JPH06282841A - Magnetic recording medium and manufacture thereof - Google Patents
Magnetic recording medium and manufacture thereofInfo
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- JPH06282841A JPH06282841A JP9385293A JP9385293A JPH06282841A JP H06282841 A JPH06282841 A JP H06282841A JP 9385293 A JP9385293 A JP 9385293A JP 9385293 A JP9385293 A JP 9385293A JP H06282841 A JPH06282841 A JP H06282841A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は磁性蒸着薄膜を磁性層と
する，いわゆる蒸着型の磁気記録媒体及びその製造方法
に関し、特に磁性蒸着薄膜上に形成する保護膜の改良に
関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called vapor deposition type magnetic recording medium having a magnetic vapor deposition thin film as a magnetic layer and a method for producing the same, and more particularly to improvement of a protective film formed on the magnetic vapor deposition thin film.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、ＶＴＲ（ビデオテープレコーダ）
等の分野においては、高画質化を図るべく密度記録の向
上を目的として種々の改良が進められている。例えば、
記録媒体として、ベースフィルム上にＣｏ、あるいはＣ
ｏ−Ｃｒ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ
系合金等の強磁性金属材料を真空蒸着法により直接被着
してなる磁性蒸着薄膜を磁性層とする，いわゆる蒸着テ
ープが使用されるようになっている。2. Description of the Related Art In recent years, VTRs (video tape recorders)
In the fields such as the above, various improvements have been made in order to improve the density recording in order to improve the image quality. For example,
As a recording medium, Co or C on the base film
o-Cr alloy, Co-Cr-Ni alloy, Co-Ni
A so-called vapor deposition tape has been used in which a magnetic vapor deposition thin film obtained by directly depositing a ferromagnetic metal material such as a system alloy by a vacuum vapor deposition method is used as a magnetic layer.
【０００３】この蒸着テープは、磁性層の厚みを極めて
薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み
損失が著しく小さい、磁性層中の強磁性金属原子の占有
体積率を大きくできるため高保磁力，高磁束密度が得ら
れる等，高密度記録に適した特長を有するものである。In this vapor-deposited tape, the thickness of the magnetic layer can be made extremely thin, so that the thickness loss during recording demagnetization and reproduction is extremely small, and the occupied volume ratio of ferromagnetic metal atoms in the magnetic layer can be increased. Therefore, it has features suitable for high-density recording, such as high coercive force and high magnetic flux density.
【０００４】ところで、このような蒸着テープにおいて
は、磁性層として形成される磁性蒸着薄膜表面の平滑性
が極めて高いため、磁気ヘッドやガイドローラ等の摺動
部材に対する実質的な接触面積が大きく、従って摩擦係
数が大きくなり凝着現象（いわゆる貼り付き），テープ
表面の損傷が起き易く走行耐久性に欠ける。また、上記
磁性蒸着薄膜は金属材料より構成されるために保存中、
特に高温ないしは高湿度下に放置された場合に磁性層表
面に腐食を生じ易く、このために飽和磁化量の如き磁気
特性が経時的に劣化する問題もある。By the way, in such a vapor-deposited tape, the surface of the magnetic vapor-deposited thin film formed as the magnetic layer has extremely high smoothness, so that a substantial contact area with a sliding member such as a magnetic head or a guide roller is large. Therefore, the friction coefficient increases, and the adhesion phenomenon (so-called sticking) easily occurs and the tape surface is easily damaged, resulting in poor running durability. In addition, since the magnetic vapor deposition thin film is composed of a metal material, it is stored,
In particular, when it is left under high temperature or high humidity, the surface of the magnetic layer is likely to be corroded, which causes a problem that magnetic characteristics such as saturation magnetization deteriorate with time.
【０００５】そこで、このような蒸着テープにおいて
は、磁性層上に保護膜としてＳｉＯ2，ＺｒＯ2 ，ダイ
ヤモンドライクカーボン等の非磁性高硬度膜を真空薄膜
形成技術により成膜し、この非磁性高硬度膜によりテー
プ表面の摩擦係数の低減，損傷の防止を図るとともに金
属酸化因子の磁性層への侵入を抑えるようになされてい
る。Therefore, in such a vapor deposition tape, a nonmagnetic high hardness film such as SiO 2 , ZrO 2 or diamond-like carbon is formed as a protective film on the magnetic layer by a vacuum thin film forming technique. The hardness film is designed to reduce the friction coefficient of the tape surface, prevent damage, and prevent the metal oxidation factor from entering the magnetic layer.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ダイヤ
モンドライクカーボン膜は、真空蒸着法で成膜するのに
適さず、成膜速度が真空蒸着法に比べて格段に遅いカー
ボンをターゲットとしたＲＦスパッタリング法，炭化水
素ガスを用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜するしか
ない。すなわち、ＲＦスパッタリング法，プラズマＣＶ
Ｄ法の成膜速度は、真空蒸着法（斜め蒸着法を含む）の
成膜速度が約５０００〜５００００ｎｍ／分であるのに
対して約５０〜１０００ｎｍ／分と遅く、このような成
膜方法でしか成膜できないダイヤモンドライクカーボン
膜を保護膜に用いた場合には、保護膜の成膜工程にかな
りの時間を要し、生産性の点で不利である。However, the diamond-like carbon film is not suitable for deposition by the vacuum vapor deposition method, and the deposition rate is much slower than that of the vacuum vapor deposition method. However, there is no choice but to form a film by the plasma CVD method using a hydrocarbon gas. That is, RF sputtering method, plasma CV
The film forming rate of the D method is as slow as about 50 to 1000 nm / min, whereas the film forming rate of the vacuum vapor deposition method (including the oblique vapor deposition method) is about 5000 to 50000 nm / minute, which is slow. When a diamond-like carbon film that can be formed only by using a protective film is used, it takes a considerable amount of time to form the protective film, which is disadvantageous in terms of productivity.
【０００７】一方、ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 等の非磁性高硬
度膜は、ＲＦスパッタリング法，反応性スパッタリング
法によっても成膜されるが、真空蒸着法によっても成膜
できるといった利点がある。しかし、これら非磁性高硬
度膜は、磁性蒸着薄膜に対する密着強度が不足してお
り、磁性層上に保護膜として形成した場合に、摺動部材
との繰り返し摺動により徐々に磁性層から剥離して保護
効果が劣化する。On the other hand, a non-magnetic high hardness film such as SiO 2 or ZrO 2 is formed by the RF sputtering method or the reactive sputtering method, but it has an advantage that it can be formed also by the vacuum evaporation method. However, these non-magnetic high hardness films have insufficient adhesion strength to the magnetic vapor deposition thin film, and when formed as a protective film on the magnetic layer, they are gradually separated from the magnetic layer by repeated sliding with the sliding member. And the protective effect deteriorates.
【０００８】ここで、ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 等の非磁性高
硬度膜の密着強度は、該非磁性高硬度膜を蒸着法で成膜
する場合、成膜基板を２００〜３００℃に加熱すること
によって向上できることが一般に知られている。しか
し、蒸着テープにおいて汎用されている基板が耐熱温度
約１００℃以下と耐熱性に劣るポリエチレンテレフタレ
ート（ＰＥＴ）基板であることを考慮すると、基板の加
熱を行うことはＰＥＴ基板を変形させる危険性があるこ
とから妥当ではない。Here, the adhesion strength of a nonmagnetic high hardness film such as SiO 2 or ZrO 2 is determined by heating the film formation substrate to 200 to 300 ° C. when the nonmagnetic high hardness film is formed by the vapor deposition method. It is generally known that this can be improved. However, considering that the substrate generally used in the vapor deposition tape is a polyethylene terephthalate (PET) substrate having a heat resistance temperature of about 100 ° C. or lower, heating the substrate may cause deformation of the PET substrate. It is not valid because it is.
