
磁性層１６を電気メッキにより形成する。そして、信号
取り出し用のパッドを電気メッキにより形成する。次
に、（ｋ）工程で全体を覆う保護層１７をスパッタリン
グ法により形成する。この保護層１７はＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 等により形成される。Next, a method of manufacturing such a thin film magnetic head
An example of the method will be described with reference to FIG. Al in step (a)2O3-Ceramic substrate 7 such as TiC
The surface on which the magnetic head is formed is mirror-polished. Next, step (b)
On the substrate 7 by sputtering method2, Al2
O3Insulating inorganic insulating layer 8 of several tens of μm, and (c) step
Then, the lower magnetic layer 9 is formed on the surface by electroplating.
It Next, in step (d), the gap layer 10 is sputtered.
It is formed by a method. This gap layer 10 is made of Al
2O3, SiO 2And the like. Next, (e) work
The first insulating layer 11 is formed in due course. This first insulating layer 11
Is usually a positive photoresist, and the exposure and
After imaged and patterned, stable by high temperature heat treatment
It is formed by curing. Next, in step (f), the first insulation
The first coil layer 12 is provided with a conductor such as Cu on the surface of the layer 11.
It is formed by electroplating to a thickness of several μm. next,
In the step (g), the second insulating layer 13 is formed in the same manner as the first insulating layer 11.
And forming a second coil on the surface of the second insulating layer 13 in step (h).
The conductor layer 14 is made of a conductor such as Cu and has a thickness of several μm.
To form. Next, in the step (i), the third insulating layer 15 is formed.
Formed similarly to the first and second insulating layers 11 and 13,
On the surface including the surface of the gap layer 10 in the step (j),
The magnetic layer 16 is formed by electroplating. And the signal
A pad for taking out is formed by electroplating. Next
Then, a protective layer 17 covering the entire surface is sputtered in step (k).
It is formed by a method. This protective layer 17 is made of SiO2, Al
2O3And the like.
【０００７】ここで、薄膜磁気ヘッドは一般に上部ポー
ル長がトラック幅となるもので、上記した製造方法によ
り製造された薄膜磁気ヘッドのポールピース部Ｐは、図
５に示したように、上部磁性層１６からなる上部ポール
１８と下部磁性層９からなる下部ポール１９の長さは異
なったものとなっている。これは、ポール形成時に下部
ポール１９の中心と上部ポール１８の中心を一致させる
位置合わせの都合上、先行工程で形成される下部ポール
１９の長さを上部ポール１８の長さより長く形成せざる
を得ないことに起因している。その結果、ギャップを挟
む上下ポール１８，１９の長さの差異によってポールの
エッジでの磁束の漏れが発生し、クロストークの原因と
なっていた。このポール長の差は、レジストパターンの
精度を考慮して１μｍ程度にするものであるが、上部ポ
ール１８の長さを短くして狭トラック化を図るとトラッ
ク幅に対するポール長の差の寸法が無視できないものと
なる。それにともなってクロストーク量も増加し、記録
密度の向上に限界が生じるという問題があった。Here, in the thin film magnetic head, the upper pole length is generally the track width, and the pole piece portion P of the thin film magnetic head manufactured by the above-described manufacturing method has the upper magnetic field as shown in FIG. The upper pole 18 made of the layer 16 and the lower pole 19 made of the lower magnetic layer 9 have different lengths. For the convenience of aligning the center of the lower pole 19 with the center of the upper pole 18 when forming the pole, the length of the lower pole 19 formed in the preceding process must be made longer than the length of the upper pole 18. It is due to not getting. As a result, due to the difference in length between the upper and lower poles 18 and 19 that sandwich the gap, leakage of magnetic flux occurs at the edges of the poles, causing crosstalk. The difference in the pole length is set to about 1 μm in consideration of the accuracy of the resist pattern. However, if the length of the upper pole 18 is shortened to narrow the track, the difference in the pole length with respect to the track width becomes smaller. It cannot be ignored. As a result, the amount of crosstalk also increases, and there is a problem in that there is a limit to the improvement of recording density.
【０００８】そこでこのような問題を解決する手段とし
て考えられたのがポールトリミング方法である。Then, a pole trimming method has been considered as a means for solving such a problem.
