JPH06289358A - 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置Info
- Publication number
- JPH06289358A JPH06289358A JP4732292A JP4732292A JPH06289358A JP H06289358 A JPH06289358 A JP H06289358A JP 4732292 A JP4732292 A JP 4732292A JP 4732292 A JP4732292 A JP 4732292A JP H06289358 A JPH06289358 A JP H06289358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- substrate
- display device
- crystal display
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133765—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers without a surface treatment
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/13378—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation
- G02F1/133784—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by treatment of the surface, e.g. embossing, rubbing or light irradiation by rubbing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136204—Arrangements to prevent high voltage or static electricity failures
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1396—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the liquid crystal being selectively controlled between a twisted state and a non-twisted state, e.g. TN-LC cell
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、液晶表示装置の製造工程中におけ
る欠陥発生を少なくできる液晶表示装置の新規な製造方
法に関し、特に配向膜形成工程におけるラビング処理に
よる基板での静電気の発生に対し、静電気による基板上
の素子の破壊や電極の短絡やライン断線の発生を防止し
て表示装置の点欠陥やライン欠陥を減少することのでき
る液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１の基板の表面に駆動素子と該駆動素子に
接続する画素電極および該駆動素子に接続する電極ライ
ンを形成する工程と、第２の基板の表面に共通電極を形
成する工程と、前記第２の基板の共通電極の上に配向膜
を形成してラビング処理を行う工程と、前記第１の基板
と第２の基板とを所定間隔を保って対向配置させ、両基
板間に相転移温度以上に加熱した液晶材料の等方性状態
の液体を注入する工程と、前記液体を徐冷しつつ等方性
から液晶状態に相転移させる工程とを有する。
る欠陥発生を少なくできる液晶表示装置の新規な製造方
法に関し、特に配向膜形成工程におけるラビング処理に
よる基板での静電気の発生に対し、静電気による基板上
の素子の破壊や電極の短絡やライン断線の発生を防止し
て表示装置の点欠陥やライン欠陥を減少することのでき
る液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とす
る。 【構成】 第１の基板の表面に駆動素子と該駆動素子に
接続する画素電極および該駆動素子に接続する電極ライ
ンを形成する工程と、第２の基板の表面に共通電極を形
成する工程と、前記第２の基板の共通電極の上に配向膜
を形成してラビング処理を行う工程と、前記第１の基板
と第２の基板とを所定間隔を保って対向配置させ、両基
板間に相転移温度以上に加熱した液晶材料の等方性状態
の液体を注入する工程と、前記液体を徐冷しつつ等方性
から液晶状態に相転移させる工程とを有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置の製造方法
に関し、特に製造工程における欠陥発生を少なくできる
液晶表示装置の新規な製造方法に関する。
に関し、特に製造工程における欠陥発生を少なくできる
液晶表示装置の新規な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３に従来の方法で製造した薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）液晶表示装置の断面構造を示す。
ジスタ（ＴＦＴ）液晶表示装置の断面構造を示す。
【０００３】図３のものは、液晶の分子３０の長軸の配
向方向が基板表面に平行で、かつ一方の基板から他方の
基板までの間に９０度回転（ツイスト）して配向したＴ
Ｎ（ツイストネマチック）型液晶セルで構成されてい
る。図３において、液晶層３１は、図示しないスペーサ
により所定間隔を置いて対向配置された２枚の透明ガラ
ス基板３２、３３の間に保持される。
向方向が基板表面に平行で、かつ一方の基板から他方の
基板までの間に９０度回転（ツイスト）して配向したＴ
Ｎ（ツイストネマチック）型液晶セルで構成されてい
る。図３において、液晶層３１は、図示しないスペーサ
により所定間隔を置いて対向配置された２枚の透明ガラ
ス基板３２、３３の間に保持される。
【０００４】図３の下側のガラス基板３２の上には、ゲ
ート信号に応じて画素部分に電界を与える駆動素子であ
るＴＦＴ３４と、ＴＦＴ３４のソース，ドレイン，ゲー
