JPH06282802A - 磁気記録・再生装置 - Google Patents
磁気記録・再生装置Info
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- JPH06282802A JPH06282802A JP5090595A JP9059593A JPH06282802A JP H06282802 A JPH06282802 A JP H06282802A JP 5090595 A JP5090595 A JP 5090595A JP 9059593 A JP9059593 A JP 9059593A JP H06282802 A JPH06282802 A JP H06282802A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型ＭＲヘッドを用いた磁気記録
・再生装置において、再生出力の品質を高めると同時に
製造の歩留まりを向上させる。 【構成】 誘導型の磁気記録ヘッドと磁気抵抗効果型の
再生ヘッドからなる複合ヘッドにおいて、バイアス手段
を複合ヘッド側から、磁気二重層を有する磁気記録媒体
の下部磁性層側に持たせたことによる磁気記録・再生装
置
・再生装置において、再生出力の品質を高めると同時に
製造の歩留まりを向上させる。 【構成】 誘導型の磁気記録ヘッドと磁気抵抗効果型の
再生ヘッドからなる複合ヘッドにおいて、バイアス手段
を複合ヘッド側から、磁気二重層を有する磁気記録媒体
の下部磁性層側に持たせたことによる磁気記録・再生装
置
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気抵抗効果の再生ヘッ
ドを用いる磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録・再生装置に関し、さらに詳しくは磁気抵抗薄膜素
子にバイアス磁束を与える構成に関する。
ドを用いる磁気ディスク装置、磁気テープ装置等の磁気
記録・再生装置に関し、さらに詳しくは磁気抵抗薄膜素
子にバイアス磁束を与える構成に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の磁気記録・再生装置としては記録
動作を誘導型薄膜ヘッド、再生動作を磁気抵抗効果型ヘ
ッドで行う記録・再生分離型が、多く使われている。こ
の中で磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称す
る）はＮｉ80Ｆｅ20等の磁気抵抗効果を有する薄膜（以
下ＭＲ膜と称する）において、印加磁界により電気抵抗
値が変化する性質を利用して磁気記録媒体からの磁化情
報を読み出す磁気ヘッドであり、誘導型磁気ヘッドと比
較して再生感度が高く、また再生出力は、磁気ディスク
の周速に依存しないため、磁気記録装置の高密度化、小
型化に対して有利なデバイスである。
動作を誘導型薄膜ヘッド、再生動作を磁気抵抗効果型ヘ
ッドで行う記録・再生分離型が、多く使われている。こ
の中で磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッドと称す
る）はＮｉ80Ｆｅ20等の磁気抵抗効果を有する薄膜（以
下ＭＲ膜と称する）において、印加磁界により電気抵抗
値が変化する性質を利用して磁気記録媒体からの磁化情
報を読み出す磁気ヘッドであり、誘導型磁気ヘッドと比
較して再生感度が高く、また再生出力は、磁気ディスク
の周速に依存しないため、磁気記録装置の高密度化、小
型化に対して有利なデバイスである。
【０００３】前述のＭＲ膜の抵抗率（ρ）と印加磁界
（Ｈ）の関係は非線形性を有しているため、ヘッドとし
て使用する場合には、横方向に適度なバイアスを印加し
て、線形領域でしかもその傾きができるだけ大きな領域
で動作させるよう設計する必要がある。以上のような線
形化するための手段は横バイアスと呼ばれ、その手法は
数多くの方法が知られているが、第１の従来例としてソ
フトフィルムバイアス法について図４を用いて説明す