【０００９】以下、このポールトリミング方法について
図６により説明する。図４に示した（ｊ）工程までの工
程により上部磁性層１６までを形成し、この表面に、図
６（ａ）に示したようにフォトレジストを塗布してフォ
トマスク２１を形成する。このフォトマスク２１を露
光、現像して上下部磁性層１６，９のエッジ部１６ａ，
９ａのフォトレジストを２２で示したように洗い流し、
（ａ）および（ｂ）に示したようにレジストパターン２
０（マスキング）を形成する。この状態でイオンビーム
エッチングにより上下部磁性層１６，９のエッジ部を１
６ａ，９ａを（ｃ）に示したようにトリミングし、最後
にフォトレジストを除去する。このようにしてトリミン
グされた上下部磁性層１６，９、つまり上下部ポール１
８，１９は、（ｄ）に示したようにギャップ層１０を挟
む面においてその長さは等しくなり、クロストークのな
い狭トラック薄膜磁気ヘッドとなるものである。The pole trimming method will be described below with reference to FIG. The steps up to step (j) shown in FIG. 4 are performed until the upper magnetic layer 16 is formed, and a photoresist is applied to the surface thereof as shown in FIG. 6A to form a photomask 21. The photomask 21 is exposed and developed to form edge portions 16a of the upper and lower magnetic layers 16 and 9,
Rinse the photoresist of 9a as indicated at 22,
As shown in (a) and (b), the resist pattern 2
0 (masking) is formed. In this state, the edge portions of the upper and lower magnetic layers 16 and 9 are removed by ion beam etching.
6a and 9a are trimmed as shown in (c), and finally the photoresist is removed. The upper and lower magnetic layers 16 and 9 thus trimmed, that is, the upper and lower poles 1
8 and 19 have equal lengths on the surfaces sandwiching the gap layer 10 as shown in (d), and are narrow track thin film magnetic heads without crosstalk.
【００１０】また、イオンエッチングによるナロートラ
ッキング加工時に上下磁性層のトラック幅の部分の端部
に段付加工を施し、媒体に近い磁性層を薄くして周波数
曲線のうねりを改善するようにした薄膜ヘッドの製造方
法が特開昭５６−９０４１０号公報に示されている。こ
のものは、メタルマスクを２層に重ねて形成し、これら
をマスクとしてイオンエッチングするというもので、２
層のマスクを用いて異る深さにエッチングするようにし
ている。Further, in the narrow tracking process by ion etching, a step process is applied to the ends of the track width portions of the upper and lower magnetic layers to thin the magnetic layer close to the medium to improve the waviness of the frequency curve. A method for manufacturing a head is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 56-90410. In this method, two layers of metal masks are formed, and these are used as masks for ion etching.
The layer mask is used to etch to different depths.
【００１１】[0011]
【発明が解決しようとする課題】このような従来のポー
ルトリミング方法では、図４に示した（ｊ）工程までの
工程により上部磁性層１６を形成した状態では、その表
面が数十ミクロンの段差を有する立体的な構造となって
いるため、フォトレジストを塗布すると段差により図７
に示したようにかなりの膜厚分布が生じる。図から明ら
かなように、段差の上部はフォトレジストの膜厚ｔ１が
最も薄くなっており、段差の下部のフォトレジストの膜
厚ｔ２と比較すると半分以下になっている。従って、フ
ォトレジストの塗布条件は、トリミングが完了するまで
段差の上部の膜厚ｔ１がフォトマスクとして残るだけの
厚みを確保できるように設定する必要がある。そのた
め、段差の下部のフォトレジスト膜厚ｔ２は必要以上に
厚くなってしまう。フォトレジスト膜厚ｔ２が厚くなる
と高アスペクト比となるため、フォトレジストを洗い流
して形成されるレジストパターン２０の精度が不安定と
なり、トリミング後のポール長がばらつくという問題が
あった。また、イオンビームエッチングでエッチングさ
れた粒子がレジストパターン２０の側面に再付着してト
リミング精度を悪化させるという問題もあった。In such a conventional pole trimming method, when the upper magnetic layer 16 is formed by the steps up to the step (j) shown in FIG. 4, the surface has a step difference of several tens of microns. Since it has a three-dimensional structure having a step, when a photoresist is applied, a step may occur, as shown in FIG.