トの各電極（図示せず）ならびに電極に接続されるゲー
ト（走査）ラインおよび信号ラインからなるマトリック
ス線（図示せず）とＴＦＴ３４に接続された画素電極３
５とが形成される。さらにその上に配向膜３６が形成さ
れ、配向処理（ラビング等）が実施される。
ート信号に応じて画素部分に電界を与える駆動素子であ
るＴＦＴ３４と、ＴＦＴ３４のソース，ドレイン，ゲー
トの各電極（図示せず）ならびに電極に接続されるゲー
ト（走査）ラインおよび信号ラインからなるマトリック
ス線（図示せず）とＴＦＴ３４に接続された画素電極３
５とが形成される。さらにその上に配向膜３６が形成さ
れ、配向処理（ラビング等）が実施される。
【０００５】図３の上側のガラス基板３３には、共通電
極３７が形成される。また共通電極３７の液晶層３１と
接する面には配向処理がされた配向膜３８が形成され
る。なお、上下ガラス基板３３、３２の配向方向は直交
するように配置される。
極３７が形成される。また共通電極３７の液晶層３１と
接する面には配向処理がされた配向膜３８が形成され
る。なお、上下ガラス基板３３、３２の配向方向は直交
するように配置される。
【０００６】また図示しないカラーフィルタ層と、画素
表示部以外での光透過を防止してコントラストを向上さ
せるためのブラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成され
る場合もある。
表示部以外での光透過を防止してコントラストを向上さ
せるためのブラックマスクと呼ばれる遮光膜が形成され
る場合もある。
【０００７】図３の液晶層３１はツイストネマチック型
液晶である。配向膜３６と３８は互いに配向方向が９０
°で直交するようにラビング処理されているので、図３
のＡで示すように電極間に電界を印加しない状態では、
液晶分子３０はその長軸方向が光軸とほぼ垂直にそろっ
て配向され、液晶分子３０はその配向方向が光軸にそっ
てしだいに回転し、画素電極３５側と、共通電極３７側
とでは液晶分子３０の配向方向が９０°回転している。
液晶である。配向膜３６と３８は互いに配向方向が９０
°で直交するようにラビング処理されているので、図３
のＡで示すように電極間に電界を印加しない状態では、
液晶分子３０はその長軸方向が光軸とほぼ垂直にそろっ
て配向され、液晶分子３０はその配向方向が光軸にそっ
てしだいに回転し、画素電極３５側と、共通電極３７側
とでは液晶分子３０の配向方向が９０°回転している。
【０００８】図３のＡの状態で、例えばガラス基板３２
の下方から光軸にそって、紙面に垂直な偏光方向を持つ
直線偏光が入射すると、液晶層３１に入射し、入射直線
偏向は偏向方向が９０°回転してガラス基板３３から出
射する。そして入射側の偏光軸と直交する偏向軸をもつ
偏光板（図示せず）を透過して表示は明状態となる。
の下方から光軸にそって、紙面に垂直な偏光方向を持つ
直線偏光が入射すると、液晶層３１に入射し、入射直線
偏向は偏向方向が９０°回転してガラス基板３３から出
射する。そして入射側の偏光軸と直交する偏向軸をもつ
偏光板（図示せず）を透過して表示は明状態となる。
【０００９】液晶層３１を挟む画素電極３５と共通電極
３７との電極間に電界を与えると、図３のＢのように液
晶分子３０の配向方向はすべて光軸方向に一致して、入
射した直線偏光は回転せずにそのまま通過して直交する
偏光板で遮られて表示は暗状態となる。
３７との電極間に電界を与えると、図３のＢのように液
晶分子３０の配向方向はすべて光軸方向に一致して、入
射した直線偏光は回転せずにそのまま通過して直交する
偏光板で遮られて表示は暗状態となる。
【００１０】以上のようなツイストネマチック型液晶の
表示装置の従来の製造方法は以下の通りである。まず、
ガラス基板３２の上にＴＦＴ３４、図示しない信号ライ
ンと走査ラインからなるマトリックス線ならびに、画素
電極３５を形成しそれらを相互接続してＴＦＴ基板を形
成する。
表示装置の従来の製造方法は以下の通りである。まず、
ガラス基板３２の上にＴＦＴ３４、図示しない信号ライ
ンと走査ラインからなるマトリックス線ならびに、画素
電極３５を形成しそれらを相互接続してＴＦＴ基板を形
成する。
【００１１】次に、もう一方のガラス基板３３に共通電
極３７を形成して共通電極基板を作る。ＴＦＴ基板と共
通電極基板の両方に配向膜３６，３８をそれぞれ形成
し、ラビング処理を行う。
極３７を形成して共通電極基板を作る。ＴＦＴ基板と共
通電極基板の両方に配向膜３６，３８をそれぞれ形成
し、ラビング処理を行う。
【００１２】配向膜３６，３８の配向方向が９０°にな
るように位置合わせしてから両基板の間にギャップ制御
材（図示せず）を挟んで重ね合わせ、ネマチック液晶を
両基板間に注入した後、注入口を封止して完成する。
るように位置合わせしてから両基板の間にギャップ制御
材（図示せず）を挟んで重ね合わせ、ネマチック液晶を
両基板間に注入した後、注入口を封止して完成する。
【００１３】なお、アクティブマトリックスの制御素子
としてＴＦＴの代わりにＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオードを用いる場合でも
基本的に同様である。
としてＴＦＴの代わりにＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕ
ｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）ダイオードを用いる場合でも
基本的に同様である。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の製造方法に
おいては、配向膜の形成のためのラビング処理の際に発
生する静電気によって、ＴＦＴあるいはＭＩＭダイオー
ドの電極間の短絡やライン間の断線あるいはＴＦＴ素子
自体の破壊や特性変化が発生して点欠陥やライン欠陥が
発生する場合があった。
おいては、配向膜の形成のためのラビング処理の際に発
生する静電気によって、ＴＦＴあるいはＭＩＭダイオー
ドの電極間の短絡やライン間の断線あるいはＴＦＴ素子
自体の破壊や特性変化が発生して点欠陥やライン欠陥が
発生する場合があった。
【００１５】これは、ＴＦＴあるいはＭＩＭ素子の電極
間や信号ラインとゲートラインからなるマトリックスの
ライン間は２００〜６００ｎｍ程度の非常に薄い絶縁膜