る。ソフトフィルムバイアス法を用いたＭＲヘッドはＣ
ｏアモルファス等からなるソフトフィルム３、非磁性材
料からなるスペーサー２、ＭＲ膜１を順次積層し、磁記
記録媒体上の磁性層に記録された磁気信号を感知するセ
ンス領域５１の両端に電極６１、６２を形成する。セン
ス領域におけるＭＲ膜１に流れるセンス電流Ｉｓにより
その下部にあるソフトフィルム３が磁化され、その漏洩
磁束Ｈにより横方向にバイアスが印加され、ＭＲ膜の磁
化ベクトルＭは約４５゜近くに回転する。この状態で磁
気記録媒体の記録磁化からの漏洩磁束を検知して、出力
信号を得る。
（Ｈ）の関係は非線形性を有しているため、ヘッドとし
て使用する場合には、横方向に適度なバイアスを印加し
て、線形領域でしかもその傾きができるだけ大きな領域
で動作させるよう設計する必要がある。以上のような線
形化するための手段は横バイアスと呼ばれ、その手法は
数多くの方法が知られているが、第１の従来例としてソ
フトフィルムバイアス法について図４を用いて説明す
る。ソフトフィルムバイアス法を用いたＭＲヘッドはＣ
ｏアモルファス等からなるソフトフィルム３、非磁性材
料からなるスペーサー２、ＭＲ膜１を順次積層し、磁記
記録媒体上の磁性層に記録された磁気信号を感知するセ
ンス領域５１の両端に電極６１、６２を形成する。セン
ス領域におけるＭＲ膜１に流れるセンス電流Ｉｓにより
その下部にあるソフトフィルム３が磁化され、その漏洩
磁束Ｈにより横方向にバイアスが印加され、ＭＲ膜の磁
化ベクトルＭは約４５゜近くに回転する。この状態で磁
気記録媒体の記録磁化からの漏洩磁束を検知して、出力
信号を得る。
【０００４】第２の従来例としてハードフィルムバイア
ス法がある。この方法はＭＲ膜に近接してＣｏＰｔ等か
らなるハードフィルム層を配設し、この漏洩磁束により
横方向のバイアスを印加する方法である。次に雑音に対
する対策として、第３の従来例を用いて説明する。磁気
抵抗効果ヘッドを用いた再生においては再生波形中に不
規則なジャンプや歪みが発生する、いわゆるバルクハウ
ゼンノイズの問題がある。この原因はＭＲ膜内の磁壁の
移動によるものであり、これを抑えるための方法として
ＭＲ膜上にＦｅ−Ｍｎ等からなる反強磁性膜もしくはＣ
ｏ−Ｐｔ等からなる強磁性膜を成膜し、界面におけるト
ラック方向への交換結合磁界あるいは漏洩磁界を用いて
ＭＲ膜を単磁区化する技術が知られている。このような
技術は縦バイアスと呼ばれる。図５に第３の従来例の構
造のＭＲヘッドの断面図を示す。ソフトフィルム３、ス
ペーサー２、ＭＲ膜１を積層し、そのセンス領域５１の
端部に反強磁性層１４、１５及び電極６１、６２を形成
する。ＭＲ層に流れるセンス電流によりソフトフィルム
が磁化され、その漏洩磁束により横バイアスが印加さ
れ、線形化される。また反強磁性層及びＭＲ層の界面に
おける交換結合磁界により縦バイアスが印加されること
により、ＭＲ膜が単磁区化され、再生時の磁壁移動によ
るバルクハウゼンノイズを減少させる。以上、第１、第
２及び第３の従来例は磁気抵抗効果型ヘッドに横方向バ
イアスもしくは縦方向バイアスを印加する手段をヘッド
自身が併せ持った構造であり、また磁気記録媒体の磁性
層は、データ記録用１層のみである。
ス法がある。この方法はＭＲ膜に近接してＣｏＰｔ等か
らなるハードフィルム層を配設し、この漏洩磁束により
横方向のバイアスを印加する方法である。次に雑音に対
する対策として、第３の従来例を用いて説明する。磁気
抵抗効果ヘッドを用いた再生においては再生波形中に不
規則なジャンプや歪みが発生する、いわゆるバルクハウ
ゼンノイズの問題がある。この原因はＭＲ膜内の磁壁の
移動によるものであり、これを抑えるための方法として
ＭＲ膜上にＦｅ−Ｍｎ等からなる反強磁性膜もしくはＣ
ｏ−Ｐｔ等からなる強磁性膜を成膜し、界面におけるト
ラック方向への交換結合磁界あるいは漏洩磁界を用いて
ＭＲ膜を単磁区化する技術が知られている。このような
技術は縦バイアスと呼ばれる。図５に第３の従来例の構
造のＭＲヘッドの断面図を示す。ソフトフィルム３、ス