【０００９】この他、非磁性高硬度膜の密着強度を増大
させる方法としては、蒸着に先んじて成膜面にボンバー
ド処理，逆スパッタリング処理，ドライエッチング処理
等の処理を施しておく方法もある。しかし、これら処理
を上記蒸着テープに適用しても、磁性層と保護膜の密着
強度の向上は極僅かに過ぎず、保護効果の大幅な延長を
達成するには至らない。In addition, as a method of increasing the adhesion strength of the non-magnetic high hardness film, there is also a method of performing a bombarding process, a reverse sputtering process, a dry etching process or the like on the film forming surface prior to vapor deposition. However, even if these treatments are applied to the above vapor deposition tape, the adhesion strength between the magnetic layer and the protective film is improved only slightly, and the protective effect cannot be significantly extended.
【００１０】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、保護膜の磁性層に対する
密着強度を向上させるとともに保護膜の成膜時間を短縮
し、走行耐久性，耐食性，生産性に優れた磁気記録媒体
及びその製造方法を提供することを目的とする。Therefore, the present invention has been proposed in view of such a conventional situation, and improves the adhesion strength of the protective film to the magnetic layer and shortens the film forming time of the protective film to improve the running durability, An object of the present invention is to provide a magnetic recording medium excellent in corrosion resistance and productivity and a method for manufacturing the same.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上にＣｏ
を主成分とする磁性蒸着薄膜が形成され、該磁性蒸着薄
膜上に保護膜としてＳｉ酸化物を主成分とする複合酸化
物蒸着膜が形成されていることを特徴とするものであ
る。In order to achieve the above object, the magnetic recording medium of the present invention comprises Co on a non-magnetic support.
Is formed, and a composite oxide vapor deposition film containing Si oxide as a main component is formed as a protective film on the magnetic vapor deposition thin film.
【００１２】また、上記複合酸化物蒸着膜がＳｉ酸化物
とＣｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃ
ｏ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂａ，希土類金属から選ばれる
少なくとも１種の酸化物を含有することを特徴とするも
のである。さらに、本発明の磁気記録媒体の製造方法
は、上記磁気記録媒体の複合酸化物蒸着膜を形成するに
際し、蒸着源としてＳｉを主成分とするＳｉとＣｒ，Ｓ
ｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，
希土類金属から選ばれる少なくとも１種からなるＳｉ合
金を用い、酸素ガス雰囲気中で真空蒸着すること特徴と
するものである。In addition, the above-mentioned composite oxide vapor-deposited film is formed of Si oxide and Cr, Sn, Cu, Al, B, Fe, Ni, Ti, C.
It is characterized by containing at least one oxide selected from o, Zr, Mg, Bi, Ba and rare earth metals. Further, in the method for manufacturing a magnetic recording medium of the present invention, when forming the complex oxide vapor deposition film of the magnetic recording medium, Si, Cr, and S containing Si as a main component are used as vapor deposition sources.
n, Cu, Al, B, Fe, Ni, Ti, Co, Zr,
It is characterized in that a Si alloy made of at least one selected from rare earth metals is used and vacuum deposition is performed in an oxygen gas atmosphere.
【００１３】また、上記磁気記録媒体の複合酸化物蒸着
膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉＯとＴｉＯ2 ，
Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ
2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種の酸化物からな
る混合酸化物を用いることを特徴とするものである。Further, in forming the composite oxide vapor deposition film of the magnetic recording medium, SiO and TiO 2 as vapor deposition sources,
B 2 O 3 , MgO, Bi 2 O 3 , NiO, BaO, Al
A mixed oxide composed of at least one oxide selected from 2 O 3 is used.
【００１４】本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁
性支持体上にＣｏを主成分とする磁性蒸着薄膜が形成さ
れてなるいわゆる蒸着型の磁気記録媒体である。The magnetic recording medium to which the present invention is applied is a so-called vapor deposition type magnetic recording medium in which a magnetic vapor deposition thin film containing Co as a main component is formed on a non-magnetic support.
【００１５】上記磁性蒸着薄膜は、ＣｏあるいはＣｏ−
Ｃｒ系合金，Ｃｏ−Ｃｒ−Ｎｉ系合金，Ｃｏ−Ｎｉ系合
金等のＣｏ系合金を蒸着源として用い、微量の酸素混入
雰囲気下、真空蒸着を行うことで成膜されるものであ
る。ここで、蒸着に際しては斜め蒸着，垂直蒸着のいず
れでもよいが、通常は斜め蒸着とされる。The above-mentioned magnetic vapor deposition thin film is Co or Co-
A Co-based alloy such as a Cr-based alloy, a Co-Cr-Ni-based alloy, or a Co-Ni-based alloy is used as a vapor deposition source, and vacuum deposition is performed in an atmosphere containing a slight amount of oxygen to form a film. Here, the vapor deposition may be oblique vapor deposition or vertical vapor deposition, but is usually diagonal vapor deposition.
【００１６】図１に、斜め蒸着によって形成された磁性
蒸着薄膜の組織構造を模式的に示す。このようにして成
膜される磁性蒸着薄膜は、ＣｏあるいはＣｏ合金がカラ
ム状に斜めに結晶成長しており、その結晶カラム１の境
界域及び膜表面がＣｏ−Ｏ層２となっている。この結晶
カラム１の構造は、成膜雰囲気中へ導入する酸素量によ
って制御され、成膜雰囲気中の酸素の混入量が多い場合
程、結晶カラム及び結晶カラム内粒子が微細化される。FIG. 1 schematically shows the texture structure of a magnetic vapor deposition thin film formed by oblique vapor deposition. In the magnetic vapor deposition thin film thus formed, Co or Co alloy is obliquely crystal-grown in a column shape, and the boundary region of the crystal column 1 and the film surface are the Co—O layer 2. The structure of the crystal column 1 is controlled by the amount of oxygen introduced into the film forming atmosphere, and the larger the amount of oxygen mixed in the film forming atmosphere, the finer the crystal column and the particles in the crystal column.
【００１７】ここで、本発明においては、このような磁
性蒸着薄膜上に、媒体表面の摩擦係数を低減するととも
に該磁性蒸着薄膜を摺動部材との摺動，金属酸化因子と
の接触から保護するために、Ｓｉ酸化物を主成分とする
複合酸化物蒸着膜３を保護膜として形成する。Here, in the present invention, the coefficient of friction of the medium surface is reduced on such a magnetic vapor deposition thin film, and the magnetic vapor deposition thin film is protected from sliding with a sliding member and contact with a metal oxidation factor. In order to do so, the complex oxide vapor deposition film 3 containing Si oxide as a main component is formed as a protective film.