As shown in, a considerable film thickness distribution occurs. As is clear from the figure, the film thickness t1 of the photoresist is thinnest in the upper part of the step, and is less than half the film thickness t2 of the photoresist in the lower part of the step. Therefore, it is necessary to set the photoresist application conditions so that the film thickness t1 above the step remains as a photomask until the trimming is completed. Therefore, the photoresist film thickness t2 below the step becomes thicker than necessary. As the photoresist film thickness t2 becomes thicker, the aspect ratio becomes higher, so that the accuracy of the resist pattern 20 formed by washing away the photoresist becomes unstable and the pole length after trimming varies. There is also a problem that particles etched by ion beam etching are redeposited on the side surface of the resist pattern 20 to deteriorate trimming accuracy.
【００１２】さらに、イオンビームエッチングに際して
は、図６（ｃ）に示したようにレジストパターン２０の
とおりに精度よくエッチングされるように、イオンビー
ムの照射角を複数の角度に組合せながら照射するように
していた。Further, in the ion beam etching, irradiation is performed while combining the irradiation angles of the ion beam with a plurality of angles so that the resist pattern 20 can be accurately etched as shown in FIG. 6C. I was doing.
【００１３】従って、従来のポールトリミング方法で
は、フォトレジストを塗布してレジストパターン２０を
形成する工程やイオンビームの照射角の組合せを設定す
る工程など、ポールトリミング工程が複雑なものとなる
ため、歩留まりの低下やコストの上昇を招くという問題
があった。Therefore, in the conventional pole trimming method, the pole trimming step is complicated, such as the step of applying the photoresist to form the resist pattern 20 and the step of setting the combination of the irradiation angles of the ion beams. There is a problem that yield is lowered and cost is increased.
【００１４】本発明は上記問題を解決するもので、フォ
トレジストの塗布やイオンビームの照射角の組合せ設定
を要せず、極めて簡単な方法で高歩留まりで生産性に優
れた薄膜磁気ヘッドのポールトリミング法を提供するこ
とを目的としている。The present invention solves the above problems and does not require coating of a photoresist or combination setting of the irradiation angle of an ion beam, and a pole of a thin film magnetic head having a high yield and excellent productivity by an extremely simple method. It is intended to provide a trimming method.
【００１５】[0015]
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、ポールピース部を形成する上部磁性層と下
部磁性層をイオンビームでエッチングするイオンビーム
エッチングにおいて、前記上部磁性層側から前記イオン
ビームを照射するとともに、前記イオンビームの入射角
を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射
角とは異なる角度に設定し、前記角度により前記上部磁
性層と前記下部磁性層をイオンビームエッチングするよ
うにしたものである。In order to achieve the above object, the present invention provides ion beam etching for etching an upper magnetic layer and a lower magnetic layer forming a pole piece portion with an ion beam, from the side of the upper magnetic layer. While irradiating with the ion beam, the incident angle of the ion beam is set to an angle different from the incident angle that is the maximum etching rate of the lower magnetic layer material, and the upper magnetic layer and the lower magnetic layer are ionized by the angle. Beam etching is used.
【００１６】また、マスキングすることなく上部磁性層
と下部磁性層に直接イオンビームを照射するようにした
ものである。Further, the upper magnetic layer and the lower magnetic layer are directly irradiated with an ion beam without masking.
【００１７】[0017]
【作用】上記方法による作用を図２を参照して説明す
る。The operation of the above method will be described with reference to FIG.
【００１８】（ａ）に示したポールピース部のエッジ部
分は拡大すると（ｂ）に示したように微小なＲ面となっ
ている。また、イオンビームには指向性があり、その入
射角によって加工レートは変化する。When the edge portion of the pole piece portion shown in (a) is enlarged, it becomes a minute R surface as shown in (b). Further, the ion beam has directivity, and the processing rate changes depending on the incident angle.