で絶縁されているために静電気により絶縁破壊が発生し
易いことと、ＴＦＴ材料としてアモルファスシリコンや
ポリシリコン半導体を用いているために高電界が電極に
集中するとトランジスタ特性、たとえば閾値などが変化
してしまうことがその理由である。
間や信号ラインとゲートラインからなるマトリックスの
ライン間は２００〜６００ｎｍ程度の非常に薄い絶縁膜
で絶縁されているために静電気により絶縁破壊が発生し
易いことと、ＴＦＴ材料としてアモルファスシリコンや
ポリシリコン半導体を用いているために高電界が電極に
集中するとトランジスタ特性、たとえば閾値などが変化
してしまうことがその理由である。
【００１６】本発明は、液晶表示装置の製造工程とく
に、配向膜形成工程におけるラビング処理による基板で
の静電気の発生に対し、静電気による基板上の素子の破
壊や電極の短絡やライン断線の発生を防止して表示装置
の点欠陥やライン欠陥を減少することのできる液晶表示
装置の製造方法を提供することを目的とする。
に、配向膜形成工程におけるラビング処理による基板で
の静電気の発生に対し、静電気による基板上の素子の破
壊や電極の短絡やライン断線の発生を防止して表示装置
の点欠陥やライン欠陥を減少することのできる液晶表示
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置の製造方法おいては、配向膜を形成してラビング処理
を行うのは共通電極が形成された一方の基板だけで、他
方の駆動素子やライン電極が形成された基板、またはセ
グメント電極が形成された基板には配向膜が形成されな
い。
置の製造方法おいては、配向膜を形成してラビング処理
を行うのは共通電極が形成された一方の基板だけで、他
方の駆動素子やライン電極が形成された基板、またはセ
グメント電極が形成された基板には配向膜が形成されな
い。
【００１８】液晶分子の配向は、液晶の熱光学効果を利
用する。ネマチック（ｎｅｍａｔｉｃ）液晶はある温度
以上に加熱すると、等方的（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）にな
る。この転移温度をＮ−Ｉ温度と呼ぶ。液晶材料を相転
移点温度以上に加熱して等方性にした状態で同じく加熱
してある液晶セルに注入し、その後セルを徐冷して液晶
状態に相転移させつつ、分子を配向方向に揃える。
用する。ネマチック（ｎｅｍａｔｉｃ）液晶はある温度
以上に加熱すると、等方的（ｉｓｏｔｒｏｐｉｃ）にな
る。この転移温度をＮ−Ｉ温度と呼ぶ。液晶材料を相転
移点温度以上に加熱して等方性にした状態で同じく加熱
してある液晶セルに注入し、その後セルを徐冷して液晶
状態に相転移させつつ、分子を配向方向に揃える。
【００１９】その製造方法は、第１の基板の表面に駆動
素子と該駆動素子に接続する画素電極および該駆動素子
に接続する電極ラインを形成する工程と、第２の基板の
表面に共通電極を形成する工程と、前記第２の基板の共
通電極の上に配向膜を形成してラビング処理を行う工程
と、前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を保って
対向配置させ、両基板間に相転移温度（Ｎ−Ｉ温度）以
上に加熱した液晶材料の等方性状態の液体を注入する工
程と、前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転
移させる工程とを有する。
素子と該駆動素子に接続する画素電極および該駆動素子
に接続する電極ラインを形成する工程と、第２の基板の
表面に共通電極を形成する工程と、前記第２の基板の共
通電極の上に配向膜を形成してラビング処理を行う工程
と、前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を保って
対向配置させ、両基板間に相転移温度（Ｎ−Ｉ温度）以
上に加熱した液晶材料の等方性状態の液体を注入する工
程と、前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転
移させる工程とを有する。
【００２０】また、他の製造方法は、第１の基板の表面
にセグメント電極を形成する工程と、第２の基板の表面
に共通電極を形成する工程と、前記第２の基板の共通電
極の上に配向膜を形成して該配向膜にラビング処理を行
う工程と、前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を
保って対向配置させ、両基板間に相転移温度以上に加熱
した液晶材料の等方性状態の液体を注入する工程と、前
記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させる
工程とを有する。
にセグメント電極を形成する工程と、第２の基板の表面
に共通電極を形成する工程と、前記第２の基板の共通電
極の上に配向膜を形成して該配向膜にラビング処理を行
う工程と、前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を
保って対向配置させ、両基板間に相転移温度以上に加熱
した液晶材料の等方性状態の液体を注入する工程と、前
記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させる
工程とを有する。
【００２１】
【作用】駆動素子や電極ライン、またはコモン電極より
細かいセグメント電極が形成され、静電気による影響を
避けたい基板にはラビング処理は行わない。したがっ
て、ラビング処理による静電気の発生はこの基板では起
こらない。また他方の基板では配向膜が形成されラビン
グ処理がされる。他方の基板はコモン電極基板なので比
較的に静電気に対する耐性等が強い。
細かいセグメント電極が形成され、静電気による影響を
避けたい基板にはラビング処理は行わない。したがっ
て、ラビング処理による静電気の発生はこの基板では起
こらない。また他方の基板では配向膜が形成されラビン
グ処理がされる。他方の基板はコモン電極基板なので比
較的に静電気に対する耐性等が強い。
【００２２】液晶分子の配向は熱光学効果を利用する。
すなわち、両基板間に液晶材料を相転移温度（Ｎ−Ｉ温
度）以上に加熱した液体を注入すると液体の分子の方向
はランダムであり液晶状態を示さず等方性の状態であ