ペーサー２、ＭＲ膜１を積層し、そのセンス領域５１の
端部に反強磁性層１４、１５及び電極６１、６２を形成
する。ＭＲ層に流れるセンス電流によりソフトフィルム
が磁化され、その漏洩磁束により横バイアスが印加さ
れ、線形化される。また反強磁性層及びＭＲ層の界面に
おける交換結合磁界により縦バイアスが印加されること
により、ＭＲ膜が単磁区化され、再生時の磁壁移動によ
るバルクハウゼンノイズを減少させる。以上、第１、第
２及び第３の従来例は磁気抵抗効果型ヘッドに横方向バ
イアスもしくは縦方向バイアスを印加する手段をヘッド
自身が併せ持った構造であり、また磁気記録媒体の磁性
層は、データ記録用１層のみである。
【０００５】次に第４の従来例として磁気二重層を有す
る磁気記録媒体を用いた記録方法について図６を用いて
示す。磁性層は下からサーボ信号を記録するための下部
磁性層３１、下部磁性層と上部磁性層の磁気的な結合を
遮断するための分離層３０、データ信号を記録するため
の上部磁性層３２の磁気二重層構造であり、上部磁性層
と下部磁性層はいずれも面内に磁化容易軸を有する膜で
ある。これに対しヘッドは２つのヘッドを有していて１
つはサーボ信号を読みとるためのＭＲヘッド１０、もう
１つはデータ信号を読みとるための誘導型、ＭＲ型複合
ヘッド１１であり、それぞれのトラック方向は９０゜傾
けて配置させる。この構造により下部磁性層３１からの
サーボ信号をヘッド１０で読み、上部磁性層３２からの
データ信号をヘッド１１で読み書きする。それぞれの信
号の干渉は分離層３０を設けることとトラック面が９０
゜傾いていることで防ぐことができる。以上、第４の従
来例での磁気二重層とする目的は、サーボ用信号を記録
するためであり、バイアス手段としての公知例はない。
る磁気記録媒体を用いた記録方法について図６を用いて
示す。磁性層は下からサーボ信号を記録するための下部
磁性層３１、下部磁性層と上部磁性層の磁気的な結合を
遮断するための分離層３０、データ信号を記録するため
の上部磁性層３２の磁気二重層構造であり、上部磁性層
と下部磁性層はいずれも面内に磁化容易軸を有する膜で
ある。これに対しヘッドは２つのヘッドを有していて１
つはサーボ信号を読みとるためのＭＲヘッド１０、もう
１つはデータ信号を読みとるための誘導型、ＭＲ型複合
ヘッド１１であり、それぞれのトラック方向は９０゜傾
けて配置させる。この構造により下部磁性層３１からの
サーボ信号をヘッド１０で読み、上部磁性層３２からの
データ信号をヘッド１１で読み書きする。それぞれの信
号の干渉は分離層３０を設けることとトラック面が９０
゜傾いていることで防ぐことができる。以上、第４の従
来例での磁気二重層とする目的は、サーボ用信号を記録
するためであり、バイアス手段としての公知例はない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前述のように従来のＭ
Ｒヘッドの横バイアス印加方法としてソフトフィルムバ
イアス法ではバイアスがＭＲ膜の膜厚方向に均一に印加
されず、波形歪の原因になる、あるいは非磁性層２が導
電体の場合にはシャントバイアス効果によりバイアスの
均一性は増すが、非磁性層側にセンス電流が分流するた
め出力が低下し、また導体層の発熱の影響を受けやすい
という問題がある。またハードフィルム法での横バイア
ス印加においてはハードフィルムの組成、成膜条件など
の違いにより、膜の磁化状態が異なるなどの問題があ
り、制御が困難であった。また縦バイアス印加方法につ
いてはＦｅ−Ｍｎ反強磁性膜においては耐食性が悪い、
強磁性膜においてはバイアス成分が交換結合磁界と漏洩
磁界の２種類であるため、最適なバイアス磁界の制御が
むずかしい、等の問題があり、バイアス磁界自体も不十
分で完全に単磁区化できずバルクハウゼンノイズを十分
抑制できなかった。またいずれの構成においても横方向
バイアス及び縦方向バイアスを印加する手段をヘッド自
身に持たせているため構造が複雑になり、歩留まりの劣
化の原因にもなる。
Ｒヘッドの横バイアス印加方法としてソフトフィルムバ