【００１８】上記複合酸化物蒸着膜の主成分となるＳｉ
酸化物とは、ＳｉＯx （但し、ｘは１〜２である。）で
表されるものであり、具体的にはＳｉＯとＳｉＯ2 の混
合酸化物である。上記複合酸化物蒸着膜では、このＳｉ
酸化物を主成分としていることにより、摩擦係数が低い
ものとなり、且つ磁性蒸着薄膜上に強固に密着形成でき
る。Si which is the main component of the above composite oxide vapor deposition film
The oxide is represented by SiO x (where x is 1 to 2), and is specifically a mixed oxide of SiO and SiO 2 . In the above complex oxide vapor deposition film, this Si
By using the oxide as the main component, the friction coefficient becomes low, and the film can be firmly adhered and formed on the magnetic vapor deposition thin film.
【００１９】ここで上記複合酸化物蒸着膜の密着強度
は、Ｓｉ及びＳｉＯがＣｏよりも酸素との親和力が高い
ことに起因している。以下に、この複合酸化物蒸着膜と
磁性蒸着薄膜の密着機構について説明する。The adhesion strength of the composite oxide vapor deposition film is due to the fact that Si and SiO have a higher affinity for oxygen than Co. The adhesion mechanism between the composite oxide vapor deposition film and the magnetic vapor deposition thin film will be described below.
【００２０】すなわち、Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜
は、上述の如く膜表面がＣｏ−Ｏ層２となっている。し
たがって、上記複合酸化物蒸着膜３は、このＣｏ−Ｏ層
の上に直接成膜されることとなる。That is, in the magnetic vapor deposition thin film mainly composed of Co, the film surface is the Co—O layer 2 as described above. Therefore, the composite oxide vapor deposition film 3 is directly formed on the Co—O layer.
【００２１】例えば図２に示す如く、Ｃｏ−Ｏ層２上
に、Ｓｉを蒸着源として、酸素混入雰囲気下、Ｓｉ酸化
物蒸着膜４を成膜したとする。すると、Ｃｏ−Ｏ層２表
面では、被着した活性なＳｉ及びＳｉＯが、その酸素親
和力がＣｏよりも大きいことから化１，化２に示す如く
ＣｏＯを還元してＣｏを生成し、それ自身はそれぞれ酸
化されてＳｉＯ2 あるいはＳｉＯを経てＳｉＯ2 とな
る。For example, as shown in FIG. 2, it is assumed that a Si oxide vapor deposition film 4 is formed on the Co—O layer 2 by using Si as a vapor deposition source in an oxygen mixed atmosphere. Then, on the surface of the Co-O layer 2, the active Si and SiO deposited have a greater oxygen affinity than Co, so that CoO is reduced to produce Co, as shown in Chemical formula 1 and Chemical formula 2, and itself the SiO 2 via SiO 2 or SiO and is oxidized respectively.
【００２２】[0022]
【化１】 [Chemical 1]
【００２３】[0023]
【化２】 [Chemical 2]
【００２４】このような酸化還元反応によって生成され
るＣｏは、反応に関与していないＣｏ−Ｏ層２との密着
強度が高く、その一方、酸化還元反応によって生成した
ＳｉＯ2 との密着強度も高い。またこの酸化還元反応に
よって生成したＳｉＯ2 はさらにその上に順次被着され
るＳｉＯとＳｉＯ2 よりなるＳｉ酸化物蒸着膜４とも強
固に密着する。つまり、上述のような酸化還元反応によ
ってＣｏ−Ｏ層２とＳｉ酸化物蒸着膜４の界面にＣｏ
Ｏ，ＳｉＯ，Ｃｏ，ＳｉＯ2 の反応混在層５が形成さ
れ、この反応混在層５がＣｏ−Ｏ層２とＳｉ酸化物蒸着
膜４を強固に密着させる。Co produced by such a redox reaction has a high adhesion strength with the Co--O layer 2 which is not involved in the reaction, and on the other hand, it also has an adhesion strength with SiO 2 produced by the redox reaction. high. Further, SiO 2 generated by this oxidation-reduction reaction also firmly adheres to the Si oxide vapor deposition film 4 made of SiO and SiO 2 which is successively deposited thereon. That is, Co is formed on the interface between the Co—O layer 2 and the Si oxide deposition film 4 by the redox reaction as described above.
A reaction mixed layer 5 of O, SiO, Co, and SiO 2 is formed, and this reaction mixed layer 5 firmly adheres the Co—O layer 2 and the Si oxide vapor deposition film 4.
【００２５】しかし、上述のようにして成膜されるＳｉ
酸化物蒸着膜４は、Ｓｉ酸化物がアモルファス単一相と
なって連続的に成長，膜形成した単一相組織であるた
め、ＣｏＯとの相互作用及びＳｉ酸化物膜成長時に膜内
に生成する内部要因的歪との和として生成される膜内応
力が同一方向性を持って内在している。However, the Si film formed as described above
The oxide vapor-deposited film 4 has a single-phase structure in which Si oxide is continuously grown as an amorphous single phase and formed into a film. The in-film stress generated as a sum of the internal strain caused by the stress is inherent in the same direction.
【００２６】このように同一方向性を持った膜内応力を
内在している保護膜は、一部にクラックが入るとそれが
広い範囲に伝播して広面積に及ぶクラックが誘発され、
耐久性の点で問題がある。In this way, in the protective film in which the in-film stress having the same direction is inherent, when a crack is formed in a part, it propagates to a wide range and a crack in a wide area is induced.
There is a problem in terms of durability.
【００２７】そこで、本発明においては、Ｓｉ酸化物蒸
着膜そのものではなく、Ｓｉ酸化物蒸着膜をマトリック
ス相とし、このマトリックス相にＣｒ，Ｓｎ，Ａｌ，
Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂ
ａ，希土類金属から選ばれる少なくとも一種の酸化物を
微細に分散せしめた複合酸化物蒸着膜を保護膜として形
成する。Therefore, in the present invention, not the Si oxide vapor deposition film itself but the Si oxide vapor deposition film is used as the matrix phase, and Cr, Sn, Al,
B, Fe, Ni, Ti, Co, Zr, Mg, Bi, B
a, a composite oxide vapor deposition film in which at least one oxide selected from rare earth metals is finely dispersed is formed as a protective film.
【００２８】すなわち、このような複合酸化物蒸着膜
は、図３に示すように、Ｓｉ酸化物マトリックス相１１
と金属酸化物分散相１２の２相構造組織である。このた
め、膜内応力が分散されてクラックが発生し難く、ま
た、図４に示すようにたとえＳｉ酸化物マトリックス相
１１にクラック１３が入ったとしても金属酸化物分散相
１２の存在によってクラックの伝播が停止され、クラッ
クが広面積に及ぶのが防止される。That is, as shown in FIG. 3, such a composite oxide deposited film has a Si oxide matrix phase 11
And a two-phase structural structure of the metal oxide dispersed phase 12. Therefore, the stress in the film is dispersed and cracks are less likely to occur, and even if the Si oxide matrix phase 11 has cracks 13 as shown in FIG. Propagation is stopped and cracks are prevented from spreading over large areas.