る。その後徐冷することにより等方性から液晶状態に相
転移し、その過程で基板の配向方向にそって液晶分子が
配向されていく。
すなわち、両基板間に液晶材料を相転移温度（Ｎ−Ｉ温
度）以上に加熱した液体を注入すると液体の分子の方向
はランダムであり液晶状態を示さず等方性の状態であ
る。その後徐冷することにより等方性から液晶状態に相
転移し、その過程で基板の配向方向にそって液晶分子が
配向されていく。
【００２３】
【実施例】図１を参照して本発明による液晶表示装置の
製造方法の第１の実施例を説明する。図１はツイストネ
マチック型の液晶表示装置の製造方法の概念図である。
製造方法の第１の実施例を説明する。図１はツイストネ
マチック型の液晶表示装置の製造方法の概念図である。
【００２４】図１において、透明ガラス基板１２の上に
は、ゲート信号に応じて画素部分に電界を与えるＴＦＴ
１４と、ＴＦＴ１４のソース，ドレイン，ゲートの各電
極ライン（図示せず）とＴＦＴ１４に接続された画素電
極１５とが形成される。このガラス基板１２上には配向
膜は形成されない。
は、ゲート信号に応じて画素部分に電界を与えるＴＦＴ
１４と、ＴＦＴ１４のソース，ドレイン，ゲートの各電
極ライン（図示せず）とＴＦＴ１４に接続された画素電
極１５とが形成される。このガラス基板１２上には配向
膜は形成されない。
【００２５】図１の他方の透明ガラス基板１３には、共
通電極１７が形成される。また共通電極１７の液晶層１
１と接する面の上には配向膜１８が形成され、ラビング
処理が行なわれて配向方向が与えられる。また図示しな
いカラーフィルタ層と、画素表示部以外での光透過を防
止してコントラストを向上させるためのブラックマスク
と呼ばれる遮光膜が形成される場合もある。
通電極１７が形成される。また共通電極１７の液晶層１
１と接する面の上には配向膜１８が形成され、ラビング
処理が行なわれて配向方向が与えられる。また図示しな
いカラーフィルタ層と、画素表示部以外での光透過を防
止してコントラストを向上させるためのブラックマスク
と呼ばれる遮光膜が形成される場合もある。
【００２６】以上の両基板は従来の基板製造技術によっ
て製作できる。ただし、基板の一方には配向膜が形成さ
れず、配向処理も行なわれない。次に、両基板１２，１
３を図示しないギャップ制御材を間に挟んで対向配置さ
せ、注入口１９を設けて端部で両者が貼り合わされる。
て製作できる。ただし、基板の一方には配向膜が形成さ
れず、配向処理も行なわれない。次に、両基板１２，１
３を図示しないギャップ制御材を間に挟んで対向配置さ
せ、注入口１９を設けて端部で両者が貼り合わされる。
【００２７】次に図１に示すように、容器１６に入った
液晶材料１１の中に注入口１９を浸け、両基板１２，１
３間に液晶材料１１を導入する。液晶材料１１はネマチ
ック液晶材料にカイラル分子を混合した液体である。
液晶材料１１の中に注入口１９を浸け、両基板１２，１
３間に液晶材料１１を導入する。液晶材料１１はネマチ
ック液晶材料にカイラル分子を混合した液体である。
【００２８】両側からヒータのような加熱装置２０，２
１によって液晶材料１１が加熱される。液晶材料の加熱
温度は液晶の相転移温度（Ｎ−Ｉ点）以上の温度にす
る。従って、液晶材料１１の液晶分子１０はその方向が
ランダムであり、等方性の状態である。
１によって液晶材料１１が加熱される。液晶材料の加熱
温度は液晶の相転移温度（Ｎ−Ｉ点）以上の温度にす
る。従って、液晶材料１１の液晶分子１０はその方向が
ランダムであり、等方性の状態である。
【００２９】液晶の温度制御は液晶材料１１中に温度検
知器を入れて温度をモニタしながらヒータ２０，２１の
電流量を調整するような温度制御技術が利用できる。温
度制御は手動でも自動でも可能である。
知器を入れて温度をモニタしながらヒータ２０，２１の
電流量を調整するような温度制御技術が利用できる。温
度制御は手動でも自動でも可能である。
【００３０】加熱された液晶材料１１は毛細管現象によ
って注入口１９から両基板１２，１３間のギャップ部分
に注入される。この状態では液晶分子１０は等方性であ
り、配向されていない。なお、液晶材料１１の注入方法
はどのような方法でもよく、毛細管現象以外の方法で注
入してもよい。
って注入口１９から両基板１２，１３間のギャップ部分
に注入される。この状態では液晶分子１０は等方性であ
り、配向されていない。なお、液晶材料１１の注入方法
はどのような方法でもよく、毛細管現象以外の方法で注
入してもよい。
【００３１】液晶材料を注入後、加熱装置２０，２１に
よる発熱量を低下させつつ、徐々に液晶材料１１を冷却
してゆく。冷却速度は０．１〜１０℃／分の範囲、例え
ば０．５℃／分となるように温度制御する。ネマチック
液晶の場合、冷却速度が速くても比較的均一に配向する
ことが判った。この速度で相転移温度（Ｎ−Ｉ点）まで
徐冷していくと、液晶材料１１は最初等方性（Ｉ）状態
であったものが、液晶（Ｎ）状態に相転移していく。
よる発熱量を低下させつつ、徐々に液晶材料１１を冷却
してゆく。冷却速度は０．１〜１０℃／分の範囲、例え
ば０．５℃／分となるように温度制御する。ネマチック
液晶の場合、冷却速度が速くても比較的均一に配向する
ことが判った。この速度で相転移温度（Ｎ−Ｉ点）まで
徐冷していくと、液晶材料１１は最初等方性（Ｉ）状態
であったものが、液晶（Ｎ）状態に相転移していく。
【００３２】徐冷過程において、ガラス基板１３の配向
膜１８付近の液晶分子１０は配向方向に並び、反対側の
ガラス基板１２近くの液晶分子１０は特に方向が定まら
ずにいる。ところが、冷却速度がゆっくりであるため
に、方向がばらばらであったガラス基板１２近くの液晶
分子も次第に配向方向に並んでいる液晶分子に揃うよう
に基板間の液晶分子すべてが配向されていく。
膜１８付近の液晶分子１０は配向方向に並び、反対側の
ガラス基板１２近くの液晶分子１０は特に方向が定まら
ずにいる。ところが、冷却速度がゆっくりであるため
に、方向がばらばらであったガラス基板１２近くの液晶
分子も次第に配向方向に並んでいる液晶分子に揃うよう
に基板間の液晶分子すべてが配向されていく。
【００３３】また、液晶材料１１にはカイラルな分子が
混合されているために、冷却過程で液晶分子１０が一定
の方向にねじられ光軸方向に螺旋状構造をとるようにな
る。カイラル分子の混合量と基板間隔を調整するとねじ