イアス法ではバイアスがＭＲ膜の膜厚方向に均一に印加
されず、波形歪の原因になる、あるいは非磁性層２が導
電体の場合にはシャントバイアス効果によりバイアスの
均一性は増すが、非磁性層側にセンス電流が分流するた
め出力が低下し、また導体層の発熱の影響を受けやすい
という問題がある。またハードフィルム法での横バイア
ス印加においてはハードフィルムの組成、成膜条件など
の違いにより、膜の磁化状態が異なるなどの問題があ
り、制御が困難であった。また縦バイアス印加方法につ
いてはＦｅ−Ｍｎ反強磁性膜においては耐食性が悪い、
強磁性膜においてはバイアス成分が交換結合磁界と漏洩
磁界の２種類であるため、最適なバイアス磁界の制御が
むずかしい、等の問題があり、バイアス磁界自体も不十
分で完全に単磁区化できずバルクハウゼンノイズを十分
抑制できなかった。またいずれの構成においても横方向
バイアス及び縦方向バイアスを印加する手段をヘッド自
身に持たせているため構造が複雑になり、歩留まりの劣
化の原因にもなる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気抵
抗効果ヘッドと磁気二重層を有する磁気記録媒体とを組
み合わせる事により、あらかじめ厚さ方向に磁化された
下部磁性層から磁気抵抗ヘッドに横方向バイアスを印加
する、またはあらかじめ磁気記録媒体の走行方向に磁化
された下部磁性層により磁気抵抗ヘッドに縦バイアスを
印加して動作させる。
抗効果ヘッドと磁気二重層を有する磁気記録媒体とを組
み合わせる事により、あらかじめ厚さ方向に磁化された
下部磁性層から磁気抵抗ヘッドに横方向バイアスを印加
する、またはあらかじめ磁気記録媒体の走行方向に磁化
された下部磁性層により磁気抵抗ヘッドに縦バイアスを
印加して動作させる。
【０００８】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、磁気
記録媒体として磁気ディスクを対象とした。図１におい
て磁気ディスクは磁気２重層構造であり、ガラス基体２
３上にＣｏＰｔからなるハードフィルムを垂直方向に磁
化容易軸が向くように形成した下部磁性層２１（保磁
力：Ｈｃ＝２０００Ｏｅ、膜厚：ｔ＝０．５μｍ）、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａよりなる面内方向に容易軸を有する上部
磁性層２２（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ、ｔ＝０．０３μ
ｍ）、Ｃｒよりなる上部磁性層及び下部磁性層の磁気的
結合を遮断するためにその間にはさまれた分離層２０
（ｔ＝０．１μｍ）、からなる。それぞれはスパッタリ
ング法により連続形成される。またヘッドはセラミック
基板上にパーマロイよりなる磁気抵抗効果膜１（ｔ＝
０．０８μｍ）、タングステンよりなる電極６１、６
２、をスパッタリング形成後イオンミリングによりパタ
ーン形成する。また必要に応じてＭＲ素子の上下には非
磁性材、例えばアルミナ等よりなるギャップを介して軟
磁性材料、例えばパーマロイよりなるシールド層をパタ
ーン形成しても良い。その後その上部に誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を周知の方法により作成する。図１において
下部磁性層はあらかじめ厚さに対して上方向または下方
向に磁化させておき、この層より生じる漏洩磁束により
ＭＲ膜の磁化を回転させ横バイアスを印加する。この状
態で複合ヘッドにより記録再生を行う。書き込み時は誘
導型薄膜ヘッドより生じる磁束は、上部磁極層２２のみ
の磁化回転を起こし、より保磁力が大きく、距離の離れ
た下部磁極層２１へは全く影響を与えない。図２は下部
磁性層を上向きに一度磁化させた後、同一トラックにて
誘導型ヘッドにおいて一定回数書き込みを行った後、読
み出し時のバイアス磁界を測定したものであり、最大１
０００回行った後もバイアス磁界の変化率は５％以下と
実用上問題の無いレベルであった。
る。図１は本発明の一実施例を示す構成図であり、磁気