【００２９】なお、上記複合酸化物蒸着膜において、主
成分となるＳｉ酸化物，すなわちＳｉＯx の酸素含有量
ｘは複合酸化物膜の密着強度，膜強度に影響を与え、密
着強度，膜強度をともに向上させるには１．１〜１．９
の範囲とすることが好ましい。また、金属酸化物分散相
のクラック伝播防止効果は、金属酸化物の分散量，用い
る金属酸化物の種類の適正化，あるいは図５に示すよう
に２種類以上の金属酸化物分散相１２を組み合わせるこ
とにより向上できる。しかし金属酸化物分散相１２の複
合酸化物蒸着膜３に占める割合があまり大きくなると該
複合酸化物蒸着膜３の耐久性が劣化し、保護膜としての
機能が十分に得られなくなる。したがって、金属酸化物
分散相１２を構成する金属原子とＳｉ酸化物マトリック
ス相１１を構成するＳｉとは、金属原子／Ｓｉ酸化物
（モル比）が２／１０以下となるように量設定すること
が好ましい。また、上記複合酸化物蒸着膜３には、組織
構造に影響を与えない程度の微量の窒素が含有されてい
てもよい。In the above composite oxide vapor deposition film, the oxygen content x of the main component Si oxide, that is, SiO x , affects the adhesion strength and film strength of the composite oxide film. 1.1 to 1.9 to improve both
It is preferable to set it as the range. In addition, the crack propagation preventing effect of the metal oxide dispersed phase is obtained by optimizing the dispersion amount of the metal oxide, the kind of the metal oxide used, or combining two or more kinds of the metal oxide dispersed phases 12 as shown in FIG. This can be improved. However, if the proportion of the metal oxide dispersed phase 12 in the vapor-deposited complex oxide film 3 becomes too large, the durability of the vapor-deposited complex oxide film 3 deteriorates, and the function as a protective film cannot be sufficiently obtained. Therefore, the amount of metal atoms forming the metal oxide dispersed phase 12 and the amount of Si forming the Si oxide matrix phase 11 should be set such that the metal atom / Si oxide (molar ratio) is 2/10 or less. Is preferred. Further, the above-mentioned composite oxide vapor deposition film 3 may contain a trace amount of nitrogen that does not affect the tissue structure.
【００３０】上述のようなＳｉ酸化物マトリックス相１
１に金属酸化物分散相１２が微量分散した二相組織構造
の複合酸化物蒸着膜３は、例えばＳｉと、微量のＣｒ，
Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚ
ｒ，希土類金属から選ばれる少なくとも１種の金属から
なるＳｉ合金を蒸着源とし、酸素ガス導入雰囲気中で真
空蒸着することによって成膜できる。Si oxide matrix phase 1 as described above
The composite oxide vapor deposition film 3 having a two-phase structure structure in which a minute amount of the metal oxide dispersed phase 12 is dispersed in 1 includes, for example, Si and a small amount of Cr,
Sn, Cu, Al, B, Fe, Ni, Ti, Co, Z
The film can be formed by vacuum deposition in an oxygen gas introduction atmosphere using a Si alloy composed of at least one metal selected from r and rare earth metals as an evaporation source.
【００３１】蒸着源となるＳｉと上記に例示した金属元
素のＳｉ合金を酸素ガス導入雰囲気中で加熱蒸発させる
と、Ｓｉと金属元素は酸化されてそれぞれＳｉ酸化物と
金属酸化物となる。そして、これら酸化物は互いに固溶
することなく、Ｓｉ酸化物マトリックス相１１中に金属
酸化物が微量分散相として析出し、上記二相組織構造の
複合酸化物蒸着膜３が形成される。When Si serving as a vapor deposition source and the above-exemplified Si alloy of the metal element are heated and evaporated in an oxygen gas introduction atmosphere, Si and the metal element are oxidized to form a Si oxide and a metal oxide, respectively. Then, these oxides do not form a solid solution with each other, and the metal oxide is precipitated as a trace amount dispersed phase in the Si oxide matrix phase 11 to form the composite oxide vapor deposition film 3 having the above two-phase structure structure.
【００３２】ここで、Ｓｉ酸化物と固溶しない酸化物を
生成する金属としては上記に例示した金属元素以外にも
各種存在するが、本発明において特に上記金属元素を選
定したのは、上記金属元素の蒸発速度がＳｉの蒸着速度
と近似しているか，あるいは若干遅いからである。Here, there are various metals other than the above-exemplified metal elements for forming an oxide that does not form a solid solution with the Si oxide. In the present invention, the above-mentioned metal element is selected. This is because the evaporation rate of elements is close to or slightly slower than the evaporation rate of Si.
【００３３】すなわち、Ｓｉ合金を蒸着源として真空蒸
着する場合に、Ｓｉと、Ｓｉと合金を構成する金属元素
の蒸発速度が大きく異なっていると成膜される蒸着膜の
組成比が蒸着の進行に伴って経時的に変化し、蒸着初期
に成膜された蒸着膜と蒸着後期で成膜された蒸着膜とで
組成比が大きくずれる。これにより、形成される複合酸
化物蒸着膜は走行耐久性が不安定なものとなる。上記に
例示した金属元素は、蒸発速度が比較的Ｓｉと近似して
いる。したがって、このような金属元素のＳｉ合金を蒸
着源として用いることにより、組成比変動を生ずること
なく耐久性の均一な複合酸化物蒸着膜が成膜される。That is, in the case of vacuum vapor deposition using a Si alloy as a vapor deposition source, if the vaporization rates of Si and the metal elements constituting the alloy with Si are significantly different, the composition ratio of the vapor deposition film formed will cause the progress of vapor deposition. The composition ratio of the vapor deposition film formed in the initial stage of vapor deposition and the vapor deposition film formed in the latter stage of vapor deposition are significantly different from each other. As a result, the formed composite oxide vapor deposition film becomes unstable in running durability. The metal elements illustrated above have a relatively similar evaporation rate to Si. Therefore, by using such a Si alloy of a metal element as a vapor deposition source, a composite oxide vapor deposition film having uniform durability can be formed without causing a composition ratio change.
【００３４】参考のため、各種元素の温度と蒸発速度
（ｍｏｌ／ｍ2 ・秒）の関係を図６に示す。これら元素
の内、Ｓｉと蒸着速度が近似している元素は、上述の如
く蒸着膜の組成変動を生じ難く、蒸着源となるＳｉ合金
の構成金属元素として適している。また、Ｓｉより蒸着
速度が適度に遅い元素は、蒸着速度が遅いことがむしろ
Ｓｉ酸化物中に微細析出するのに有利に働く。一方、Ａ
ｇよりも蒸発速度の速い元素は、Ｓｉとの組成比コント
ロールが困難であり、走行耐久性の安定な保護膜が形成
できない点から幾分不適当である。For reference, the relationship between the temperature of various elements and the evaporation rate (mol / m 2 · sec) is shown in FIG. Among these elements, an element having a vapor deposition rate similar to that of Si is suitable as a constituent metal element of a Si alloy serving as a vapor deposition source because it is unlikely to cause compositional variation of the vapor deposition film as described above. In addition, an element having a vapor deposition rate that is appropriately slower than Si is advantageous in that it is finely precipitated in Si oxide because the vapor deposition rate is slower. On the other hand, A
An element having an evaporation rate faster than g is somewhat unsuitable because it is difficult to control the composition ratio with Si and a protective film having stable running durability cannot be formed.
【００３５】また、さらに上記２相組織構造の複合酸化
物蒸着膜３は、蒸着源としてＳｉＯ2 及びＳｉＯとＴｉ
Ｏ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，Ｂａ
Ｏ，Ａｌ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種の金属
酸化物からなる混合酸化物を用いて真空蒸着するこによ
っても形成できる。Further, the above-mentioned two-phase structure structure composite oxide vapor deposition film 3 is formed of SiO 2 and SiO and Ti as vapor deposition sources.