【００１９】一般的なコア材料ではイオンビームの入射
角が４５°〜６０°付近に加工レートのピークが存在す
る。いま、（ｂ）に示したように、イオンビームがポー
ルピース部の側面に対して、すなわちイオンビームの入
射角が０°であれば、ポールピース部の上面に対しては
垂直、すなわち９０°の入射角で入射することになる。
ポールピース部のエッジ部は側面と上面の交わった部分
であり、この部分をミクロ的にみるとイオンビームの入
射角は０°〜９０°までの入射角が連続的に存在するこ
とになる。仮に入射角４５°でコア材料が最大レートで
あれば、エッジ部のちょうど入射角が４５°になるポイ
ントから選択的にエッチングが進行し、エッジ部には
（ｃ）に示したように４５°の角度をもった面が形成さ
れる。このようなエッチングが継続されると、上部ポー
ルはその上面とエッジ部がエッチングされ、下部ポール
は上部ポールのマスキング作用で上部ポールの側面の真
下から外側のエッジ部がエッチングされる。In a general core material, there is a peak of the processing rate when the incident angle of the ion beam is around 45 ° to 60 °. Now, as shown in (b), when the ion beam is on the side surface of the pole piece portion, that is, when the incident angle of the ion beam is 0 °, it is perpendicular to the upper surface of the pole piece portion, that is, 90 °. Will be incident at an incident angle of.
The edge portion of the pole piece portion is a portion where the side surface and the upper surface intersect, and when this portion is viewed microscopically, the incident angle of the ion beam is 0 ° to 90 °, and the incident angle thereof continuously exists. If the incident angle is 45 ° and the core material has the maximum rate, the etching selectively progresses from the point where the incident angle becomes 45 ° at the edge portion, and the edge portion becomes 45 ° as shown in (c). A surface having an angle of is formed. When such etching is continued, the upper pole has its upper surface and the edge portion etched, and the lower pole has the edge portion outside from just below the side surface of the upper pole etched by the masking action of the upper pole.
【００２０】この作用により、下部ポールのエッジ部の
長さと上部ポールの下端部の長さとは同じ長さに形成さ
れる。By this action, the length of the edge portion of the lower pole and the length of the lower end portion of the upper pole are formed to be the same.
【００２１】[0021]
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００２２】なお、従来例に示したものと同一部品には
同じ符号を付して説明を省略する。図において、Ｐはポ
ールピース部で、図４に示した（ｊ）工程までの工程に
より上部磁性層１６、ギャップ層１０、下部磁性層９で
形成され、図１（ａ）に示したように、下部磁性層９の
長さは上部磁性層１６の長さより長くなっている。The same parts as those shown in the conventional example are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. In the figure, P is a pole piece portion, which is formed of the upper magnetic layer 16, the gap layer 10 and the lower magnetic layer 9 by the steps up to the step (j) shown in FIG. 4, and as shown in FIG. The length of the lower magnetic layer 9 is longer than that of the upper magnetic layer 16.
【００２３】上記構成において、ポールピース部Ｐにフ
ォトレジストによるマスキングを施さずに、（ｂ）に示
したように、上部磁性層１６側からイオンビームＢを照
射する。このイオンビームの照射角は、下部磁性層９の
最大エッチングレートとなる照射角とは異なる角度、た
とえば、ポールピース部Ｐの面に垂直な角度に設定され
ている。In the above structure, the pole piece portion P is not masked with a photoresist, and the ion beam B is irradiated from the upper magnetic layer 16 side as shown in FIG. The irradiation angle of the ion beam is set to an angle different from the irradiation angle at which the lower magnetic layer 9 has the maximum etching rate, for example, an angle perpendicular to the surface of the pole piece portion P.
【００２４】ここで、イオンビームエッチングにおいて
は、材質によってイオンビーム入射角に対するエッチン
グレートが異り、たとえば、Ｆｅ−Ｎｉでは４５°の入
射角で最大レートである。Here, in ion beam etching, the etching rate with respect to the ion beam incident angle differs depending on the material, and for example, Fe-Ni has the maximum rate at an incident angle of 45 °.