記録媒体として磁気ディスクを対象とした。図１におい
て磁気ディスクは磁気２重層構造であり、ガラス基体２
３上にＣｏＰｔからなるハードフィルムを垂直方向に磁
化容易軸が向くように形成した下部磁性層２１（保磁
力：Ｈｃ＝２０００Ｏｅ、膜厚：ｔ＝０．５μｍ）、Ｃ
ｏ−Ｃｒ−Ｔａよりなる面内方向に容易軸を有する上部
磁性層２２（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ、ｔ＝０．０３μ
ｍ）、Ｃｒよりなる上部磁性層及び下部磁性層の磁気的
結合を遮断するためにその間にはさまれた分離層２０
（ｔ＝０．１μｍ）、からなる。それぞれはスパッタリ
ング法により連続形成される。またヘッドはセラミック
基板上にパーマロイよりなる磁気抵抗効果膜１（ｔ＝
０．０８μｍ）、タングステンよりなる電極６１、６
２、をスパッタリング形成後イオンミリングによりパタ
ーン形成する。また必要に応じてＭＲ素子の上下には非
磁性材、例えばアルミナ等よりなるギャップを介して軟
磁性材料、例えばパーマロイよりなるシールド層をパタ
ーン形成しても良い。その後その上部に誘導型薄膜磁気
ヘッド素子を周知の方法により作成する。図１において
下部磁性層はあらかじめ厚さに対して上方向または下方
向に磁化させておき、この層より生じる漏洩磁束により
ＭＲ膜の磁化を回転させ横バイアスを印加する。この状
態で複合ヘッドにより記録再生を行う。書き込み時は誘
導型薄膜ヘッドより生じる磁束は、上部磁極層２２のみ
の磁化回転を起こし、より保磁力が大きく、距離の離れ
た下部磁極層２１へは全く影響を与えない。図２は下部
磁性層を上向きに一度磁化させた後、同一トラックにて
誘導型ヘッドにおいて一定回数書き込みを行った後、読
み出し時のバイアス磁界を測定したものであり、最大１
０００回行った後もバイアス磁界の変化率は５％以下と
実用上問題の無いレベルであった。
【０００９】次に第２の実施例につき図３を用いて説明
する。図３において磁気記録媒体は磁気ディスクで磁気
二重層構造であり、ガラス基体上に面内方向に磁化容易
軸を有し、予めトラック方向に磁化されたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔからなる下部磁性層４１（Ｈｃ＝２０００Ｏｅ、ｔ
＝０．５μｍ）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａよりなる面内方向に
容易軸を有する上部磁性層４２（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ、
ｔ＝０．０３μｍ）、Ｃｒよりなる上部磁性層及び下部
磁性層の磁気的結合を遮断するためにその間にはさまれ
た分離層４０（ｔ＝０．１μｍ）、からなる。それぞれ
はスパッタリング法により連続形成される。またヘッド
はセラミック基板上にａ−Ｃｏよりなるソフト膜３、Ｔ
ａよりなるスペーサー２、パーマロイよりなるＭＲ膜１
（ｔ＝０．０８μｍ）をスパッタリング形成後イオンミ
リングによりパターン形成する。続いてタングステンよ
りなる電極６１、６２をセンス領域５１の外側に、また
必要に応じてＭＲ素子の上下には非磁性材、例えばアル
ミナ等よりなるギャップを介して軟磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなるシールド層をパターン形成しても良
い。その後その上部に誘導型薄膜磁気ヘッド素子を周知
の方法により作成する（図示せず）。この構成において
は線形化はソフトフィルム法で行う。また下部磁性層か
らの漏洩磁束により、ＭＲ膜に縦方向にバイアスを印加
し、単磁区化する。
する。図３において磁気記録媒体は磁気ディスクで磁気
二重層構造であり、ガラス基体上に面内方向に磁化容易
軸を有し、予めトラック方向に磁化されたＣｏ−Ｃｒ−
Ｐｔからなる下部磁性層４１（Ｈｃ＝２０００Ｏｅ、ｔ
＝０．５μｍ）、Ｃｏ−Ｃｒ−Ｔａよりなる面内方向に
容易軸を有する上部磁性層４２（Ｈｃ＝１５００Ｏｅ、