れ角を９０°にでき、ＴＮ型液晶表示装置ができる。用
いる液晶材料の例を表１に示す。
混合されているために、冷却過程で液晶分子１０が一定
の方向にねじられ光軸方向に螺旋状構造をとるようにな
る。カイラル分子の混合量と基板間隔を調整するとねじ
れ角を９０°にでき、ＴＮ型液晶表示装置ができる。用
いる液晶材料の例を表１に示す。
【００３４】
【表１】 また、カイラル剤としては、たとえばＳ−８１１を約
０．５ｗｔ％混入する。このときカイラルピッチは約２
４μｍであり、９０°ツイストさせるときの液晶層厚は
約６μｍとなる。
０．５ｗｔ％混入する。このときカイラルピッチは約２
４μｍであり、９０°ツイストさせるときの液晶層厚は
約６μｍとなる。
【００３５】次に、図２を参照して本発明の液晶表示装
置の製造方法の第２の実施例について説明する。図２は
ツイストネマチック型の液晶表示装置の製造方法の概念
図である。
置の製造方法の第２の実施例について説明する。図２は
ツイストネマチック型の液晶表示装置の製造方法の概念
図である。
【００３６】図２において図１と同じ参照番号のものは
同じものを示す。従って、液晶表示装置の基板１２，１
３については基本的に同一である。以下、図１の第１の
実施例の製造方法と異なる部分について説明をする。
同じものを示す。従って、液晶表示装置の基板１２，１
３については基本的に同一である。以下、図１の第１の
実施例の製造方法と異なる部分について説明をする。
【００３７】図２の実施例において図１の実施例と異な
る点は、共通電極１７が形成されたガラス基板１３側の
加熱装置２０が省略されている点である。この点を積極
的に利用して、第２の実施例においては液晶材料１１の
加熱後の冷却において両基板間と温度勾配を持たせる。
る点は、共通電極１７が形成されたガラス基板１３側の
加熱装置２０が省略されている点である。この点を積極
的に利用して、第２の実施例においては液晶材料１１の
加熱後の冷却において両基板間と温度勾配を持たせる。
【００３８】第２の実施例においては、液晶材料１１を
転移温度点以上に加熱するまでは第１の実施例と同様で
ある。加熱装置２１が一方の側にしかないが、液晶表示
装置全体をＮ−Ｉ点以上に加熱すれば実質的相違は生じ
ない。その後、徐冷工程で、ガラス基板１２側とガラス
基板１３側との間で液晶材料１１に温度勾配をつけつつ
徐冷する。
転移温度点以上に加熱するまでは第１の実施例と同様で
ある。加熱装置２１が一方の側にしかないが、液晶表示
装置全体をＮ−Ｉ点以上に加熱すれば実質的相違は生じ
ない。その後、徐冷工程で、ガラス基板１２側とガラス
基板１３側との間で液晶材料１１に温度勾配をつけつつ
徐冷する。
【００３９】具体的には、共通電極１７が形成されたガ
ラス基板１３側の液晶温度にくらべ、ＴＦＴ１４が形成
されたガラス基板１２側の液晶温度を数℃〜十数℃程度
高く保ちつつ徐冷する。
ラス基板１３側の液晶温度にくらべ、ＴＦＴ１４が形成
されたガラス基板１２側の液晶温度を数℃〜十数℃程度
高く保ちつつ徐冷する。
【００４０】このように温度勾配をつけることによっ
て、まずコモン電極基板１３側の液晶材料がＮ−Ｉ温度
に到達し、続いて徐々に基板１２側の液晶材料もＮ−Ｉ
温度に到達する。基板１３は配向構造を有するので、液
晶材料は基板１３側から徐々に配向しつつ、液晶状態に
なる。
て、まずコモン電極基板１３側の液晶材料がＮ−Ｉ温度
に到達し、続いて徐々に基板１２側の液晶材料もＮ−Ｉ
温度に到達する。基板１３は配向構造を有するので、液
晶材料は基板１３側から徐々に配向しつつ、液晶状態に
なる。
【００４１】本発明の製造方法は、単純マトリックス液
晶表示装置にも、アクティブマトリックス液晶表示装置
にもいずれにも適用できる。特にアクティブマトリック
スのＴＦＴ駆動素子への静電気の影響を避けたい場合に
はより効果的である。
晶表示装置にも、アクティブマトリックス液晶表示装置
にもいずれにも適用できる。特にアクティブマトリック
スのＴＦＴ駆動素子への静電気の影響を避けたい場合に
はより効果的である。
【００４２】また駆動素子としてＴＦＴでもＭＩＭダイ
オードでもいずれが使用された液晶表示装置にも適用可
能である。また、ＴＮ型液晶以外の液晶表示装置にも適
用できる。
オードでもいずれが使用された液晶表示装置にも適用可
能である。また、ＴＮ型液晶以外の液晶表示装置にも適
用できる。
【００４３】単純マトリックス液晶表示装置の場合、比
較的太いコモン電極を設ける基板側に配向構造を設け、
比較的細いセグメント電極を有する基板には配向構造を
形成しない。このようにして静電気発生による故障を効
果的に低減する。
較的太いコモン電極を設ける基板側に配向構造を設け、
比較的細いセグメント電極を有する基板には配向構造を
形成しない。このようにして静電気発生による故障を効
果的に低減する。
【００４４】なお、液晶表示装置の一方の基板側にヒー
タ、他方の基板側に放熱器を配置し、基板間の温度勾配
をより積極的に制御してもよい。また、適当な配向膜は
ＴＦＴ基板にも形成して保護膜等の機能を果たせ、静電
気の影響は避けるため、ラビング工程のみを省略しても
よい。
タ、他方の基板側に放熱器を配置し、基板間の温度勾配
をより積極的に制御してもよい。また、適当な配向膜は
ＴＦＴ基板にも形成して保護膜等の機能を果たせ、静電
気の影響は避けるため、ラビング工程のみを省略しても
よい。
【００４５】以上説明した実施例の構成、材料、数値等
はあくまでも例示であって、本発明はこれらに限るもの
ではなく、種々の変更や改良、組み合わせ等ができるこ
とは当業者にとって自明であろう。
はあくまでも例示であって、本発明はこれらに限るもの
ではなく、種々の変更や改良、組み合わせ等ができるこ
とは当業者にとって自明であろう。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による液晶表
示装置の製造方法おいては、配向膜を形成してラビング
処理を行うのは共通電極が形成された一方の基板だけ
で、他方の駆動素子やライン電極が形成された基板ない
しセグメント電極が形成された基板には配向処理が施さ
れない。液晶材料を相転移点温度以上に加熱して等方性
にした状態で基板間に液晶材料を注入し、その後徐冷し
て液晶状態に相転移させるとき、配向膜のある基板側か