【００２５】従って、上部磁性層１６および下部磁性層
９の材質がＦｅ−Ｎｉである場合には、イオンビームＢ
の入射角を４５°以外の入射角に設定すれば、作用の説
明にも示したように、上部磁性層１６および下部磁性層
９のエッジ部１６ｂおよび９ｂの最大エッチングレート
となる角度の部分からエッチングが始まり、（ｃ）に示
したように、最大エッチングレートの角度、Ｆｅ−Ｎｉ
の場合は４５°の角度でエッチング、すなわちトリミン
グされる。この場合、上部磁性層１６とともにそれ以外
の基板７（図４参照）上の部材もエッチングされるが、
これらの部材に対するイオンビームの照射角はほぼ０°
であるのでそのエッチングレートは小さく、エッジ部１
６ｂのトリミング量１μｍに対して０.5μｍ程度と少な
く、エッチングのこれら他の部材に与える影響は極めて
小さく無視することができる。たゞ、上部磁性層１６の
厚さは磁気ヘッドの特性に大きな影響を与えるので、下
部磁性層９のエッジ部９ｂのトリミング量と上部磁性層
１６の表面１６ｃの被エッチング量との相関を把握して
エッチング前の上部磁性層１６の厚さを管理することが
必要であることはいうまでもない。Therefore, when the material of the upper magnetic layer 16 and the lower magnetic layer 9 is Fe-Ni, the ion beam B
If the angle of incidence is set to an angle of incidence other than 45 °, as shown in the explanation of the operation, from the angle of the maximum etching rate of the edge portions 16b and 9b of the upper magnetic layer 16 and the lower magnetic layer 9, Etching starts and, as shown in (c), the angle of the maximum etching rate, Fe-Ni
In this case, the etching is performed at an angle of 45 °, that is, trimmed. In this case, other members on the substrate 7 (see FIG. 4) are etched together with the upper magnetic layer 16,
The irradiation angle of the ion beam on these members is almost 0 °.
Therefore, the etching rate is small and the edge portion 1
The trimming amount of 6b is as small as about 0.5 μm for 1 μm, and the influence of etching on these other members is extremely small and can be ignored. Since the thickness of the upper magnetic layer 16 has a great influence on the characteristics of the magnetic head, the correlation between the trimming amount of the edge portion 9b of the lower magnetic layer 9 and the etched amount of the surface 16c of the upper magnetic layer 16 is grasped. Needless to say, it is necessary to control the thickness of the upper magnetic layer 16 before etching.
【００２６】このようにしてポールピース部Ｐのトリミ
ングが行われると、上部磁性層１６は下部磁性層９上を
マスキングすることになるのでトリミングされた下部磁
性層９のエッジ部９ｂの長さＬ1 は上部磁性層１６の長
さＬ2 と同じ長さになり、所定の長さに形成された上部
磁性層１６の長さを精度よく下部磁性層９の長さに転写
することができる。When the pole piece portion P is trimmed in this manner, the upper magnetic layer 16 masks the lower magnetic layer 9, and therefore the length L of the trimmed edge portion 9b of the lower magnetic layer 9 is L. 1 becomes the same length as the length L 2 of the upper magnetic layer 16, and the length of the upper magnetic layer 16 formed to a predetermined length can be accurately transferred to the length of the lower magnetic layer 9.
【００２７】なお、本実施例では、イオンビームＢの入
射角をポールピース部Ｐの面に垂直な角度として説明し
たが、入射角は下部磁性層９の最大エッチングレートと
は異る角度であればよいものである。In the present embodiment, the incident angle of the ion beam B is described as an angle perpendicular to the surface of the pole piece portion P, but the incident angle may be different from the maximum etching rate of the lower magnetic layer 9. It ’s good.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、ポールピース部の上部磁性層側からイオンビ
ームを照射するとともにその入射角を下部磁性層の最大
エッチングレートとなる入射角とは異る角度に設定し、
その角度により上下部磁性層をイオンビームエッチング
するようにし、また、マスキングすることなく上下磁性
層に直接イオンビームを照射してイオンビームエッチン
グするようにしたことにより、上下部磁性層のエッジ部
を最大エッチングレートとなる角度にエッチングするこ
とができ、しかも、マスキングすることなく下部磁性層
のエッジ部の長さを上部磁性層の長さに精度よく一致さ
せることができる。As is apparent from the above description, according to the present invention, the ion beam is irradiated from the upper magnetic layer side of the pole piece portion and the incident angle becomes the maximum etching rate of the lower magnetic layer. Set to a different angle from
The upper and lower magnetic layers are ion-beam etched by the angle, and the upper and lower magnetic layers are directly irradiated with the ion beam without masking to perform the ion beam etching. The etching can be performed at an angle that provides the maximum etching rate, and the length of the edge portion of the lower magnetic layer can be accurately matched with the length of the upper magnetic layer without masking.