ｔ＝０．０３μｍ）、Ｃｒよりなる上部磁性層及び下部
磁性層の磁気的結合を遮断するためにその間にはさまれ
た分離層４０（ｔ＝０．１μｍ）、からなる。それぞれ
はスパッタリング法により連続形成される。またヘッド
はセラミック基板上にａ−Ｃｏよりなるソフト膜３、Ｔ
ａよりなるスペーサー２、パーマロイよりなるＭＲ膜１
（ｔ＝０．０８μｍ）をスパッタリング形成後イオンミ
リングによりパターン形成する。続いてタングステンよ
りなる電極６１、６２をセンス領域５１の外側に、また
必要に応じてＭＲ素子の上下には非磁性材、例えばアル
ミナ等よりなるギャップを介して軟磁性材料、例えばパ
ーマロイよりなるシールド層をパターン形成しても良
い。その後その上部に誘導型薄膜磁気ヘッド素子を周知
の方法により作成する（図示せず）。この構成において
は線形化はソフトフィルム法で行う。また下部磁性層か
らの漏洩磁束により、ＭＲ膜に縦方向にバイアスを印加
し、単磁区化する。
【００１０】以上本発明の第二の実施例においてＭＲヘ
ッドからの再生波形上に見られるバルクハウゼンノイズ
の発生頻度を測定した。比較のため第３の従来例として
あげた反強磁性膜による縦バイアス法での構成と比較し
た。読みだし状態で信号（Ｓ）に対して１０ｄＢ及び１
５ｄＢのスレッシュホールド電圧（Ｖｔｈ）を越えるノ
イズ（Ｎ）の個数をカウントした。その結果を表１に示
す。 このように本発明の構成においては、従来に比較して最
適なバイアスを印加できバルクハウゼンノイズの抑制を
大幅に改善できる。更にこの構成に追加して反強磁性膜
による縦バイアスを印加した場合、更にノイズが抑制で
きる。以上が磁気ディスク装置に対しての実施例である
が、磁気テープ装置に関しても同様な効果が得られると
いうことはいうまでもない。
ッドからの再生波形上に見られるバルクハウゼンノイズ
の発生頻度を測定した。比較のため第３の従来例として
あげた反強磁性膜による縦バイアス法での構成と比較し
た。読みだし状態で信号（Ｓ）に対して１０ｄＢ及び１
５ｄＢのスレッシュホールド電圧（Ｖｔｈ）を越えるノ
イズ（Ｎ）の個数をカウントした。その結果を表１に示
す。 このように本発明の構成においては、従来に比較して最
適なバイアスを印加できバルクハウゼンノイズの抑制を
大幅に改善できる。更にこの構成に追加して反強磁性膜
による縦バイアスを印加した場合、更にノイズが抑制で
きる。以上が磁気ディスク装置に対しての実施例である
が、磁気テープ装置に関しても同様な効果が得られると
いうことはいうまでもない。
【００１１】
【発明の効果】以上のように本発明においては、ＭＲヘ
ッドに対して磁気記録媒体である磁気ディスクまたは磁
気テープの下部磁性層から横方向あるいは縦方向のバイ
アスを印加することで最適な横バイアス、縦バイアスを
印加でき、波形歪み及びノイズの小さな磁気記録・再生
装置が達成される。またヘッドの構成が簡略化され歩留
まりが向上する。
ッドに対して磁気記録媒体である磁気ディスクまたは磁
気テープの下部磁性層から横方向あるいは縦方向のバイ
アスを印加することで最適な横バイアス、縦バイアスを
印加でき、波形歪み及びノイズの小さな磁気記録・再生
装置が達成される。またヘッドの構成が簡略化され歩留
まりが向上する。
【図１】図１は本発明の第１の実施例を示す構成図であ
り、磁気記録媒体よりＭＲヘッドに横バイアスを印加し
ている。
り、磁気記録媒体よりＭＲヘッドに横バイアスを印加し
ている。
【図２】図２は本発明の構成において下部磁性層を上向
きに一度磁化させた後、同一トラックにて誘導型ヘッド
において一定回数書き込みを行った後の読み出し時のバ
イアス磁界を測定した結果を示す線図である。
きに一度磁化させた後、同一トラックにて誘導型ヘッド
において一定回数書き込みを行った後の読み出し時のバ
イアス磁界を測定した結果を示す線図である。
【図３】図３は本発明の第２の実施例を示す構成図であ
り、磁気記録媒体よりＭＲヘッドに縦バイアスを印加し
ている。
り、磁気記録媒体よりＭＲヘッドに縦バイアスを印加し
ている。
【図４】図４は第１の従来例としてソフトフィルムバイ