ら液晶分子を配向方向に揃える。
示装置の製造方法おいては、配向膜を形成してラビング
処理を行うのは共通電極が形成された一方の基板だけ
で、他方の駆動素子やライン電極が形成された基板ない
しセグメント電極が形成された基板には配向処理が施さ
れない。液晶材料を相転移点温度以上に加熱して等方性
にした状態で基板間に液晶材料を注入し、その後徐冷し
て液晶状態に相転移させるとき、配向膜のある基板側か
ら液晶分子を配向方向に揃える。
【００４７】駆動素子や電極ラインや細い電極が形成さ
れ、静電気による影響を避けたい基板にはラビング処理
は行われないので、ラビング処理による静電気の発生は
この基板では起こらない。そのために点欠陥やライン欠
陥の発生が防止でき、高品質で歩留まりの高い液晶表示
装置が製造できる。
れ、静電気による影響を避けたい基板にはラビング処理
は行われないので、ラビング処理による静電気の発生は
この基板では起こらない。そのために点欠陥やライン欠
陥の発生が防止でき、高品質で歩留まりの高い液晶表示
装置が製造できる。
【００４８】また一方の基板のみ配向膜を形成しラビン
グ処理を行うために製造工数を減らすことができる。ラ
ビング処理の工程が少なくなった分、ラビング時に発生
するゴミ等によるギャップ黒点や白点等の欠陥も少なく
することができる。
グ処理を行うために製造工数を減らすことができる。ラ
ビング処理の工程が少なくなった分、ラビング時に発生
するゴミ等によるギャップ黒点や白点等の欠陥も少なく
することができる。
【図１】本発明の第１の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図２】本発明の第２の実施例による液晶表示装置の製
造方法を説明する図である。
造方法を説明する図である。
【図３】従来の技術により製造される液晶表示装置の断
面図である。
面図である。
１０ 液晶分子 １１ 液晶材料 １２，１３ ガラス基板 １４ ＴＦＴ １５ 画素電極 １６ 容器 １７ 共通電極 １８ 配向膜 １９ 液晶注入口 ２０，２１ 加熱装置
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成５年１月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正内容】
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００３４】
【表１】 また、カイラル剤としては、ｄ／ｐ＝１／４（ｄは液晶
層厚、ｐはカイラルピッチである）となるように、たと
えばメルク社製のＳ−８１１を約０．５ｗｔ％混入す
る。このときカイラルピッチは約２４μｍであり、９０
°ツイストさせるときの液晶層厚は約６μｍとなる。
層厚、ｐはカイラルピッチである）となるように、たと
えばメルク社製のＳ−８１１を約０．５ｗｔ％混入す
る。このときカイラルピッチは約２４μｍであり、９０
°ツイストさせるときの液晶層厚は約６μｍとなる。
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の基板の表面に駆動素子と該駆動素
子に接続する画素電極および該駆動素子に接続する電極
ラインを形成する工程と、 第２の基板の表面に共通電極を形成する工程と、 前記第２の基板の共通電極の上に配向膜を形成して該配
向膜にラビング処理を行う工程と、 前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を保って対向
配置させ、両基板間に相転移温度以上に加熱した液晶材
料の等方性状態の液体を注入する工程と、 前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させ
る工程とを有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の基板の表面にセグメント電極を形
成する工程と、 第２の基板の表面に共通電極を形成する工程と、 前記第１および第２の基板のうち一方の基板の電極の上
に配向膜を形成して該配向膜にラビング処理を行う工程
と、 前記第１の基板と第２の基板とを所定間隔を保って対向
配置させ、両基板間に相転移温度以上に加熱した液晶材
料の等方性状態の液体を注入する工程と、 前記液体を徐冷しつつ等方性から液晶状態に相転移させ
る工程とを有する液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記液晶材料はカイラル分子を混合して
いる請求項１ないし２記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記液体を徐冷する工程において、配向
処理を施さない基板側の温度を配向処理を施した基板側
の温度に対し所定の温度だけ高くなるよう温度勾配をつ
けて徐冷するようにした請求項１〜３のいずれか記載の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項５】 一対の電極を有する対向基板であって、
その一方のみの内側表面が配向処理されている対向基板
と、 前記対向基板間に保持されたネマチック液晶層とを有す
る液晶表示装置。 - 【請求項６】 前記ネマチック液晶層がカイラル分子を
混入したネマチック液晶で形成されている請求項５記載
の液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記カイラル分子の混入量とネマチック
液晶層の厚さとが略９０度の螺旋構造を呈するように選
択されている請求項６記載の液晶表示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4732292A JP2945533B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
| US08/023,197 US5477356A (en) | 1992-03-04 | 1993-02-25 | Injection method for a liquid crystal display with a single orientation surface |
| DE69311159T DE69311159T2 (de) | 1992-03-04 | 1993-03-03 | Methode zur Herstellung einer Flüssigkristall-Anzeige mit nur einer Orientierungsschicht |
| EP93103390A EP0559172B1 (en) | 1992-03-04 | 1993-03-03 | Method of munufacturing a liquid crystal display with a single orientation film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4732292A JP2945533B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06289358A true JPH06289358A (ja) | 1994-10-18 |
| JP2945533B2 JP2945533B2 (ja) | 1999-09-06 |
Family
ID=12772033
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4732292A Expired - Lifetime JP2945533B2 (ja) | 1992-03-04 | 1992-03-04 | 液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5477356A (ja) |
| EP (1) | EP0559172B1 (ja) |
| JP (1) | JP2945533B2 (ja) |
| DE (1) | DE69311159T2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244627B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5712696A (en) * | 1994-02-17 | 1998-01-27 | Stanley Electric, Co., Ltd. | Manufacture of LCD device by transferring the orientation state from a parent substrate to a child substrate |
| JP3260976B2 (ja) * | 1994-06-16 | 2002-02-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置の作製方法 |
| JPH09297310A (ja) * | 1996-05-01 | 1997-11-18 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子とその製造方法 |
| JP2872628B2 (ja) * | 1996-02-05 | 1999-03-17 | スタンレー電気株式会社 | 液晶表示素子の製造方法 |
| KR100223601B1 (ko) * | 1997-05-29 | 1999-10-15 | 윤종용 | 액정 표시 장치 |
| JP2003068469A (ja) * | 2000-08-11 | 2003-03-07 | Canon Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| KR20060081470A (ko) * | 2005-01-07 | 2006-07-13 | 삼성전자주식회사 | 박막트랜지스터 기판과 그 제조방법 |
| CN103063582A (zh) * | 2012-12-27 | 2013-04-24 | 大连海事大学 | 检测有机胺的液晶化学传感器的敏感取向膜及其制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794719A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-12 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display panel |
| JPS6240428A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | 液晶素子の製造方法 |
| JPH02273718A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61179419A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-12 | Stanley Electric Co Ltd | 強誘電性液晶の配向方法 |
| JPS6280624A (ja) * | 1985-10-04 | 1987-04-14 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
| JPS62226126A (ja) * | 1986-03-27 | 1987-10-05 | Stanley Electric Co Ltd | 液晶表示素子 |
| JPS63256922A (ja) * | 1987-04-14 | 1988-10-24 | Ricoh Co Ltd | 液晶セルの製造方法 |
| JPH01300223A (ja) * | 1988-05-28 | 1989-12-04 | Alps Electric Co Ltd | 液晶表示素子の製造方法 |
| JPH0439627A (ja) * | 1990-06-05 | 1992-02-10 | Sanyo Chem Ind Ltd | 液晶表示素子 |
-
1992
- 1992-03-04 JP JP4732292A patent/JP2945533B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-02-25 US US08/023,197 patent/US5477356A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-03-03 EP EP93103390A patent/EP0559172B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-03-03 DE DE69311159T patent/DE69311159T2/de not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5794719A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-12 | Seiko Epson Corp | Liquid crystal display panel |
| JPS6240428A (ja) * | 1985-08-19 | 1987-02-21 | Toshiba Corp | 液晶素子の製造方法 |
| JPH02273718A (ja) * | 1989-04-14 | 1990-11-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶パネルの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7244627B2 (en) | 2003-08-25 | 2007-07-17 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Method for fabricating liquid crystal display device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0559172A2 (en) | 1993-09-08 |
| JP2945533B2 (ja) | 1999-09-06 |
| DE69311159D1 (de) | 1997-07-10 |
| EP0559172A3 (ja) | 1994-01-26 |
| DE69311159T2 (de) | 1997-09-18 |
| EP0559172B1 (en) | 1997-06-04 |
| US5477356A (en) | 1995-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2572537B2 (ja) | 液晶表示装置とその製造方法 | |
| US5793459A (en) | Liquid crystal display of horizontal field type | |
| JPH0772484A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JPH08122750A (ja) | 液晶電気光学装置、それを利用した投射型表示装置及びそれらの駆動方法 | |
| US6873377B2 (en) | Liquid crystal display device | |
| JPH0553513A (ja) | 液晶配向膜の製造方法 | |
| JP2945533B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| US5559619A (en) | Liquid crystal electro-optical device and manufacturing method for the same | |
| JPH06194655A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JPH07261185A (ja) | 液晶表示素子の製造方法 | |
| JP2809965B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP4817161B2 (ja) | 横電界型液晶素子およびその製造方法 | |
| JP2809964B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2809980B2 (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JPH0815707A (ja) | 液晶表示素子とその製造方法 | |
| JPH04331918A (ja) | 活性マトリックス液晶表示装置 | |
| JP2000039615A (ja) | 液晶電気光学装置およびその製造方法 | |
| JP2641370B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JPH06265900A (ja) | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 | |
| JP3335119B2 (ja) | 反射型液晶電気光学装置およびそれを用いた投射型表示システム | |
| JPH06289359A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| JP3588395B2 (ja) | 液晶表示素子およびその製造方法 | |
| KR0159130B1 (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR101244528B1 (ko) | 횡전계 방식 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JPH06289351A (ja) | 液晶表示装置の製造方法と液晶表示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19970114 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313114 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313118 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625 Year of fee payment: 13 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625 Year of fee payment: 13 |