O 2 , B 2 O 3 , MgO, Bi 2 O 3 , NiO, Ba
It can also be formed by vacuum vapor deposition using a mixed oxide composed of at least one metal oxide selected from O and Al 2 O 3 .
【００３６】ここで、蒸着源として上記金属酸化物を選
んだのはＳｉ酸化物と蒸着速度が近似しているからであ
る。図７に、各種酸化物の温度と蒸発速度（ｍｏｌ／時
間・面積）の関係を示す。ＳｉＯ2 よりも蒸発速度が極
端に速い金属酸化物は、Ｓｉ酸化物中に微量分散物とし
て析出させることが難く、２相組織構造の形成が困難で
ある。逆に、ＳｉＯ2 よりも金属酸化物の蒸発速度が極
端に遅い場合には、金属酸化物を蒸発させるために蒸着
温度を高温に設定しなければならず、蒸着膜を形成する
非磁性支持体に熱損傷を生じさせる虞れがある。The metal oxide is selected as the vapor deposition source because the vapor deposition rate is similar to that of Si oxide. FIG. 7 shows the relationship between the temperature of various oxides and the evaporation rate (mol / hour / area). A metal oxide having an extremely higher evaporation rate than SiO 2 is difficult to precipitate as a trace amount dispersion in Si oxide, and it is difficult to form a two-phase structure structure. On the contrary, when the evaporation rate of the metal oxide is extremely slower than that of SiO 2 , the evaporation temperature must be set to a high temperature in order to evaporate the metal oxide, and the non-magnetic support that forms the evaporated film. May cause heat damage to the.
【００３７】なお、本発明の磁気記録媒体において、上
記磁性蒸着薄膜１，複合酸化物蒸着膜３が形成される非
磁性支持体１としては、高分子フィルムや剛性プラスチ
ック基板，ＡｌやＡｌ合金等よりなる金属板，ガラス板
等、通常の磁気記録媒体で使用されているものがいずれ
も使用可能であり、その形態もシート状，テープ状，デ
ィスク状，カード状，ドラム状等、用途に応じて適宜選
択することができる。In the magnetic recording medium of the present invention, the non-magnetic support 1 on which the magnetic vapor deposition thin film 1 and the complex oxide vapor deposition film 3 are formed is a polymer film, a rigid plastic substrate, Al, Al alloy or the like. Any of those used in ordinary magnetic recording media such as a metal plate and a glass plate can be used, and the form can be sheet, tape, disk, card, drum, etc., depending on the application. Can be appropriately selected.
【００３８】[0038]
【作用】本発明では、Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜を
磁性層とする磁気記録媒体において、前記磁性蒸着薄膜
上に、Ｓｉ酸化物を主成分とし、所定の金属酸化物を微
量分散成分とする複合酸化物蒸着膜を保護膜として成膜
する。上記複合酸化物蒸着膜は、その主成分であるＳｉ
酸化物と磁性蒸着薄膜表面のＣｏ−Ｏ層とが酸化還元反
応を起こすことによって磁性蒸着薄膜上に強固に密着形
成される。また、上記複合酸化物蒸着膜は、金属酸化物
を微量分散成分として含んでいることにより、膜内応力
が分散され、また一部にクラックが入った場合でもその
伝播が微量分散する金属酸化物によって停止されクラッ
クが広面積に及ぶことがない。したがって、このような
複合酸化物蒸着膜が保護膜として形成された磁気記録媒
体は、摺動部材に対して繰り返し摺動した場合でも保護
膜の保護効果が十分に維持され、優れた走行性，耐久
性，耐酸化性を示す。According to the present invention, in a magnetic recording medium having a magnetic vapor deposition thin film mainly composed of Co as a magnetic layer, a Si oxide as a main component and a predetermined metal oxide as a trace dispersion component on the magnetic vapor deposition thin film. The composite oxide vapor deposition film is formed as a protective film. The above-mentioned composite oxide vapor deposition film has Si as its main component.
The oxide and the Co—O layer on the surface of the magnetic vapor deposition thin film cause an oxidation-reduction reaction to firmly and closely form on the magnetic vapor deposition thin film. In addition, the complex oxide vapor deposition film contains a metal oxide as a trace amount dispersion component, so that the stress in the film is dispersed, and even if some cracks are generated, its propagation is dispersed in a trace amount. It is stopped by and the crack does not spread over a large area. Therefore, in the magnetic recording medium having such a composite oxide vapor deposition film formed as a protective film, the protective effect of the protective film is sufficiently maintained even when repeatedly sliding on the sliding member, and excellent running property, Shows durability and oxidation resistance.
【００３９】なお、上記複合酸化物蒸着膜は、例えばＳ
ｉと、微量のＣｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎ
ｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，Ｚｒ，希土類金属から選ばれる少なく
とも１種の金属からなるＳｉ合金を蒸着源とし、酸素ガ
ス導入雰囲気中で真空蒸着するか、あるいは蒸着源とし
てＳｉＯ2 及びＳｉＯとＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，
Ｂｉ2 Ｏ3 ，ＮｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ2 Ｏ3 の中から選ば
れる少なくとも１種の金属酸化物からなる混合酸化物を
用いて真空蒸着することによって短時間に形成される。The composite oxide vapor-deposited film is, for example, S
i and a trace amount of Cr, Sn, Cu, Al, B, Fe, N
i, Ti, Co, Zr, a Si alloy composed of at least one metal selected from rare earth metals is used as a vapor deposition source, and vacuum vapor deposition is performed in an oxygen gas introduction atmosphere, or SiO 2 and SiO and TiO 2 are used as a vapor deposition source. B 2 O 3 , MgO,
It is formed in a short time by vacuum deposition using a mixed oxide composed of at least one metal oxide selected from Bi 2 O 3 , NiO, BaO and Al 2 O 3 .
【００４０】[0040]
【実施例】以下、本発明の具体的な実施例について実験
結果に基づいて説明する。EXAMPLES Specific examples of the present invention will be described below based on experimental results.
【００４１】実施例１ 本実施例は保護膜となるＳｉ複合酸化物蒸着膜を、蒸着
源としてＳｉ合金を用い、酸素ガス導入雰囲気下、真空
蒸着によって成膜した例である。 Example 1 This example is an example in which a Si composite oxide vapor deposition film serving as a protective film is formed by vacuum vapor deposition in an oxygen gas introduction atmosphere using a Si alloy as a vapor deposition source.
【００４２】先ず、厚さ１０μｍ，幅１５０ｍｍのポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）製非磁性支持体上
に、アクリルエステルを主成分とする水溶性ラテックス
を約１０００万個／ｍｍ2 の密度で載置し下塗り層を形
成した。そして、この下塗り層が形成された非磁性支持
体上に、磁性層としてＣｏ−Ｎｉ斜方蒸着薄膜を、保護
膜として複合酸化物蒸着膜を真空蒸着法によって成膜
し、蒸着テープ原反を作製した。First, a non-magnetic polyethylene terephthalate (PET) substrate having a thickness of 10 μm and a width of 150 mm was coated with a water-soluble latex containing an acrylic ester as a main component at a density of about 10 million pieces / mm 2 and undercoated. Layers were formed. Then, on the non-magnetic support on which the undercoat layer was formed, a Co—Ni oblique vapor deposition thin film as a magnetic layer and a complex oxide vapor deposition film as a protective film were formed by a vacuum vapor deposition method, and the vapor deposition tape raw material was formed. It was made.
【００４３】本実施例で使用した蒸着装置について図面
を参照しながら説明する。上記蒸着装置は、図８に示す
ように、排気管９によって内部が高真空状態となされた
チャンバー１１内に、巻き出しロール８，巻き取りロー
ル７，冷却キャン６よりなる走行系と、蒸発源である金
属磁性材料が収容された収容容器２と、蒸着時に酸素ガ
スを導入する酸素ガス導入管４とを収容することにより
構成されている。The vapor deposition apparatus used in this example will be described with reference to the drawings. As shown in FIG. 8, the vapor deposition apparatus includes a traveling system including an unwinding roll 8, a winding roll 7 and a cooling can 6, and an evaporation source in a chamber 11 whose inside is made into a high vacuum state by an exhaust pipe 9. The container 2 in which the metallic magnetic material is contained and the oxygen gas introducing pipe 4 for introducing oxygen gas during vapor deposition are housed.
【００４４】上記巻き出しロール８，冷却キャン６，巻
き取りロール７には、長尺状の非磁性支持体１２が順次
掛け渡され、前記巻き出しロール８より冷却キャン６側
に送り出されて最終的に前記巻き取りロール７に巻き取
られるようになされている。また、上記冷却キャン６の
内部には、図示しない冷却装置が設けられ、前記非磁性
支持体１２の温度上昇による変形等を防止するようにな
されている。A long non-magnetic support 12 is successively wound around the unwinding roll 8, the cooling can 6, and the winding roll 7, and is fed from the unwinding roll 8 to the cooling can 6 side to finally finish. It is designed to be wound around the winding roll 7. A cooling device (not shown) is provided inside the cooling can 6 so as to prevent the non-magnetic support 12 from being deformed due to a temperature rise.
【００４５】上記収容容器２は、前記冷却キャン６の下
方に配設されている。そして、この収容容器２内に収容
される蒸着源は、電子銃１によって加熱蒸発させられ、
前記冷却キャン６の外周囲を走行する非磁性支持体１２
上に蒸着膜として被着形成されるようになされている。The container 2 is arranged below the cooling can 6. The vapor deposition source housed in the housing container 2 is heated and evaporated by the electron gun 1.
Non-magnetic support 12 running around the outside of the cooling can 6.
It is adapted to be deposited and formed as a vapor deposition film on the top.
【００４６】また、上記冷却キャン６の外周囲近傍部に
は、前記金属磁性材料の加熱蒸発による金属蒸気流を遮
蔽するシャッター３が配設されている。上記シャッター
３は、蒸気流が前記非磁性支持体１２に対して所定角度
範囲で斜めに蒸着されるように当該非磁性支持体１２の
所定範囲を覆うものである。In the vicinity of the outer periphery of the cooling can 6, a shutter 3 for blocking a metal vapor flow due to heating and evaporation of the metal magnetic material is provided. The shutter 3 covers a predetermined range of the non-magnetic support 12 so that the vapor flow is obliquely deposited on the non-magnetic support 12 within a predetermined angle range.
【００４７】また、上記非磁性支持体１２の走行方向の
下流側，すなわち金属蒸気流の低入射角側には、外部よ
りチャンバー１１内へ導かれ酸素ガス導入管４が配設さ
れており、この酸素ガス導入管４から導入される酸素に
よって非磁性支持体上に被着された蒸着元素が酸化でき
るようになっている。さらに、この酸素ガス導入管４の
近傍には、イオン化電極５が配設されている。このイオ
ン化電極５は、蒸着流を帯電させて非磁性支持体との電
位差を大きくして加速し、付着強度を増加させるための
ものである。On the downstream side in the traveling direction of the non-magnetic support 12, that is, on the low incident angle side of the metal vapor flow, an oxygen gas introduction pipe 4 is provided which is guided from the outside into the chamber 11 and is arranged. Oxygen introduced from the oxygen gas introduction pipe 4 can oxidize the vapor deposition element deposited on the non-magnetic support. Further, an ionization electrode 5 is arranged near the oxygen gas introduction pipe 4. The ionization electrode 5 is for charging the vapor deposition flow to increase the potential difference from the non-magnetic support to accelerate the deposition flow and increase the adhesion strength.
【００４８】このように構成された蒸着装置を用いて非
磁性支持体１２上に磁性蒸着薄膜，複合酸化物蒸着膜を
形成するには、先ず、チャンバー１１内を真空状態とし
た後、巻き出しロール８から巻き取りロール７に亘って
非磁性支持体１２を走行させる。そして、金属磁性材料
を加熱蒸発させ、この蒸気流を前記シャッター３の操作
により非磁性支持体１２の所定角度範囲に供給する。こ
のとき同時に前記酸素ガス導入管４より所定量の酸素ガ
スを導入し、非磁性支持体１２の幅方向全体に亘って酸
素ガスを供給する。すると、前記冷却キャン６の周面に
沿って走行する非磁性支持体１２上に蒸着膜が被着され
る。そして、蒸着膜が形成された非磁性支持体１２は上
記巻き取りロール７に巻き取られる。In order to form a magnetic vapor deposition thin film and a complex oxide vapor deposition film on the non-magnetic support 12 by using the vapor deposition device thus constructed, first, the chamber 11 is evacuated and then unrolled. The non-magnetic support 12 is run from the roll 8 to the take-up roll 7. Then, the metallic magnetic material is heated and evaporated, and this vapor flow is supplied to a predetermined angle range of the non-magnetic support 12 by operating the shutter 3. At this time, at the same time, a predetermined amount of oxygen gas is introduced from the oxygen gas introduction pipe 4, and the oxygen gas is supplied over the entire width direction of the nonmagnetic support 12. Then, the vapor deposition film is deposited on the non-magnetic support 12 that runs along the peripheral surface of the cooling can 6. Then, the non-magnetic support 12 on which the vapor deposition film is formed is wound around the winding roll 7.
【００４９】なお、本実施例で採用したＣｏ−Ｎｉ斜方
蒸着薄膜，複合酸化物蒸着膜の蒸着条件を以下に示す。 Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着薄膜蒸着条件 蒸着源 ：Ｃｏ80Ｎｉ20（重量％） 入射角 ：９０°〜４５° テープスピード：０．１７ｍ／秒 Ｏ2 導入流量 ：３．３×１０-6ｍ3 ／秒 テープの幅 ：１２７ｍｍ 蒸着時クーリングロール温度：−２０℃ 蒸着時真空度：７×１０-2Ｐａ 蒸着薄膜膜厚 ：０．２μｍ 複合酸化物蒸着膜蒸着条件 蒸着源 ：Ｓｉ90Ｔｉ10（重量％） 入射角 ：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒 Ｏ2 導入流量 ：６．０×１０-6ｍ3 ／秒 蒸着時真空度 ：７×１０-2Ｐａ 蒸着膜膜厚 ：０．０２μｍThe vapor deposition conditions for the Co—Ni oblique vapor deposition thin film and the complex oxide vapor deposition film used in this example are shown below. Co-Ni oblique deposition thin film deposition conditions Deposition source: Co 80 Ni 20 (wt%) Incident angle: 90 ° to 45 ° Tape speed: 0.17 m / sec O 2 introduction flow rate: 3.3 × 10 -6 m 3 / Sec Tape width: 127 mm Cooling roll temperature during vapor deposition: −20 ° C. Vacuum degree during vapor deposition: 7 × 10 −2 Pa Deposition film thickness: 0.2 μm Complex oxide deposition film deposition conditions Deposition source: Si 90 Ti 10 ( Weight%) Incident angle: -20 ° to + 20 ° Tape speed: 0.2 m / sec O 2 introduction flow rate: 6.0 × 10 -6 m 3 / sec Vacuum degree during vapor deposition: 7 × 10 -2 Pa Evaporated film Thickness: 0.02 μm
【００５０】そして、このようにして作製された蒸着テ
ープ原反について、非磁性支持体のＣｏ−Ｎｉ蒸着薄膜
が成膜された側とは反対側の面にカーボンがウレタンバ
インダーに分散されてなるバックコート塗料を塗布して
厚さ０．６μｍのバックコート層を形成し、複合酸化物
蒸着膜の表面にはパーフルオロポリエーテルを塗布して
トップコート層を形成し、８ｍｍ幅に裁断して磁気テー
プを作製した。In the vapor-deposited tape stock thus produced, carbon is dispersed in a urethane binder on the surface of the non-magnetic support opposite to the side on which the Co-Ni vapor-deposited thin film is formed. The back coat paint is applied to form a back coat layer having a thickness of 0.6 μm, and the surface of the composite oxide vapor deposition film is applied with perfluoropolyether to form a top coat layer, which is cut into 8 mm width. A magnetic tape was produced.
【００５１】実施例２〜実施例１６ 複合酸化物蒸着膜を成膜する際の蒸着源，酸素流量，蒸
着時真空度を表１に示すように変えたこと以外は実施例
１と同様にして磁気テープを作製した。 Examples 2 to 16 The same as Example 1 except that the vapor deposition source, the oxygen flow rate, and the vacuum degree during vapor deposition during the formation of the composite oxide vapor deposition film were changed as shown in Table 1. A magnetic tape was produced.
【００５２】実施例１７〜実施例２３ 本実施例は、保護膜となる複合酸化物蒸着膜を、蒸着源
としてＳｉ酸化物と金属酸化物を用い、真空蒸着によっ
て成膜した例である。 Examples 17 to 23 In this example, a composite oxide vapor deposition film to be a protective film is formed by vacuum vapor deposition using Si oxide and metal oxide as vapor deposition sources.
【００５３】複合酸化物蒸着膜を成膜する際の蒸着源，
蒸着時真空度を表２に示すように変え、蒸着雰囲気中に
酸素ガスを導入しなかったこと以外は実施例１と同様に
して磁気テープを作製した。A vapor deposition source for forming a complex oxide vapor deposition film,
A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the degree of vacuum during vapor deposition was changed as shown in Table 2 and that oxygen gas was not introduced into the vapor deposition atmosphere.
【００５４】比較例１ Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着膜上に保護膜としてＡｌ蒸着膜を以
下の蒸着条件で成膜したこと以外は実施例１と同様にし
て磁気テープを作製した。 Ａｌ蒸着膜蒸着条件 蒸着源 ：Ａｌ 入射角 ：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒 Ｏ2 導入流量 ：６．０×１０-6ｍ3 ／秒 蒸着時真空度 ：７×１０-2Ｐａ 蒸着膜膜厚 ：０．０２μｍ Comparative Example 1 A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that an Al vapor deposition film was formed as a protective film on the Co—Ni oblique vapor deposition film under the following vapor deposition conditions. Al vapor deposition film vapor deposition conditions Vapor deposition source: Al Incident angle: −20 ° to + 20 ° Tape speed: 0.2 m / sec O 2 introduction flow rate: 6.0 × 10 −6 m 3 / sec Vacuum degree during vapor deposition: 7 × 10 -2 Pa Deposition film thickness: 0.02 μm
【００５５】比較例２ Ｃｏ−Ｎｉ斜方蒸着膜上に保護膜としてＳｉＯ2 蒸着膜
を以下の蒸着条件で成膜したこと以外は実施例１と同様
にして磁気テープを作製した。 ＳｉＯ2 蒸着膜蒸着条件 蒸着源 ：ＳｉＯ2 入射角 ：−２０°〜＋２０° テープスピード：０．２ｍ／秒 Ｏ2 導入流量 ：６．０×１０-6ｍ3 ／秒 蒸着時真空度 ：７×１０-2Ｐａ 蒸着膜膜厚 ：０．０２μｍ Comparative Example 2 A magnetic tape was produced in the same manner as in Example 1 except that a SiO 2 vapor deposition film was formed as a protective film on the Co—Ni oblique vapor deposition film under the following vapor deposition conditions. SiO 2 vapor deposition film vapor deposition conditions Vapor deposition source: SiO 2 incident angle: −20 ° to + 20 ° Tape speed: 0.2 m / sec O 2 introduction flow rate: 6.0 × 10 −6 m 3 / sec Vacuum degree during vapor deposition: 7 × 10 -2 Pa Deposition film thickness: 0.02 μm
【００５６】以上のようにして作製された各種磁気テー
プについて、信号記録を行い、ＴＳＳヘッドでスチル再
生したときに再生出力が３ｄＢ減少するまでの時間（ス
チル耐久時間）を測定した。なお、測定には、ソニー社
製，商品名ＥＶ−Ｓ９００の８ｍｍＶＴＲ改造機を用い
た。その結果を蒸着条件とともに表１〜表３に示す。The various magnetic tapes produced as described above were subjected to signal recording, and the time until the reproduction output decreased by 3 dB (still endurance time) was measured when still reproduction was performed with the TSS head. An 8 mm VTR remodeling machine manufactured by Sony Corporation and having a trade name of EV-S900 was used for the measurement. The results are shown in Tables 1 to 3 together with the vapor deposition conditions.
【００５７】[0057]
【表１】 [Table 1]
【００５８】[0058]
【表２】 [Table 2]
【００５９】[0059]
【表３】 [Table 3]
【００６０】表１〜表３を見てわかるように、保護膜と
してＡｌ蒸着膜，ＳｉＯ2 蒸着膜が形成された比較例
１，比較例２の磁気テープに比べて、保護膜として複合
酸化物蒸着膜が形成された実施例１〜実施例２３の磁気
テープは遙に長いスチル耐久時間を示す。また、スチル
再生２時間経過後に実施例１〜実施例４の磁気テープ及
び比較例１，比較例２の磁気テープについてテープ表面
の様子を観察したところ、比較例１，比較例２の磁気テ
ープには損傷が認められたが、実施例１〜実施例４の磁
気テープにはそのような損傷は認められなかった。As can be seen from Tables 1 to 3, compared with the magnetic tapes of Comparative Examples 1 and 2 in which the Al vapor deposition film and the SiO 2 vapor deposition film were formed as the protective film, the composite oxide was used as the protective film. The magnetic tapes of Examples 1 to 23 on which the vapor-deposited film is formed exhibit a much longer still durability time. Further, the appearance of the tape surface of the magnetic tapes of Examples 1 to 4 and the magnetic tapes of Comparative Examples 1 and 2 after 2 hours of still reproduction was observed. Was observed, but no such damage was observed in the magnetic tapes of Examples 1 to 4.
【００６１】このことから、複合酸化物蒸着膜は保護膜
として適しており、このような複合酸化物蒸着膜を保護
膜として形成することは磁気記録媒体の走行耐久性の向
上を図る上で非常に有効であることがわかった。From this fact, the composite oxide vapor deposition film is suitable as a protective film, and forming such a composite oxide vapor deposition film as the protective film is very important for improving running durability of the magnetic recording medium. Proved to be effective.
【００６２】[0062]
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、非磁性支持体上に磁性層としてＣｏを主成分と
する磁性蒸着薄膜が形成されてなる磁気記録媒体におい
て、前記磁性蒸着薄膜上に保護膜としてＳｉ酸化物を主
成分とする複合酸化物蒸着膜を形成するので、磁性蒸着
薄膜に対する密着強度が非常に優れた保護膜が得られ、
走行耐久性，耐食性に優れた磁気記録媒体を得ることが
可能である。また、上記複合酸化物蒸着膜は、成膜速度
の比較的早い真空蒸着法によって成膜されるので、保護
膜の形成時間が短縮でき、磁気記録媒体の生産性の向上
を図ることが可能である。As is clear from the above description, the present invention provides a magnetic recording medium comprising a non-magnetic support and a magnetic vapor deposition thin film containing Co as a main component on a non-magnetic support. Since a composite oxide vapor deposition film containing Si oxide as a main component is formed on the thin film, a protective film having excellent adhesion strength to the magnetic vapor deposition thin film can be obtained.
It is possible to obtain a magnetic recording medium having excellent running durability and corrosion resistance. In addition, since the above-mentioned composite oxide vapor deposition film is formed by a vacuum vapor deposition method with a relatively high film formation rate, it is possible to shorten the time for forming the protective film and improve the productivity of the magnetic recording medium. is there.
【図１】Ｃｏを主体とする磁性蒸着薄膜の組織構造を示
す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a texture structure of a magnetic deposition thin film containing Co as a main component.
【図２】複合酸化物蒸着膜と磁性蒸着薄膜の密着機構を
説明する模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram illustrating an adhesion mechanism between a composite oxide vapor deposition film and a magnetic vapor deposition thin film.
【図３】Ｓｉ酸化物マトリックス相と金属酸化物微細分
散相よりなる複合酸化物蒸着膜を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram showing a composite oxide vapor deposition film composed of a Si oxide matrix phase and a metal oxide finely dispersed phase.
【図４】上記複合酸化物蒸着膜にクラックが入った様子
を示す模式図である。FIG. 4 is a schematic view showing a state in which a crack is formed in the composite oxide vapor deposition film.
【図５】Ｓｉ酸化物マトリックス相と２種類の金属酸化
物微細分散相よりなる複合酸化物蒸着膜を示す模式図で
ある。FIG. 5 is a schematic view showing a composite oxide vapor deposition film composed of a Si oxide matrix phase and two kinds of metal oxide finely dispersed phases.
【図６】各種金属元素の温度と蒸着速度の関係を示す特
性図である。FIG. 6 is a characteristic diagram showing the relationship between the temperature of various metal elements and the deposition rate.
【図７】各種金属酸化物の温度と蒸着速度の関係を示す
特性図である。FIG. 7 is a characteristic diagram showing the relationship between the temperature of various metal oxides and the vapor deposition rate.
【図８】蒸着装置の構成を示す模式図である。FIG. 8 is a schematic diagram showing a configuration of a vapor deposition device.
１・・・結晶カラム ２・・・Ｃｏ−Ｏ層 ３・・・複合酸化物蒸着膜 ４・・・Ｓｉ酸化物蒸着膜 ５・・・反応混在層 1 ... Crystal column 2 ... Co-O layer 3 ... Complex oxide vapor deposition film 4 ... Si oxide vapor deposition film 5 ... Reaction mixed layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 千葉 一信 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 平塚 亮一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 蟻坂 裕一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 武田 勉 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 (72)発明者 森 敬郎 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソニ ー株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Kazunobu Chiba 6-735 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Ryoichi Hiratsuka 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo No. Sony Corporation (72) Yuichi Arisaka 6-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sony Corporation (72) Inventor Tsutomu Takeda 6-7-35 Kita-Shinagawa, Shinagawa-ku, Tokyoー Incorporated (72) Inventor Keiro Mori 6-735 Kitashinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Soni Limited
Claims (4)
性蒸着薄膜が形成され、該磁性蒸着薄膜上に保護膜とし
てＳｉ酸化物を主成分とする複合酸化物蒸着膜が形成さ
れていることを特徴とする磁気記録媒体。1. A magnetic vapor deposition thin film containing Co as a main component is formed on a non-magnetic support, and a composite oxide vapor deposition film containing Si oxide as a main component is formed as a protective film on the magnetic vapor deposition thin film. A magnetic recording medium characterized by being present.
ｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｚｒ，Ｍｇ，Ｂｉ，Ｂａ，希土類金属から選ばれる少な
くとも１種の酸化物を含有することを特徴とする請求項
１記載の磁気記録媒体。2. The composite oxide vapor deposition film comprises Si oxide and C
r, Sn, Cu, Al, B, Fe, Ni, Ti, Co,
2. The magnetic recording medium according to claim 1, containing at least one oxide selected from Zr, Mg, Bi, Ba, and a rare earth metal.
化物蒸着膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉとＣ
ｒ，Ｓｎ，Ｃｕ，Ａｌ，Ｂ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｔｉ，Ｃｏ，
Ｚｒ，希土類金属から選ばれる少なくとも１種からなる
Ｓｉ合金を用い、酸素ガス雰囲気中で真空蒸着すること
特徴とする磁気記録媒体の製造方法。3. When forming the complex oxide vapor deposition film of the magnetic recording medium according to claim 2, Si and C are used as vapor deposition sources.
r, Sn, Cu, Al, B, Fe, Ni, Ti, Co,
A method for producing a magnetic recording medium, characterized in that a Si alloy comprising at least one selected from Zr and rare earth metals is used and vacuum deposition is performed in an oxygen gas atmosphere.
化物蒸着膜を形成するに際し、蒸着源としてＳｉＯ2 ，
ＳｉＯとＴｉＯ2 ，Ｂ2 Ｏ3 ，ＭｇＯ，Ｂｉ2Ｏ3 ，Ｎ
ｉＯ，ＢａＯ，Ａｌ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも
１種の金属酸化物からなる混合酸化物を用いて真空蒸着
することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。4. When forming the complex oxide vapor deposition film of the magnetic recording medium according to claim 2 , SiO 2 as a vapor deposition source,
SiO and TiO 2 , B 2 O 3 , MgO, Bi 2 O 3 , N
A method for producing a magnetic recording medium, characterized in that vacuum deposition is performed using a mixed oxide composed of at least one metal oxide selected from iO, BaO, and Al 2 O 3 .
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9385293A JPH06282841A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Magnetic recording medium and manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9385293A JPH06282841A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Magnetic recording medium and manufacture thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06282841A true JPH06282841A (en) | 1994-10-07 |
Family
ID=14093951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9385293A Withdrawn JPH06282841A (en) | 1993-03-30 | 1993-03-30 | Magnetic recording medium and manufacture thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06282841A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679473A (en) * | 1993-04-01 | 1997-10-21 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
-
1993
- 1993-03-30 JP JP9385293A patent/JPH06282841A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5679473A (en) * | 1993-04-01 | 1997-10-21 | Asahi Komag Co., Ltd. | Magnetic recording medium and method for its production |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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