アス法を用いた構成の概要図である。
アス法を用いた構成の概要図である。
【図５】図５は第３の従来例の反強磁性膜を有するＭＲ
ヘッドの断面図である。
ヘッドの断面図である。
【図６】図６は第３の従来例として磁気二重層を有する
磁気記録媒体を用いた記録方法についての概要図であ
る。
磁気記録媒体を用いた記録方法についての概要図であ
る。
１ ＭＲ膜 ２ スペーサー ３ ソフトフィルム １０ サーボ用ＭＲヘッド １１ データ用誘導型／ＭＲ複合ヘッド １４、１５ 反強磁性層 ２０、３０、４０ 分離層 ２１、３１、４１ 下部磁性層 ２２、３２、４２ 上部磁性層 ２３ セラミック基板 ５１ センス領域 ６１、６２ 電極
Claims (3)
- 【請求項１】 下部磁性層、上部磁性層およびこれらの
両磁性層間に挿入される磁気分離層の積層体からなる磁
気二重層を有する磁気記録媒体と、誘導型の磁気記録ヘ
ッドと磁気抵抗効果を示す薄膜素子を用いた磁気抵抗効
果型の再生ヘッドとを備えた複合型ヘッドとを組み合わ
せて用いる磁気記録・再生装置であり、前記下部磁性層
の磁化が、前記磁気抵抗効果を示す薄膜素子に対してバ
イアス磁束を与えるように構成されていることを特徴と
する磁気記録・再生装置。 - 【請求項２】 下部磁性層の磁化方向が下部磁性層の厚
さ方向であり、薄膜素子の磁化ベクトルを磁化困難軸方
向に回転させるバイアス磁束を与えることを特徴とする
請求項１の磁気記録・再生装置。 - 【請求項３】下部磁性層の磁化方向が磁気記録媒体の走
行方向であり、薄膜素子の磁化を縦方向に単磁区化させ
るバイアス磁束を与えることを特徴とする請求項１の磁
気記録・再生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090595A JPH06282802A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 磁気記録・再生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5090595A JPH06282802A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 磁気記録・再生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06282802A true JPH06282802A (ja) | 1994-10-07 |
Family
ID=14002828
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5090595A Pending JPH06282802A (ja) | 1993-03-26 | 1993-03-26 | 磁気記録・再生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06282802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246550B1 (ko) * | 1995-10-15 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 자기 저항 효과 소자 |
-
1993
- 1993-03-26 JP JP5090595A patent/JPH06282802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100246550B1 (ko) * | 1995-10-15 | 2000-03-15 | 가네꼬 히사시 | 자기 저항 효과 소자 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
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| RVOP | Cancellation by post-grant opposition |