【００２９】このように本発明によれば、フォトレジス
トの塗布やイオンビームの照射角の組合せ設定を要せ
ず、また、エッチングされた粒子の再付着がなく、極め
て簡単な方法で高歩留まりで生産性に優れた薄膜磁気ヘ
ッドのポールトリミング方法を提供することができる。As described above, according to the present invention, there is no need to apply a photoresist or set a combination of irradiation angles of ion beams, and there is no redeposition of etched particles. A pole trimming method for a thin film magnetic head having excellent productivity can be provided.
【図１】（ａ）は本発明の一実施例の薄膜磁気ヘッドの
ポールトリミング方法におけるポールピース部の正面図 （ｂ），（ｃ）はトリミング方法を説明する正面図FIG. 1A is a front view of a pole piece portion in a pole trimming method for a thin film magnetic head according to an embodiment of the present invention. FIGS. 1B and 1C are front views illustrating the trimming method.
【図２】（ａ）は同ポールピース部の正面図 （ｂ），（ｃ）は作用を説明する要部の正面図FIG. 2A is a front view of the pole piece portion, and FIGS. 2B and 2C are front views of essential portions for explaining the operation.
【図３】薄膜磁気ヘッドの一部破断斜視図FIG. 3 is a partially cutaway perspective view of a thin film magnetic head.
【図４】同製造工程図[Figure 4] Manufacturing process diagram
【図５】同ポールピース部の正面図FIG. 5 is a front view of the pole piece part.
【図６】（ａ）は従来例の薄膜磁気ヘッドの要部の平面
図 （ｂ），（ｃ），（ｄ）は図６（ａ）のＩ−Ｉ線により
切断したトリミング方法を説明する正面断面図6A is a plan view of a main part of a thin film magnetic head of a conventional example, and FIGS. 6B, 6C, and 6D illustrate a trimming method cut along the line I-I in FIG. 6A. Front sectional view
【図７】同要部の拡大側断面図FIG. 7 is an enlarged side sectional view of the same part.
９ 下部磁性層 １６ 上部磁性層 Ｐ ポールピース部 Ｂ イオンビーム 9 Lower magnetic layer 16 Upper magnetic layer P Pole piece part B Ion beam
Claims (2)
部磁性層をイオンビームでエッチングするイオンビーム
エッチングにおいて、前記上部磁性層側から前記イオン
ビームを照射するとともに、前記イオンビームの入射角
を前記下部磁性層材の最大エッチングレートとなる入射
角とは異なる角度に設定し、前記角度により前記上部磁
性層と前記下部磁性層をイオンビームエッチングするこ
とを特徴とする薄膜磁気ヘッドのポールトリミング方
法。1. In ion beam etching for etching an upper magnetic layer and a lower magnetic layer forming a pole piece portion with an ion beam, the ion beam is irradiated from the upper magnetic layer side and an incident angle of the ion beam is changed. A pole trimming method for a thin-film magnetic head, characterized in that the angle is set to be different from an incident angle that is the maximum etching rate of the lower magnetic layer material, and the upper magnetic layer and the lower magnetic layer are ion-beam etched by the angle. .
ングすることなく上部磁性層と下部磁性層に直接イオン
ビームを照射してイオンビームエッチングすることを特
徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッドのポールトリミ
ング方法。2. A pole trimming method for a thin film magnetic head according to claim 1, wherein the ion beam etching is performed by directly irradiating the upper magnetic layer and the lower magnetic layer with an ion beam without masking. .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072595A JPH06290423A (en) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | Method for trimming pole of thin film magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5072595A JPH06290423A (en) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | Method for trimming pole of thin film magnetic head |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06290423A true JPH06290423A (en) | 1994-10-18 |
Family
ID=13493917
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5072595A Pending JPH06290423A (en) | 1993-03-31 | 1993-03-31 | Method for trimming pole of thin film magnetic head |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06290423A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6026559A (en) * | 1998-01-07 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Method for fabricating a complex magnetic head including a reproducing magneto-resistance head |
-
1993
- 1993-03-31 JP JP5072595A patent/JPH06290423A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6026559A (en) * | 1998-01-07 | 2000-02-22 | Nec Corporation | Method for fabricating a complex magnetic head including a reproducing magneto-resistance head |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |